KR100698477B1 - Lamp type power LED - Google Patents

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Abstract

본 발명은 파워 엘이디에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 램프형으로 형성되어 있는 엘이디에 파워칩을 실장한 램프형 파워 엘이디에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power LED, and more particularly, to a lamp-type power LED mounted with a power chip on an LED formed in a lamp shape.

램프형으로 형성되어 있는 엘이디에 파워칩을 실장한 램프형 파워 엘이디에 있어서, 일측편에 위치하여 전원을 공급하는 A전극;A lamp-type power LED mounted with a power chip on an LED formed in a lamp type, comprising: an A electrode positioned at one side to supply power;

상기 A전극과 두개의 전선으로 연결되고 중심부의 리드 프레임상에 실장되는 파워칩; 및A power chip connected to the A electrode by two wires and mounted on a lead frame at a center portion thereof; And

상기 파워칩의 타측편에 위치하여 전원을 공급하고 파워칩과 두개의 전선으로 연결되는 B전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.Located on the other side of the power chip is characterized in that it comprises a power supply and a B electrode connected to the power chip and two wires.

본 발명의 램프형 파워 엘이디에 의하면, 램프형 패키지에 파워칩을 실장시켜 엘이디를 고휘도와 저전력화하는 효과를 얻을 수 있으며 PCB기판을 사용하지 않기 때문에 소형화되는 효과를 얻을 수 있다.According to the lamp-type power LED of the present invention, by mounting a power chip in a lamp-type package, it is possible to obtain an effect of high brightness and low power of the LED, and the effect of miniaturization can be obtained because a PCB board is not used.

램프, 파워엘이디, 파워칩, 전극 Lamp, Power LED, Power Chip, Electrode

Description

램프형 파워 엘이디{Lamp type power LED}Lamp type power LED {Lamp type power LED}

도 1은 종래의 램프형 엘이디을 설명하기 위한 평면도.1 is a plan view for explaining a conventional lamp-shaped LED.

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 램프형 파워 엘이디(POWER LED)을 설명하기 위한 측면도.Figure 2 is a side view for explaining a lamp-type power LED (POWER LED) according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 램프형 파워 엘이디(POWER LED)을 설명하기 위한 평면도.3 is a plan view for explaining a lamp-type power LED (POWER LED) according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 램프형 파워 엘이디(POWER LED)를 설명하기 위한 평면도.Figure 4 is a plan view for explaining a lamp-type power LED (POWER LED) according to another embodiment of the present invention.

*** 도면 주요부분의 부호의 설명 ****** Explanation of symbols in main part of drawing ***

1, 21, 31, 41: A전극 2 : 칩1, 21, 31, 41: A electrode 2: Chip

3, 22, 33, 43 : B전극3, 22, 33, 43: B electrode

32, 42 : 파워칩 44 : 제너32, 42: Power chip 44: Zener

본 발명은 파워 엘이디에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 램프형으로 형성되어 있는 엘이디에 파워칩을 실장한 램프형 파워 엘이디에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power LED, and more particularly, to a lamp-type power LED mounted with a power chip on an LED formed in a lamp shape.

일반적으로 L E D (Light Emitting Diode)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합(再結合)에 의하여 발광시키는 것으로서 반도체 발광 소자는 크게 발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)와 레이저 다이오드(LD, Laser Diode)로 나뉘어지는데, 발광 다이오드(LED)나 레이저 다이오드(LD)는 처음부터 좁은 영역의 원하는 파장 대역만의 빛을 발생시키기 때문에, 흑체복사(Blackbody Radiation)를 이용하여 넓은 스펙트럼의 빛을 생성시킨 후 원하는 색깔의 필터를 사용하는 현재의 백열등 방식보다 그 효율이 매우 높다.Generally Light Emitting Diodes (LEDs) generate a small number of carriers (electrons or holes) injected using a pn junction structure of semiconductors, and emit light by recombination of them. It is divided into Light Emitting Diode (LD) and Laser Diode (LD). Since the light emitting diode (LED) or the laser diode (LD) generates light of a desired wavelength band in a narrow area from the beginning, blackbody radiation ) Produces a broad spectrum of light and is much more efficient than current incandescent methods that use filters of the desired color.

