KR100687435B1 - Ion implant method of semiconductor device - Google Patents

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Abstract

A method for implanting a semiconductor device with ion is provided to reduce a burning phenomenon of a photosensitive layer by adjusting a pressure of a cooling gas according to implantation energy and beam current. A substrate(100) is implanted with a conductive impurity by using an ion implanting device containing a gas cooler. As a beam current or implantation energy is increased, a pressure of a cooling gas introduced into the gas cooler is increased. The cooling gas is nitrogen. The pressure of the cooling gas is 4 Torr or less when the beam energy is 10 to 20 KV and the beam current is 9 mA or less; the beam energy is 20 to 40 KV and the beam current is 4 mA or less; the beam energy is 40 to 60 KV and the beam current is 3mA or less; or the beam energy is 60 KV or more and the beam current is 3 mA or less.

Description

반도체 장치의 이온 주입 방법{ION IMPLANT METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE}ION IMPLANT METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

도 1은 본 발명의 한실시예에 따른 이온 주입 장치를 도시한 개략도이다. 1 is a schematic diagram illustrating an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2내지 도 5는 본 발명에 따른 이온 주입 방법으로 반도체 장치를 형성하기 위한 반도체 제조 공정을 순서대로 도시한 단면도이다. 2 to 5 are cross-sectional views sequentially illustrating a semiconductor manufacturing process for forming a semiconductor device by the ion implantation method according to the present invention.

본 발명은 이온 주입 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 장치의 이온 주입 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ion implantation method, and more particularly, to an ion implantation method of a semiconductor device.

반도체 장치를 제조하는 공정은 수 회의 불순물 주입(doping) 단계를 필요로한다. 이온 주입은 도전성 불순물(dopant)을 넣는 공정이다. The process of manufacturing a semiconductor device requires several impurity doping steps. Ion implantation is a process of putting conductive dopants.

주입된 불순물은 기판(wafer) 및 기판 위에 형성된 구조물의 도전성 및 저항 등의 전기적 특성을 변화시킨다. 이러한 불순물로는 P형 또는 N형 이온을 사용할 수 있으며, 이들 이온은 이온 주입기를 통해 주입하고 있다.The implanted impurities change electrical properties such as conductivity and resistance of the wafer and the structure formed on the substrate. P-type or N-type ions may be used as such impurities, and these ions are injected through an ion implanter.

이온 주입기는 이온화된 불순물을 가속시켜 기판의 소정 영역에 도핑하는 장치이다. 이온 주입기는 이온 발생부(ion source section), 빔라인부(beam line section) 및 엔드스테이션부(end station section)으로 구성된다. 이온 발생부는 이온빔을 생성하는 역할을 하며 빔라인부는 생성된 이온에 필요한 에너지를 부여한다. 엔드스테이션부는 기판이 놓여지는 곳으로 기판을 로딩(loding) 및 언로딩(unloading)한다. 그리고 엔드스테이션부에는 기판의 온도 및 압력을 일정하게 유지하기 위한 냉각부를 포함한다. 냉각부는 물 또는 기체를 이용하여 기판의 온도를 조절한다. An ion implanter is a device that accelerates ionized impurities to dope certain regions of a substrate. The ion implanter is composed of an ion source section, a beam line section, and an end station section. The ion generating unit serves to generate an ion beam, and the beamline unit provides energy required for the generated ions. The end station portion loads and unloads the substrate to where the substrate is placed. The end station unit includes a cooling unit for maintaining a constant temperature and pressure of the substrate. The cooling unit adjusts the temperature of the substrate using water or gas.

그러나 기판의 온도 조절이 제대로 되지 않을 경우 감광막의 버닝(burning)현상이 발생하여 정확한 패턴을 형성할 수 없다.However, if the temperature of the substrate is not properly adjusted, burning of the photoresist may occur, and thus an accurate pattern may not be formed.

따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 감광막의 버닝을 방지할 수 있는 이온 주입 방법을 제공한다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention provides an ion implantation method that can prevent the burning of the photosensitive film.

