KR100695983B1 - 주사전자현미경 - Google Patents

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KR100695983B1
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가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
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Abstract

본 발명의 목적은 시료를 조사하는 전자 빔에 악영향을 주는 일 없이, 높은 2차 전자 검출효율을 기대할 수 있는 동시에 특정한 에너지 범위의 2차 전자를 검출하기에 적합한 주사 전자 현미경을 제공하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는, 시료(8)가 전자 빔(14)에 의해 조사됨으로써 발생되는 2차 전자는 필드 발생장치(28)의 한쌍의 전극(10, 11)에 의해 형성되는 감속전계에 의하여 감속된다. 따라서 에너지가 낮은 일부의 2차 전자는 되돌려 보내진다. 되돌려 보내지지 않은 2차 전자는 한쌍의 전극(10, 11) 사이에 형성된 편향전계와, 이 편향전계와 직교하는 편향자계에 의하여 편향되고, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출된다. 단, 편향전계 및 편향자계에 의해 편향될 수 없었던 에너지가 높은 2차 전자는 2차 전자 검출기(12)에 의해 검출되지 않는다.

Description

주사 전자 현미경
본 발명은 주사 전자 현미경, 특히 시료를 전자 빔으로 조사함으로써 시료로부터 발생되는 2차 전자 중 특정한 에너지 범위의 2차 전자를 검출할 수 있는 주사 전자 현미경에 관한 것이다.
주사 전자 현미경에 의하면 시료는 전자 빔으로 조사되어, 그것에 의하여 시료로부터 발생되는 2차 전자는 2차 전자 검출기에 의하여 검출되고, 그 검출 출력 신호에 의거하여 시료의 상이 생성된다.
시료로부터 얻어지는 2차 전자는 비교적 넓은 에너지 범위를 갖고 있다. 그 2차 전자에 관해서는 에너지 선택이 행해지지 않고 비교적 넓은 에너지 범위에 걸친 2차 전자를 전부 검출하는 것이 보통이다.
시료로부터 발생되는 2차 전자 신호에 포함되는 시료 표면 정보(주로 요철정보)는 시료에 따라서 그 에너지 성분이 다르다. 일반적으로 시료를 특징짓는 시료 표면 정보는 좁은 에너지 범위에만 포함되고, 그 이외의 에너지 범위의 성분에는 노이즈나 대전의 정보가 포함되어 있는 일이 많다. 이와 같은 경우에 통상과 같이, 발생한 2차 전자를 그 에너지의 선택을 행하지 않고 검출하고, 그 검출신호에 의거하여 시료상을 생성하면 그 시료상은 노이즈나 대전의 정보에 묻힌 S/N비가 나쁜 상이 된다.
일본국 특개 평7-192679호 공보에는 에너지가 높은 전자와 낮은 전자를 선택적으로 검출하기 위하여 2차 전자의 편향전극의 하부에 음전압을 인가하기 위한 전극을 배치한 주사 전자 현미경이 개시되어 있으나, 특정한 표면 정보를 선택적으로 검출한다는 점에서는 충분한 것은 아니었다.
본 발명의 목적은 시료를 조사하는 전자 빔에 악영향을 주는 일 없이, 높은 2차 전자 검출효율을 기대할 수 있는 동시에 특정한 에너지 범위의 2차 전자를 검출하기에 적합한 주사 전자 현미경을 제공하는 데에 있다.