최소 50mW에서 최대 100mW 에서 구동 가능하며 현저히 낮은 소비전력에 비Capable of driving from 50mW minimum to 100mW and significantly lower power consumption

해 발광효율이 좋은 편이다. 그러나 조명용으로 사용되기에는 발광율이 낮은 편이어서 백열전구나 형광등용에 사용하기에는 한계성이 있고, 소자의 크기(SIZE)가 작아서 발광효율적 측면이 낮은 단점이 있었다.The luminous efficiency is good. However, since the luminous rate is low to be used for lighting, there is a limit to use for incandescent lamps or fluorescent lamps, and the light emitting efficiency is low due to the small size of the device.

도 1은 종래의 램프형 엘이디을 설명하기 위한 평면도이다.1 is a plan view for explaining a conventional lamp-shaped LED.

도 1을 참조하면, 도면에 도시되어 있듯이 왼편에는 A전극(1)이 있고 가운데 부분에는 리드 프레임(LEAD FRAME)이 있으며 리드 프레임 위에 칩(2)이 실장되어 있다. 상기 리드 프레임 오른편에는 B전극(3)이 접속되어 있다. Referring to FIG. 1, as shown in the drawing, there is an A electrode 1 on the left side, a lead frame (LEAD FRAME) in the center portion, and a chip 2 mounted on the lead frame. The B electrode 3 is connected to the right side of the lead frame.

전극의 연결은 두가닥으로 전극과 칩이 연결되어 있다.The electrode is connected in two strands with the electrode and the chip connected.

즉, A전극(1)과 칩(2) 한개의 전선으로 연결되어 있으며 B전극(3)과 칩(2)도 한개의 전선으로 연결되어 있다.That is, the A electrode 1 and the chip 2 are connected by one wire, and the B electrode 3 and the chip 2 are also connected by one wire.

상기 칩(2)은 9mil에서 16mil으로 소형이고 전력이 소모가 적은 엘이디(LED)를 구성하고 있다.The chip 2 is a small, low power LED (LED) from 9mil to 16mil.

제조공정은 크게 세가지로 전 공정/후 공정/테스트 공정이 있다.There are three major manufacturing processes: pre-process, post-process and test process.

1) 전 공정1) All process

발광다이오드를 리드 프레임(LEAD FRAME)에 마운트(MOUNT)해주며 소자의 극성을 연결해 주는 공정.The process of mounting the LED on the lead frame and connecting the polarity of the device.

2) 후 공정2) after process

소자와 극성이 연결된 반제품에 캡을 씌우는 공정(Package 완성 공정)Capping the semi-finished product with polarity connected to the device (Package completion process)

3) 테스트 공정 3) test process

완성품에 대한 전기적 특성 테스트 및 외관 테스트 공정으로 제조가 된다.      It is manufactured by the electrical property test and appearance test process for the finished product.

파워 엘이디(POWER LED)는 상기한 바와 같이 광 효율성측면을 보완한 제품으로서 현재2004년부터 시작하여 조명용 등에 주로 사용되며 현재 파워 패키지(POWER PACKAGE)를 사용하는 업체가 점차 증가 되고있다.Power LED is a product that supplements the light efficiency aspect as described above. It is mainly used for lighting since 2004, and more and more companies are using the power package.