상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치의 이온 주입 방법은 빔전류, 주입 에너지를 조절할 수 있으며 기체 냉각기를 포함하는 이온 주입기를 이용하여 기판에 도전형 불순물을 주입하는 방법에 있어서, 빔전류 또는 주입 에너지가 증가할수록 기체 냉각기에 주입되는 기체 압력을 증가시킨다.The ion implantation method of the semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is to control the beam current, the implantation energy, and in the method for injecting conductive impurities into the substrate using an ion implanter comprising a gas cooler, As the current or injection energy increases, the gas pressure injected into the gas cooler increases.

냉각 기체는 질소 기체일 수 있다.The cooling gas may be nitrogen gas.

빔에너지가 10KV이하, 10KV 초과 20KV 이하이면서 빔전류가 9mA이하, 20KV 초과 40KV 이하이면서 빔전류가 4mA이하, 40KV 초과 60KV 이하이면서 빔전류가 3mA이하 또는 빔 에너지가 60KV 초과 이면서 빔전류가 3mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위 일 때 냉각 기체의 압력은 4Torr 이하일 수 있다.The beam energy is 10KV or less, 10KV or more and 20KV or less, the beam current is 9mA or less, 20KV or more and 40KV or less, the beam current is 4mA or less, 40KV or more and 60KV or less, the beam current is 3mA or less and the beam energy is more than 60KV and the beam current is 3mA or less When in any one of the range of the pressure of the cooling gas may be 4Torr or less.

빔에너지가 10KV이하, 10KV 초과 20KV 이하이면서 빔전류가 9mA초과, 20KV 초과 40KV 이하이면서 빔전류가 5mA초과 9mA이하, 빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 빔전류가 4mA초과 6mA이하 또는 빔에너지가 60KV 초과 이면서 빔전류가 3mA초과 4mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위일 때 냉각 기체의 압력은 4Torr 초과 8Torr 이하일 수 있다.The beam energy is less than 10KV, more than 10KV and more than 20KV, the beam current is more than 9mA, more than 20KV and more than 40KV, the beam current is more than 5mA and less than 9mA, the beam energy is more than 40KV and less than 60KV and the beam current is more than 4mA and less than 6mA or less than 60KV The pressure of the cooling gas may be greater than 4 Torr and less than or equal to 8 Torr when the beam current is in the range of more than 3 mA and less than 4 mA.

빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 빔전류가 8mA초과 9mA이하 또는 빔에너지가 60KV 초과이면서 빔전류가 7mA초과 8mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위 일 때 냉각 기체의 압력은 8Torr초과 10Torr 이하일 수 있다.When the beam energy is more than 40KV and less than 60KV and the beam current is more than 8mA and 9mA or less, and the beam energy is more than 60KV and the beam current is in the range of 7mA or more and 8mA or less, the pressure of the cooling gas may be more than 8Torr and less than 10Torr.

빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 빔전류가 9mA초과 또는 빔에너지가 60KV 초과이면서 빔전류가 8mA초과의 범위 일 때 냉각 기체의 압력은 10Torr초과 15Torr 이하일 수 있다.When the beam energy is more than 40KV and less than 60KV and the beam current is more than 9mA or the beam energy is more than 60KV and the beam current is more than 8mA, the pressure of the cooling gas may be more than 10 Torr and less than 15 Torr.

이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.

이제 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다.A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 이온 주입 장치를 도시한 개략도이다. 1 is a schematic view showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 이온 주입 장치는 이온 발생부(10), 빔라인부(20) 및 엔드 스테이션부(30)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the ion implantation apparatus includes an ion generator 10, a beamline unit 20, and an end station unit 30.

이온 발생부(10)는 도핑하고자 하는 불순물 원소의 이온을 생성한다. 빔라인부(20)는 웨이퍼에 주입하고자 하는 이온을 선택하고, 선택된 이온을 가속 또는 감속하여 웨이퍼에 원하는 깊이로 도핑될 정도의 에너지를 부여한다.The ion generator 10 generates ions of the impurity element to be doped. The beamline unit 20 selects ions to be implanted into the wafer, and accelerates or decelerates the selected ions to give energy to the wafer to be doped to a desired depth.