본 발명의 특징은 전자 빔을 발생시키는 전자총과 ; 시료로부터 2차 전자를 발생시키도록 상기 시료를 상기 전자 빔으로 조사하는 빔 조사계와 ; 상기 전자 빔의 축으로부터 떨어져 배치된, 상기 2차 전자를 검출하는 2차 전자 검출기와 ; 상기 2차 전자를 상기 2차 전자 검출기에 지향시키도록 편향하는 전계와, 상기 2차 전자를 감속 또는 가속하는 전계와, 상기 편향전계에 의한 상기 전자 빔의 편향을 상쇄하도록 상기 2차 전자를 편향하는, 상기 편향전계와 실질적으로 직교하는 자계를 발생시키는 필드 발생장치를 구비하고 있는 점에 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예를 나타낸다. 음극(1)과 제 1 양극(2) 사이에는 마이크로 프로세서(CPU)(30)로 제어되는 고전압 제어전원(20)에 의하여 전압이 인가되고, 소정의 에미션 전류의 전자 빔(4)이 음극(1)으로부터 인출된다. 음극(1)과 제 2 양극(3) 사이에는 CPU(30)로 제어되는 고전압 제어전원(20)에 의하여 가속전압이 인가되고, 이 때문에 음극(1)으로부터 방출된 전자 빔(4)은 가속되어 후단의 조사렌즈계로 진행한다.
전자 빔(4)은 렌즈 제어전원(21)으로 제어된 빔 전류 조정용의 수속 렌즈(5)로 수속되고, 조리개판(9)에서 전자 빔(4)의 불필요한 영역이 제거된다. 그 후, 전자 빔은 렌즈 제어전원(22)에 의해 제어된 축소율 조정용의 수속렌즈(6) 및 대물렌즈 제어전원(23)으로 제어된 대물렌즈(7)에 의하여 시료(8)에 미소 스폿으로서 수속되고, 그리고 주사 코일(15)에 주사신호를 부여함으로써, 시료(8)는 수속된 전자 빔(4)으로 2차원적으로 주사된다. 주사 코일(15)에 부여되는 주사신호는 관찰배율에 따라서 주사 코일 제어전원(24)에 의하여 제어된다. 전자 빔(4)의 빔 개방각은 조리개판(9)의 조리개 구멍 지름과 축소율 조정용 수속렌즈(6)의 초점위치로 최적치로 결정된다.
주사 코일(15)로부터 대물렌즈(7)쪽에는 필드 발생장치(28)가 설치되어 있다. 필드 발생장치(28)는 일반적으로 E 크로스 B(E×B)라고 단순하게 불리워지는 것으로서, 이것은 도 2에 나타난 바와 같이 전자 빔(4)의 조사에 의하여 시료(8)에서 발생하고 대물렌즈(7)를 통과한 2차 전자(14)를 2차 전자 검출기(12)쪽으로 편향시키기 위한 편향전계(E) 및 그 2차 전자를 전자 빔(4)의 축 방향으로 감속 또는 가속하는 감속 또는 가속전계를 발생하는 한쌍의 전극(10, 11)과, 대물렌즈(7)를 통과한 2차 전자(14)를 2차 전자 검출기(12)쪽으로 편향시키기 위한 편향자계(B)를 발생시키는 한쌍의 전자 코일(31, 32)을 포함하고 있다. 편향전계(E)와 편향자계(B)는 서로 직교하고 있고, 또, 편향전계(E)는 편향자계(B)에 의한 전자 빔(14)의 편향을 상쇄하는 강도로 설정된다. 편향전계(E) 및 감속 또는 가속전계를 각각 형성하기 위하여 한쌍의 전극(10, 11)에 부여되어야 할 전압은 CPU(30)에 의하여 제어되는 필드장치 제어전원(25)으로부터 발생된다. 각각의 전압은 편향전계(E) 및 감속 또는 가속전계를 바꿀 수 있도록 가변할 수 있게 되어 있다. 편향자계(B)도 마찬가지로 가변할 수 있게 되어 있다.
한쌍의 전극(10, 11) 중, 2차 전자 검출기(12)쪽의 전극(11)은 그물코 형상의 금속판으로 구성되고, 이 때문에 2차 전자(14)는 전극(11)을 투과하여 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출된다. 2차 전자 검출기(12)의 출력신호(상 신호)는 상 표시장치(13)에 시료(8)의 시료상으로서 표시된다.