현재 사용되고 있는 파워 패키지(POWER PACKAGE)는 PCB 및 수평형 타입(TYPE)으로 사용되며 종류가 다양하다. 그러나 공통된 사항은 PCB 상태에서 파워 엘이디를 사용해서 부피가 커지는 문제점이 있었고,Currently used power package is used as PCB and horizontal type and there are various kinds. However, the common point was the problem that the bulky using the power LED in the PCB state,

소자 크기(SIZE)는 20, 28, 40mil 등을 사용하고, 또한 사용되는 소비전력은 500mW에서 1W를 이용하기 때문에 소비전력이 높은 만큼 열이 많이 발생하는 문제점이 있었다.     Device size (SIZE) uses 20, 28, 40mil, etc., and also because the power consumption is used 1W at 500mW, there is a problem that a lot of heat generated as the power consumption is high.

따라서 본 발명은, 이상에서 설명한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 램프형 패키지에 파워칩을 실장시켜 고휘도와 저전력의 엘이디(LED)를 제공하는데 그 목적이 있다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a high brightness and low power LED (LED) by mounting a power chip in a lamp type package to solve the problems described above.

상기한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 램프형 파워 엘이디는 램프형으로 형성되어 있는 엘이디에 파워칩을 실장한 램프형 파워 엘이디에 있어서, 일측편에 위치하여 전원을 공급하는 A전극; 상기 A전극과 두개의 전선으로 연결되고 중심부의 리드 프레임상에 실장되는 파워칩; 및 상기 파워칩의 타측편에 위치하여 전원을 공급하고 파워칩과 두개의 전선으로 연결되는 B전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 파워 엘이디의 크기는 5mm 이상인 것을 특징으로 한다.Lamp type power LED according to the present invention for achieving the above technical problem is a lamp type power LED mounted with a power chip on the LED formed in the lamp type, A electrode for supplying power located on one side; A power chip connected to the A electrode by two wires and mounted on a lead frame at a center portion thereof; And a B electrode positioned at the other side of the power chip to supply power and connected to the power chip and two wires.
In addition, the size of the power LED is characterized in that more than 5mm.

또한, 상기 파워칩은 크기가 20mil이상인 것을 특징으로 한다.In addition, the power chip is characterized in that the size of more than 20mil.

또한, 상기 파워 엘이디에 정전기를 방지하기 위해 제너(ZENER)를 장착한 것을 특징으로 한다.In addition, the power LED is characterized in that the Zener (ZENER) is mounted to prevent the static electricity.

또한, 상기 파워 엘이디의 열을 방출하기 위해서 리드 프레임(LEAD FRAME) 재질을 구리로 한 것을 특징으로 한다.In addition, the lead frame is characterized in that the lead frame (LEAD FRAME) material is made of copper in order to discharge the heat of the power LED.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 램프형 파워 엘이디를 설명하기 위한 측면도이다.2 is a side view for explaining a lamp-type power LED according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 형상은 램프형 엘이디의 모양을 하고 있으나 본 발명의 파워 엘이디이다.
종래에는 PCB기판 및 수평형 타입(TYPE)에 파워 엘이디 칩을 마운트(MOUNT)하여 전체적인 파워 엘이디의 크기가 크고 소요 전력이 많이 드는 단점이 있었으나, 본 발명은 램프형(수직형)의 타입(TYPE)에 칩을 마운트(MOUNT)하여 종래의 파워 엘이디 보다 고휘도의 우수한 램프형 파워 엘이디이다. Referring to Figure 2, the shape is a lamp-shaped LED, but the power LED of the present invention.
Conventionally, the power LED chip is mounted on the PCB and the horizontal type, and the overall power LED is large in size and consumes a lot of power. However, the present invention is a lamp type (vertical) type. (MOUNT) is a lamp-type power LED having a higher brightness than a conventional power LED.

또한, 몰딩에 있어서, 에폭시와 실리콘을 사용하여 내열효과가 있어서 일정한도내에서 방열판이 필요없다.In addition, in molding, epoxy and silicon are used to have a heat resistance effect, so that a heat sink is not required within a certain degree.

또한, 열을 방출하는 방법에 있어서 리드 프레임(LEAD FRAME) 재질을 구리로 사용하여 방열판을 대체할 수 있도록 하고 있다.In addition, in the method of dissipating heat, a lead frame material is used as copper to replace the heat sink.

