KR100693463B1 - 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드 - Google Patents

2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드 Download PDF

Info

Publication number
KR100693463B1
KR100693463B1 KR20050099826A KR20050099826A KR100693463B1 KR 100693463 B1 KR100693463 B1 KR 100693463B1 KR 20050099826 A KR20050099826 A KR 20050099826A KR 20050099826 A KR20050099826 A KR 20050099826A KR 100693463 B1 KR100693463 B1 KR 100693463B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light emitting
emitting diode
encapsulation layer
encapsulation
Prior art date
Application number
KR20050099826A
Other languages
English (en)
Inventor
김재필
박승현
김태훈
이재문
유영문
Original Assignee
한국광기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국광기술원 filed Critical 한국광기술원
Priority to KR20050099826A priority Critical patent/KR100693463B1/ko
Priority to JP2008536506A priority patent/JP2009512226A/ja
Priority to EP06799367.5A priority patent/EP1938392B1/en
Priority to US11/991,143 priority patent/US8035122B2/en
Priority to PCT/KR2006/004294 priority patent/WO2007046664A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100693463B1 publication Critical patent/KR100693463B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Abstract

본 발명은 광 확산 발광 다이오드에 관한 것으로써, 특히 단색으로부터 백색에 이르기까지 방출되는 광을 넓게 퍼지게 함으로서 발산각이 넓은 발광장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 봉지층을 포함하는 발광다이오드는 상기 봉지층에 특성이 다른 2 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 광을 확산시키는 미셀이 형성된 발광다이오드용 봉지물질을 극성 또는 굴절률이 다른 두 가지 이상의 물질을 혼합함으로써 쉽게 제조할 수 있는 것과, 발광다이오드 다이가 컵의 바닥면에 본딩되고, 상기 발광다이오드의 주위와 상부에 미셀 입자가 형성된 봉지 물질을 도포하여 발광다이오드 전체에 균일하게 패키징함으로써 광을 균일하게 산란 굴절시켜 LED의 발산각을 크고 균일하게 하며, 추가적으로 상기 봉지층과 밀도가 비슷한 미셀 입자가 존재함으로써 기존의 무기 입자를 분산시켰을 경우에서 보여지는 입자의 침전 문제 등을 해결할 수 있다.
발광 다이오드, LED, 봉지층, 광확산, 미셀