좀 더 구체적으로 설명하면, 빔라인부(20)는 분석기(analyzer; 21), 가속기(accelerator; 미도시), 4중극 랜즈(Quadrupole lens; 22), 페러데이(faraday; 23), 바이어스 어펴쳐(bias aperture; 24) 및 파티클 집진기(particle accumulator; 25)를 포함한다. In more detail, the beamline unit 20 may include an analyzer 21, an accelerator (not shown), a quadrupole lens 22, a faraday 23, and a bias bias. aperture 24 and particle accumulator 25.

분석기(21)는 소스부로부터 공급된 불순물 원소를 자기장의 세기를 조절하여 원하는 질량(mass) 및 전하(charge)를 가진 이온 만을 선별적으로 통과시킨다. 가속기는 분석기(21)에서 선별된 이온을 가속링에서 가속 전압(acceleration voltage) 또는 감속 전압(deacceleration voltage)을 인가하여 가속 또는 감속한다. 4중극 랜즈(22)는 가속기에서 가속 또는 감속된 이온빔이 마그넷 내부를 이동하며 둥근 원모양의 포커싱이 이루어지도록 하며, 집중에 의해 블로우업(blow-up)되는 것을 방지하도록 한다. The analyzer 21 selectively passes only ions having a desired mass and charge by controlling the intensity of the magnetic field of the impurity element supplied from the source unit. The accelerator accelerates or decelerates ions selected by the analyzer 21 by applying an acceleration voltage or deacceleration voltage in the acceleration ring. The quadrupole lens 22 allows the ion beam accelerated or decelerated in the accelerator to move inside the magnet to achieve rounded circular focusing and to prevent blow-up by concentration.

페러데이(23)는 웨이퍼에 주입할 이온 빔의 전류(current)를 측정한다. 이온 주입 전 패러데이(23)를 헤드 업(head up) 상태에서 이온 빔의 전류를 측정한 후 이온 주입 모드가 되면 헤드 다운(head down)되면서 이온 빔을 통과시킨다. 바이어스 어펴쳐(24)는 엔드 스테이션부(30)의 플라즈마 샤워(plasma-shower; 31)에서 발생한 이차 전자들이 이온 빔을 타고 소스부(10) 쪽으로 역류하는 것을 플라즈마 샤워(31) 안에 머물도록 해준다.Faraday 23 measures the current of the ion beam to be injected into the wafer. Faraday 23 before ion implantation measures the current of the ion beam in a head up state, and then enters the ion implantation mode while heading down and passes the ion beam. The bias spreader 24 allows secondary electrons generated in the plasma shower 30 of the end station portion 30 to remain in the plasma shower 31 to flow back toward the source portion 10 in the ion beam. .

파티클 집진기(25)는 이온 빔 라인부(20)에서 에너지에 따라 이온 빔과 함께 가속되어 웨이퍼의 전기적 특성을 변화시킬 수 있는 파티클들을 집진할 수 있도록, 이온 빔 라인부(20)를 따라 적어도 하나 이상이 형성된다. Particle dust collector 25 is at least one along the ion beam line portion 20 to collect particles that can be accelerated with the ion beam in accordance with the energy in the ion beam line portion 20 to change the electrical characteristics of the wafer. An abnormality is formed.

빔의 전류를 측정하기 위해 해드업된 상태의 패러데이(23)는 이온 빔이 셋-업(set-up)된 상태에서는 웨이퍼로 주입되는 것을 막는다. Faraday 23, which is headed up to measure the current of the beam, prevents the ion beam from being injected into the wafer in the set-up state.

그리고 엔드 스테이션부(30)는 이온 주입할 웨이퍼가 놓이는 곳으로 냉각부(도시하지 않음)를 포함한다. 냉각부는 엔드 스테이션부(30)에 놓여진 기판 아래로 물 또는 기체를 흐르게 하여 기판이 일정한 온도를 유지하도록 한다.In addition, the end station unit 30 includes a cooling unit (not shown) where the wafer to be ion implanted is placed. The cooling unit allows water or gas to flow under the substrate placed in the end station unit 30 so that the substrate maintains a constant temperature.

