KR100682887B1 - 나노구조 형성방법 - Google Patents

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Abstract

표면 플라즈몬 공명(SPR; surface plasmon resonance)을 이용한 나노구조 형성방법이 개시된다. 개시된 방법은 반도체 기판 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 단계와, 포토 레지스트 층 상에 나노 구조체를 형성하는 단계와, 나노 구조체가 형성된 반도체 기판으로 빛을 조사하여 포토 레지스트 층을 감광하는 단계와, 감광된 포토 레지스트 층을 현상하는 단계 및 현상된 포토 레지스트 층을 이용하여 반도체 기판을 건식 식각함으로써 반도체 기판이 나노구조를 갖도록 하는 단계를 포함한다. 따라서, 미리 제조된 나노 구조체를 포토 레지스트 층에 형성한 후 SPR을 적용함으로써 기존의 반도체 공정에 손쉽게 적용할 수 있는 높은 효율의 공정으로 짧은 시간에 대면적의 기판에 나노 구조를 간단하게 형성할 수 있는 효과가 있다.

Description

나노구조 형성방법{Method for forming nanostructure}
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표면 플라즈몬 공명(SPR; surface plasmon resonance)을 이용한 나노구조 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에서 적용된 SPR 원리를 설명하기 위한 입자에 의하여 흡수 및 산란된 빛을 주파수에 따라서 도시한 그래프이다.
도 3은 입자의 바로 아래에서 발생되는 포토 레지스트의 노출을 도시하기 위하여 SPR에 의하여 형성된 전자기장을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
102: 기판 104, 201: 포토 레지스트
106: 나노입자 108: 나노패턴
110: 나노구조 200: 유리기판
202, 204: SPR
본 발명은 반도체 소자의 형성에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 표면 플 라즈몬 공명(SPR; surface plasmon resonance)을 이용한 나노구조 형성방법에 관한 것이다.
최근에 실리콘 기반의 나노 구조를 형성하는 방법은 많은 관심을 끌고 있으며 다양한 연구가 진행되고 있는 중이다.
종래의 나노 구조를 형성하는 방법 중 대표적인 방법으로 기판의 물질과 격자 부정합(lattice mismatch)이 큰 물질을 적당한 조건에서 증착함으로써 아일런드(island) 형태의 나노 구조를 형성하는 방법이 있다. 이러한 방법은 비교적 간단하게 양자 도트(quantum dot) 등의 나노 구조를 기판 상에 형성할 수 있다는 장점이 있지만, 나노 구조의 크기를 균일하게 하거나 고밀도로 나노 구조를 제작하는 것이 어렵다는 단점을 가지고 있다.
다른 방안으로, 날카로운 탐침 등을 이용하여 기판에 물리적인 힘을 가하여 나노 구조를 제작하는 방법이 있는데, 이는 비교적 일정한 크기와 고밀도를 가지는 나노 구조를 형성할 수 있으나, 넓은 면적의 기판에 나노 구조를 형성하기에는 비효율적이라는 문제가 있다.
그리고, 현재 반도체 소자의 공정에서 가장 널리 사용되고 있는 방법으로써포토 리소그래피(photolithography) 또는 전자빔 리소그래피(e-beam lithography) 등의 방법을 이용하여 기판의 표면에 원하는 형상을 만든 후, 이를 식각하거나 적당한 물질을 증착함으로써 나노 구조를 제작하는 방법 등이 있다. 이 방법은 나노구조를 정확하게 제어할 수 있으며, 높은 효율을 갖는 이점이 있다. 