도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 램프형 파워 엘이디를 설명하기 위한 평면도이다. 3 is a plan view illustrating a lamp-type power LED according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 도면에 도시되어 있듯이 왼편에는 A전극(31)이 있고 가운데 부분에는 리드 프레임(LEAD FRAME)이 있으며 리드 프레임(LEAD FRAME) 위에 파워칩(32)이 실장되어 있다. 상기 리드 프레임(LEAD FRAME) 오른편에는 B전극(33)이 접속되어 있다. Referring to FIG. 3, as shown in the drawing, there is an A electrode 31 on the left side, a lead frame (LEAD FRAME) at the center portion, and a power chip 32 is mounted on the lead frame (LEAD FRAME). The B electrode 33 is connected to the right side of the lead frame LEAD FRAME.

전극의 연결은 종래에는 두가닥으로 전극과 칩이 연결이 됐는데 본 발명에서는 여러가닥으로 전극과 칩이 연결되어 있다.The electrode is conventionally connected to the electrode and the chip in two strands, but in the present invention, the electrode and the chip are connected in several strands.

즉, A전극(31)과 파워칩(32) 두개의 전선으로 연결되어 있으며 B전극(33)과 파워칩(32)도 두개의 전선으로 연결되어 있다.That is, the A electrode 31 and the power chip 32 are connected by two wires, and the B electrode 33 and the power chip 32 are also connected by two wires.

종래와는 달리 본 발명의 파워칩(32)은 20mil이상으로 더 큰 것을 사용하여 휘도가 높고 내구성도 뛰어난 파워 엘이디를 구성하고 있다.Unlike the related art, the power chip 32 of the present invention uses a larger than 20 mils to constitute a power LED having high brightness and excellent durability.

도 4는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 램프형 파워 엘이디를 설명 하기 위한 평면도이다.4 is a plan view for explaining a lamp-type power LED according to another embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 도면에 도시되어 있듯이 왼편에는 A전극(41)이 있고 가운데 부분에는 리드 프레임(LEAD FRAME)이 있으며 리드 프레임(LEAD FRAME) 위에 파워칩(42)이 실장되어 있다. 상기 리드 프레임(LEAD FRAME) 오른편에는 B전극(43)이 접속되어 있다. Referring to FIG. 4, as shown in the drawing, there is an A electrode 41 on the left side, a lead frame (LEAD FRAME) at the center portion, and a power chip 42 is mounted on the lead frame (LEAD FRAME). The B electrode 43 is connected to the right side of the lead frame LEAD FRAME.

전극의 연결은 종래에는 두가닥으로 전극과 칩이 연결이 됐는데, 본 발명의 파워 엘이디는 전극과 칩이 여러가닥의 연결선으로 연결되는 것을 특징으로 하고 있다.
특히, 상기 파워 엘이디는 입력되는 전류량이 늘어남에 따라 전극을 연결하는 전선의 굵기가 30μm인 것을 특징으로 하고 있다. Conventionally, two electrodes are connected to an electrode and a chip, but the power LED of the present invention is characterized in that the electrode and the chip are connected to each other by multiple connection lines.
In particular, the power LED is characterized in that the thickness of the wire connecting the electrode is 30μm as the amount of current input increases.

또한, 정전기를 방지하기 위해 B전극(43)에 제너(ZENER, 44)를 장착하고 있다.In addition, a zener 44 is mounted on the B electrode 43 to prevent static electricity.

빛을 발산하는 전력은 종래의 것과는 달리 500mW에서 5W까지 구현이 가능하다.The light emitting power can be implemented from 500mW to 5W, unlike the conventional one.

파워 엘이디는 LED/PCB 파워 엘이디의 단점들을 보완한 것으로서 고 광효율을 나타내며 또한 열이발생되는 부분을 엘이디 패키지(LED PACKAGE) 상태에서 구리 재질로 열방출을 시킨다.Power LED is a complement to the shortcomings of LED / PCB power LED. It has high light efficiency and heat dissipates heat generated from copper in LED package.

