KR100671462B1 - 광소자 제조방법 및 광소자 제조용 몰드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 돌출 또는 함몰되는 적어도 하나의 광학적 단면을 갖는 미세형상과, 상기 미세형상 표면에 소정의 중복미세형상이 형성되는 광소자의 제조방법 및 광소자 제조용 몰드에 관한 것으로서, 상기 미세형상의 단면 폭과 돌출높이 또는 함몰깊이에 대응하는 미세형상형성부를 갖는 마스터와, 상기 마스터에 대향하며 상기 중복미세형상에 대응하는 중복형상형성부가 형성되어 있는 가압판을 마련하는 단계와; 상기 가압판을 향하는 층은 비교적 낮은 용융점을 가지며 상기 마스터를 향하는 층은 비교적 높은 용융점과 복원력을 갖는 열가소성수지를 상기 가압판과 상기 마스터 사이에서 가열 가압하여 상기 미세형상형성부와 상기 중복형상형성부에 의해 상기 미세형상과 상기 중복미세형상에 대응하는 네가티브구조가 형성된 몰드를 마련하는 단계와; 자외선경화수지를 상기 몰드로 가압하여 상기 네가티브구조의 복원 가능한 반전변형에 의해 상기 미세형상을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 미세형상을 고가의 가공장비나 포토리소그래피 방법을 이용하지 않고도 간단하고 저렴한 비용으로 성형할 수 있는 광소자 제조방법과 광소자 제조용 몰드가 제공된다.
또한, 광학적 성능향상을 위한 중복적 미세형상을 손쉽게 성형할 수 있는 광소자 제조방법과 광소자 제조용 몰드가 제공된다.
광소자, 미세형상, 네가티브형상, 몰드, 복원력

Description

광소자 제조방법 및 광소자 제조용 몰드 {Manufacture Method of Optical film and mold for Manufacture of Optical film}
도 1은 본 발명에 따른 광소자의 제조공정을 나타낸 공정흐름도,
도 2는 도 1에 사용되는 광소자 제조용 몰드의 일 예를 나타낸 사시도,
도 3 내지 도 5는 도 1의 제조공정에 의해 제조될 수 있는 광소자의 사시도,
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자의 제조공정을 나타낸 공정흐름도,
도 7는 도 6에 사용되는 광소자 제조용 몰드의 일 예를 나타낸 사시도,
도 8 내지 도 9는 도 6의 제조공정에 의해 제조될 수 있는 광소자의 사시도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 마스터 1a : 미세형상형성부
3 : 가압판 3a : 중복형상형성부
5 : 몰드 5a : 성형층
5b : 보강층 7 : 광소자
9 : 네가티브구조 10 : 미세형상
13 : 중복미세형상
본 발명은, 광소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 빛의 굴절이나 반사작용 등의 특성을 이용하는 각종 광소자의 경우에는 그 표면에 굴절형상이나 반사형상 등의 미세형상이 형성된다.
이러한 미세형상을 갖는 광소자의 제조방법으로는 반도체 분야의 포토리소그래피(Photolirhography) 방법을 이용하거나, 미세 가공을 전문적으로 처리할 수 있는 DTM(Diamond turning machine)과 같은 고가의 특수가공기로 금형을 제작하여 미세형상이 형성되도록 광소자를 제조하는 방법을 이용한다.
그러나, 포토리소그래피 방법의 경우에는 반도체 라인과 같은 고가의 설비라인을 구축하여야하는 문제점이 있으며, 특수가공기를 이용하여 금형을 제작한 후 제품을 성형하는 방법의 경우에는 금형 제작비의 부담을 감수해야하며, 금형의 손상이 발생할 경우에는 성형되는 미세형상의 편차에 의한 제품불량과, 이에 따른 금형의 반복적인 수리 및 제작에 의한 손실이 발생하는 문제점이 있다.
한편, 광소자에 형성되는 미세형상은 광학적 성능 향상을 위하여 구조가 상이한 미세형상이 광소자의 표면에 중복 형성되는 경우가 있는데, 전술한 포토리소그래피 방법과 특수가공기로 제작된 금형을 이용하는 방법을 적용하기가 매우 어려워진다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 미세형상을 고가의 가공장비나 포토리소그래피 방법을 이용하지 않고도 간단하고 저렴한 비용으로 성형할 수 있는 광소자 제조방법과 광소자 제조용 몰드를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은, 광학적 성능향상을 위한 중복적 미세형상을 손쉽게 성형할 수 있는 광소자 제조방법과 광소자 제조용 몰드를 제공하는 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 돌출 또는 함몰되는 적어도 하나의 광학적 단면을 갖는 미세형상과, 상기 미세형상 표면에 소정의 중복미세형상이 형성되는 광소자의 제조방법에 있어서, 상기 미세형상의 단면 폭과 돌출높이 또는 함몰깊이에 대응하는 미세형상형성부를 갖는 마스터와, 상기 마스터에 대향하며 상기 중복미세형상에 대응하는 중복형상형성부가 형성되어 있는 가압판을 마련하는 단계와; 상기 가압판을 향하는 층은 비교적 낮은 용융점을 가지며 상기 마스터를 향하는 층은 비교적 높은 용융점과 복원력을 갖는 열가소성수지를 상기 가압판과 상기 마스터 사이에서 가열 가압하여 상기 미세형상형성부와 상기 중복형상형성부에 의해 상기 미세형상과 상기 중복미세형상에 대응하는 네가티브구조가 형성된 몰드를 마련하는 단계와; 자외선경화수지를 상기 몰드로 가압하여 상기 네가티브구조의 복원 가능한 반전변형에 의해 상기 미세형상을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조방법에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 미세형상은 단면 투영시 부분 원호상 또는 다각형상으로 돌출 또는 함몰된 형상을 가지며; 평면투영시 상기 단면 형상이 규칙 또는 불규칙적으로 선형 배열된 구조를 가지거나, 평면 투영시 원형 또는 타원 형상 또는 다각형상 등으로 규칙적 또는 불규칙적으로 돌출되거나 함몰된 엠보싱 형태를 갖는 것이 바람직하다.
삭제
또한, 상기 중복미세형상은 단면투영시 다각 형상 또는 부분원호 형상이 규칙 또는 불규칙 적으로 배열되는 구조이거나, 상기 다각 형상과 부분원호 형상이 상호 규칙 또는 불규칙적으로 배열된 구조를 갖는 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 몰드는 상기 가압판을 향하는 측이 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 중 어느 하나의 재질로 마련된 성형층으로 형성되고, 상기 마스터를 향하는 측이 폴리카보네이트 또는 폴리에틸렌테프탈레이트 중 어느 하나의 재질로 마련된 보강층으로 형성되는 것이 보다 효과적이다.
한편, 상기 목적은 본 발명의 또 다른 분야에 따르면, 돌출 또는 함몰되는 적어도 하나의 광학적 단면을 갖는 미세형상과, 상기 미세형상 표면에 소정의 중복미세형상이 형성되는 광소자를 제조하기 위한 광소자 제조용 몰드에 있어서, 비교적 낮은 용융점을 갖는 열가소성수지로 형성되며 상기 광소자의 표면에 상기 미세형상과 상기 중복미세형상을 형성하는 성형층과, 상기 성형층에 비해 비교적 높은 용융점과 복원력을 가지고 상기 성형층의 이면에 일체로 형성되고, 판면에 상기 미세형상에 반대되는 돌출 또는 함몰된 네가티브구조가 상기 복원력에 의해 반전변형 가능하게 형성되어 있는 보강층을 갖는 것을 특징으로 하는 광소자 제조용 몰드에 의해서도 달성된다. ,
여기서, 상기 성형층은 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 중 어느 하나의 재질 로 형성되고, 상기 보강층은 폴리카보네이트 또는 폴리에틸렌테프탈레이트 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 미세형상에 대응하는 상기 돌출 또는 함몰된 네가티브구조는, 단면 투영시 부분 원호상 또는 다각형상으로 돌출 또는 함몰된 형상을 가지며; 평면투영시 상기 단면 형상이 규칙 또는 불규칙적으로 선형 배열된 구조를 가지거나, 평면 투영시 원형 또는 타원 형상 또는 다각형상 등으로 규칙적 또는 불규칙적으로 돌출되거나 함몰된 엠보싱 형태를 갖는 것이 효과적이다.
또한, 상기 중복미세형상은 단면투영시 다각 형상 또는 부분원호 형상이 규칙 또는 불규칙적으로 배열되는 구조이거나, 상기 다각 형상과 부분원호 형상이 상호 규칙 또는 불규칙적으로 배열된 형상을 갖도록 상기 네가티브구조에 중복형상단면구조로 형성되어 있는 것이 효과적이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 광소자의 제조공정을 나타낸 공정흐름도이다. 이 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 광소자의 제조방법은 마스터(1) 및 마스터(1)에 대향하는 가압판(3)을 마련하는 단계(S01)와, 마스터(1)와 가압판(3)을 이용하여 네가티브구조(9)를 갖는 몰드(5)를 마련하는 단계(S02)와, 네가티브구조(9)가 형성된 몰드(5)를 이용하여 중복된 형상(10)을 갖는 광소자(7)를 성형하는 단계(S03)를 포함한다.
마스터(1)와 가압판(3)을 마련하는 단계(S01)는, 제조될 광소자(7)의 미세형상(11)에 대응하는 미세형상형성부(1a)를 갖는 마스터(1)와, 미세형상(11) 표면에 형성되는 중복미세형상(13)에 대응하는 중복형상형성부(3a)를 갖는 가압판(3)으로 이루어진 금형을 제작하는 단계이다.
마스터(1)에 형성되는 미세형상형성부(1a)는 가압판(3)을 향하는 마스터(1)의 하부면을 기계 가공하여 미세형상(11)의 단면 폭과 돌출높이에 대응하는 돌출구조로 형성된다. 이때, 미세형상형성부(1a)의 단면 폭과 돌출높이는 미세형상(11)과 동일할 수도 있으며 몰드(5)의 수축범위 내에서 작거나 크게 형성될 수 있다.
또한, 미세형상형성부(1a)의 구조는 다양하게 변형될 수 있는데, 예를 들면, 평면투영시 원형 또는 타원 형상 또는 다각형상 등으로 규칙적 또는 불규칙적으로 돌출된 엠보싱 형태를 가질 수 있으며, 다양한 형태의 단면을 갖는 규칙적 또는 불규칙적인 선형 배열 구조를 가질 수도 있다. 이러한 미세형상형성부(1a)의 구조는 미세형상(11)의 성형 구조가 된다.
그리고, 가압판(3)에 형성되는 중복형상형성부(3a)는 마스터(1)를 향하는 가압판(3)의 상부면에 중복미세형상(13)에 대응하는 구조를 기계 가공함으로써 형성된다. 중복형상형성부(3a) 역시 그 구조적인 치수가 몰드(5)의 수축범위 내에서 작거나 크게 형성될 수 있다. 이때, 중복형상형성부(3a)의 단면 형상은 도면에 도시된 바와 같이, 규칙적인 삼각단면 형상 외에 다각형 단면형상 이나 원호 단면형상으로 형성될 수도 있으며, 불규적인 다각형 단면 형상 또는 불규칙적인 원호 형 상 등 다양한 형태로 변형될 수 있다.
이들 마스터(1)와 가압판(3)은 내열성과 내구성이 우수한 금속, 유리 등의 경한 재료를 이용하여 제작하는 것이 바람직하다.
여기서, 가압판(3)에 형성되는 중복형상형성부(3a)는 선택적으로 그 구조를 삭제할 수도 있다. 즉, 광소자(7)의 표면에 미세형상(11)과 중복미세형상(13)이 중복적으로 형성되지 않아도 되고 단일의 미세형상(11) 구조만이 요구될 때는 중복형상형성부(3a)가 형성되어 있지 않는 가압판을 사용하여 몰드(5)를 제작하면, 제조되는 광소자의 표면에 미세형상(11)만 형성되는 것이다.
네가티브구조(9)를 갖는 몰드(5)를 마련하는 단계(S02)는, 복원력을 갖는 열가소성수지를 마스터(1)와 가압판(3)으로 가열 가압하여 네가티브구조(9)가 형성된 몰드(5)를 마련하는 단계이다. 이 단계에서 도 2에 도시된 바와 같은, 몰드(5)가 제작된다.
몰드(5)는 가압판(3)을 향하는 측이 폴리에틸렌(PE)이나 폴리프로필렌(PP)의 용융점이 비교적 낮은 재료로 구성된 성형층(5a)으로 마련되는데, 이는 열과 가압력에 의해 광소자(7)를 연속적으로 성형하기 위한 성형성과, 광소자(7)와 성형층(5a)의 이형성을 고려하여 적합한 재료를 선택한 것이다.
그리고, 마스터(1)를 향하는 측이 폴리카보네이트 또는 폴리에틸렌테프탈레이트의 용융점이 비교적 높은 재료로 구성된 보강층(5b)으로 마련되는데, 이는 비교적 높은 용융점과 비교적 높은 열변형 온도에 의해 성형층(5a)의 열변형을 억제 할 수 있는 재료를 선택한 것이다.
이 열가소성수지를 S02a 단계와 같이, 마스터(1)와 가압판(3) 사이에 개재한 상태에서 S02b 단계와 같이, 가열 가압하면 S02c 단계와 같이, 마스터(1)의 미세형상형성부(1a)에 대응하는 보강층(5b)과 성형층(5a)의 영역에 미세형상형성부(1a)의 돌출구조에 대응하는 함몰구조(9a)가 형성된다. 그리고, 가압판(3)에 접하는 성형층(5a)의 판면에는 가열 가압력에 의한 평면 상태가 유지되면서 중복형상형성부(3a)에 대응하는 중복형상단면구조(9b)가 성형된다.
이와 같이, 보강층(5b)과 성형층(5a)에 형성된 함몰구조(9a)와 성형층(5a)의 판면에 형성되는 중복형상형성부(3a)에 대응하는 중복형상단면구조(9b)는 광소자(7)의 중복된 형상(10)을 형성하기 위한 네가티브구조(9)가 된다.
다음으로 네가티브구조(9)가 형성된 몰드(5)를 이용하여 중복된 형상(10)을 갖는 광소자(7)를 성형하는 단계(S03)는, 중복된 형상(10)을 갖는 광소자(7)를 제품으로 생산하는 단계이다.
구체적인 예를 들면, S03a 단계와 같이, 한 쌍의 투명프레스판(21,23) 중 하부에 위치하는 투명프레스판(23) 상부에 투명광학소재(31)를 적재하고 투명광학소재(31) 상면에 광소자(7)의 재료인 UV경화레진(41)을 도포한 상태에서 S03b 단계와 같이, 상부의 투명프레스판(21)을 이용하여 몰드(5)를 UV경화레진(41) 상부로 가압하면서 자외선(미도시)을 조사하면, 네가티브구조(9)의 함몰구조(9a)가 가압력에 의해 평면상태로 변화함과 동시에, 중복형상단면구조(9b) 영역에서 가압력에 의한 반전변형에 의한 상향 함몰현상이 일어나면서, 이에 대응하는 영역의 UV경화레진(41)에 상향 돌출되는 미세형상(11)과 중복미세형상(13)이 형성된다.
그리고, S03C 단계와 같이, 투명프레스판(21,23)의 가압을 해제하면, 최종적으로 광소자(7) 제품이 완성된다. 이때, 몰드(5)의 네가티브구조(9)는 복원력에 의해서 다시 S02c 단계와 같은 형태의 몰드원형으로 복원되어 반복적으로 광소자(7) 제품 제작에 사용된다.
여기서, 네가티브구조(9)가 형성된 몰드(5)를 이용한 광소자(7)의 제품생산은 전술한 평판프레스방식이 아닌 롤투롤(roll-to-roll: 회전되는 한 쌍의 롤 사이에 몰드를 마련하고 UV경화레진이 도포된 투명광학소재를 양측 롤 사이에 인입시켜서 광소자를 생산하는 방식)방식으로도 가능하다.
이러한 방법에 의해 제작되는 광소자(7)의 구조는 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 다양한 구조로 제조될 수 있다.
즉, 마스터(1)의 미세형상형성부(1a)와 가압판(3)의 중복형상형성부(3a)의 구조를 변형함으로써, 평면투영시 원이나 타원, 다각형태의 다양한 구조를 갖는 미세형상(11)과, 도면에는 중복미세형상(13)의 구조를 삼각단면 형태만으로 도시하고 있지만 다각형 단면형상이나 원호 단면형상 등으로 형성될 수 있다.
물론, 마스터(1)의 미세형상형성부(1a)와 가압판(3)의 중복형상형성부(3a)의 구조를 불규칙적인 배열로 변형하면, 이에 대응하여 미세형상(11)과 중복미세형상 (13)의 배열 또한 불규칙적으로 형성될 수 있을 것이다.
한편, 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 광소자의 제조공정을 나타낸 공정흐름도이다. 이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 광소자의 제조방법은 광소자에 형성되는 미세형상구조를 함몰구조로 성형할 경우에 해당하는 것으로서, 마스터의 미세형상형성부 구조와 이에 따른 네가티브형상 형성과정을 제외하고 전술한 도 1의 실시예와 거의 동일하다. 따라서 이하에서는 마스터에 형성되는 미세형상형성부의 구조와 이에 따른 네가티브구조의 형성과정만을 설명하기로 한다.
마스터(1')에 형성되는 미세형상형성부(1a')는 가압판(3')을 향하는 마스터(1')의 하부면을 기계 가공하여 미세형상(11')의 단면 폭과 함몰깊이에 대응하는 함몰구조로 형성되어 있다.
이러한 구조의 마스터(1')와 가압판(3') 사이에 열가소성수지를 S02a' 단계와 같이, 개재한 상태에서 S02b' 단계와 같이 가열 가압하면, S02c' 단계와 같이 열가소성수지의 보강층(5b')에 마스터(1')의 미세형상형성부(1a')에 대응하는 돌출구조(9a')가 형성되고, 가압판(3')에 접하는 성형층(5a')의 판면에는 가열 가압력에 의한 평면 상태가 유지되면서 중복형상형성부(3a')에 대응하는 중복형상단면구조(9b')가 성형되어 몰드(5')가 완성된다(S02').
이와 같이, 보강층(5b')과 성형층(5a')에 형성된 돌출구조(9a')와 성형층(5a')의 판면에 형성되는 중복형상형성부(3a')에 대응하는 중복형상단면구조(9b')는 광소자(7')의 중복된 형상(10')을 형성하기 위한 네가티브구조(9')가 된다.
이 네가티브구조(9')가 형성된 몰드(5')를 이용하여 전술한 도 1의 공정과 마찬가지로 UV경화레진(41')을 가압 성형하면(S03a'~S03c') 도 6 내지 도 8과 같이, 미세형상(11') 및 중복미세형상(13')이 중복되어 함몰 성형된 다양한 구조의 광소자(7') 제품을 제조할 수 있다(S03c').
이와 같이, 미세형상형성부를 갖는 마스터와 가압판을 이용하여 열가소성수지로 네가티브구조를 갖는 몰드를 제작하고, 몰드에 형성된 네가티브구조의 형상과 반전변형 및 복원력을 이용하여 미세형상 및 중복미세형상을 갖는 광소자를 제조하도록 함으로써, 기존의 반도체 설비나 특수가공기를 이용하던 광소자의 제조방법에 비해서 간단하고도 경제적으로 광소자를 제조할 수 있다.
또한, 몰드의 손상이 발생하더라도 저렴하고 간단하게 몰드를 제작할 수 있으므로 광소자의 품질을 항상 최상으로 유지하여 제품불량 및 제작손실을 해소할 수 있다.
또한, 마스터와 가압판에 각각 구조가 상이한 미세형상형성부와 중복미세형상형성부를 형성함으로써, 간단하게 중복된 미세형상 구조를 갖는 광소자를 제조할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 미세형상을 고가의 가공장비나 포토리소그래피 방법을 이용하지 않고도 간단하고 저렴한 비용으로 성형할 수 있는 광소자 제조방법과 광소자 제조용 몰드가 제공된다.
또한, 광학적 성능향상을 위한 중복적 미세형상을 손쉽게 성형할 수 있는 광소자 제조방법과 광소자 제조용 몰드가 제공된다.

Claims (9)

  1. 돌출 또는 함몰되는 적어도 하나의 광학적 단면을 갖는 미세형상과, 상기 미세형상 표면에 소정의 중복미세형상이 형성되는 광소자의 제조방법에 있어서,
    상기 미세형상의 단면 폭과 돌출높이 또는 함몰깊이에 대응하는 미세형상형성부를 갖는 마스터와, 상기 마스터에 대향하며 상기 중복미세형상에 대응하는 중복형상형성부가 형성되어 있는 가압판을 마련하는 단계와;
    상기 가압판을 향하는 층은 비교적 낮은 용융점을 가지며 상기 마스터를 향하는 층은 비교적 높은 용융점과 복원력을 갖는 열가소성수지를 상기 가압판과 상기 마스터 사이에서 가열 가압하여 상기 미세형상형성부와 상기 중복형상형성부에 의해 상기 미세형상과 상기 중복미세형상에 대응하는 네가티브구조가 형성된 몰드를 마련하는 단계와;
    자외선경화수지를 상기 몰드로 가압하여 상기 네가티브구조의 복원 가능한 반전변형에 의해 상기 미세형상을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 미세형상은
    단면 투영시 부분 원호상 또는 다각형상으로 돌출 또는 함몰된 형상을 가지며;
    평면투영시 상기 단면 형상이 규칙 또는 불규칙적으로 선형 배열된 구조를 가지거나, 평면 투영시 원형 또는 타원 형상 또는 다각형상 등으로 규칙적 또는 불규칙적으로 돌출되거나 함몰된 엠보싱 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 중복미세형상은
    단면투영시 다각 형상 또는 부분원호 형상이 규칙 또는 불규칙 적으로 배열되는 구조이거나, 상기 다각 형상과 부분원호 형상이 상호 규칙 또는 불규칙적으로 배열된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 광소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 몰드는
    상기 가압판을 향하는 측이 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 중 어느 하나의 재질로 마련된 성형층으로 형성되고,
    상기 마스터를 향하는 측이 폴리카보네이트 또는 폴리에틸렌테프탈레이트 중 어느 하나의 재질로 마련된 보강층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자의 제 조방법.
  6. 돌출 또는 함몰되는 적어도 하나의 광학적 단면을 갖는 미세형상과, 상기 미세형상 표면에 소정의 중복미세형상이 형성되는 광소자를 제조하기 위한 광소자 제조용 몰드에 있어서,
    비교적 낮은 용융점을 갖는 열가소성수지로 형성되며 상기 광소자의 표면에 상기 미세형상과 상기 중복미세형상을 형성하는 성형층과,
    상기 성형층에 비해 비교적 높은 용융점과 복원력을 가지고 상기 성형층의 이면에 일체로 형성되고, 판면에 상기 미세형상에 반대되는 돌출 또는 함몰된 네가티브구조가 상기 복원력에 의해 반전변형 가능하게 형성되어 있는 보강층을 갖는 것을 특징으로 하는 광소자 제조용 몰드.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 성형층은 폴리에틸렌 또는 폴리프로필렌 중 어느 하나의 재질로 형성되고, 상기 보강층은 폴리카보네이트 또는 폴리에틸렌테프탈레이트 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자 제조용 몰드.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 미세형상에 대응하는 상기 돌출 또는 함몰된 네가티브구조는,
    단면 투영시 부분 원호상 또는 다각형상으로 돌출 또는 함몰된 형상을 가지며;
    평면투영시 상기 단면 형상이 규칙 또는 불규칙적으로 선형 배열된 구조를 가지거나, 평면 투영시 원형 또는 타원 형상 또는 다각형상 등으로 규칙적 또는 불규칙적으로 돌출되거나 함몰된 엠보싱 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 광소자 제조용 몰드.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 중복미세형상은 단면투영시 다각 형상 또는 부분원호 형상이 규칙 또는 불규칙적으로 배열되는 구조이거나, 상기 다각 형상과 부분원호 형상이 상호 규칙 또는 불규칙적으로 배열된 형상을 갖도록 상기 네가티브구조에 중복형상단면구조로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광소자 제조용 몰드.
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