KR100685392B1 - 반도체 소자 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 소정의 소자가 형성된 기판상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 소정의 공정을 진행하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 0.7 내지 2Pa의 공정 압력과 0.1 내지 0.6W/㎠의 파워 밀도를 갖는 고밀도 플라즈마 장치로 산소 플라즈마를 발생하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 소정의 공정은 불순물 주입 공정임을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 소정의 공정은 식각 공정임을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 고밀도 플라즈마 장치는 유도 결합형 플라즈마 장치임을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 0.1 내지 0.6W/㎠의 파워 밀도는 RF 바이어스가 4MHz 내지 14MHz인 경우임을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는상기 기판을 선굽기하는 단계;상기 기판상에 HMDS층을 증착하는 단계;상기 기판상에 포토레지스트를 도포하는 단계;상기 기판을 노광하는 단계;상기 기판을 현상하는 단계; 및상기 기판을 후굽기하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는반도체층 형성 공정, 게이트 전극 형성 공정, 콘택홀 형성 공정, 소오스/드레인 전극 형성 공정, 비아홀 형성 공정, 제1전극 형성 공정, PDL 형성 공정, 유기 발광층 형성 공정, 금속 배선 형성 공정 또는 캐패시터 형성 공정 중 어느 하나 이상의 공정임을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
- 제 7항에 있어서,상기 비아홀은 제1전극을 콘택하는 비아홀 또는 금속 배선들을 콘택하기 위한 비아홀임을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체 소자는 박막트랜지스터 또는 유기 전계 발광 소자임을 특징으로 하는 반도체 소자 형성 방법.
Priority Applications (1)
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KR1020040035738A KR100685392B1 (ko) | 2004-05-19 | 2004-05-19 | 반도체 소자 형성 방법 |
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KR20050110539A KR20050110539A (ko) | 2005-11-23 |
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KR (1) | KR100685392B1 (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102201321B1 (ko) * | 2014-07-25 | 2021-01-11 | 삼성전자주식회사 | 임프린트 공정을 이용하여 패턴형성영역에 정렬된 패턴을 형성하는 방법 |
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KR20050110539A (ko) | 2005-11-23 |
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