한쌍의 전극(10, 11)에 각각 -VE-VF2 및 +VE-VF2인 전압이 부여되면 한쌍의 전극(10, 11) 사이에는 발생한 2차 전자(14)를 편향하는 편향전계가 형성된다. 또한, 한쌍의 전극(10, 11) 사이에서는 전자 빔(4)의 축 상에서의 전위는 -VF2이기 때문에, 그 축 방향에는 발생한 2차 전자(14)를 감속하는 감속전계가 형성된다. 따라서, 시료(8)로부터 발생하여 대물렌즈(7)를 통과한 2차 전자(14)는 감속전계에 의하여 VF2만큼 감속되기 때문에, VF2보다 낮은 에너지의 2차 전자는 되돌려 보내져서, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되지 않는다.
감속전계에 의하여 되돌려 보내지지 않은 2차 전자는 편향전계 및 편향자계에 의하여 편향되고, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출된다. 단, 편향전계 및 편향자계에 의하여 실질적으로 편향되지 않거나 또는 편향되어도 그 편향량이 적은, 고에너지의 2차 전자는 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되지 않는다. 따라서, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되는 2차 전자의 에너지 범위는 도 3 (a)와 같이 된다. 동 도면은 사선 부분의 에너지 범위의 2차 전자가 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되는 것을 나타내고 있다. 동 도면에 있어서 VFE는 필드 발생장치(28)로 편향 가능한 2차 전자의 에너지 범위이다. 검출되는 2차 전자의 에너지 범위의 폭 및 위치는 VE의 값 및/또는 VF2의 값을 바꿈으로써, 즉 편향전계를 형성하기 위한 전압 및/또는 감속전계를 형성하기 위한 전압을 바꿈으로써 바꿀 수 있다.
편향전계와 편향자계는 이들에 의한 전자 빔(4)의 편향이 서로 상쇄되는 강도로 설정되어 있다. 이 때문에 전자 빔(4)의 편향장해는 생기지 않는다. 또, 2차 전자는 편향전계 및 편향자계에 의하여 2차 전자 검출기(12)를 향하여 편향되므로, 발생한 2차 전자(14)의 고검출 효율화가 도모된다. 따라서, 상술한 실시예에 의하면 시료를 조사하는 전자 빔에 악영향을 주는 일 없이, 높은 2차 전자 검출효율을 기대할 수 있는 동시에 특정한 에너지 범위의 2차 전자를 검출할 수 있다.
편향전계와 편향자계는 이들에 의한 전자 빔(4)의 편향이 서로 상쇄되는 강도로 설정되어 있다. 즉 편향자계를 만드는 전류를 IB라고 하면, IB와 VE 사이에
의 관계가 만족되어 있다(여기에서 A는 편향자계의 코일 감김수로 결정되는 정수이다). 도 1에서, 한쌍의 전극(10, 11)에 부여되는 전압은 -VE-VF2 및 +VE-VF2 대신에 각각 -VE+VF3 및 +VE+VF3이어도 된다. 한쌍의 전극(10, 11) 사이에서는 전자 빔의 축 상의 전위는 +VF3이 되므로, 감속전계를 대신하여 가속전계가 형성되고, 따라서, 발생한 2차 전자(14)는 가속전계에 의하여 VF3만큼 가속된다. 가속된 2차 전자는 편향전계 및 편향자계에 의하여 편향되고, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출된다. 이 경우, 가속전계가 없는 경우는 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되었을 2차 전자의 고에너지쪽의 일부는 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되지 않게 된다. 결과적으로, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되는 2차 전자의 에너지 범위는 도 3 (b)와 같이 된다. 이렇게 하여 감속전계 대신에 가속전계가 이용되어도 마찬가지로 소기의 목적이 달성될 수 있는 것이 이해된다.
도 1에서, 18은 인상전극으로서, 이 전극에는 CPU(30)에 의하여 제어되는 인상전극전원(27)으로부터 2차 전자 인상전압이 부여된다. 시료(8)로부터 발생된 2차 전자(14)는 인상전극(18)에 의하여 끌어올려지고, 발산하는 일 없이 필드 발생장치(28)로 유도된다. 이에 의하여 2차 전자의 더 한층의 고검출 효율화가 도모된다.