Description

2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광 다이오드{Light Diffusion Type Light Emitting Diode}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광 확산층을 갖는 발광장치를 나타내는 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 칩으로부터 발광되는 빛이 확산층을 통과하면서 발산각이 커지는 메커니즘을 나타내는 개략도이다.
도 3은 본 발명에서 칩으로부터 발광되는 빛이 확산층을 통과하면서 발산각이 커지는 실험결과를 나타낸 것이다.
{도면의 주요부분에 대한 부호설명}
100: 발광다이오드 101: Au 와이어
102: 봉지층 103: 지지부(리플렉터)
104: 봉지층을 이루는 주성분 물질
105: 봉지층에 분산되어 있는 미셀 입자
본 발명은 광 확산 발광 다이오드에 관한 것으로써, 특히 단색으로부터 백색에 이르기까지 방출되는 광을 넓게 퍼지게 함으로서 발산각이 넓은 발광장치에 관한 것이다.
최근 발광 다이오드(Light-Emitting Diode: 이하 LED)는 표시용 광원에서 LED 조명 광원으로 변모하여 차세대 에너지 절약 조명 광원으로 기대되며 앞으로 백열전구나 형광램프 등을 대체할 수 있을 것으로 생각되고 있다. 그래서 세계 각국에서 white LED technology, semiconductor lighting(반도체 조명) 또는 solid state lighting(고체 조명)이라는 분야의 기술혁신이 적극적으로 이루어지고 있다.
LED의 발광메카니즘은 광 방사는 기본적으로 반도체 및 형광체 고유의 성질에 따른 것으로, 열이나 방전광은 아니다. 따라서 LED 조명기구는 일반 백열전구와 달리 손으로 만져도 뜨겁지 않아 안전하고 수명이 길기 때문에 폐기물 발생도 적다. 또 잘 망가지는 유리, 수은, 유기물 등 유해한 물질이 포함되어 있지 않으므로 지구환경에 친화적인 조명용 광원이다. 그러므로 일반 조명에 응용하는 것뿐만 아니라 다양한 분야에서 응용할 수 있어 앞으로 10년간 거대한 시장이 형성되어 나갈 것으로 예상된다.
일반적으로 반도체 발광 다이오드는 점광원이라고도 불리우며 이는 발광다이오드의 좁은 발광면적과 직진성 때문에 기인한다. 따라서, 균일하고 넓은 확산각을 가지는 발광다이오드를 얻기 위한 연구가 많이 진행되어 왔는데, 일반적으로 무기, 유기 파티클을 봉지재에 혼합하여 패키징하거나 렌즈를 사용하여 빛을 넓게 퍼지게 하는 방법을 사용한다. 통상적으로, 전자의 방법이 제품의 원가절감 및 소형화 측면에서 유리하여 적극적으로 활용되고 있다.
종래의 기술로는 램프의 커버에 광을 산란하는 light-conductive particles을 분산시켜 확산각을 크게 하는 방법과(등록번호 US 4,191,943), CaF와 같은 무기 입자를 6~25wt%로 봉지층에 분산시켜 확산각을 크게 하는 방법이 등록되어 있다. (등록번호 US 5,140,220)
이와 달리, 광 분산제를 형광체와 함께 사용하는 특허도 출원되어 있는데 니치아는 청색 파장에 형광체를 혼합하여 백색을 구현하는 확산제로 티탄산 바륨, 산화 디타늄, 산화알루미늄, 산화 실리콘을 사용하였다. (등록번호 US 6,069,440) 비슷한 형태의 기술로 Arima Optoelectronics는 형광체와 버블을 사용하는 기술을 등록하였으며(등록번호 US 6,614,170 B2) General Electric company는 형광체층과 별도로 확산층을 형성하여 LED 다이로부터 방출되는 빛을 확산시키는 특허를 등록(등록번호 US 6,653,765)하였다.
이와 같이 다이오드의 광 확산 범위를 넓히기 위한 연구가 계속 되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 그 목적은 LED 다이에서 발광되는 빛을 넓고 균일하게 만드는데 유리하다. 그 목적은 발광 다이오드의 광방출면 전체에 미셀이 형성된 봉지재를 토출하여 확산각이 넓은 단색, 다색, 백색 발광장치를 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 봉지층을 포함하는 발광다이오드는 기판 상부에 위치하여 광을 방출하는 발광다이오드 및 상기 발광다이오드 상부에 위치하고, 굴절률 또는 극성이 다른 2 이상의 액상의 광 확산 봉지 물질을 포함하여 광을 넓은 면적으로 방사하는 봉지층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에서 상기 봉지층은 상기 기판 상부에 위치하되 상기 발광다이오드 주변부에 형성되는 지지부에 의해 포획될 수 있다.
본 발명에서 상기 지지부는 발광다이오드에서 방출된 광을 반사하는 리플렉터인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 2 이상의 액상의 광 확산 봉지 물질은 굴절률 또는 극성이 다른 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 굴절률은 일반적인 봉지재의 굴절율 범위인 1.4~2.0 이내인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 2 이상의 액상의 광 확산 봉지 물질 중 한 가지 이상의 물질은 미크로 상분리가 되어 미셀 형태로 존재하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 액상의 광 확산 봉지 물질은 경화되지 않은 에폭시 및 실리콘 중 선택되는 적어도 1종 이상의 물질이고, 혼합시 액상의 형태로 존재하며, 상기 미셀 입자의 크기는 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 봉지층은 디스펜싱(dispensing)방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 봉지층은 발산하는 광을 장파장으로 변화시키는 형광체를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 형광체는 YAG(이트륨-알루미늄-가네트계)를 사용하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 봉지층을 포함하는 광 확산 다이오드의 단면도이다.