이상 설명한 이온 주입기를 이용하여 반도체 장치에 이온을 주입하는 방법에 대해서 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다.A method of implanting ions into a semiconductor device using the ion implanter described above will be described with reference to FIGS. 2 to 5.

도 2내지 도 5는 본 발명에 따른 이온 주입 방법으로 반도체 장치를 형성하기 위한 반도체 제조 공정을 순서대로 도시한 단면도이다. 2 to 5 are cross-sectional views sequentially illustrating a semiconductor manufacturing process for forming a semiconductor device by the ion implantation method according to the present invention.

도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(100) 위에 LOCOS(local oxidation silicon)(도시하지 않음) 또는 STI(shallow trench isolation) 방식을 이용하여 활성 영역을 정의하는 소자 분리 영역(12)을 형성한다. LOCOS 방식은 기판(100)의 소정 영역을 산화시켜 소자 분리 영역을 형성하는 방식이고, STI 방식은 기판(100)의 소정 영역에 트렌치를 형성한 후 절연 물질을 채워 소자 분리 영역(102)을 형성하는 방식이다.As shown in FIG. 2, the device isolation region 12 defining the active region is formed on the semiconductor substrate 100 by using a local oxidation silicon (LOCOS) (not shown) or shallow trench isolation (STI) scheme. . The LOCOS method forms a device isolation region by oxidizing a predetermined region of the substrate 100. The STI method forms a device isolation region 102 by forming a trench in a predetermined region of the substrate 100 and then filling an insulating material. That's the way it is.

이후 기판(100)을 열 산화하여 기판(100) 위에 20~40Å정도의 두께로 산화막 을 형성한다. 그런 다음 산화막 위에 다결정 규소막을 형성한 후 감광막(PR)을 이용하여 선택적으로 다결정 규소막 및 산화막을 식각하여 게이트(106) 및 게이트 산화막(104)을 형성한다.Thereafter, the substrate 100 is thermally oxidized to form an oxide film having a thickness of about 20 to about 40 kPa on the substrate 100. Then, after the polycrystalline silicon film is formed on the oxide film, the gate 106 and the gate oxide film 104 are formed by selectively etching the polycrystalline silicon film and the oxide film using the photoresist film PR.

다음 도 3에 도시한 바와 같이, 감광막(PR)을 마스크로 기판(100)에 도전형 불순물 이온을 저농도로 주입하여 저농도 도핑 영역(108)을 형성한다. 저농도 도핑 영역은 B, P, N 등을 1X1012~13개 주입하여 형성한다.Next, as shown in FIG. 3, conductive dopant ions are implanted at low concentration into the substrate 100 using the photoresist film PR as a mask to form a low concentration doped region 108. The lightly doped region is formed by injecting 12 to 13 1 × 10 P, N, or the like.

저농도 도핑 영역(108)은 도 1에 도시한 이온 주입기를 이용하여 주입하며, 이온 주입 에너지 및 빔 전류가 증가할수록 냉각 기체의 압력을 증가시킨다. 그러면 감광막(PR)의 버닝 현상이 발생하지 않는다. 냉각 기체로는 질소를 사용할 수 있다.The lightly doped region 108 is implanted using the ion implanter shown in FIG. 1, and the pressure of the cooling gas increases as the ion implantation energy and beam current increase. Then, the burning phenomenon of the photoresist film PR does not occur. Nitrogen may be used as the cooling gas.

표 1 및 표 2를 참고하여 좀 더 구체적으로 설명한다. It will be described in more detail with reference to Table 1 and Table 2.

표 1은 이온 주입 에너지와 빔 전류의 관계에 따른 이온 주입 강도를 나타낸 표이고, 표2 는 표 1의 이온 주입 강도에 따른 질소 기체의 주입 압력을 나타다. Table 1 is a table showing the ion implantation intensity according to the relationship between the ion implantation energy and the beam current, Table 2 shows the injection pressure of nitrogen gas according to the ion implantation intensity of Table 1.