도 1에서, 대물렌즈(7)보다도 시료(8)쪽에는 또 하나의 2차 전자 검출기(17)가 배치되어 있다. 발생한 2차 전자를 이 2차 전자 검출기에 의해서도 검출하고, 그 검출출력과 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출된 2차 전자의 검출출력을 합성하여 상 표시장치(13)에 표시하면, 얻어지는 상은 신호량이 많은 것이 된다.
도 4는 본 발명의 또 하나의 실시예를 나타낸다. 이 실시예가 도 1의 그것과 다른 것은 필드 발생장치(28)가 한쌍의 전극(10, 11)과 대물렌즈(7) 사이에 설치된 전극(필터 전극)(16)을 포함하는 것이다. 이 전극에는 CPU(30)에 의하여 제어되는 전극 제어전원(26)으로부터 가변의 감속전압이 부여되고, 이에 의하여 2차 전자를 전자 빔의 축 방향으로 감속하는 감속전계가 형성된다. 그 감속전계를 형성하는 감속전압을 -VF1이라고 하면, 발생한 2차 전자(14)는 그 감속전계에 의하여 VF1만큼 감속되기 때문에 VF1보다 낮은 에너지의 2차 전자는 되돌려 보내진다.
또, 한쌍의 전극(10, 11)에는 각각 -VE-VF2 및 +VE-VF2인 전압이 인가되어 있다. 이 때문에, 한쌍의 전극(10, 11) 사이에서는 전자 빔의 축 상의 전압은 -VF2가 되므로, 이에 의하여 2차 전자를 전자 빔의 축 방향으로 감속하는 감속전계가 형성된다. 따라서, 전극(16)을 통과한 2차 전자는 VF2만큼 감속되므로, VF2보다 낮은 에너지의 2차 전자는 되돌려 보내진다. 되돌려 보내지지 않은 2차 전자는 한쌍의 전극(10, 11) 사이에 형성되는 편향전계 및 편향자계에 의하여 편향되고, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출된다. 단, 전극(16)을 통과한 2차 전자 중, 한쌍의 전극(10, 11) 사이에 형성되는 편향전계 및 편향자계에 의하여 편향될 수 없었던 고에너지쪽의 2차 전자는 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되지 않는다. 이 경우의, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되는 2차 전자의 에너지 범위는 도 5 (a)와 같이 된다. 물론, VF1의 값, VE의 값, VF2의 값을 바꾸면, 검출되는 2차 전자의 에너지의 폭 및 위치가 바뀐다. 따라서, 이 경우도 도 1의 실시예에 있어서와 마찬가지로 소기의 목적이 달성되는 것이 이해된다.
VF2를 VF1으로 설정하였을 때, 즉 VF2=VF1으로 하였을 때의 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되는 2차 전자의 에너지 범위를 도 5 (b)에 나타낸다. 에너지 범위의 폭 및 위치가 바뀌어 있는 것을 알 수 있다.
한쌍의 전극(10, 11)에는 각각 -VE+VF3 및 +VE+VF3인 전압이 인가되어도 좋다. 이 경우는, 한쌍의 전극(10, 11) 사이에서는 전자 빔(14)의 축상 전위는 +VF3로 되고, 따라서 가속전계가 형성되기 때문에, 전극(16)을 통과한 2차 전자는 그 가속전계에 의하여 +VF3만큼 가속된다. 이 경우의, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되는 2차 전자의 에너지 범위는 도 5 (c)와 같이 된다. VE의 값, VF1의 값, VF3의 값을 바꾸면, 2차 전자 검출기(12)에 의하여 검출되는 2차 전자의 에너지의 폭 및 위치를 바꿀 수 있다.
도 4의 실시예에 있어서는 전극(16)에 부여되는 전압은 0으로 설정되어도 되고, 또, 이것을 양의 전압으로서 가속전계를 형성하고, 이에 의하여, 발생한 모든 2차 전자를 가속하여 한쌍의 전극(10, 11) 쪽으로 유도하도록 하여도 된다. 또한, 전극(16)에 인가되는 -VF1은 그대로 하고, 한쌍의 전극(10, 11)에 인가되는 VF2를 0으로 해도 된다.