상기 실시예에서, 광 확산 다이오드는 발광다이오드(100), 와이어(101), 봉지층(102), 리플렉터(103)를 포함한다.
상기 실시예는, 광 확산 다이오드에 봉지층(102)이 형성되는 방법을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1을 참조하여, 광 확산 발광 다이오드의 구조에 대해서 개략적으로 살펴보면, 기판(도면부호 미지정) 상부에 발광 다이오드(100)가 위치한다. 상기 발광 다이오드(100)는 주로 단색광, 다색광 및 백색광을 확산시킨 발광 다이오드(100)인 것이 바람직하다. 상기 발광 다이오드(100)는 일반적인 램프형 또는 표면 실장 소자(surface mount device' SMD')형태로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 발광 다 이오드(100) 소자의 구조물은 단색 또는 자외선을 내는 발광 다이오드 다이가 리플렉터(103)의 바닥에 본딩된다.
상기 발광다이오드(100)에는 전원을 공급하기 위한 와이어(101)가 구비되고, 상기 발광다이오드(100) 주위에는 상기 발광다이오드(100)에서 발광되는 빛을 반사하여 광 효율을 향상시키기 위한 리플렉터(103)가 구비된다.
상기 발광다이오드(100) 상부 및 리플렉터(103)에 의해 생긴 홈 부위에는 본 발명의 봉지층(102)이 형성된다. 상기 봉지층(102)에는 투명한 봉지재 또는 형광체를 혼합한 물질로 도포된다. 상기 발광 다이오드(100)를 봉지하고 있는 봉지재(102)는 토출전에 굴절률 또는 극성이 다른 두 가지 이상의 물질을 혼합하여 제조되는 것이 바람직하며, 통상의 발광 다이오드 제조방법으로 토출될 수 있다. 이때 발광 다이오드(100)를 봉지하는 봉지재(102)는 형광체를 포함할 수도 포함하지 않을 수도 있다.
바람직하게는, 상기 발광다이오드(100)에 사용되는 봉지 물질은 실리콘과 에폭시 계열이며, 발산 파장은 단색, 다색, 백색광이다. 이 발광 다이오드(100)에 형광체가 사용될 경우 상기 발광 다이오드(100)로부터 생성된 광을 장파장으로 변환하기 위한 물질인 것이 바람직하다.
상기 발광다이오드의 봉지층(102)에는 극성 또는 굴절률이 다른 두 가지 이상의 고분자가 미크로 상분리되어 이중 한 가지 이상의 고분자가 미셀 형태로 존재한다. 상기 봉지층(102)을 구성하는 미셀은 LED용 봉지재로 가장 많이 사용되고 있는 에폭시 또는 실리콘일 수 있으며 형광체가 사용될 경우 형광체는 LED 다이에서 발생하는 파장을 장파장으로 변화시키는 형광체이다. 예를 들어 YAG(이트륨-알루미늄-가네트계)와 같은 형광물질일 수 있다. 이러한 광확산 봉지 물질은 액상 상태로, 경화되지 않은 에폭시수지와 실리콘 수지를 혼합하여 미셀이 형성된 상태로 제조하고, 상기 미셀이 형성된 봉지재를 디스펜싱(dispensing)방법을 이용하여 상기 패키지구조물에 봉지층을 형성할 수 있다.
즉, 봉지재는 기존에 주로 사용되어온 발광 다이오드 봉지재인 실리콘과 에폭시를 믹서에 의해 혼합함으로써 제조할 수 있으며 미셀이 형성된 봉지재는 기존의 공정에 그대로 적용하여 토출할 수 있는데, 바람직하게는 디스펜서로 토출 봉지 하는 것이다.
나아가, 본 발명은 일반 발광다이오드(두 개의 와이어가 상면에 접합하는 타입 또는 한 개의 와이어가 상면에 접합하는 타입) 또는 램프형 구조를 갖는 LED 모두 쉽게 적용할 수 있으며 형광체를 사용할 경우 파장변환형 발광장치의 제조방법을 제공할 수 있다. 상기 방법은, LED 봉지층 제조전에 미셀이 형성된 봉지재를 제조하는 기술을 포함하고 있으며, 발광다이오드 주위 및 상부에 형광체를 혼합하거나 혼합하지 않은 미셀이 형성된 봉지재를 토출하는 단계 그리고 토출된 봉지층을 가교하는 단계로 이루어질 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 발광장치는 상기 발광다이오드의 봉지층(102) 전체에 균일하게 분산된 미셀 입자가 존재하며, 미셀 입자의 크기는 LED의 발광 파장대가 200~800nm 인 것을 감안하면 최소 산란 입자크기보다 큰 >0.05 ㎛ 인것이 바람직하다. 상기 봉지층은 단색, 다색 또는 백색을 균일하고 넓은 면적에 방사하도록 한다.
본 봉지층(102)은 실질적인 광방출면인 발광다이오드 다이의 상면과 측면에 전체적으로 도포되어 다이에서 발산하는 광이 매우 넓은 면적에 퍼지도록 구성함으로써 LED의 단점이 좁은 시야각을 개선할 수 있다. 또한, 종래의 무기입자분말과 봉지재를 혼합하여 분사한 후에 경화시키는 공정에서 발생하는 입자의 침전 문제, 분산성 문제, 봉지재와의 접착성 문제 등을 해결할 수 있다.
상기 봉지층은 도식된 바와 같이, 발광다이오드 다이의 광방출면을 충분히 커버하기 위해 발광다이오드 주위와 상부에 도포하여야 하며 봉지층에 형성된 미셀 입자는 두 가지 이상의 봉지물질 중에서 한 가지 이상의 봉지물질을 소량 사용하여 혼합하면 쉽게 제조할 수 있다. 또한, 미셀 입자가 형성된 봉지 물질은 미셀이 형성된 후 미셀 입자끼리 혼합되거나, 탈기시 또는 가교 공정시 두 가지 이상의 봉지 물질이 각각 거시적으로 상 분리되는 일은 없다.
상기 광확산형 발광장치는 발산각이 매우 큰 용도로 주로 사용된다. 이 경우에 발광다이오드는 단색, 다색 또는 백색일 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따른 발광장치는 발광다이오드의 봉지층 전체에 미셀 입자가 형성되어 있으며 기존의 LED 제조 공정을 그대로 이용할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 광 확산 발광 다이오드가 빛을 반사하는 모습을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 상기 발광 다이오드는 단색, 다색 또는 백색광을 방출하지만, 봉지층을 통해 단색, 다색 또는 백색광의 많은 부분이 봉지층의 미셀에 의해 산란 또는 굴절되어 원하는 균일도 및 확산각을 가지게 된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 봉지층을 가지는 광 확산 발광 다이오드의 확산각을 나타낸 도면이다.
도 3a는 실리콘 100%의 일반적인 봉지층을 가지는 발광 다이오드의 확산각을 나타낸 것으로써, 그 확산각은 50도를 나타낸다. 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 미셀을 형성한 실리콘과 에폭시가 77:23으로 혼합된 봉지층을 포함한 광 확산 발광 다이오드의 확산각을 나타낸 것으로써 그 각인 114도임을 알 수 있다. 상기 몰딩부 내에 미셀 입자는 균일하게 산재되어 존재하며, 형광체를 사용할 경우 LED로부터 방출된 광 및 형광체 입자와 부딪쳐 파장이 변환되고 방출되는 빛은 확산제로 인하여 균일하고 넓은 방출광으로 변화한다. 따라서, 본 발명의 확산층에 의해 확산각이 약 2배 이상 향상됨을 알 수 있다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 광을 확산시키는 미셀이 형성된 발광다이오드용 봉지물질을 극성 또는 굴절률이 다른 두 가지 이상의 물질을 혼합함으로 써 쉽게 제조할 수 있는 것과, 발광다이오드 다이가 컵의 바닥면에 본딩되고, 상기 발광다이오드의 주위와 상부에 미셀 입자가 형성된 봉지 물질을 도포하여 발광다이오드 전체에 균일하게 패키징함으로써 광을 균일하게 산란 굴절시켜 LED의 발산각을 크고 균일하게 하며, 추가적으로 상기 봉지층에 밀도가 비슷한 미셀 입자가 존재함으로써 기존의 무기 입자를 분산시켰을 경우에서 보여지는 입자의 침전 문제 등을 해결할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판 상부에 위치하여 광을 방출하는 발광다이오드; 및
    상기 발광다이오드를 둘러싸며, 굴절률 또는 극성이 다른 2 이상의 광 확산 봉지 물질 및 미셀을 포함하여 광을 넓은 면적으로 방사하는 봉지층을 포함하는 광 확산 발광다이오드.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 봉지층은 상기 기판 상부에 위치하되 상기 발광다이오드 주변부에 형성되는 지지부에 의해 포획되는 것을 특징으로 하는 광 확산 발광다이오드.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 굴절률은 1.4~2.0 이내인 것을 특징으로 하는 광 확산 발광 다이오드.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 미셀은, 상기 2 이상의 광 확산 봉지 물질 중 한 가지 이상의 물질이 미크로 상분리가 되어 형성되는 것을 특징으로 하는 광 확산 발광 다이오드.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 광 확산 봉지 물질은 경화되지 않은 액상의 에폭시 및 실리콘 중 선택되는 적어도 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 광 확산 발광 다이오드.
  6. 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 미셀은 구 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 광 확산 발광 다이오드.
  7. 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 미셀 입자의 크기가 0.05㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 광 확산 발광 다이오드.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 봉지층은 디스펜싱(dispensing)방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 광 확산 발광 다이오드.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 봉지층은 발산하는 광을 장파장으로 변화시키는 형광체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 확산 발광 다이오드.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 형광체는 적색, 녹색, 청색 계열의 형광체 또는 노란색 계열의 형광체를 사용하는 것을 특징으로 하는 광 확산 발광 다이오드.
KR20050099826A 2005-10-21 2005-10-21 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드 KR100693463B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050099826A KR100693463B1 (ko) 2005-10-21 2005-10-21 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
JP2008536506A JP2009512226A (ja) 2005-10-21 2006-10-20 光拡散型発光ダイオード
EP06799367.5A EP1938392B1 (en) 2005-10-21 2006-10-20 Light diffusion type light emitting diode
US11/991,143 US8035122B2 (en) 2005-10-21 2006-10-20 Light diffusion type light emitting diode
PCT/KR2006/004294 WO2007046664A1 (en) 2005-10-21 2006-10-20 Light diffusion type light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050099826A KR100693463B1 (ko) 2005-10-21 2005-10-21 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100693463B1 true KR100693463B1 (ko) 2007-03-12

Family

ID=37962717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20050099826A KR100693463B1 (ko) 2005-10-21 2005-10-21 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8035122B2 (ko)
EP (1) EP1938392B1 (ko)
JP (1) JP2009512226A (ko)
KR (1) KR100693463B1 (ko)
WO (1) WO2007046664A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8981405B2 (en) 2007-10-24 2015-03-17 Switch Bulb Company, Inc. Diffuser for LED light sources

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
JP5073095B2 (ja) * 2008-04-30 2012-11-14 チョーチアン マネラックス ライティング カンパニー リミテッド 白色発光ダイオード及び白色発光ダイオードランプ
US8210698B2 (en) * 2010-07-28 2012-07-03 Bridgelux, Inc. Phosphor layer having enhanced thermal conduction and light sources utilizing the phosphor layer
CN102856465B (zh) * 2011-06-29 2015-03-11 赛恩倍吉科技顾问（深圳）有限公司 发光二极管封装结构
EP2541534A1 (en) 2011-07-01 2013-01-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light output device and method of manufacture
JP5943179B2 (ja) * 2011-12-05 2016-06-29 京セラ株式会社 透明樹脂組成物
TW201327937A (zh) * 2011-12-30 2013-07-01 Radiant Opto Electronics Corp 發光二極體元件
DE102012205770A1 (de) * 2012-04-10 2013-10-10 Osram Gmbh Optisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen des optischen Bauelementes, Verfahren zum Betreiben eines optischen Bauelements und Verfahren zum Homogenisieren der Strahlungsdichte elektromagnetischer Strahlung in einem optischen Bauelement
CN103256505A (zh) * 2013-04-24 2013-08-21 生迪光电科技股份有限公司 一种大角度led灯
CN104019403A (zh) * 2014-05-23 2014-09-03 京东方光科技有限公司 发光二极管、背光模组、液晶显示器、照明装置
TWI763735B (zh) 2016-12-09 2022-05-11 美商道康寧公司 組成物、光漫散器和由其所形成之裝置、及相關方法
JP6597657B2 (ja) 2017-01-24 2019-10-30 日亜化学工業株式会社 発光装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970010102A (ko) * 1995-08-31 1997-03-27 박홍기 광확산 필름
JP2001177157A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
KR20020017368A (ko) * 2000-08-30 2002-03-07 나카스기 로쿠로 표면 실장형 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2002314142A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003029654A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Sony Corp 表示装置
JP2003101078A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005167079A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005197317A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Toshiba Corp 固体照明素子

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4191943A (en) * 1976-10-18 1980-03-04 Fairchild Camera And Instrument Corporation Filler-in-plastic light-scattering cover
US5140220A (en) * 1985-12-02 1992-08-18 Yumi Sakai Light diffusion type light emitting diode
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6653765B1 (en) * 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
TW516247B (en) * 2001-02-26 2003-01-01 Arima Optoelectronics Corp Light emitting diode with light conversion using scattering optical media
JP2005026401A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP4803339B2 (ja) * 2003-11-20 2011-10-26 信越化学工業株式会社 エポキシ・シリコーン混成樹脂組成物及び発光半導体装置
US7868343B2 (en) * 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
JP4799883B2 (ja) * 2005-03-01 2011-10-26 日東電工株式会社 エポキシ樹脂組成物硬化体およびその製法ならびにそれを用いた光半導体装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970010102A (ko) * 1995-08-31 1997-03-27 박홍기 광확산 필름
JP2001177157A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
KR20020017368A (ko) * 2000-08-30 2002-03-07 나카스기 로쿠로 표면 실장형 발광 다이오드 및 그 제조방법
JP2002314142A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2003029654A (ja) * 2001-07-11 2003-01-31 Sony Corp 表示装置
JP2003101078A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005167079A (ja) * 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2005197317A (ja) * 2003-12-26 2005-07-21 Toshiba Corp 固体照明素子

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
14314142
15101078

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8981405B2 (en) 2007-10-24 2015-03-17 Switch Bulb Company, Inc. Diffuser for LED light sources

Also Published As

Publication number Publication date
US20090116216A1 (en) 2009-05-07
WO2007046664A1 (en) 2007-04-26
JP2009512226A (ja) 2009-03-19
US8035122B2 (en) 2011-10-11
EP1938392B1 (en) 2015-12-23
EP1938392A4 (en) 2011-01-05
EP1938392A1 (en) 2008-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100693463B1 (ko) 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
US10424702B2 (en) Compact LED package with reflectivity layer
TWI550917B (zh) 發光裝置
US8167674B2 (en) Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US20130328073A1 (en) Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
JP6706448B2 (ja) ネオジム・フッ素材料を用いたｌｅｄ装置
CN105990505A (zh) 半导体发光元件及其制作方法
JP2001077433A (ja) 発光装置及びその形成方法
US20070114558A1 (en) LED module
CN103489984B (zh) 发光二极管封装结构及其制作方法
WO2016056316A1 (ja) 発光装置
TWI433361B (zh) 用於增加均光效果的發光二極體封裝結構
CN103050615A (zh) 一种高显色性白光led器件
CN102282687B (zh) 均匀颜色发光的led封装
US20130168714A1 (en) Light emitting diode package structure
CN108369983B (zh) 采用使用多种钕和氟化合物的可调滤色的led设备
KR20080001286A (ko) 형광체를 이용한 파장 변환형 발광다이오드 및 그 제조방법
CN103840057B (zh) 发光二极管及其制造方法
KR20130109759A (ko) 발광소자 패키지
KR100693462B1 (ko) 형광체를 이용한 파장변환형 발광다이오드 패키지 및제조방법
KR20030063832A (ko) 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
US9041285B2 (en) Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
TWI362746B (en) Light emitting diode lighting device
CN213583778U (zh) Cob封装结构、led灯
TWM320750U (en) Polychromatic light emitting diode with light mixing by dispersant

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120810

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130228

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140721

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150227

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160307

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee