KR100695925B1 - 반도체 소자 접속용 금 와이어 - Google Patents

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이타바시이치미쯔
다카우라신
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다나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 질량 ppm으로, 11 - 20ppm의 Ag, 1 - 9ppm의 Pt, 1 - 15ppm의 Y, 1 - 15ppm의 La 및 1 - 15ppm의 Eu를 함유하고 1 - 20ppm의 Ca와 1 - 10ppm의 Be 중에서 하나 또는 모두를 함유하고, 상기 첨가 성분들의 전체 양이 100ppm 이하이고, 잔부가 Au 및 불가피한 불순물로 이루어진 반도체 소자 접속용 금 와이어에 관한 것이다.

Description

반도체 소자 접속용 금 와이어{GOLD WIRE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT BONDING}
도 1a 내지 1d는, 금 와이어를 사용하여 반도체 소자의 전극과 외부 리드를 초음파 병용 열 압착 접속하는 방법을 나타낸 도면이다.
** 도면부호에 대한 간단한 설명 **
1: 모세관 2: 금 와이어
3: 토치 전극 4: 금속 볼
5: Al 전극 6: 반도체 소자
7: 클램퍼 8: 리드
본 발명은 반도체 소자의 전극과 외부 리드(lead)를 전기 접속하기 위해 사용된 반도체 소자를 접속하기 위한 금 와이어에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 필요시에 저출력 접속에 의해 성취된 외부 리드 측상의 압착 접속을 위해서도 만족스럽게 사용될 수 있는 반도체 소자를 접속하기 위한 금 와이어에 관한 것이다.
반도체 장비의 포장에서, 반도체 소자의 전극과 외부 리드사이의 상호 연결 또는 접속은 폭 넓게 사용된 금 와이어를 사용한 "볼 접속"을 바탕으로 한 와이어 접합 방법에 의해 용이하게 형성된다. 상기 방법은 보통 반도체 소자의 전극상에 압착 접속의 수단으로서 열 압착 접속 또는 초음파 병용 열 압착 접속 방법에 의해 와이어 접합의 형성을 포함한다.
도 1a 내지 도 1d는 상호 연결 및 루프 형성을 위한 초음파 병용 열 압착 접속 방법을 나타낸 것으로, 도면부호 1은 모세관(capillary)이고, 도면부호 2는 금 와이어이고, 도면부호 3은 토치 전극이고, 도면부호 4는 금속 볼이고, 도면부호 5는 Al 전극이고, 도면부호 6은 반도체 소자이고, 도면부호 7은 클램퍼(clamper)이고 도면부호 8은 리드이다.
반도체 장비를 제조하기 위한 최근 공정에서, 전술한 루프(loop) 형상을 안정화시키기 위해서 루프 형성 공정 중에, 루프 형성 방향에 대하여 반대 방향으로 볼 목부(necking section)를 강제적으로 만곡시켜 변형시키고, 그 후 실질적으로 최종 루프를 형성하고, 따라서 "역 변형(reverse deformation)"에 의해 루프를 형성한다. 많은 반도체 장비들은 작동 회로 또는 외부 환경에 따라서 가열되고, 고온에 노출되어 사용된다. 따라서, 이와 같은 역 변형에 의해 루프의 형성 후 격심한 열 사이클 분위기에 노출 후에도 와이어 단선을 최소화하는 방안이 요구되고 있다.
일본 특개평 제8-316262호, 일본 특개평 제9-36162호 및 일본 특개평 제11-214425호에서, 본 출원인은 루프 형성을 위한 금 와이어로서 소정 성분을 가진 금 와이어의 사용에 의해 이미 전술된 바람직한 효과가 얻어질 수 있다는 것을 개시하였다.
