KR100687435B1 - Ion implant method of semiconductor device - Google Patents
Ion implant method of semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- KR100687435B1 KR100687435B1 KR1020050093583A KR20050093583A KR100687435B1 KR 100687435 B1 KR100687435 B1 KR 100687435B1 KR 1020050093583 A KR1020050093583 A KR 1020050093583A KR 20050093583 A KR20050093583 A KR 20050093583A KR 100687435 B1 KR100687435 B1 KR 100687435B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- less
- beam current
- energy
- ion
- pressure
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000007943 implant Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 23
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 24
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910001423 beryllium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
도 1은 본 발명의 한실시예에 따른 이온 주입 장치를 도시한 개략도이다. 1 is a schematic diagram illustrating an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2내지 도 5는 본 발명에 따른 이온 주입 방법으로 반도체 장치를 형성하기 위한 반도체 제조 공정을 순서대로 도시한 단면도이다. 2 to 5 are cross-sectional views sequentially illustrating a semiconductor manufacturing process for forming a semiconductor device by the ion implantation method according to the present invention.
본 발명은 이온 주입 방법에 관한 것으로, 특히 반도체 장치의 이온 주입 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ion implantation method, and more particularly, to an ion implantation method of a semiconductor device.
반도체 장치를 제조하는 공정은 수 회의 불순물 주입(doping) 단계를 필요로한다. 이온 주입은 도전성 불순물(dopant)을 넣는 공정이다. The process of manufacturing a semiconductor device requires several impurity doping steps. Ion implantation is a process of putting conductive dopants.
주입된 불순물은 기판(wafer) 및 기판 위에 형성된 구조물의 도전성 및 저항 등의 전기적 특성을 변화시킨다. 이러한 불순물로는 P형 또는 N형 이온을 사용할 수 있으며, 이들 이온은 이온 주입기를 통해 주입하고 있다.The implanted impurities change electrical properties such as conductivity and resistance of the wafer and the structure formed on the substrate. P-type or N-type ions may be used as such impurities, and these ions are injected through an ion implanter.
이온 주입기는 이온화된 불순물을 가속시켜 기판의 소정 영역에 도핑하는 장치이다. 이온 주입기는 이온 발생부(ion source section), 빔라인부(beam line section) 및 엔드스테이션부(end station section)으로 구성된다. 이온 발생부는 이온빔을 생성하는 역할을 하며 빔라인부는 생성된 이온에 필요한 에너지를 부여한다. 엔드스테이션부는 기판이 놓여지는 곳으로 기판을 로딩(loding) 및 언로딩(unloading)한다. 그리고 엔드스테이션부에는 기판의 온도 및 압력을 일정하게 유지하기 위한 냉각부를 포함한다. 냉각부는 물 또는 기체를 이용하여 기판의 온도를 조절한다. An ion implanter is a device that accelerates ionized impurities to dope certain regions of a substrate. The ion implanter is composed of an ion source section, a beam line section, and an end station section. The ion generating unit serves to generate an ion beam, and the beamline unit provides energy required for the generated ions. The end station portion loads and unloads the substrate to where the substrate is placed. The end station unit includes a cooling unit for maintaining a constant temperature and pressure of the substrate. The cooling unit adjusts the temperature of the substrate using water or gas.
그러나 기판의 온도 조절이 제대로 되지 않을 경우 감광막의 버닝(burning)현상이 발생하여 정확한 패턴을 형성할 수 없다.However, if the temperature of the substrate is not properly adjusted, burning of the photoresist may occur, and thus an accurate pattern may not be formed.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 감광막의 버닝을 방지할 수 있는 이온 주입 방법을 제공한다.Therefore, the technical problem to be achieved by the present invention provides an ion implantation method that can prevent the burning of the photosensitive film.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 장치의 이온 주입 방법은 빔전류, 주입 에너지를 조절할 수 있으며 기체 냉각기를 포함하는 이온 주입기를 이용하여 기판에 도전형 불순물을 주입하는 방법에 있어서, 빔전류 또는 주입 에너지가 증가할수록 기체 냉각기에 주입되는 기체 압력을 증가시킨다.The ion implantation method of the semiconductor device according to the present invention for achieving the above object is to control the beam current, the implantation energy, and in the method for injecting conductive impurities into the substrate using an ion implanter comprising a gas cooler, As the current or injection energy increases, the gas pressure injected into the gas cooler increases.