현재 기존에 사용되고 있는 PCB 파워 패키지 엘이디(POWER PACKAGE LED)의 틀에서 벗어나 엘이디 패키지(LED PACKAGE) 상태에서 파워 엘이디를 구현하므로써 기존의 자동생산을 그대로 적용시키므로서 제조 방법 변경이 없으므로 PCB 파워 엘이디보다 경쟁력이 우수하고 기존 엘이디(LED)와 같은 다양한 패키지(PACKAGE)가 가능하고 또한 소자 크기(SIZE)는 20mil이상 등이 있다.It is more competitive than PCB power LED because there is no change in manufacturing method by applying the existing automatic production by implementing power LED in the state of LED package out of the framework of PCB power package LED currently used. This package is excellent and can be used in various packages such as LED, and the device size is over 20mil.

이상 도면과 명세서에서 최적 실시예들이 개시되었다. 여기서 사용된 특정한 용어는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것이 아니다. 그러므 로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The best embodiments have been disclosed in the drawings and specification above. The specific terminology used herein is for the purpose of describing the present invention only and is not intended to be limiting of meaning or the scope of the invention as set forth in the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 램프형 파워 엘이디에 의하면, 램프형 패키지에 파워칩을 실장시켜 엘이디를 고휘도와 저전력화하는 효과를 얻을 수 있으며 PCB기판을 사용하지 않기 때문에 소형화될 뿐만 아니라 기존 엘이디(LED)처럼 다양한 패키지(PACKAGE)가 가능하며, 기존 백열등, 형광등, 네온 조명시장에 쉽게 접근할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the lamp type power LED of the present invention, it is possible to obtain an effect of mounting the power chip in the lamp type package to reduce the brightness and power of the LED. Various packages are available like LED, and it is easy to access existing incandescent, fluorescent and neon lighting markets.

Claims (9)

램프형으로 형성되어 있는 엘이디에 파워칩을 실장한 수직형 램프 파워 엘이디에 있어서,  In the vertical lamp power LED in which a power chip is mounted on an LED formed in a lamp shape, 일측편에 위치하여 전원을 공급하는 A전극; An A electrode positioned at one side to supply power; 상기 A전극과 두개의 전선으로 연결되고 중심부의 리드 프레임상에 실장되는 파워칩; 및 A power chip connected to the A electrode by two wires and mounted on a lead frame at a center portion thereof; And 상기 파워칩의 타측편에 위치하여 전원을 공급하고 파워칩과 두개의 전선으로 연결되는 B전극을 포함하여 구성되고,Located on the other side of the power chip to supply power and comprises a B electrode connected to the power chip and two wires, 상기 파워 엘이디는 5mm ~ 12mm인 것을 특징으로 하는 램프형 파워 엘이디.The power LED is a lamp-type power LED, characterized in that 5mm ~ 12mm. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 파워칩은 크기가 20mil ~ 80mil인 것을 특징으로 하는 램프형 파워 엘이디. The power chip is a lamp-type power LED, characterized in that the size of 20mil ~ 80mil. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 파워 엘이디의 열을 방출하기 위해서 리드 프레임 재질을 구리로 한 것을 특징으로 하는 램프형 파워 엘이디.A lamp-type power LED, characterized in that the lead frame material is made of copper to dissipate heat of the power LED. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 파워 엘이디는 전극과 칩의 연결선이 여러 개인 것을 특징으로 하는 램프형 파워 엘이디.The power LED is a lamp-type power LED, characterized in that the connection line between the electrode and the chip. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 파워 엘이디는 입력되는 전류량이 늘어남에 따라 전극을 연결하는 전선 의 굵기가 30μm인 것을 특징으로 하는 램프형 파워 엘이디.The power LED is a lamp-type power LED, characterized in that the thickness of the wire connecting the electrode 30μm as the amount of input current increases. 삭제delete
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