[표 1]TABLE 1

Figure 112005056359849-pat00001
Figure 112005056359849-pat00001

[표 2]TABLE 2

Figure 112005056359849-pat00002
Figure 112005056359849-pat00002

예를 들어, 붕소를 20KV의 에너지로 주입할 때 빔 전류가 5mA라면 표 1에서 이온 주입 강도는 100W이라는 것을 알 수 있다. 이후 표 2에서 이온 주입 강도 100W에 따른 질소 기체의 압력을 찾으면 4Torr 임을 알 수 있으므로 이온 주입기의 냉각기에 주입되는 질소 기체의 주입 압력을 4Torr로 설정한다.For example, if the beam current is 5 mA when boron is injected with 20 KV of energy, the ion implantation intensity of 100 W can be seen in Table 1. Then, in Table 2, when the pressure of the nitrogen gas according to the ion implantation intensity 100W is found to be 4 Torr, the injection pressure of the nitrogen gas injected into the cooler of the ion implanter is set to 4 Torr.

도 4에 도시한 바와 같이, 기판(10) 전면에 화학적 기상 증착으로 산화막 및 질화막을 형성한다. 그런 다음 에치백으로 질화막 및 산화막을 제거하여 게이트 (106)의 측벽에 질화막과 산화막으로 이루어지는 스페이서(112) 및 완충막(110)을 형성한다. 완충막은 질화막과 게이트의 계면 스트레스를 감소시킨다.As shown in FIG. 4, an oxide film and a nitride film are formed on the entire surface of the substrate 10 by chemical vapor deposition. Then, the nitride film and the oxide film are removed by the etch back to form the spacer 112 and the buffer film 110 including the nitride film and the oxide film on the sidewalls of the gate 106. The buffer film reduces the interfacial stress between the nitride film and the gate.

도 5에 도시한 바와 같이, 스페이서(112) 및 게이트(106)를 마스크로 반도체 기판(100)에 도전형 불순물 이온을 고농도로 도핑하여 소스 영역(114) 및 드레인 영역(114)을 형성한다. As shown in FIG. 5, the semiconductor substrate 100 is doped at high concentration with the spacer 112 and the gate 106 as a mask to form the source region 114 and the drain region 114.

불순물 이온은 저농도 도핑 영역(108)과 동일한 물질로 도핑하며, 도 1의 이온 주입기로 주입한다. 이때, 저농도 도핑 영역(108)을 형성하는 것과 같이 표 1 및 표 2를 참고로, 빔에너지 및 빔 전류에 따른 냉각 기체의 압력을 조절하여 주입한다.Impurity ions are doped with the same material as the lightly doped region 108 and implanted into the ion implanter of FIG. 1. In this case, as in forming the low concentration doped region 108, with reference to Table 1 and Table 2, by adjusting the pressure of the cooling gas according to the beam energy and the beam current is injected.

이후 급속 열처리, 로 열처리 등의 열처리 공정으로 반도체 기판(114)에 주입된 불순물 이온을 활성화시킨다.Thereafter, impurity ions implanted into the semiconductor substrate 114 are activated by a heat treatment process such as rapid heat treatment and furnace heat treatment.

이상 기술한 바와 같이 주입 에너지 및 빔 전류에 따라서 냉각 기체의 압력을 조절하면 감광막의 버닝 현상을 감소시킬 수 있어 이온 주입의 신뢰성이 향상되어 고품질의 반도체 장치를 제공할 수 있다.As described above, by adjusting the pressure of the cooling gas according to the injection energy and the beam current, the burning phenomenon of the photosensitive film can be reduced, thereby improving the reliability of ion implantation, thereby providing a high quality semiconductor device.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.

Claims (6)

빔전류, 주입 에너지를 조절할 수 있으며 기체 냉각기를 포함하는 이온 주입기를 이용하여 기판에 도전형 불순물을 주입하는 반도체 장치의 이온 주입 방법에 있어서,In the ion implantation method of the semiconductor device which can control the beam current, the implantation energy and injects conductive impurities into the substrate using an ion implanter including a gas cooler, 빔전류 또는 주입 에너지가 증가할수록 기체 냉각기에 주입되는 기체 압력을 증가시키는 반도체 장치의 이온 주입 방법.An ion implantation method of a semiconductor device which increases the gas pressure injected into the gas cooler as the beam current or implantation energy increases. 제1항에서,In claim 1, 상기 냉각 기체는 질소 기체인 반도체 장치의 이온 주입 방법.The cooling gas is nitrogen gas ion implantation method of a semiconductor device. 제1항에서,In claim 1, 상기 빔에너지가 10KV이하, 10KV 초과 20KV 이하이면서 상기 빔전류가 9mA이하, 상기 빔에너지가 20KV 초과 40KV 이하이면서 상기 빔전류가 4mA이하, 상기 빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 상기 빔전류가 3mA이하 또는 상기 빔 에너지가 60KV 초과이면서 상기 빔전류가 3mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위 일 때 상기 냉각 기체의 압력은 4Torr 이하인 반도체 장치의 이온 주입 방법.The beam energy is 10KV or less, 10KV or more and 20KV or less, the beam current is 9mA or less, the beam energy is more than 20KV and 40KV or less, the beam current is 4mA or less, the beam energy is more than 40KV and 60KV or less and the beam current is 3mA or less Or the pressure of the cooling gas is 4 Torr or less when the beam energy is more than 60 KV and the beam current is in any one of a range of 3 mA or less. 제1항에서,In claim 1, 상기 빔에너지가 10KV이하, 10KV 초과 20KV 이하이면서 상기 빔전류가 9mA초과, 상기 빔에너지가 20KV 초과 40KV 이하이면서 상기 빔전류가 5mA초과 9mA이하, 상기 빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 상기 빔전류가 4mA초과 6mA이하 또는 상기 빔에너지가 60KV 초과이면서 상기 빔전류가 3mA초과 4mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위 일 때 상기 냉각 기체의 압력은 4Torr 초과 8Torr 이하인 반도체 장치의 이온 주입 방법.The beam energy is 10KV or less, 10KV or more and 20KV or less, the beam current is more than 9mA, the beam energy is more than 20KV and 40KV or less, the beam current is more than 5mA and 9mA or less, and the beam energy is more than 40KV and 60KV or less, and the beam current is And the pressure of the cooling gas is greater than 4 Torr and less than 8 Torr when the beam current exceeds 4 mA and 6 mA or less, or the beam energy exceeds 60 KV and the beam current is within a range of 3 mA or more and 4 mA or less. 제1항에서,In claim 1, 상기 빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 상기 빔전류가 8mA초과 9mA이하 또는 상기 빔에너지가 60KV 초과이면서 상기 빔전류가 7mA초과 8mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위 일 때 상기 냉각 기체의 압력은 8Torr초과 10Torr 이하인 반도체 장치의 이온 주입 방법.The pressure of the cooling gas is greater than 8 Torr when the beam energy is more than 40 KV and less than 60 KV and the beam current is more than 8 mA and 9 mA or less, and the beam energy is more than 60 KV and the beam current is in the range of 7 mA or more and 8 mA or less. An ion implantation method of a semiconductor device of 10 Torr or less. 제1항에서,In claim 1, 상기 빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 상기 빔전류가 9mA초과 또는 상기 빔에너지가 60KV 초과이면서 상기 빔전류가 8mA초과의 범위 일 때 상기 냉각 기체의 압력은 10Torr초과 15Torr 이하인 반도체 장치의 이온 주입 방법.And the pressure of the cooling gas is greater than 10 Torr and greater than 15 Torr when the beam energy is greater than 40 KV but less than 60 KV and the beam current exceeds 9 mA or the beam energy exceeds 60 KV and the beam current exceeds 8 mA.
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