냉각 기체는 질소 기체일 수 있다.The cooling gas may be nitrogen gas.
빔에너지가 10KV이하, 10KV 초과 20KV 이하이면서 빔전류가 9mA이하, 20KV 초과 40KV 이하이면서 빔전류가 4mA이하, 40KV 초과 60KV 이하이면서 빔전류가 3mA이하 또는 빔 에너지가 60KV 초과 이면서 빔전류가 3mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위 일 때 냉각 기체의 압력은 4Torr 이하일 수 있다.The beam energy is 10KV or less, 10KV or more and 20KV or less, the beam current is 9mA or less, 20KV or more and 40KV or less, the beam current is 4mA or less, 40KV or more and 60KV or less, the beam current is 3mA or less and the beam energy is more than 60KV and the beam current is 3mA or less When in any one of the range of the pressure of the cooling gas may be 4Torr or less.
빔에너지가 10KV이하, 10KV 초과 20KV 이하이면서 빔전류가 9mA초과, 20KV 초과 40KV 이하이면서 빔전류가 5mA초과 9mA이하, 빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 빔전류가 4mA초과 6mA이하 또는 빔에너지가 60KV 초과 이면서 빔전류가 3mA초과 4mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위일 때 냉각 기체의 압력은 4Torr 초과 8Torr 이하일 수 있다.The beam energy is less than 10KV, more than 10KV and more than 20KV, the beam current is more than 9mA, more than 20KV and more than 40KV, the beam current is more than 5mA and less than 9mA, the beam energy is more than 40KV and less than 60KV and the beam current is more than 4mA and less than 6mA or less than 60KV The pressure of the cooling gas may be greater than 4 Torr and less than or equal to 8 Torr when the beam current is in the range of more than 3 mA and less than 4 mA.
빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 빔전류가 8mA초과 9mA이하 또는 빔에너지가 60KV 초과이면서 빔전류가 7mA초과 8mA이하의 범위 중 어느 하나의 범위 일 때 냉각 기체의 압력은 8Torr초과 10Torr 이하일 수 있다.When the beam energy is more than 40KV and less than 60KV and the beam current is more than 8mA and 9mA or less, and the beam energy is more than 60KV and the beam current is in the range of 7mA or more and 8mA or less, the pressure of the cooling gas may be more than 8Torr and less than 10Torr.
빔에너지가 40KV 초과 60KV 이하이면서 빔전류가 9mA초과 또는 빔에너지가 60KV 초과이면서 빔전류가 8mA초과의 범위 일 때 냉각 기체의 압력은 10Torr초과 15Torr 이하일 수 있다.When the beam energy is more than 40KV and less than 60KV and the beam current is more than 9mA or the beam energy is more than 60KV and the beam current is more than 8mA, the pressure of the cooling gas may be more than 10 Torr and less than 15 Torr.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention.