그러나, 수 나노미터 크기의 매우 작은 크기의 나노 구조를 제작하기 위해서는 효율성이 떨어 지는 단점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 표면 플라즈몬 공명(SPR; surface plasmon resonance)을 이용한 나노구조 형성방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 유형에 따르면, 반도체 기판 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 단계와, 포토 레지스트 층 상에 나노 구조체를 형성하는 단계와, 나노 구조체가 형성된 반도체 기판으로 빛을 조사하여 포토 레지스트 층을 감광하는 단계와, 감광된 포토 레지스트 층을 현상하는 단계 및 현상된 포토 레지스트 층을 이용하여 반도체 기판을 건식 식각함으로써 반도체 기판이 나노구조를 갖도록 하는 단계를 포함하는 나노구조 형성방법이 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 나노구조 형성방법에 관한 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표면 플라즈몬 공명(SPR; surface plasmon resonance)을 이용한 나노구조 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 반도체 기판(102) 상에 포토 레지스트 층(104)을 형성한다. 그리고 나서, 포토 레지스트 층(104) 상에 나노 구조체(106)를 형성한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 포토 레지스트 층(104)은 입 사되는 빛으로 인하여 나노 구조체(106)의 SPR에 의해 형성된 전자기장에 의하여 발생되는 빛에 대하여 감광성을 갖도록 형성하였다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 사용된 나노 구조체(106)는 화학적 또는 물리적 방법 등을 이용하여 미리 별도로 제작된 나노 구조물을 사용하였다. 예를 들어, 화학적인 방법으로 제작된 금속 나노 입자(nanoparticle)를 사용할 수도 있다. 나노 구조체는 전자의 방출이 쉽고 음의 유전 상수를 갖는 것으로서, 금(Au), 은(Pt), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 구리(Cu)를 포함하는 금속 그룹 중에서 선택된 하나로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 나노 구조물은, 예를 들어 다음과 같은 액상 방법으로 형성할 수 있으며, 이러한 액상 방법은: 금(Au), 은(Pt), 백금(Pt), 팔라듐(Pd)등의 전이금속으로부터 금속 전구체 용액(metal precursor)을 형성하는 단계; 메탈 전구체 용액을 표면 활성제(surfactant) 용액으로 주입하는 단계; 영구응집(permanent condensation)없이 용액에서 나노 입자가 침전되게하는 엉김제(flocculent)를 첨가하는 단계; 및 나노 입자의 재분산(redisperse) 또는 재해교(repeptize)를 위한 탄화수소 용매를 첨가하는 단계를 포함한다.
이어서, 도 1b에 도시한 바와 같이, 포토 레지스트 층(104) 상에 나노 구조체(106)을 도포한 후, 소정의 파장과 세기를 가지는 빛을 조사한다. 이때 빛은 포토 레지스트 층(104)의 감광이 일어날 수 있는 범위의 파장을 가져야 한다. 그리고, 나노 구조체(106)에 빛을 조사하였을 때 나노 구조체(106)에 의하여 SPR이 발생하고 SPR에 의하여 발생된 빛의 세기가 증폭될 수 있는 파장을 사용하여야 한다. 즉, 소정의 파장과 세기의 빛을 조사함으로써 나노 구조체(106)의 부근의 포토 레지스트만 감광되고, 나노 구조체(106)에서 멀리 떨어진 포토 레지스트는 감광되지 않은 채로 남게 된다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에서 적용된 SPR 원리를 설명하기 위한 입자에 의하여 흡수 및 산란된 빛을 주파수에 따라서 도시한 그래프이다.
도 2를 참조하면, x축은 나노 구조체(106)에 입사되는 빛의 주파수를 나타내며 y축은 나노 구조체(106)에서 발생되는 SPR 발진기의 위상(oscillator phase)을 나타낸다. 그리고, 점선은 진폭을 실선은 위상을 나타내며 w0는 공진 주파수를 나타낸다.
즉, 나노 구조체(106)를 이루는 금속의 종류와 입자의 크기에 따라서 특정한 파장의 빛을 조사해주면 금속입자 내부 전하의 분포가 바뀌면서 빛의 세기가 증가하는 공명(resonance) 현상이 일어나며 이러한 현상을 SPR이라 칭한다. SPR에 의하여 증가된 빛은 일반적인 거리가 멀어짐에 따라서 급격히 세기가 감소하는 특성을 가진다.
따라서, 작은 금속 입자에 적당한 빛을 조사하는 경우 입자 주위에서만 빛의 세기가 증가하게 된다. 특히, 증가되는 빛의 세기는 조사하는 빛의 편광 방향에 따라서 달라지는데 이를 이용하여 특정한 방향으로 빛의 세기가 증가하도록 제어할 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 이러한 현상을 이용하여 금속 입자로 이루어진 나노 구조체(106)의 주위에서만 빛의 세기를 증가시킬 수 있으므로 금 속 입자를 포토 레지스트 위에 도포하고 적당한 파장과 세기의 빛을 조사하는 경우에 금속 입자 주위의 포토 레지스트 만을 감광시킬 수 있다.
도 3은 나노 구조체의 아래에서 발생되는 포토 레지스트의 노출을 도시하기 위하여 SPR에 의하여 형성된 전기장을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 유리 기판(200) 상에 포토 레지스트 층(201)을 대략 25 nm 정도의 두께로 형성하였으며, 포토 레지스트 층(201) 상에 형성한 나노 구조체(206)는 은(Ag) 또는 금(Au)으로 형성하였다.
포토 레지스트 층(201) 상에 나노 구조체(206)를 은(Ag)으로 형성한 경우에는, 공진 주파수 w0는 대략 410 nm 정도이며, 나노 구조체(206)에 입사되는 빛이 410 nm의 주파수를 가지게 되면 SPR이 202 및 204와 같이 유리 기판(200)에 수직한 방향으로 형성된다.
반면, 포토 레지스트 층(201) 상에 나노 구조체(206)를 금(Ag)으로 형성한 경우에는, 공진 주파수 w0는 대략 537 nm 정도이며, 나노 구조체(206)에 입사되는 빛이 537 nm의 주파수를 가지게 되면 SPR이 202 및 204와 같이 유리 기판(200)에 수직하게 형성된다.
그리고 나서, 도 1c에 도시한 바와 같이, 나노 구조체(106)을 세척 등의 방법을 통하여 제거하고 포토 레지스트 층(104)을 현상한다. 이를 통하여 나노 구조체(106)가 위치했던 부분(108)만이 함몰된 형태의 포토 레지스트 층(104)을 얻게 된다.
계속하여, 도 1d에 도시한 바와 같이, 나노 구조체(106)이 위치했던 부분이 함몰된 형상의 포토 레지스트 층(104)를 이용하여 건식 식각(dry etching) 등의 방법으로 식각을 수행하면 포토 레지스트 층(104)의 함몰된 부분(108)은 포토 레지스트의 두께가 그렇지 않은 부분에 비교하여 얇기 때문에 포토 레지스트가 더 빨리 제거되고 반도체 기판(102)의 물질도 식각이 이루어진다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 건식 식각을 예를 들어 반응성 이온 식각(RIE; reactive ion etching)의 방법 등을 이용할 수 있으며, 건식 식각을 수행하면 포토 레지스트 층(104)의 함몰되지 않은 부분은 포토 레지스트의 두께가 함몰된 부분에 비교하여 상대적으로 두껍기 때문에 포토 레지스트가 더 늦게 제거되어 반도체 기판(102)의 물질이 식각되지 않거나 더 적게 식각된다.
따라서, 도 1e에 도시한 바와 같이, 나노 구조체(106)가 위치했던 부분(108)이 함몰된 나노 구조를 가지는 반도체 기판을 제작할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불구하며, 당해 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 상세한 설명의 범위 내로 정해지는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위로 정해져야 할 것이다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 미리 제조된 나노 구조체를 포토 레지스트 층에 형성한 후 SPR을 적용함으로써 기존의 반도체 공정에 손쉽게 적용할 수 있는 높은 효율의 공정으로 짧은 시간에 대면적의 기판에 나노 구조를 간단하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
따라서, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 반도체 기판에 나노 구조를 균일한 크기를 가지면서도 고밀도로 형성할 수 있는 장점을 가진다.