삭제
비록 상기 제안들은 열 사이클 분위기에 노출되더라도 와이어 단선을 감소시키는 결과를 제공하지만, 최근에는 사용 환경이 점점 가혹해지고 있기 때문에, 가혹한 열 사이클 분위기에 노출되더라도 와이어 단선에 견딜 수 있는 상호 연결 및 접속을 필요로 한다. 또한, 전술한 공보에서는, 와이어 단선을 방지하기 위해 첨가한 성분의 양을 증가시키면 전기 저항이 증가한다는 결점이 있다는 점이 밝혀졌다. 또한, 핀(pin)의 수가 증가함에 따라 최근에 채용되는 긴 루프 및 높은 루프 내에는 큰 루프 높이가 유지되어야 한다.
도 1a 내지 도 1d의 제2측 접합부에서(이하에서 리드(8)측 접합부라고도 함), 고출력 접합은 높은 루프 형상의 붕괴와 같은 변형을 야기할 수 있고, 따라서 저출력 접합을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 그러나, 저출력 접합은 낮은 접합 강도의 문제를 일으킨다. 따라서 높은 루프 와이어 접합을 위한 바람직한 목표는, 높은 루프 형상을 유지하면서 제2측 접합부에서 저출력 접합이 이루어지더라도 접합 강도를 개선하는 것이다. 본 발명가들은 상기 특성을 만족시키는 금 와이어를 제조하기 위해 시도하였지만, 인장강도가 불충분하였다.
종래 기술의 이러한 상황을 고려하여 이루어진 본 발명의 목적은, 낮은 전기 저항을 유지하기 위해서 첨가 성분의 전체 양이 100 질량 ppm 이하이면서,첫 번째로, 루프의 형성 후 가혹한 열 사이클 분위기에 노출되어도 와이어 단선을 최소화하기 위한 역 변형을 가능하게 하고, 두 번째로, 소정 높이로 높은 루프의 형성을 가능하게 하고, 세 번째로, 높은 루프 형상을 유지하기 위해서 제2측 접합부에서 저출력 접속에 의해서도 소정치보다 큰 접합 강도의 유지를 가능하게 하고, 네 번째로, 높은 인장강도의 유지를 가능하게 하는 반도체 소자의 접속용 금 와이어를 제공하는 것이다.
상술된 목적을 성취하기 위해서, 본 발명은 질량 ppm으로, 11 - 20ppm의 Ag, 1 - 9ppm의 Pt, 1 - 15ppm의 Y, 1 - 15ppm의 La, 및 1 - 15ppm의 Eu를 함유하고, 1 - 20ppm의 Ca와 1 - 10ppm의 Be 중 1종 또는 모두를 함유하고, 상기 성분들의 전체 양이 100ppm 이하이고, 잔부가 Au 및 불가피한 불순물으로 이루어진 반도체 소자 접속용 금 와이어를 제공한다.
또한 상기 금 와이어를 사용한 반도체 소자와 리드의 와이어 접속 방법을 제공한다.
(1) 성분
a) 원료 금
사용된 원료 금은 바람직하게 99.99wt% 이상의 순도를 가진 고순도 금이다. 더욱 바람직하게는 순도가 99.995wt% 이상이고, 가장 바람직하게는 99.999wt% 이상이다. 보다 더 고순도 금은 유해 성분의 영향을 최소화할 수 있기 때문에 바람직하다.
b) [Ag]
본 발명을 위해 사용된 금 합금 와이어가 규정된 양의 Pt, Y, La, Eu 및 Ca 또는 Be를 함유할 경우에, 11 - 20 질량 ppm의 Ag 함량에 의해 상술한 목적을 달성할 수 있다.
이는, Ag 함량이 11 질량 ppm 이하일 때와는 달리, 열 사이클 시험 후 파괴 강도를 개선하고 높은 인장강도를 유지할 수 있도록 한다. 또한 Ag 함량이 20 질량 ppm 이상일 때와는 달리, 저출력 접속시 제2측 박리 강도(side peel strength)를 대폭으로 개선하고 높은 인장강도를 유지할 수 있도록 한다. 따라서 Ag 함량은, Pt 등의 규정된 양이 존재할 때, 11 - 20 질량 ppm으로 제한된다.
c) [Pt]
본 발명을 위해 사용된 금 합금 와이어가 규정된 양의 Ag, Y, La, Eu 및 Ca 또는 Be를 함유할 때, 1 - 9 질량 ppm의 Pt 함량에 의해 상술된 목적을 달성할 수 있다.
이는, Pt 함량이 1 질량 ppm 이하일 때와는 달리, 열 사이클 시험 후 파괴 강도를 개선하고 높은 인장강도를 유지한다. 또한 Pt 함량이 9 질량 ppm 이상일 때와는 달리, 저출력 접속시 제2측 박리 강도를 개선하고, 높은 인장강도를 유지시킨다. 따라서 Pt 함량은, Ag 등의 규정된 양이 존재할 때, 1 - 9 질량 ppm으로 제한된다.
d) [Y]
본 발명을 위해 사용된 금 합금 와이어가 규정된 양의 Ag, Pt, La, Eu 및 Ca 또는 Be를 함유할 때, 1 - 15 질량 ppm의 Y 함량에 의해 상술된 목적을 달성할 수 있다.
이는, Y 함량이 1ppm 질량 이하일 때와는 달리, 열 사이클 시험 후 파괴 강도를 개선하고 높은 인장강도를 유지시킨다. 또한 Y 함량이 15 질량 ppm 이상일 때와는 달리, 루프 높이가 증가할 수 있도록 하고 저출력 접속시 제2측 박리 강도를 크게 개선한다. 따라서 Y 함량은, Ag 등의 규정된 양이 존재할 때, 1 - 15 질량 ppm으로 제한된다.
e) [La]
본 발명을 위해 사용된 금 합금 와이어가 규정된 양의 Ag, Pt, Y, Eu 및 Ca 또는 Be를 함유할 때, 1 - 15 질량 ppm의 La 함량에 의해 상술된 목적을 달성할 수 있다.
이는, La 함량이 1ppm 질량 이하일 때와는 달리, 열 사이클 시험 후 파괴 강도를 개선하고 높은 인장강도를 유지시킨다. 또한 La 함량이 15 질량 ppm 이상일 때와는 달리, 루프 높이가 증가할 수 있도록 하고 저출력 접속시 제2측 박리 강도를 크게 개선한다. 따라서 La 함량은, Ag 등의 규정된 양이 존재할 때, 1 - 15 질량 ppm으로 제한된다.
f) [Eu]
본 발명을 위해 사용된 금 합금 와이어가 규정된 양의 Ag, Pt, Y, La 및 Ca 또는 Be를 함유할 때, 1 - 15 질량 ppm의 Eu 함량에 의해 상술된 목적을 달성할 수 있다.
이는, Eu 함량이 1 질량 ppm 이하일 때와는 달리, 열 사이클 시험 후 파괴 강도를 개선하고 높은 인장강도를 유지시킨다. 또한 Eu 함량이 15 질량 ppm 이상일 때와는 달리, 루프 높이가 증가할 수 있도록 하고 저출력 접속시 제2측 박리 강도를 크게 개선한다. 따라서 Eu 함량은, Ag 등의 규정된 양이 존재할 때, 1 - 15 질량 ppm으로 제한된다.
g) [Ca, Be]
본 발명을 위해 사용된 금 합금 와이어가 규정된 양의 Ag, Pt, Y, La 및 Eu를 함유할 때, 1 - 20 질량 ppm의 Ca 함량과 1 - 10 질량 ppm의 Be 함량 중 하나 또는 모두에 의해 상술된 목적을 달성할 수 있다.
이는, Ca와 Be 함량이 1 질량 ppm 이하일 때와는 달리, 열 사이클 시험 후 파괴 강도를 개선하고 높은 인장강도를 유지시킨다. 또한 Ca 함량이 20 질량 ppm 이상 또는 Be 함량이 10 질량 ppm 이상일 때와는 달리, 루프 높이가 증가할 수 있도록 하고 저출력 접속시 제2측 박리 강도를 크게 개선하고 높은 인장강도가 유지될 수 있도록 한다. 따라서 Ca 함량 및 Be 함량의 하나 또는 모두는, Ag 등의 규정된 양이 존재할 때, 1 - 20 질량 ppm 및 1 - 10 질량 ppm으로 각각 제한된다.
(2) 금 와이어 제조 공정
본 발명에서 사용된 반도체 소자용 금 와이어의 제조를 위한 공정의 일례를 설명한다. 우선 전술한 성분의 금속을 용해하고 잉곳(ingot)으로 주조한 후, 구형(溝型) 압연기를 이용하여 압연하였고, 그 후 중간 소둔을 포함한 최종 냉간 가공에 의해 10 - 100μm 직경의 미세한 와이어를 제조하였고, 그 후 와이어의 연신율이 4 - 6%가 되도록 최종 어닐링을 실시하였고 상기 와이어의 표면을 윤활 방청제로 코팅하였다. 그 후 완전하게 가공된 와이어는 최종 제품을 준비하기 위해 규정된 길이로 규정된 장력에서 50.3mm 외경을 가진 스풀(spool)에 다시 감겨진다. 사용된 규정 길이는 100 - 3000m이기는 하나, 더 긴 길이가 보편화되고 있다.
(3) 용도
본 발명의 금 와이어는 반도체 소자의 전극과 외부 리드 사이의 접속을 위해 사용되었고, 접속 방법은 도 1a 내지 도 1d를 통해 보인 바와 같이, 볼 접속 방법에 따라 접속 및 상호 연결되는 것이 일반적이다. 이는, 도 1d에서와 같이 와이어(2')의 높이가 높은 소위 "높은 루프(high loop)"의 경우에 사용되는 것이 바람직하다.도 1a 내지 도 1d를 참조하여 상기 볼 접속 방법에 의해 접속하는 방법을 설명하기로 한다.
도 1a에서 나타낸 바와 같이, 상기 금 와이어(2)는 모세관(1)을 통하여 삽입되고, 전극 토치(3)는 와이어(2)의 첨단부에 대향하여 위치하고 상기 금 와이어(2)에 도달하는 전기 방전을 일으키고, 따라서 상기 금 와이어(2)의 단부가 가열되고 용융되어 볼(4)을 형성한다.
다음, 도 1b에서 나타낸 바와 같이, 상기 모세관(1)은 반도체 소자(6) 상의 Al 전극(5) 상으로 압착 접속을 위해 하강한다. 여기에서, 상기 모세관(1)을 통하여 초음파 진동(미도시)이 전달되어 부여되고, 반도체 소자(6)가 가열기 블럭(heater block)으로 가열되며, 따라서 볼(4)은 열-압착 접속되고, 압착 접속된 볼(4')이 된다.
다음, 도 1c에 나타낸 바와 같이, 상기 모세관(1)은 소정 궤적를 따라 외부 리드(8) 위로 이동되고 하강한다. 모세관(1)을 통하여 초음파 진동(미도시)이 전달되어 부여되고, 외부 리드(8)가 가열기 블럭으로 가열되며, 따라서 상기 금 와이어(2)의 표면은 외부 리드(8)에 열 압착 접속된다.
마지막으로, 도 1d에서 나타낸 바와 같이, 클램퍼(7)가 상기 금 와이어(2)를 파지하면서 상승하고, 따라서 상기 금 와이어(2)가 절단되고 와이어 접합이 종료한다. 그 후 상기 와이어 접합부는 레진으로 밀봉되어 반도체 소자기 완성된다.
실시예
일례 1
99.999wt% 이상의 순도를 가진 고순도 금에 상기 규정된 양의 Ag, Pt, Y, La, Eu, Ca 및 Be를 첨가하고 진공 용해로에서 상기 혼합물을 용해시킨 후, 주조하여 표 1에 나타내어진 성분을 가진 금 합금 잉곳을 얻었으며, 구형 롤 및 신선기(wire drawing machine)로 냉간 가공하였으며, 그 후 중간 어닐링을 실시하고 최종 냉간 가공으로 직경 25μm의 와이어를 제조하였으며, 와이어의 연신율이 4%가 되도록 최종 어닐링하였으며, 윤활제로 와이어의 표면을 코팅하여 금 합금 와이어를 마무리하였다.
(측정 방법)
(1) 열 사이클 시험 후 단선율
시험 재료는, 고속 자동 접속기를 사용하여 IC 칩의 전극위로 초음파 열-압착 접속을 위한 접속 와이어로서 사용되었다. 0.196 W의 초음파 출력 및 0.49 N의 하중으로 볼 접속 후, 모세관은 우선 루프 형성 방향의 반대 방향으로 이동되었고, 역전 각도(reverse angle)가 수직 방향에 대하여 60°의 각으로 설정되었고, 볼 목부(ball neck section)가 내부 휨을 유지하고 형성하도록 강제적으로 구부려져 변형되었고, 그 후 표준 루프(와이어 접합)를 형성하기 위해 외부 리드에 접속되었다. 각 IC 칩에 대하여 총 200 핀 와이어 접합이 형성되었다. 상기 와이어 접합 샘플은 레진으로 밀봉되었고, 그 후 -55℃ × 30분 및 160℃ × 30분 조건의 가혹한 열 사이클 시험이 2000회 행해졌다. 100개의 IC 칩이 시험을 위해 준비되었고, 와이어 단선의 존재가 통전 시험에 의해 결정되었다. 와이어 단선부를 가진 IC 칩의 수가 파단 비율(%)로서 표 1에 나타나 있다.
(2) 루프 높이
와이어 접합이 역 변형 없이 형성된 것을 제외하고는 상술된 열 사이클 시험을 동일한 방법으로 실행하였고, 총 8개의 IC 칩에 접속을 실시하였다. 그 후 길이 측정 현미경을 사용하여 무작위로 선택된 IC로부터 200개의 와이어의 루프 높이를 측정하였다. 평균치를 루프 높이로서 표 1에 나타내었다.
(3) 저출력 압착시 제2측 박리 강도
도 1c에 나타난 것과 같이 제2측(리드 측)을 위한 압착 조건으로서 0.157 W (보통 0.235W)의 초음파 출력 및 0.392 N (보통 0.588N)의 하중으로 저출력 압착을 실시하였다. 도 1d에서 나타낸 바와 같이 와이어 접합 형성 후, 와이어의 중앙부를 절단하였으며, 접속 시험기에 제공된 파지기(tweezers)로 리드 측 와이어의 단부를 단단히 파지하였고, 고정된 리드로부터 들어올린 와이어가 리드로부터 박리되는 데 필요한 하중을 측정하였다. 총 50 지점을 측정하였고, 평균치를 저출력 압착 조건의 제2측 박리 강도로서 표 1에 나타내었다.
실시예 2 내지 실시예 17, 비교예 1 내지 비교예 12
표 1 및 표 2에서 나타낸 바와 같이 성분의 양을 변경한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금 합금 와이어를 제조하여 시험하였다. 또한 시험 결과들을 표 1과 표 2에 나타내었다.
조 성 (질량 ppm) * 시험결과
첨가 원소 Au 및 불가피한 불순물 열 사이클 시험 후 단선율 (%) 루프 높이 (μm) 저출력 압착시 제2측 박리 강도(mN) 인장 강도 (mN)
Ag Pt Y La Eu Ca Be 합계
실시 예 1 11 5 10 10 10 10 5 61 잔부 0 187 58 131
2 15 5 10 10 10 10 5 65 잔부 0 182 58 136
3 20 5 10 10 10 10 5 70 잔부 0 181 52 141
4 15 1 10 10 10 10 5 61 잔부 0 184 56 130
5 15 9 10 10 10 10 5 69 잔부 0 186 59 139
6 15 5 1 10 10 10 5 56 잔부 0 192 62 130
7 15 5 15 10 10 10 5 70 잔부 0 185 55 140
8 15 5 10 1 10 10 5 56 잔부 0 193 61 132
9 15 5 10 15 10 10 5 70 잔부 0 188 57 142
10 15 5 10 10 1 10 5 56 잔부 0 197 60 132
11 15 5 10 10 15 10 5 70 잔부 0 186 54 141
12 15 5 10 10 10 1 5 56 잔부 0 203 64 133
13 15 5 10 10 10 20 5 75 잔부 0 170 51 144
14 15 5 10 10 10 10 1 61 잔부 0 184 55 130
15 15 5 10 10 10 10 10 70 잔부 0 188 57 140
16 15 5 10 10 10 10 - 60 잔부 0 181 58 135
17 15 5 10 10 10 - 5 55 잔부 0 186 57 134
조 성 (질량 ppm) * 시험결과
첨가 원소 Au 및 불가피한 불순물 열 사이클 시험후 단선율 (%) 루프 높이 (μm) 저출력 압착시 제2측 박리 강도 (mN) 인장 강도 (mN)
Ag Pt Y La Eu Ca Be 합계
비교 예 1 - 5 10 10 10 10 5 60 잔부 0 190 60 115
2 15 - 10 10 10 10 5 60 잔부 10 188 57 117
3 15 5 - 10 10 10 5 55 잔부 43 186 58 109
4 15 5 10 - 10 10 5 55 잔부 24 188 58 111
5 15 5 10 10 - 10 5 55 잔부 10 187 59 108
6 15 5 10 10 10 - - 50 잔부 30 191 60 105
7 30 5 10 10 10 10 5 80 잔부 0 179 8 127
8 15 10 10 10 10 10 5 70 잔부 0 183 12 129
9 15 5 20 10 10 10 5 75 잔부 0 135 30 139
10 15 5 10 20 10 10 5 75 잔부 0 138 33 145
11 15 5 10 10 20 10 5 75 잔부 0 141 28 146
12 15 5 10 10 10 30 5 85 잔부 0 130 19 149
13 15 5 10 10 - 30 5 75 잔부 0 131 20 140
(시험 결과)
(1) 각각의 성분 Ag, Pt, Y, La, Eu, Ca 및 Be의 양이 본 발명의 범위인 실시예 1 내지 실시예 17 모두는 사용된 가혹한 조건 하에서 열 사이클 시험 후에 0%의 와이어 단선을 나타내는 우수한 제품이었고, 170μm 이상의 높은 루프 높이 및 제2측(리드 측)상의 저출력 접속에서도 51mN 이상의 필 강도를 가지며, 130mN 이상의 높은 인장강도를 유지할 수 있다.
따라서 본 발명의 구성은, 첨가된 성분의 전체 양이 100 질량 ppm 이하이면서, 첫 번째로, 루프의 형성 후 가혹한 열 사이클 분위기에 노출되어도 와이어 단선을 최소화하기 위한 역 변형을 가능하게 하고, 두 번째로, 소정 높이보다 높은 루프의 형성을 가능하게 하고, 세 번째로, 높은 루프 형상을 유지하기 위해서 제2측 접합부에서 저출력 접속에 의해서도 소정치보다 큰 접합 강도를 유지할 수 있도록 하고, 네 번째로, 높은 인장강도의 유지를 가능하게 하는 반도체 소자 접속을 위한 금 와이어를 제공하기 위한 본 발명의 목적을 달성한다.
(2) 비교예 1 내지 비교예 5의 경우에, Ag, Pt, Y, La 및 Eu의 성분 중의 하나가 질량 pppm으로, 15ppm의 Ag, 5ppm의 Pt, 10ppm의 Y, 10ppm의 La, 10ppm의 Eu, 10ppm의 Ca 및 5ppm의 Be의 성분으로 첨가되지 않았고, 한편 비교예 6에서는 Ag, Pt, Y, La 및 Eu가 첨가되었지만 Ca 및 Be가 첨가되지 않았으며, 모든 상기의 샘플들은 사용된 가혹한 조건하에 열 사이클 시험 후 허용 불가한 10 - 43%의 와이어 단선율을 가졌고, 높은 루프 높이 및 저출력 접속으로 개선된 제2측 박리 강도에도 불구하고, 인장 강도는 105 - 117mN으로 불충분하였고, 따라서 본 발명의 목적을 성취하기 위해서는 본 발명의 샘플들이 비교예들보다 우수하였다.
(3) 비교예 7 및 비교예 8의 경우에, 질량 ppm으로, 15ppm의 Ag, 5ppm의 Pt, 10ppm의 Y, 10ppm의 La, 10ppm의 Eu, 10ppm의 Ca 및 5ppm의 Be의 성분에서 Ag 양은 20ppm 이상으로 증가되었거나 Pt 양은 9ppm 이상으로 증가되었고, 두 개의 상기 샘플은 높은 루프 높이가 가능하였으나, 저출력 접속에서의 제2측 박리 강도는 8 - 12mN이었고 인장강도는 127 - 129mN이었으며, 따라서 본 발명을 성취하기 위해서는 본 발명의 샘플들이 더 우수한 것으로 판명되었다.
(4) 비교예 9 내지 비교예 12의 경우, 질량 ppm으로 15ppm의 Ag, 5ppm의 Pt, 10ppm의 Y, 10ppm의 La, 10ppm의 Eu, 10ppm의 Ca 및 5ppm의 Be의 성분에서 Y 양이 15ppm 이상으로 증가되었고, La 양이 15ppm 이상으로 증가되었고, Eu 양이 15ppm 이상으로 증가되었거나 Ca 양이 20ppm 이상으로 증가되었으며, 모든 상기 샘플들은 130 - 141μm의 루프 높이를 가지며 저출력 접속에서의 제2측 박리 강도가 19 - 33mN이었고, 따라서 본 발명을 성취하기 위해서는 본 발명의 샘플들이 더 우수한 것으로 판명되었다.
(5) Eu가 함유되지 않은 성분에 질량 ppm으로 15ppm의 Ag, 5ppm의 Pt, 10ppm의 Y, 10ppm의 La, 30ppm의 Ca 및 5ppm의 Be가 함유된 비교예 13은 131μm의 루프 높이와 20mN의 저출력 접속에서의 제2측 박리 강도를 가지며, 따라서 본 발명을 성취하기 위해서는 본 발명의 샘플이 더 우수한 것으로 판명되었다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 반도체 소자 접속용 금 와이어는 루프의 형성 후 가혹한 열 사이클 분위기에 노출되어도 와이어 단선을 최소화하기 위한 역 변형이 유지되고, 규정된 높이로 높은 루프의 형성을 허용하고, 높은 루프 형상을 허용하기 위해서 제2측 접합부에서 저출력 접속에 의해서도 소정치의 접합 강도의 유지 및 높은 인장강도의 유지가 가능하였다.

Claims (1)

  1. 질량 ppm으로, 11 - 20ppm의 Ag, 1 - 9ppm의 Pt, 1 - 15ppm의 Y, 1 - 15ppm의 La 및 1 - 15ppm의 Eu를 함유하고, 1 - 20ppm의 Ca와 1 - 10ppm의 Be 중 1종 또는 모두를 함유하고, 상기 성분들의 전체 양이 100ppm 이하이고, 잔부가 Au 및 불가피한 불순물로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 접속용 금 와이어.
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