이제 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다.A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 이온 주입 장치를 도시한 개략도이다. 1 is a schematic view showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 이온 주입 장치는 이온 발생부(10), 빔라인부(20) 및 엔드 스테이션부(30)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the ion implantation apparatus includes an
이온 발생부(10)는 도핑하고자 하는 불순물 원소의 이온을 생성한다. 빔라인부(20)는 웨이퍼에 주입하고자 하는 이온을 선택하고, 선택된 이온을 가속 또는 감속하여 웨이퍼에 원하는 깊이로 도핑될 정도의 에너지를 부여한다.The
좀 더 구체적으로 설명하면, 빔라인부(20)는 분석기(analyzer; 21), 가속기(accelerator; 미도시), 4중극 랜즈(Quadrupole lens; 22), 페러데이(faraday; 23), 바이어스 어펴쳐(bias aperture; 24) 및 파티클 집진기(particle accumulator; 25)를 포함한다. In more detail, the
분석기(21)는 소스부로부터 공급된 불순물 원소를 자기장의 세기를 조절하여 원하는 질량(mass) 및 전하(charge)를 가진 이온 만을 선별적으로 통과시킨다. 가속기는 분석기(21)에서 선별된 이온을 가속링에서 가속 전압(acceleration voltage) 또는 감속 전압(deacceleration voltage)을 인가하여 가속 또는 감속한다. 4중극 랜즈(22)는 가속기에서 가속 또는 감속된 이온빔이 마그넷 내부를 이동하며 둥근 원모양의 포커싱이 이루어지도록 하며, 집중에 의해 블로우업(blow-up)되는 것을 방지하도록 한다. The
페러데이(23)는 웨이퍼에 주입할 이온 빔의 전류(current)를 측정한다. 이온 주입 전 패러데이(23)를 헤드 업(head up) 상태에서 이온 빔의 전류를 측정한 후 이온 주입 모드가 되면 헤드 다운(head down)되면서 이온 빔을 통과시킨다. 바이어스 어펴쳐(24)는 엔드 스테이션부(30)의 플라즈마 샤워(plasma-shower; 31)에서 발생한 이차 전자들이 이온 빔을 타고 소스부(10) 쪽으로 역류하는 것을 플라즈마 샤워(31) 안에 머물도록 해준다.Faraday 23 measures the current of the ion beam to be injected into the wafer. Faraday 23 before ion implantation measures the current of the ion beam in a head up state, and then enters the ion implantation mode while heading down and passes the ion beam. The
파티클 집진기(25)는 이온 빔 라인부(20)에서 에너지에 따라 이온 빔과 함께 가속되어 웨이퍼의 전기적 특성을 변화시킬 수 있는 파티클들을 집진할 수 있도록, 이온 빔 라인부(20)를 따라 적어도 하나 이상이 형성된다.
빔의 전류를 측정하기 위해 해드업된 상태의 패러데이(23)는 이온 빔이 셋-업(set-up)된 상태에서는 웨이퍼로 주입되는 것을 막는다. Faraday 23, which is headed up to measure the current of the beam, prevents the ion beam from being injected into the wafer in the set-up state.
그리고 엔드 스테이션부(30)는 이온 주입할 웨이퍼가 놓이는 곳으로 냉각부(도시하지 않음)를 포함한다. 냉각부는 엔드 스테이션부(30)에 놓여진 기판 아래로 물 또는 기체를 흐르게 하여 기판이 일정한 온도를 유지하도록 한다.In addition, the
이상 설명한 이온 주입기를 이용하여 반도체 장치에 이온을 주입하는 방법에 대해서 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다.A method of implanting ions into a semiconductor device using the ion implanter described above will be described with reference to FIGS. 2 to 5.
도 2내지 도 5는 본 발명에 따른 이온 주입 방법으로 반도체 장치를 형성하기 위한 반도체 제조 공정을 순서대로 도시한 단면도이다. 2 to 5 are cross-sectional views sequentially illustrating a semiconductor manufacturing process for forming a semiconductor device by the ion implantation method according to the present invention.