Claims (9)

  1. 반도체 기판 상에 포토 레지스트 층을 형성하는 단계;
    상기 포토 레지스트 층 상에 나노 구조체를 형성하는 단계;
    상기 나노 구조체가 형성된 상기 반도체 기판으로 빛을 조사하여 상기 포토 레지스트 층을 감광하는 단계;
    상기 감광된 포토 레지스트 층을 현상하는 단계; 및
    상기 현상된 포토 레지스트 층을 이용하여 상기 반도체 기판을 건식 식각함으로써 상기 반도체 기판이 나노구조를 갖도록 하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 나노 구조체를 금속으로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 나노 구조체가 나노 입자인 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 나노 구조체는 전자의 방출이 쉽고 음의 유전 상수를 갖는 것으로서, 금, 은, 동, 백금, 팔라듐 또는 알루미늄을 포함하는 금속 그룹 중에서 선택된 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 포토 레지스트 층을 감광하는 단계는 표면 플라즈몬 공명에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 포토 레지스트 층을 현상함으로써 상기 나노 구조체의 형상이 전사되고, 상기 나노 구조체의 크기 및 모양을 조절하여 전사된 형상의 크기 및 모양을 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
  7. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 나노 구조체를 액상 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 나노 구조체를 은으로 형성하였을 경우에 상기 나노 구조체에 조사되는 빛의 파장이 410 nm 인 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
  9. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 나노 구조체를 금으로 형성하였을 경우에 상기 나노 구조체에 조사되는 빛의 파장이 537 nm 인 것을 특징으로 하는 나노구조 형성방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008165849A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Fujitsu Ltd ナノ構造作成方法、および磁気ディスク製造方法
KR101452257B1 (ko) * 2007-10-01 2014-10-24 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 표면 플라즈몬을 이용한 나노 패터닝 방법, 이를 이용한나노 임프린트용 마스터 및 이산 트랙 자기기록매체의제조방법
KR20130026883A (ko) * 2011-09-06 2013-03-14 삼성전자주식회사 전자 장치 및 그 외부 심볼 제작 방법
CN102556960B (zh) * 2012-01-19 2013-10-09 东南大学 基于非线性频移效应光固化的纳米链接方法
US20130279769A1 (en) 2012-04-10 2013-10-24 Picofield Technologies Inc. Biometric Sensing
KR101759539B1 (ko) 2013-07-11 2017-07-19 포틀랜드 스테이트 유니버시티 서브-50-나노미터 구조를 패터닝하기 위한 방법
JP6029179B2 (ja) * 2013-08-22 2016-11-24 日本電信電話株式会社 光波長計測装置および光波長計測方法
KR102300258B1 (ko) * 2014-02-19 2021-09-10 삼성디스플레이 주식회사 표면 플라즈몬 식각 공정을 이용한 패턴 형성방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076410A (ja) 2000-08-15 2002-03-15 Nec Corp 表面プラズモン強化光起電力デバイス
JP2002171018A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 New Industry Research Organization 発光素子及びその製造法
KR20020065281A (ko) * 2001-02-06 2002-08-13 삼성에스디아이 주식회사 디스플레용 필터막, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3936301A (en) * 1974-04-01 1976-02-03 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Process for contact photolithography utilizing a photomask having indented channels
WO1998010289A1 (en) * 1996-09-04 1998-03-12 The Penn State Research Foundation Self-assembled metal colloid monolayers
US6159620A (en) * 1997-03-31 2000-12-12 The Regents Of The University Of California Single-electron solid state electronic device
US5865978A (en) * 1997-05-09 1999-02-02 Cohen; Adam E. Near-field photolithographic masks and photolithography; nanoscale patterning techniques; apparatus and method therefor
US5973316A (en) * 1997-07-08 1999-10-26 Nec Research Institute, Inc. Sub-wavelength aperture arrays with enhanced light transmission
US6262129B1 (en) * 1998-07-31 2001-07-17 International Business Machines Corporation Method for producing nanoparticles of transition metals
US20010026399A1 (en) * 1998-09-24 2001-10-04 Masaaki Nakabayashi Diffractive optical element and method of manufacture of the same
US6236033B1 (en) * 1998-12-09 2001-05-22 Nec Research Institute, Inc. Enhanced optical transmission apparatus utilizing metal films having apertures and periodic surface topography
US6235638B1 (en) * 1999-02-16 2001-05-22 Micron Technology, Inc. Simplified etching technique for producing multiple undercut profiles
US6440637B1 (en) * 2000-06-28 2002-08-27 The Aerospace Corporation Electron beam lithography method forming nanocrystal shadowmasks and nanometer etch masks
DE10037071A1 (de) * 2000-07-29 2002-02-21 Omg Ag & Co Kg Edelmetall-Nanopartikel, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung
US6555479B1 (en) * 2001-06-11 2003-04-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming openings for conductive interconnects
US20030129545A1 (en) * 2001-06-29 2003-07-10 Kik Pieter G Method and apparatus for use of plasmon printing in near-field lithography
US6624423B2 (en) * 2002-01-14 2003-09-23 General Electric Company Semiconductor detector for thermal neutrons based on pyrolytic boron nitride
JP3894550B2 (ja) * 2002-06-14 2007-03-22 キヤノン株式会社 近接場露光マスクの製造方法
US20060138360A1 (en) * 2002-09-12 2006-06-29 Martin Olivier J F Surface-plasmon-generated light source and its use

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002076410A (ja) 2000-08-15 2002-03-15 Nec Corp 表面プラズモン強化光起電力デバイス
JP2002171018A (ja) 2000-12-01 2002-06-14 New Industry Research Organization 発光素子及びその製造法
KR20020065281A (ko) * 2001-02-06 2002-08-13 삼성에스디아이 주식회사 디스플레용 필터막, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치

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