KR100698287B1 - 박막벌크음향공진기 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
- A01K91/00—Lines
- A01K91/03—Connecting devices
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
- A01K87/00—Fishing rods
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- H—ELECTRICITY
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/174—Membranes
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- Y10T29/42—Piezoelectric device making
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- Animal Husbandry (AREA)
- Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
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Abstract
Description
Claims (24)
- 소정 크기의 에어갭이 식각되어 관통형성된 기판과:상기 에어갭의 상부에 위치되며, 제1전극, 압전막 및 제2전극이 차례로 적층된 공진부; 및상기 에어갭과 상기 공진부 사이에 설치되어 상기 에어갭의 형성시 식각깊이를 제한하여 상기 공진부의 손상을 방지하는 식각 저지층;를 포함하며,상기 식각 저지층은 상기 기판에 대해 식각 선택비가 높은 금속물질로 형성된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 식각 저지층은 상기 제1전극과 동일한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 식각 저지층은 크롬(Cr)으로 형성된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 제4항에 있어서, 상기 식각 저지층은 상기 제1전극과 상기 기판 사이에 적층되는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 식각 저지층은 상기 제1전극과 상기 기판 사이에 적층되는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 기판과 상기 식각 저지층 사이에는 절연층이 적층된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 제4항에 있어서, 상기 기판과 상기 식각 저지층 사이에는 절연층이 적층된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 소정 크기의 에어갭이 식각되어 관통형성된 기판과:상기 에어갭의 상부에 위치되며, 제1전극, 압전막 및 제2전극이 차례로 적층된 공진부; 및상기 에어갭과 상기 공진부 사이에 설치되어 상기 에어갭의 형성시 식각깊이를 제한하여 상기 공진부의 손상을 방지하는 식각 저지층;를 포함하며,상기 식각 저지층은 질화알루미늄(AlN) 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 삭제
- 제9항에 있어서, 상기 식각 저지층은 상기 압전막과 접하도록 마련된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 제9항에 있어서, 상기 식각 저지층은 상기 압전막과 접하도록 마련된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- 제9항에 있어서, 상기 식각 저지층과 상기 기판 사이에는 절연층이 마련된 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기.
- (a) 기판 상부 표면에 절연층을 증착하는 단계와;(b) 상기 절연층 상에 식각 저지막을 적층하는 단계와;(c) 상기 절연층 및/또는 상기 식각 저지막 상에 제1전극, 압전막 및 제2전극을 차례로 적층하여 공진부를 제작하는 단계; 및(d) 상기 공진부의 하부에 해당되는 상기 기판을 식각하여 에어갭을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 (b)단계는,상기 절연층 상에 금속물질을 증착하는 단계; 및상기 금속물질의 일부를 패터닝하여 상기 절연망 상의 일부에 식각 저지막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제15항에 있어서, 상기 식각 저지막은 크롬(Cr) 물질인 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제15항 또는 제16항에 있어서, 상기 (c) 단계는,상기 패터닝된 식각 저지막의 상부에 제1전극을 적층하는 단계와;상기 제1전극 및 상기 노출된 절연막 상에 압전막을 적층하는 단계; 및상기 압전막 상에 제2전극을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 (d) 단계에서는,상기 공진부에 대응되는 상기 기판의 하부로부터 상기 식각 저지막까지 식각하여 상기 에어갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제18항에 있어서, 상기 (d) 단계에서는 건식 식각법을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제14항, 제18항 및 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (d) 단계에서는,상기 에어갭의 모서리부분이 라운드 지도록 라운드된 모서리를 갖는 식각패 턴을 가지는 마스크를 이용하여 상기 기판 및 절연층을 식각하는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제14항에 있어서, 상기 (c)단계는,상기 식각 저지층의 일부를 덮도록 상기 제1전극을 적층하는 단계와;상기 제1전극과 상기 노출된 식각 저지층의 상부에 상기 압전막을 적층하는 단계; 및상기 압전막의 상부에 상기 제2전극을 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제14항 또는 제21항에 있어서, 상기 식각 저지층은 유전막물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제22항에 있어서, 상기 식각 저지층은 질산알루미늄(AlN) 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
- 제21항에 있어서, 상기 (d) 단계에서는,상기 공진부에 대응되는 상기 기판의 하부로부터 상기 식각 저지막까지 식각하여 상기 에어갭을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막벌크음향공진기 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050008706A KR100698287B1 (ko) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 박막벌크음향공진기 및 그 제조 방법 |
EP06000147.6A EP1689080B1 (en) | 2005-01-31 | 2006-01-04 | Film bulk acoustic resonator and a method for manufacturing the same |
US11/324,303 US7619492B2 (en) | 2005-01-31 | 2006-01-04 | Film bulk acoustic resonator and a method for manufacturing the same |
JP2006021686A JP4520415B2 (ja) | 2005-01-31 | 2006-01-31 | 圧電薄膜共振器及びその製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20050008706A KR100698287B1 (ko) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 박막벌크음향공진기 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060087848A KR20060087848A (ko) | 2006-08-03 |
KR100698287B1 true KR100698287B1 (ko) | 2007-03-22 |
Family
ID=36570292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20050008706A KR100698287B1 (ko) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 박막벌크음향공진기 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7619492B2 (ko) |
EP (1) | EP1689080B1 (ko) |
JP (1) | JP4520415B2 (ko) |
KR (1) | KR100698287B1 (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2005
- 2005-01-31 KR KR20050008706A patent/KR100698287B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-01-04 EP EP06000147.6A patent/EP1689080B1/en active Active
- 2006-01-04 US US11/324,303 patent/US7619492B2/en active Active
- 2006-01-31 JP JP2006021686A patent/JP4520415B2/ja active Active
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1020010066811 |
12091663 |
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Publication number | Publication date |
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JP4520415B2 (ja) | 2010-08-04 |
EP1689080B1 (en) | 2017-03-15 |
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