도 4의 실시예에 있어서, 편향될 수 없었던 2차 전자는 필드 발생장치(28)의 표면 부분을 조사하게 되고, 그 결과로서, 그 부분으로부터 X선 등의 2차적인 입자나 복사선이 방출된다. 이 문제를 해결하기 위해서는 그 조사 표면 부분을 2차적인 입자나 복사선을 방사하기 어려운 재료, 예컨대 경금속 등으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 주사 전자 현미경상과 종래예에 의한 주사 전자 현미경상을 나타낸다. (a)가 본 발명의 실시예에 의한 것, (b)가 종래예에 의한 것이다. 이들 상을 얻는 데 있어서 사용된 시료는 알루미나(Al203), 가속전압은 1kV, 관찰배율은 4000배(사진배율)였다. 본 발명의 실시예에서 검출된 2차 전자의 에너지 범위는 약 150 내지 180eV였다. 도면에서 명백한 바와 같이, 에너지 선별을 행하지 않는 예에서는 시료의 대전에 의하여 전체적으로 찌그러진 상이 얻어지고, 따라서, 시료 표면의 요철의 모양을 알 수 없으나, 에너지 선택을 행한 예에서는 시료 표면의 요철의 모습을 잘 알 수 있다.
이상에 상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 의하면, 한쌍의 전극에 부여되는 전압을 변화시킴으로써, 소망하는 에너지 위치의 소망하는 에너지 폭의 2차 전자를 선택적으로 검출하는 것이 가능해진다. 이 에너지 폭, 위치의 선택을 예컨대 외부의 입력장치로부터 입력함으로써 오퍼레이터가 임의로 선택할 수 있도록 하면, 오퍼레이터가 필요로 하는 정보를 선택적으로 검출할 수 있게 된다.
본 발명의 실시예의 주사 전자 현미경에는 도시생략한 표시장치가 접속되어 있다. 이 표시장치에 도 3에 나타낸 바와 같은 2차 전자의 에너지 범위(분포)를 표시하고, 이 표시상에서 포인팅 디바이스 등에 의하여 취득되어야 할 2차 전자의 에너지의 폭, 위치를 선택할 수 있도록 하면, 오퍼레이터는 필요한 정보 또는 신호량에 의거하여 2차 전자를 선택적으로 검출하는 것이 가능해진다. 본 발명의 실시예의 주사 전자 현미경에서는 이상의 선택에 따라서 편향전극에 부여되는 전압이 제어된다.
또 에너지의 폭, 위치를 입력장치 등으로부터 수치 설정할 수 있도록 해도 좋다.
본 발명에 의하면, 시료를 조사하는 전자 빔에 악영향을 주는 일 없이, 높은 2차 전자 검출효율을 기대할 수 있는 동시에 특정한 에너지 범위의 2차 전자를 검출하기에 적합한 주사 전자 현미경이 제공된다.
도 1은 본 발명에 의거한 주사 전자 현미경의 일 실시예의 개략단면도,
도 2는 도 1의 필드 발생장치의 개략평면도,
도 3은 도 1의 실시예에 의거하여 검출되는 2차 전자의 에너지 범위를 나타낸 그래프,
도 4는 본 발명에 의거한 주사 전자 현미경의 다른 실시예의 개략단면도,
도 5는 도 4의 실시예에 의거하여 검출되는 2차 전자의 에너지 범위를 나타낸 그래프,
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 주사 전자 현미경상 및 종래예에 의한 주사 전자 현미경상의 사진.

Claims (19)

  1. 전자 빔을 발생시키는 전자총과 ; 시료로부터 2차 전자를 발생시키도록 상기 시료를 상기 전자 빔으로 조사하는 빔 조사계와 ; 상기 전자 빔의 축으로부터 떨어져 배치된, 상기 2차 전자를 검출하는 2차 전자 검출기와 ; 상기 2차 전자를 상기 2차 전자 검출기에 지향시키도록 편향하는 편향전계를 형성하기 위한 전압 및 상기 2차 전자를 상기 전자빔의 축방향으로 감속 또는 가속하는 가변할 수 있는 감속전계 또는 가속전계를 형성하기 위한 전압이 인가되는 1쌍의 전극을 가지고, 상기 편향전계에 의한 상기 전자 빔의 편향을 상쇄하도록 상기 2차 전자를 편향하는, 상기 편향전계와 실질적으로 직교하는 편향자계를 발생시키는 필드 발생장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 필드 발생장치는 상기 전자 빔의 축을 사이에 두고 배치된 한쌍의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 필드 발생장치는 상기 편향전계를 형성하기 위한 편향전압 및 상기 감속 또는 가속전계를 형성하기 위한 감속 또는 가속전압을 상기한 한쌍의 전극에 부여하는 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 편향전압은 가변인 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 시료로부터 발생되는 2차 전자를 끌어올려 상기 필드 발생장치로 유도하는 2차 전자 인상 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 빔 조사계는 대물렌즈를 포함하고, 상기 필드 발생장치는 상기 대물렌즈를 기준으로 하여 상기 시료와 반대쪽에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 2차 전자 중, 상기 대물렌즈와 상기 시료 사이를 통과하는 2차 전자를 검출하는 추가의 2차 전자 검출기를 구비하고, 상기한 모든 2차 전자 검출기의 출력신호의 합성신호에 의거하여 상기 시료의 상을 생성할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 필드 발생장치는 상기 발생한 2차 전자를 감속 또는 가속하는 추가의 전계를 형성하는 추가의 감속 또는 가속전압을 발생시키는 추가의 전극을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 편향전압 및 상기 양 감속 또는 가속전압은 가변인 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 빔 조사계는 대물렌즈를 포함하고, 상기 필드 발생장치는 상기 대물렌즈를 기준으로 하여 상기 시료와 반대쪽에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  11. 제 8 항 내지 제 9 항에 있어서,
    상기 2차 전자 중, 상기 대물렌즈와 상기 시료 사이를 통과하는 2차 전자를 검출하는 추가의 2차 전자 검출기를 구비하고, 상기한 모든 2차 전자 검출기의 출력신호의 합성신호에 의거하여 상기 시료의 상을 생성할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  12. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 필드 발생장치는 상기 2차 전자의 조사를 받는 표면 부분을 가지고, 이 표면 부분은 상기 2차 전자의 조사에 의하여 생기는 2차적 신호의 발생을 억제하는 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 필드 발생장치는 상기 편향전계를 형성하는, 상기 전자 빔의 축을 사이에 두고 배치된 한쌍의 전극과 ; 상기 감속 또는 가속전계를 형성하는, 상기 한쌍의 전극보다도 상기 시료쪽에 배치된 전극과 ; 이 전극에 상기 감속 또는 가속전계를 형성하기 위한 감속 또는 가속전압을, 상기한 한쌍의 전극에 상기 편향전계를 형성하기 위한 편향전압을 각각 부여하는 전원장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 전원장치는 상기한 한쌍의 전극에 상기 2차 전자를 감속 또는 가속하는 전계를 형성하는 전압을 부여하는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 편향전압 및 상기 감속 또는 가속전압은 가변인 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 전원장치는 상기한 한쌍의 전극에 상기 2차 전자를 감속 또는 가속하는 전계를 형성하는 가변전압을 부여하는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  17. 제 13 항 내지 제 16 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 필드 발생장치는 상기 2차 전자의 조사를 받는 표면 부분을 가지고, 이 표면 부분은 상기 2차 전자의 조사에 의하여 생기는 2차적 신호의 발생을 억제하는 재료로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  18. 제 13 항 또는 제 16 항에 있어서,
    상기 빔 조사계는 대물렌즈를 포함하고, 상기 필드 발생장치는 상기 대물렌즈를 기준으로 하여 상기 시료와 반대쪽에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 2차 전자 중, 상기 대물렌즈와 상기 시료 사이를 통과하는 2차 전자를 검출하는 추가의 2차 전자 검출기를 구비하고, 상기한 모든 2차 전자 검출기의 출력신호의 합성신호에 의거하여 상기 시료의 상을 생성할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 주사 전자 현미경.
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