도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(100) 위에 LOCOS(local oxidation silicon)(도시하지 않음) 또는 STI(shallow trench isolation) 방식을 이용하여 활성 영역을 정의하는 소자 분리 영역(12)을 형성한다. LOCOS 방식은 기판(100)의 소정 영역을 산화시켜 소자 분리 영역을 형성하는 방식이고, STI 방식은 기판(100)의 소정 영역에 트렌치를 형성한 후 절연 물질을 채워 소자 분리 영역(102)을 형성하는 방식이다.As shown in FIG. 2, the device isolation region 12 defining the active region is formed on the
이후 기판(100)을 열 산화하여 기판(100) 위에 20~40Å정도의 두께로 산화막 을 형성한다. 그런 다음 산화막 위에 다결정 규소막을 형성한 후 감광막(PR)을 이용하여 선택적으로 다결정 규소막 및 산화막을 식각하여 게이트(106) 및 게이트 산화막(104)을 형성한다.Thereafter, the
다음 도 3에 도시한 바와 같이, 감광막(PR)을 마스크로 기판(100)에 도전형 불순물 이온을 저농도로 주입하여 저농도 도핑 영역(108)을 형성한다. 저농도 도핑 영역은 B, P, N 등을 1X1012~13개 주입하여 형성한다.Next, as shown in FIG. 3, conductive dopant ions are implanted at low concentration into the
저농도 도핑 영역(108)은 도 1에 도시한 이온 주입기를 이용하여 주입하며, 이온 주입 에너지 및 빔 전류가 증가할수록 냉각 기체의 압력을 증가시킨다. 그러면 감광막(PR)의 버닝 현상이 발생하지 않는다. 냉각 기체로는 질소를 사용할 수 있다.The lightly doped
표 1 및 표 2를 참고하여 좀 더 구체적으로 설명한다. It will be described in more detail with reference to Table 1 and Table 2.
표 1은 이온 주입 에너지와 빔 전류의 관계에 따른 이온 주입 강도를 나타낸 표이고, 표2 는 표 1의 이온 주입 강도에 따른 질소 기체의 주입 압력을 나타다. Table 1 is a table showing the ion implantation intensity according to the relationship between the ion implantation energy and the beam current, Table 2 shows the injection pressure of nitrogen gas according to the ion implantation intensity of Table 1.
[표 1]TABLE 1
[표 2]TABLE 2
예를 들어, 붕소를 20KV의 에너지로 주입할 때 빔 전류가 5mA라면 표 1에서 이온 주입 강도는 100W이라는 것을 알 수 있다. 이후 표 2에서 이온 주입 강도 100W에 따른 질소 기체의 압력을 찾으면 4Torr 임을 알 수 있으므로 이온 주입기의 냉각기에 주입되는 질소 기체의 주입 압력을 4Torr로 설정한다.For example, if the beam current is 5 mA when boron is injected with 20 KV of energy, the ion implantation intensity of 100 W can be seen in Table 1. Then, in Table 2, when the pressure of the nitrogen gas according to the ion implantation intensity 100W is found to be 4 Torr, the injection pressure of the nitrogen gas injected into the cooler of the ion implanter is set to 4 Torr.
도 4에 도시한 바와 같이, 기판(10) 전면에 화학적 기상 증착으로 산화막 및 질화막을 형성한다. 그런 다음 에치백으로 질화막 및 산화막을 제거하여 게이트 (106)의 측벽에 질화막과 산화막으로 이루어지는 스페이서(112) 및 완충막(110)을 형성한다. 완충막은 질화막과 게이트의 계면 스트레스를 감소시킨다.As shown in FIG. 4, an oxide film and a nitride film are formed on the entire surface of the
도 5에 도시한 바와 같이, 스페이서(112) 및 게이트(106)를 마스크로 반도체 기판(100)에 도전형 불순물 이온을 고농도로 도핑하여 소스 영역(114) 및 드레인 영역(114)을 형성한다. As shown in FIG. 5, the
불순물 이온은 저농도 도핑 영역(108)과 동일한 물질로 도핑하며, 도 1의 이온 주입기로 주입한다. 이때, 저농도 도핑 영역(108)을 형성하는 것과 같이 표 1 및 표 2를 참고로, 빔에너지 및 빔 전류에 따른 냉각 기체의 압력을 조절하여 주입한다.Impurity ions are doped with the same material as the lightly doped
이후 급속 열처리, 로 열처리 등의 열처리 공정으로 반도체 기판(114)에 주입된 불순물 이온을 활성화시킨다.Thereafter, impurity ions implanted into the
이상 기술한 바와 같이 주입 에너지 및 빔 전류에 따라서 냉각 기체의 압력을 조절하면 감광막의 버닝 현상을 감소시킬 수 있어 이온 주입의 신뢰성이 향상되어 고품질의 반도체 장치를 제공할 수 있다.As described above, by adjusting the pressure of the cooling gas according to the injection energy and the beam current, the burning phenomenon of the photosensitive film can be reduced, thereby improving the reliability of ion implantation, thereby providing a high quality semiconductor device.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050093583A KR100687435B1 (en) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | Ion implant method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050093583A KR100687435B1 (en) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | Ion implant method of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100687435B1 true KR100687435B1 (en) | 2007-02-26 |
Family
ID=38104740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050093583A KR100687435B1 (en) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | Ion implant method of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100687435B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910001894A (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-31 | 미다 가쓰시게 | Ion implantation device and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device using same |
JPH07296763A (en) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Nissin Electric Co Ltd | Ion implanting method, and device therefor |
KR20030038741A (en) * | 2000-09-26 | 2003-05-16 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter |
-
2005
- 2005-10-05 KR KR1020050093583A patent/KR100687435B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910001894A (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-31 | 미다 가쓰시게 | Ion implantation device and method for manufacturing semiconductor integrated circuit device using same |
JPH07296763A (en) * | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Nissin Electric Co Ltd | Ion implanting method, and device therefor |
KR20030038741A (en) * | 2000-09-26 | 2003-05-16 | 액셀리스 테크놀로지스, 인크. | System and method for delivering cooling gas from atmospheric pressure to a high vacuum through a rotating seal in a batch ion implanter |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI247384B (en) | Method for forming transistor of semiconductor device | |
US6013332A (en) | Boron doping by decaborane | |
US6138606A (en) | Ion implanters for implanting shallow regions with ion dopant compounds containing elements of high solid solubility | |
US6111260A (en) | Method and apparatus for in situ anneal during ion implant | |
KR100351489B1 (en) | A method of forming a circuit and buried insulating layer in a semiconductor substrate | |
US8202792B2 (en) | Method of processing a substrate having a non-planar surface | |
US20060292762A1 (en) | Replacement gate field effect transistor with germanium or SiGe channel and manufacturing method for same using gas-cluster ion irradiation | |
US6413881B1 (en) | Process for forming thin gate oxide with enhanced reliability by nitridation of upper surface of gate of oxide to form barrier of nitrogen atoms in upper surface region of gate oxide, and resulting product | |
US8598025B2 (en) | Doping of planar or three-dimensional structures at elevated temperatures | |
KR20020001355A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
KR20130129961A (en) | Direct current ion implantation for solid phase epitaxial regrowth in solar cell fabrication | |
KR100687435B1 (en) | Ion implant method of semiconductor device | |
US7022577B2 (en) | Method of forming ultra shallow junctions | |
US6380012B1 (en) | Boron difluoride plasma doping method for forming ultra-shallow junction | |
US20020098664A1 (en) | Method of producing SOI materials | |
JP2009253292A (en) | Method of forming shallow base region of bipolar transistor | |
CN111211054A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
KR100908820B1 (en) | Plasma doping method and manufacturing method of semiconductor device using same | |
US7888245B2 (en) | Plasma doping method and method for fabricating semiconductor device using the same | |
JPH09162136A (en) | Fabrication of semiconductor device | |
KR100293269B1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
KR100272173B1 (en) | Method for shallow junction formation of semiconductor device removing a damage of ion implantion | |
KR100613286B1 (en) | A manufacturing method of semiconductor device using the epitaxial process | |
WO2001080295A1 (en) | Methods for forming ultrashallow junctions in semiconductor wafers using nitrogen implantation | |
JP2653679B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |