KR100663905B1 - 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 연마용 슬러리에 관한 것으로서, 256 메가 디램급 이상의, 예를 들어, 0.13㎛ 이하의 디자인 룰을 가진 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 STI공정을 위한 CMP용 공정에 사용되는 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도가 고선택비를 가지는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 연마 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적절하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 STI 공정을 위한 CMP용 공정에 필수적인 고성능 나노 세리아 슬러리 제조에 관한 것이다.
CMP, 슬러리, 분산제, 밀링, 혼합, 표면적, 음이온계 고분자 분산제, 거대 입자, 입자 크기, 계면전위 거동

Description

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법{SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES}
도 1은 본 발명에 의한 슬러리 제조의 공정 순서도
도 2는 세리아 연마재의 연마 메커니즘의 개략도
도 3은 D15, D50, D85의 개략적인 설명
도 4는 슬러리 샘플별 dD15의 변화
도 5는 슬러리 샘플별 dD50의 변화
도 6은 분산제 투입 전 후의 세리아 슬러리의 표면 전위
본 발명은 연마용 슬러리, 특히 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing ; 이하 ‘CMP’라 약칭함)용 슬러리에 관한 것으로서, 반도체 적층물의 평탄화를 위한 화학적 기계적 연마 공정에 사용되는 연마용 슬러리에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는 256 메가디램급 이상의 (0.13㎛ 이하의 Design Rule) 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되어지는 셀로우 트렌치 아이솔레이션(Shallow Trench Isolation; STI) CMP 공정에서 배리어막으로 사용되는 질화물층에 대해 높 은 연마 선택비를 갖고, 평탄화 표면의 스크래치 발생을 억제할 수 있는 슬러리의 제조 및 이를 이용한 기판의 연마방법에 관한 것이다.
화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)는 가압된 웨이퍼와 연마 패드 사이에 존재하는 연마제에 의한 기계적인 가공과 슬러리의 케미컬(chemical)에 의한 화학적 에칭이 동시에 일어나는 반도체 가공기술중 하나이다. 이는, 1980년대 말 미국의 IBM사에서 개발된 이래로 서브마이크론 스케일의 반도체 칩의 제조에 있어서 광역평탄화(Global Planarization) 기술의 필수 공정으로 자리잡고 있다.
슬러리의 종류는 연마되는 대상의 종류에 따라 크게 산화물(oxide)용 슬러리, 금속용 슬러리, 폴리실리콘(poly-silicon)용 슬러리로 구분된다. 산화물용 슬러리는 층간절연막 및 STI(Shallow Trench Isolation) 공정에 사용되는 실리콘산화물층(SiO2 Layer)을 연마할 때 사용되는 슬러리로서, 크게 연마제 입자, 탈이온수, pH 안정제 및 계면활성제등의 성분으로 구성된다. 이중 연마제 입자는 연마기계로부터 압력을 받아 기계적으로 표면을 연마하는 작용을 하는 것으로, 주로 실리카(SiO2), 세리아(CeO2), 알루미나(Al2O3) 등이 사용된다.
특히, 세리아를 연마 입자로 이용하는 세리아 슬러리는 STI 공정에서 실리콘산화물층을 연마하기 위해 널리 사용되고 있으며, 이때 연마 정지층으로서 실리콘질화물층이 주로 사용되고 있다. 일반적으로 질화물층에 대한 산화물층의 연마속 도 선택비를 향상시키기 위해 소정의 첨가제가 세리아 슬러리에 첨가되기도 하지만, 이 경우에는 질화물층 제거속도 뿐만 아니라 산화물층 제거속도도 감소하여 실질적으로는 선택비가 향상되지 않는다. 그리고, 세리아 슬러리의 연마 입자는 통상적으로 실리카 슬러리의 연마 입자보다도 크기 때문에 웨이퍼 표면에 스크래치를 유발시키는 문제가 있다.
한편, 질화물층에 대한 산화물층의 연마속도 선택비가 작은 경우에는 인접한 질화물층 패턴의 손실로 인하여 산화물층이 과잉 제거되는 디싱(dishing) 현상이 발생되어 균일한 표면 평탄화를 달성할 수 없다는 문제가 있다.
그러므로, 이런 STI CMP용 슬러리에서 요구되는 특성은 고선택비, 연마속도, 분산안정성, 마이크로-스크래치 (micro-scratch) 안정성이며, 좁고 균일한 적정입도 분포와 1㎛ 이상의 크기를 갖는 큰 입자 개수가 일정한도 범위 내에 존재하여야 한다.
STI CMP용 슬러리를 제조하기 위한 종래 기술로 히타찌의 미국특허공보 제6,221,118호 및 미국특허공보 제6,343,976호에는 세리아 입자의 합성방법과 이를 이용한 고선택비 슬러리 제조방법이 개시되어 있다. 여기에서는 STI CMP용 슬러리 특성에서 요구되는 입자의 특성과 고분자를 포함한 첨가제의 종류, 또한 이들을 이용한 제조방법 및 공정에 관하여 설명되어 있다. 특히 평균 결정립 크기(average grain size), 평균 1차 입자(average primary particle) 및 평균 2차 입자(average secondary particle)의 크기에 대하여 광범위한 범위를 제시하고 있다. 특히 하소 온도에 따른 결정립 크기(Grain Size)의 변화와 이에 따른 스크래치(Scratch)에 대 하여 언급하고 있다. 또 다른, 종래의 기술로는 히타찌의 미국특허공보 제6,420,269호 등에 기재된 다양한 세리아 입자의 합성방법 및 이를 이용한 고선택비 슬러리 제조방법이 있다. 한편 히타찌의 미국특허공보 제6,615,499호에는 하소 공정 상에서 승온 속도에 따른 X-ray 상에서의 특정 영역의 최고점 강도(Peak Intensity) 사이의 비율(Ratio) 변화와 이에 따른 연마 속도의 변화에 대하여 언급하고 있다.
또한 다른 종래 기술로서 일본의 쇼와 덴코의 미국특허공보 제6,436,835호, 미국특허공보 제6,299,659호, 미국특허공보 제6,478,836호, 미국특허공보 제6,410,444호 및 미국특허공보 제6,387,139호에는 세리아 입자의 합성방법과 이를 이용한 고선택비 슬러리 제조방법에 관한 기술이 개시되어 있다. 이들 발명에서는 주로 슬러리에 들어가는 첨가제의 종류 및 그 효과와 커플링제(coupling agent)에 대하여 기재하고 있다.
이러한 종래 기술은 연마용 슬러리를 구성하고 있는 연마 입자들의 평균입도 및 이들의 범위에 대해서만 기재되어 있고 이들 입자들을 어떻게 분산을 시키는지에 대한 세부적인 고찰이 부족하다. 특히 슬러리의 응집으로 인하여 생성된 거대 입자가 유발하는 마이크로 스크래치를 고려한다면 슬러리를 분산시키는 방법을 고찰하는 것은 매우 중요하다. 하지만 기존 특허의 경우 분산제의 종류 및 분산 기기 등에 대하여서는 언급되어 있지만 분산제를 언제 어떻게 혼합하고 분산을 강화시키기 위하여 분산기기를 어떻게 활용하는 지에 관한 기술에 대해서는 아무런 언급이 되어 있지 않았다. 또한, 이에 따른 분산 안정성의 차이에 대해서는 전혀 언 급되어 있지 않았다. 특히, 분산 안정성을 강화하는 정도에 따라 분산 상태 및 입도 분포가 매우 크게 달라지고 이로 인한 마이크로 스크래치의 개수가 크게 변화할 수 있다는 것을 고려할 때 적절한 분산제의 혼합 및 분산기기의 활용을 통하여 최적의 분산 안정성을 얻을 수 있는 공정 조건을 찾아내고, 이러한 공정을 통해 형성된 슬러리를 제공하는 것은 매우 중요하다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 여러 가지 입자의 전처리 방법 및 장치, 분산 장비 및 그의 운영 방법, 화학적 첨가제의 첨가 방법 및 양, 시료의 운송 장치 등을 적정하게 운용하여 0.13㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조용 STI 공정에 적용이 가능하며, 반도체 디바이스에 치명적인 마이크로 스크래치를 최소화할 수 있는 고성능 나노 세리아 슬러리를 제공하는 것을 목적으로 한다.
특히, 본 발명은 세리아 파우더와 초 순수(DI Water)를 혼합하여 만들어지는 슬러리의 제조에 있어서, 분산제의 혼합 시점을 조절하고, 분산기기를 통해 분산안정화를 시켰을 경우에 따른 분산 안정성 변화를 고찰하여 마이크로 스크래치의 발생은 최소화하면서 적절한 연마 속도를 얻을 수 있는 슬러리를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기와 같은 슬러리를 이용하여 미세 디자인룰의 반도체 기판을 효율적으로 연마하는 연마 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 세리아 연마 입자, 초순수 및 분산제를 포함하는 연마용 슬러리에 있어서, 상기 분산제 투입 시기 조절로 상기 연마 입자의 응집을 최소화하며, 강제분산처리 전후의 연마 입자의 입도 크기 변화량이 30nm 이하인 연마용 슬러리를 제공한다.
상기 연마 입자의 입도 크기 변화량이 -10 내지 10nm인 것이 바람직하다.
상기 분산제는 음이온계 고분자 화합물을 사용하되, 상기 음이온계 고분자 화합물로 폴리메타크릴산, 폴리아크릴산, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 암모늄 폴리카르복실네이트, 및 카르복실-아크릴 폴리머 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 원료 분말, 초순수 및 분산제를 마련하는 단계, 상기 원료 분말, 초순수 및 분산제의 혼합물을 마련하는 단계 및 상기 원료 분말, 초순수 및 분산제가 혼합된 혼합물을 밀링하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법을 제공한다. 상기 혼합물을 마련하는 단계는 먼저 상기 초순수에 상기 분산제를 혼합한 다음 상기 원료분말을 혼합하는 단계를 포함하거나, 먼저 상기 초순수에 상기 원료분말을 투입한 다음 상기 분산제를 혼합하는 단계를 포함하거나, 또는 상기 초순수에 상기 분산제 및 상기 원료분말을 투입하여 혼합하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 혼합물을 밀링하는 단계시, 상기 혼합물에 적어도 한 번 이상 상기 분산제를 더 첨가할 수 있다.
여기서, 상기 분산제는 상기 원료 분말을 기준으로 0.0001 내지 10wt% 범위 내로 첨가하되, 상기 초순수에 첨가되는 상기 분산제는 전체 분산제 양의 50%이상 100%미만이고, 상기 혼합물을 밀링하는 단계시 첨가되는 상기 분산제는 전체 분산제 양의 50%이하로 조절하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 혼합물을 밀링하는 단계후에, 상기 혼합물에 슬러리의 pH를 조절하기 위해 약산 및 약염기등의 첨가제를 첨가하는 단계 및 거대 입자 제거를 위한 필터링 공정을 실시하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기의 분산제는 음이온계 고분자 화합물을 사용하되, 상기 음이온계 고분자 화합물로 폴리메타크릴산, 폴리아크릴산, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 암모늄 폴리카르복실네이트, 및 카르복실-아크릴 폴리머 중 적어도 어느 하나를 사용하는 것이 효과적이다.
또한, 세리아 연마 입자, 초순수 및 분산제를 포함하되, 상기 분산제 투입 시기 조절로 상기 연마 입자의 응집을 최소화하며, 강제분산처리 전후의 연마 입자의 입도 크기 변화량이 30nm 이하인 연마용 슬러리를 사용하여 소정의 기판을 연마하는 기판의 연마 방법을 제공한다.
하기에서는 본 발명의 연마용 슬러리의 제조 공정 및 그 결과물로서 제조된 연마용 슬러리의 특성 분석 및 해석으로 나누어 각 부분을 구체적으로 설명한다. 또한 하기의 본 발명을 구체적인 예시를 들어 설명하는 부분에서는 연마제의 한 예로서 세리아를 사용하고 그의 분산매 및 분산제로서 초순수(DI Water)와 음이온계 고분자 분산제를 사용하여 설명하며, 이렇게 제조된 연마용 세리아 슬러리의 제조방법 및 공정조건에 따른 산화막 연마속도 및 선택비 등의 CMP 결과에 대하여 설명하겠다. 다음에서 설명되는 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 설명으로 한정되는 것은 아니다.
[세리아 슬러리 제조]
본 발명의 세리아 슬러리는 세리아 분말, 초순수(DI Water) 및 음이온계 고 분자 분산제, 약산 또는 약염기 등의 첨가물을 포함한다. 이러한 연마용 세리아 슬러리의 제조 방법을 도 1을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저 세륨 카보네이트와 같은 전구체를 전처리 한다. 즉, 고상 합성하여 세리아 분말을 준비한다(S1). 상기의 세리아 분말과 초순수(DI Water)를 혼합용 탱크에서 혼합 및 습식(wetting)을 시키고(S2), 입자 크기 감소 및 분산을 위하여 밀링기(milling machine)로 밀링한다(S3). 상기 방법에 의해 제조된 초기 슬러리에 음이온계 고분자 분산제를 첨가하여 분산 안정성을 높이고(S4), 약산 또는 약염기 등의 첨가제들을 고전단혼합기(high speed mixer)로 혼합하여 pH를 조정한다. 이후 추가적인 밀링 등을 통하여 분산 안정화하여(S5), 슬러리의 무게비(wt%) 즉, 고형하중을 원하는 범위로 맞춘(S6) 다음, 필터링을 통하여 거대입자를 제거하여 침전 및 연마 동안의 스크래치를 방지하고(S7), 추가적인 숙성(aging)을 하여 슬러리를 안정화한다(S8). 이때, 분산제는 필요에 따라 밀링 이전에 첨가 혼합할 수도 있고(S2), 혹은 밀링 공정 중간에 첨가 혼합할 수도 있으며(S3), 밀링전 및/또는 밀링 중간에 여러번으로 나누어 혼합할 수도 있다(S2 내지 S4).
이와 같은 본 발명의 연마용 세리아 슬러리의 제조 방법을 각각의 단계별로 세부적으로 설명하면 다음과 같다.
1. 세리아 분말의 제조
본 발명의 세리아 슬러리의 제조는 고상 합성법을 통하여 세리아 원료 전구체(Precursor)로 세리아 분말을 제조하는 단계로 시작된다. 상기의 세리아 분말은 예를 들어 세륨 카보네이트와 같은 전구체를 하소하여 합성되는데, 본격적인 하소 이전에 흡착되어 있는 수분을 제거하기 위하여 별도의 건조 공정을 진행할 수 있다. 이는, 건조 공정을 통하여 처리된 전구체는 공정상 이송 및 처리의 용이성 측면에서 우수하기 때문이다.
세리아 분말은 세륨 카보네이트를 하소하는 조건 및 하소 장치의 구성에 따라 그 특성이 달라진다. 세륨 카보네이트는 결정수와 흡착수를 가지고 있고 결정수는 흔히 4가, 5가, 6가 등이 존재하며 결정수의 개수 및 흡착수의 양에 따라서 하소 조건이 달라진다. 하소를 하게 되면 우선 제일 먼저 결정수 및 흡착수가 제거된다. 그 후 추가적인 승온 및 제 1 열처리를 통하여 탄산염 기능(carbonate function)기가 이산화탄소의 형태로 제거되는, 이산화탄소 제거과정(decarbonation)이 일어나면서 세리아 분말이 합성되기 시작한다. 다음으로 추가적인 제 2 열처리에 의하여 재결정(recrystallize) 과정을 거치며 여러 가지 크기의 입자를 갖는 세리아 분말이 형성된다. 하소는 500 내지 1000℃ 온도 범위에서 실시하는 것이 효과적이다.
2. 혼합 및 밀링
상기와 같은 방법을 통하여 제조된 세리아 분말을 초순수(DI Water)와 고전단 혼합기를 이용하여 혼합 및 습식시킨다. 이후, 상기의 혼합물을 밀링하여 입자 크기를 감소시키고, 이를 분산시켜 나노 사이즈의 세리아 슬러리를 제조한다.
상기의 혼합 및 습식 과정 후 입자의 크기를 제어하고 응집되어 있는 연마 입자들을 분산시키기 위하여 고에너지 밀링기(High Energy Milling Machine)를 이용하여 입자 크기 감소 및 분산을 진행하는 것이 효과적이다. 뿐만 아니라, 밀링기 는 습식 또는 건식 밀링기를 사용할 수 있다. 건식 밀링기는 밀링 과정에서 금속 부분들의 마모에 의한 금속 오염이 우려되기 때문에, 세라믹 재질로 되어 있는 습식 밀링기를 사용하여 밀링하는 것이 바람직하다. 한편, 습식 밀링 방법을 이용할 경우에는 연마 입자의 응집으로 인한 침전 및 밀링 효율의 감소, 대형 입자 발생, 대면적 크기 분포 등을 방지하기 위해, 연마 입자의 농도 조절, pH 및 전도성 조절, 분산제를 이용한 분산 안정도 강화를 하는 것이 효과적이다.
3. 분산안정화 및 첨가제의 혼합
다음으로, 분산제의 한 예로 음이온계 고분자 분산제를 상기 슬러리에 첨가하여 분산 안정화하고, 약산 및 약염기 등의 첨가제를 넣어서 pH를 조정하여 슬러리를 안정화시킨다. 상기의 분산제로 사용되는 음이온계 고분자 화합물은 폴리메타크릴산, 폴리아크릴산, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 암모늄 폴리카르복실네이트, 및 카르복실-아크릴 폴리머 또는 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되어진 어느 하나를 사용할 수 있다. 이는, 본 발명의 슬러리가 수계이므로 이러한 고분자 화합물의 상온에서의 물에 대한 적정한 용해도를 갖기 때문이다. 이때, 슬러리의 pH는 6.5 내지 13 인 것이 바람직하다. 또한, 슬러리의 pH가 7 내지 11인 것이 가장 바람직하다. 또한, 상기의 음이온계 고분자 화합물의 첨가범위는 연마입자를 기준하여 0.0001~10.0 wt%가 적당하며, 바람직하게는 0.001 ~ 3.0 wt% , 더욱 바람직하게는 0.02 ~ 2.0 wt% 가 적당하다. 안정화된 세리아 슬러리의 점도 거동은 뉴톤 거동 (Newtonian behavior)이 바람직하다.
이때, 분산제 및 첨가제가 혼합된 혼합물을 고 에너지 밀링기로 밀링하여 입 자 크기를 감소시키고 분산을 진행시킬 수 있다. 이 후 분쇄 및 분산된 슬러리를 펌프를 사용하여 별도의 탱크로 이송한 후 적절한 분산장비를 이용하여 분산함으로써 분산 안정성을 확보하고 추가적인 응집 및 침전을 방지할 수 있다.
다만 분산제를 투입하는데 있어서 밀링 단계 후에 투입할 수도 있지만 필요에 따라서 밀링 전, DI Water와 세리아 파우더를 혼합하는 과정에서 투입할 수도 있고 밀링 단계 도중에 투입할 수도 있다. 뿐만 아니라 이들의 혼합을 통한 투입 방법도 가능하다.
본 실시예에서는 밀링 단계 전후에 걸쳐 분산제를 여러 번으로 나누어 투입하는 것이 바람직하다. 즉, 밀링단계 전에 적어도 한번이상의 분산제를 투입하고, 밀링 단계 도중에 적어도 한번 이상의 분산제를 투입한다. 이를 위해 초순수에 분산제를 첨가한 다음 연마입자를 혼합하고, 혼합된 화합물의 밀링을 진행하면서 추가적으로 분산제를 첨가하여 주는 것이 가장 바람직하다. 상기와 같이 분산제 투입시기를 조절함으로써 본 발명의 슬러리의 입도크기 변화량은 30nm이하가 된다. 입도 크기 변화량은 음의 값이 될 수 있다. 바람직하게는 입도크기 변화량이 -10 내지 10nm이 될 수 있고, 가장 바람직하게는 -5 내지 5nm가 될 수 있다.
분산제의 투입 시기 변화에 따른 분산 안정성의 변화 및 입도 분포의 변화, 그리고 이에 따른 스크래치의 변화 등은 뒤의 "분산제 투입 시기에 따른 세리아 슬러리의 특성 변화"에서 보다 자세히 살펴보도록 하겠다.
4. 고형하중(wt%) 조절 및 거대입자 제거
상기와 같이 슬러리의 분산안정화 공정이 끝난 후에는 세리아 슬러리의 고형 하중(wt%)을 원하는 범위로 조정하고 필터링을 통하여 CMP공정시 스크래치를 유발할 수 있고, 침전 및 응집을 유발할 수 있는 거대입자를 제거한다. 거대입자가 많이 존재할수록 중력에 의한 힘이 입자간 반발력에 의한 분산력에 비하여 커지게 될 뿐 아니라, 거대입자의 표면적은 미세 입자의 표면적에 비하여 작기 때문에 거대 입자의 분산율은 미세 입자에 비하여 더 작아진다. 이러한 2가지 원인에 의하여 응집 및 침전이 많이 발생하여 슬러리가 전체적으로 불안정하게 되므로, 거대 입자를 제거할 필요가 있다. 이러한 거대입자를 제거하는 필터링은 필터링 횟수를 증가시키면 거대 입자 감소율을 더욱 높일 수 있다.
5. 슬러리 숙성
다음으로, 숙성을 통해 슬러리를 안정화한다. 즉, 탱크에서 슬러리를 스터링(stirring)하며 24시간 혼합하면서 슬러리를 더욱 더 안정화하는 것이 효과적이다. 이는 완성된 슬러리에 부가적으로 실시할 수 있으며, 필요에 따라 그 과정을 생략 할 수도 있다.
[분산제 투입 시기에 따른 세리아 슬러리의 특성 변화]
하기에서는 상기에서 설명한 바와 같은 제조 공정을 이용하여 세리아 슬러리를 제조하는 경우 분산제 투입 시기 변화가 세리아 연마 입자의 특성에 미치는 영향을 분석한다. 특히 분산제 투입 시기 변화에 따른 응집의 정도 (분산 안정성의 차이)를 계량화하고 이에 따른 마이크로 스크래치의 변화를 상세히 기술한다.
연마용 슬러리는 연마 입자의 응집에 따라 0.13um 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 반도체 디바이스에 치명적인 영향을 주는 마이크로 스크래치(micro scratch)를 유발할 수 있다. 즉, 세리아 연마재의 연마 메커니즘은 도 2와 같이 다결정(Poly-crystal) 형태의 세리아 입자가 단결정(Single Crystal) 형태로 부수어지면서 웨이퍼 상에 증착된 옥사이드 필름과 화학 반응을 이룬 후 패드와의 기계적인 마찰력에 의하여 떨어져 나가며 연마를 하는 방식이다. 이때 연마 입자의 응집이 증가하면 증가할수록 다결정이 단결정으로 부수어지는 과정과, 응집되었던 이차 입자(Secondary Particle)가 더 작은 이차 혹은 일차 입자(Secondary or Primary Particle)로 부수어지는 과정에서 수많은 마이크로 스크래치가 발생할 수 있다. 따라서 연마 입자의 응집을 최소화하고 분산 안정성을 강화할 필요가 있다. 이때 이러한 연마 입자의 분산 안정성에 많은 영향을 줄 수 있는 중요한 요소 중의 하나가 세리아 슬러리의 제조 공정 동안의 분산제의 투입 시기이다. 이에 본 발명에서는 분산제의 투입시기를 조절하여 세리아 슬러리의 분산 안정성을 향상시킨다. 우선 분산제 투입 시기 차이에 따른 응집의 정도를 계량화하기 위하여 다음과 같은 방식을 사용한다. 슬러리중 연마입자의 응집의 정도를 측정하는 좋은 기준으로서 dD15 혹은 dD50을 사용할 수 있다. 여기서 dD15 혹은 dD50은 입도크기 변화량을 지칭하는 것으로서, 각각 D15와 D50의 초음파 처리(Sonication)를 하지 않고 측정한 값과 초음파 처리를 하면서 측정한 값 사이의 차이로 정의된다. 이는 응집된 상태의 입도 크기값과 분산된 상태의 입도크기 값 사이의 차이에 해당한다. 일본 호리바사의 입도 분석기 LA910을 이용하면 도 3에서 볼 수 있듯이 입자 크기(Particle Size)를 측정할 수 있는데, 이러한 입자크기 측정 결과를 이용하여 dD값을 구할 수 있다. 도 3의 D50은 입자의 중간크기(Median Size)로서 전체 크기 분포(Size Distribution) 중 50% 값에 해당하는 크기이고 D15 값은 큰 크기로부터 15%에 해당하는 크기이다. 그리고 이들 입자 크기의 수치를 이용하면 다음과 같이 정의되는 dD15 혹은 dD50을 구할 수 있고 이것은 응집의 정도를 계량화하여 나타낼 수 있는 좋은 수치로서 사용될 수 있다.
dD15 = D15 without sonication - D15 with sonication
dD50 = D50 without sonication - D50 with sonication
단 이때 각각의 항은 다음과 같이 정의된다.
D15 without sonication : 초음파(ultrasonic)를 꺼준 상태로 측정한 D15 파티클 크기
D15 with sonication : 초음파를 켜준 상태로 측정한 D15 파티클 크기
D50 without sonication : 초음파를 꺼준 상태로 측정한 D50 파티클 크기
D50 with sonication : 초음파를 켜준 상태로 측정한 D50 파티클 크기
즉 호리바사의 LA910 모델을 이용하여 파티클 크기를 측정할 때 초음파를 켜주고 측정을 하게 되면 응집되었던 슬러리가 강제로 재 분산되어 분산된 상태의 입자 크기를 측정할 수 있고, 반면 초음파를 끈 상태에서 측정을 하게 되면 응집되었던 슬러리가 재분산이 되지 않아 응집된 슬러리의 입자 크기를 측정할 수 있게 된다. 따라서 응집이 많이 되고 분산 안정성이 낮은 슬러리일 수록 초음파에 의한 강제분산처리 전후의 입도 크기 변화량 dD15 혹은 dD50의 값이 커지게 된다.
본 발명은 상기와 같은 슬러리 제조 공정 중에 분산제의 투입 시기를 변화시켜 가며 슬러리를 제조하고, 각 조건에서 제조된 슬러리에 대해 초음파에 의한 강제분산처리 전후의 입도크기 변화량 dD15 혹은 dD50 값을 측정하였다. 단, 이때 크기 및 표면적에 따른 차이를 최소화하기 위하여 같은 조건에서 하소한 동일한 세리아 파우더를 사용하였고, 같은 입도를 가질 수 있도록 밀링 조건을 조절하여 각 슬러리를 제조하였다.
실시예1의 슬러리는 밀링공정을 수행하기 전에 소정량의 분산제를 투입하여 제조하였으며, 실시예2의 슬러리는 밀링공정을 수행하기 전에 소정량의 분산제를 투입하고 밀링 공정을 진행하는 중간에 분산제를 적어도 1회 이상 추가로 투입하여 제조하였다. 이때, 밀링 공정 전 및 도중에 투입되는 분산제의 량 및 투입 횟수는 슬러리의 상태에 따라 조절할 수 있다. 또한, 실시예3의 슬러리는 밀링공정 중간에 분산제를 투입하여 제조하였으며, 비교예1의 슬러리는 밀링공정 완료 후에 분산제를 투입하여 제조하였다. 표1, 도4 및 도5는 각 조건으로 제조된 슬러리들에서 연마 입자의 응집 정도를 나타내는 입도크기변화량 dD15 혹은 dD50을 측정한 결과이다.
분산제 투입시기 dD50(nm) dD15(nm)
실시예1 밀링 공정 전(Premixing) 8 15
실시예2 밀링 공정 전 및 밀링 공정 중 (Premixing and During Milling) 3 5
실시예3 밀링 공정 중(During Milling) 25 51
비교예1 밀링 공정 후(After Milling) 152 290
표 1, 도 4 및 도 5에서 보여 주듯이 비교예1의 경우 즉 밀링 공정 후에 분산제를 투입한 경우가 입도 크기 변화량이 가장 크게 나타나 연마 입자의 응집이 가장 심한 것을 알 수 있으며, 실시예1 내지 실시예3과 같이 밀링 공정 전 및/또는 밀링 공정 중에 분산제를 투입한 경우와, 밀링 공정 처음과 중간에 여러번 나누어 분산제를 투입한 경우에는 입도 크기 변화량이 30nm 이하로 현저하게 작아져서 비교예1에 비해 연마 입자의 응집이 최소화되고 분산성이 향상되었음을 알 수 있다.
이는 도 6에서와 같은 제타 전위를 통하여 그 원인을 고찰해 볼 수 있다. 도 6에서는 분산제를 투입하기 전과 후의 슬러리의 제타 전위를 보여주고 있다. 이때 비교예 1과 같이 분산제를 밀링 후에 넣는 경우, pH 영역이 5 내지 8 사이가 되고 분산제를 투입하고 난 후에는 pH영역이 7 내지 10 사이가 되는데, 분산제를 넣지 않고 밀링을 진행하게 되면 상대적으로 분산제를 넣고 밀링하는 경우에 비하여 제타 전위의 절대값이 낮기 때문에 응집이 많이 된다. 반면에 분산제가 들어가 있는 상태로 밀링을 하게 되면 이를 상대적으로 높은 제타 전위의 절대값에 의하여 분산력이 증가하고 응집이 적어지게 된다. 하지만 분산제를 넣고 밀링을 진행하게 되면 밀링 기기의 높은 에너지에 의하여 분산제가 분해(Degradation) 될 수 있다. 따라서 분산제를 처음에 과도한 양을 넣게 되면 오히려 분산 안정성의 저하를 초래하게 된다. 또한 밀링을 하게 되면 거대 사이즈의 일차 혹은 이차 입자들이 분쇄되어 작은 사이즈의 일차 혹은 이차 입자를 이루게 되어 새로운 표면이 계속 발생하게 되는데 새로운 표면적에 흡착되기 위한 분산제를 추가적으로 중간에 넣어주면 효과적인 분산이 가능하다.
이와 같이 분산제 투입 시기 변화에 의해 연마 입자의 응집 정도를 조절할 수 있는데 이것은 마이크로 스크래치의 개수와 밀접한 연관성을 지닌다. 특히 실제로 CMP를 진행할 때에는 초음파 분해(Sonication)를 하지 않기 때문에 CMP 시의 이차 입자크기(Secondary Particle Size)는 분산 안정성의 차이에 따라 200nm 이상의 차이를 보일 수 있고, 이러한 연마 입자의 응집은 CMP 공정 중에 마이크로 스크래치를 유발할 수 있다.
[분산제 투입 시기에 따른 마이크로 스크래치 변화]
하기에서는 상기에 설명한 것과 같은 슬러리 제조 방법으로 각 조건에서 세리아 분말 및 슬러리를 제조하고, 각 조건에서 제조된 슬러리의 입자 크기 및 분산성 등 연마 입자의 특성 및 슬러리 특성을 살펴본다. 이러한 연마 입자 및 슬러리의 특성을 측정한 다음, 이를 아래의 표 2로써 정리하였다.
먼저, 여러 가지 분석을 위한 측정 장비들을 먼저 기술하면 다음과 같다.
1) 입도분포 : 일본 호리바(Horiba)사의 LA-910으로 측정
2) XRD : 필립스(Philips)사의 X'PERT Pro MRB으로 측정
(1) 세리아 분말 1 ~ 4의 준비
25kg의 고순도의 세리움 카보네이트를 콘테이너(container)에 각각 800g 가량씩 담아주고 터널로(tunnel kiln)에서 700℃에서 4시간 동안 하소하여 제 1 내지 제 4 세리아 분말을 준비하였다. 단 각각 하소시의 승온 속도는 5℃/min이고 냉각 은 자연냉각이며 부산물(by-product)로 생성되는 CO2 가스를 효과적으로 제거해주기 위하여 세거의(saggar)의 이동 방향과 반대 방향으로 20m3/Hour의 기체를 흘려주었다. 이렇게 하소된 세리아 분말을 X-ray 회절을 이용하여 확인해본 결과 각각 순도 높은 세리아(cerium oxide)가 얻어졌다.
(2) 제 1 내지 제 4 세리아 슬러리의 준비
먼저 실시예1로서, 상기와 같은 조건에서 합성된 고순도 제 1 세리아 분말 10kg을 사용하여 제1 세리아 슬러리를 제조한다. 우선 음이온계 분산제로서 암모늄 폴리메타아크릴레이트를 세리아 분말 대비 1wt%만큼 초순수 90kg에 넣고 고전단 혼합기에서 충분히 혼합한다. 이어서, 음이온계 분산제가 균일하게 혼합된 초순수 혼합물에 고순도 제1 세리아 분말 10kg을 넣고 고전단 혼합기에서 충분한 습식(wetting)을 위하여 1시간 이상 혼합한다. 그 후, 혼합된 10wt% 슬러리를 패스형 밀링 방식을 이용하여 밀링한다. 밀링에 의해 입자 크기를 원하는 범위로 조절하고 또한 응집된 슬러리를 분산시킨다. 이어서 필터링을 하여 거대 입자를 제거한 후 제 1 세리아 슬러리를 제조한다.
실시예2로서, 상기와 같은 조건에서 합성된 고순도 제 2 세리아 분말 10kg을 사용하여 제1 세리아 슬러리를 제조한다. 우선 음이온계 분산제로서 암모늄 폴리메타아크릴레이트를 세리아 분말 대비 0.5wt%만큼 초순수 90kg에 넣고 고전단 혼합기에서 충분히 혼합한다. 이어서, 음이온계 분산제가 균일하게 혼합된 초순수 혼합물에 고순도 제1 세리아 분말 10kg을 넣고 고전단 혼합기에서 충분한 습식(wetting) 을 위하여 1시간 이상 혼합한다. 그 후, 혼합된 10wt% 슬러리를 패스형 밀링 방식을 이용하여 밀링한다. 이때 추가적인 음이온계 분산제로서 암모늄 폴리메타아크릴레이트를 세리아 분말 대비 0.5wt%만큼 밀링 중간에 첨가하여 믹싱한다. 계속해서, 밀링에 의해 입자 크기를 원하는 범위로 조절하고 또한 응집된 슬러리를 분산시킨다. 이어서 필터링을 하여 거대 입자를 제거한 후 제 2 세리아 슬러리를 제조한다.
또한 실시예3으로, 별도로 상기와 같은 조건에서 합성된 고순도 제 2 세리아 분말 10kg과 초순수 90kg를 고전단 혼합기에서 충분한 습식(wetting)을 위하여 1시간 이상 혼합한 다음, 혼합된 10wt% 슬러리를 패스형 밀링 방식을 이용하여 밀링한다. 이 때 추가적인 음이온계 분산제로서 암모늄 폴리메타아크릴레이트를 세리아 분말 대비 1wt%만큼 밀링 중간에 첨가하여 믹싱한다. 그 후 밀링을 추가적으로 더 진행하여 입도를 원하는 영역으로 조절한 후 필터링을 하여 제 3 세리아 슬러리를 제조한다.
마지막으로 비교예1로서, 상기와 같은 조건에서 합성된 고순도 제 3 세리아 분말 10kg과 초순수 90kg를 고전단 혼합기에서 충분한 습식(wetting)을 위하여 1시간 이상 혼합한 다음, 혼합된 10wt% 슬러리를 패스형 밀링 방식을 이용하여 밀링한다. 밀링에 의해 입자 크기를 원하는 범위로 조절하고 또한 응집된 슬러리를 분산시킨다. 이어서 추가적인 음이온계 분산제로서 암모늄 폴리메타아크릴레이트를 세리아 분말 대비 1wt% 첨가하고 이들의 흡착을 고려하여 2시간 이상 혼합에 의해 분산시킨 후 필터링을 하여 제 4 세리아 슬러리를 제조한다.
이에 한정되지 않고, 본 발명은 분산제 투입 시기 및 분산제 투입량을 여러 가지로 변경할 수 있다. 앞서 언급한 바와 같이 초순수에 음이온계 분산제를 우선 첨가한 다음 세리아 분말과 초순수를 혼합하고, 이를 밀링하고, 필터링하여 슬러리를 제조한다. 또한, 본 발명은 세리아 분말과 초순수를 충분한 습식을 위하여 혼합한 다음 음이온계 분산제를 첨가하고, 이를 밀링기를 이용하여 밀링/분산하고, 필터링을 하여 거대입자를 제거하여 슬러리를 제조할 수 있고, 초순수에 음이온계 분산제 및 세리아 분말을 투입하여 혼합하고 이를 밀링하고, 필터링하여 슬러리를 제조할 수 있다.
한편, 본 발명은 상기와 같이 밀링 전에 여러 가지 방법으로 분산제를 투입하며 분산제 및 세리아 원료 분말이 혼합된 초순수를 밀링한다. 이때 밀링 중에 음이온계 분산제를 적어도 1회 이상 더 첨가하며 계속 밀링/분산하고, 필터링하여 슬러리를 제조할 수 있다. 또한 본 발명은 밀링이 완료된 후에 분산제를 더 첨가할 수도 있다. 이처럼 분산제를 복수회 투입하는 경우는 분산제 투입 회수에 따라 1회 투입하는 분산제의 량을 조절할 수 있다.
한편, 상기의 밀링 후에 소정의 첨가제를 첨가할 수도 있다.
(3) 제 1 내지 제 3 세리아 슬러리의 비교 및 CMP 테스트 결과
하기에서는 실시예1 내지 실시예3 및 비교예1과 같이 제조된 세리아 슬러리를 이용하여 피연마재를 연마하고 이때의 연마율 및 스크래치 수, 연마 선택성 등을 살펴보고 각각의 슬러리를 비교하여 본다. 즉, 본 발명이 실시예1 내지 실시예3 및 비교예1을 통해 제조된 제 1 내지 제 4 세리아 슬러리를 이용하여 피연마재에 대한 CMP 연마성능시험을 실시하였다. CMP 연마장비는 미국 회사 스트라스바우(Strasbaugh)의 6EC를 사용하였고, 대상 웨이퍼는 PE-TEOS(plasma enhanced chemical vapor deposition TEOS oxide)를 도포하여 8인치 웨이퍼 전면에 산화막이 형성된 웨이퍼와 Si3N4를 도포하여 8인치 웨이퍼 전면에 질화막이 형성된 웨이퍼를 대상으로 실시하였고, 테스트 조건(test condition) 및 소모재는 다음과 같았다.
1) 패드: IC1000/SUBAIV (미국 로델(Rodel)사 제품)
2) 막 두께 측정기: Nano-Spec 180 (미국 나노-매트릭스(Nano-metrics)사 제품)
3) 테이블 속도(table speed): 70 rpm
4) 스핀들 속도(Spindle Speed): 70 rpm
5) 하강력(Down Force): 4 psi
6) 배압력(Back Pressure): 0 psi
7) 슬러리공급량: 100 ㎖/min.
8) 잔류 입자 및 스크래치 측정 : 미국 KLA-텐코(Tencor)사 서프스켄(Surfscan) SP1으로 측정
상기와 같이 각각의 조건에서 제조된 제 1 내지 제 3 슬러리로 산화막(PE-TEOS)과 질화막(Si3N4)이 형성된 웨이퍼 전면을 1분간 연마한 후 연마에 의해 제거된 두께 변화로부터 연마 속도를 측정하였으며, 마이크로-스크래치는 서프스켄 SP1을 사용하여 측정하였다. 각각의 슬러리에 대한 연마성능을 상기와 같이 준비한 블랭크 웨이퍼(blank wafer)에 대해 3회 이상 실시한 후 연마특성 결과를 측정하였다.
구분 dD50 산화막 연마 속도(Å/min) 질화막 연마 속도(Å/min) 산화막:질화막 연마비 (선택비) WIWNU(%) 산화막 잔류 입자(>0.20㎛,#) 스크래치(#)
실시예1 8 2471 50 49.4 1.0 60 1
실시예2 3 2482 50 49.6 1.0 50 0
실시예3 25 2462 49 50.2 1.0 130 2
비교예1 157 2521 50 50.4 1.0 680 10
상기의 실시예, 비교예1 및 비교예2와 같이 하소 조건 및 밀링 조건 등을 조절하여 세리아 파우더의 표면적을 변화시키며 제조한 제 1 내지 제 3 슬러리를 이용하여 동일한 CMP 조건에서 CMP 테스트를 진행하면 상기 표 2의 결과와 같다. 우선, 각각의 예시에서는 모든 슬러리는 연마 속도 및 연마 선택비(산화막 대 질화막의 연마율비) 측면에서는 사용 가능한 범위를 나타내며, 연마시의 연마면내 연마 균일도를 나타내는 면내 불균일성(WIWNU)도 우수함을 알 수 있다. 그러나, 고집적 반도체 공정에서 더욱 중요한 마이크로 스크래치 개수 및 산화막 잔류 입자 개수는 실시예와 비교예가 큰 차이를 보인다. 즉, 각각의 예시별 마이크로 스크래치의 변화를 살펴보면, 분산제를 밀링 공정 전 및/또는 밀링 공정 중에 넣어준 실시예1 내지 실시예3의 경우는 밀링 후에 분산제를 넣어준 비교예1에 비하여 슬러리의 응집이 줄어들고 분산 안정성이 향상되어 마이크로 스크래치의 개수 및 산화막 잔류 입자의 개수가 현저하게 줄어드는 경향을 나타낸다. 이는 실시예의 경우는 새로운 표면적이 생성될 때 분산제가 표면적에 상대적으로 잘 흡수되는 반면에 비교예의 경우는 이미 응집이 된 슬러리 표면에만 분산제가 흡착되고 그 사이 사이로 분산제가 들어가서 흡착되지 못하기 때문이다. 그러므로, 본 발명에 의하면 분산제의 투입 시기와 투입 방식 및 분산기기의 활용 방식을 변화시켜 응집을 최소화할 수 있는 세리아 슬러리를 제공하고, 이로부터 마이크로 스크래치를 최소화 할 수 있다.
상술한 슬러리를 이용한 기판의 연마 방법을 살펴보면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판 연마 방법은 분산제의 투입 시기 및 투입 방식을 조절하여 연마 입자의 응집을 최소화하고, 분산 안정성을 강화한 연마용 슬러리를 사용하여 소정의 기판을 연마한다.
바람직하게는, 연마막과 연마 정지막이 형성된 기판을 마련하는 단계와, 분산제의 투입 시기 및 투입 방식을 조절하여 연마 입자의 응집을 최소화하고, 분산 안정성을 강화한 연마용 슬러리를 이용하여 연마막을 연마하는 단계를 포함한다. 상기의 연마막은 산화막 계열을 물질막을 사용하고, 상기 연마 정지막은 질화막 계열의 물질막을 사용한다.
상술한 슬러리를 이용한 기판의 연마 방법을 살펴보면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판 연마 방법은 분산제와 밀링기를 이용하여 분산된 연마 입자를 포함하되, 상기 분산제의 투입시기를 조절하여 상기 연마 입자의 응집을 최소화한 연마용 슬러리를 사용하여 소정의 기판을 연마한다.
바람직하게는 연마막과 연마 정지막이 형성된 기판을 마련하는 단계와, 분산제의 투입시기를 조절하여 상기 연마 입자의 응집을 최소화한 슬러리를 사용하여 연마막을 연마하는 단계를 포함한다. 상기 연마막은 산화막 계열의 물질막을 사용 하고, 상기 연마 정지막은 질화막 계열의 물질막을 사용한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 반도체 제조에 있어서 STI CMP 공정용 연마제로서 필수적으로 갖추어야 하는 여러 특성에 대해 우수한 물성을 가진 슬러리의 제조가 가능하게 되었고, 특히 CMP 후 소자에 치명적인 결함을 유발할 수 있는 스크래치 및 잔류 입자를 감소시킬 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 분산제를 투입하는 시기를 조절하여 CMP 공정에서 소자의 결함을 유발할 수 있는 스크래치를 감소시키면서 동시에 높은 연마율을 유지할 수 있는 슬러리를 개발할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, STI CMP용 연마제로서 필수적으로 갖추어야 하는 여러 특성에 대해 우수한 물성을 가진 슬러리의 제조가 가능하게 되어 이러한 슬러리를 STI CMP용 연마제로서 사용할 경우, 초고집적 반도체 공정에서 요구되는 다양한 패턴에 대한 적용과 그에 부응하는 연마율, 연마 선택비, 연마 균일도를 나타내는 면내 불균일성(WIWNU), 마이크로-스크래치 최소화에 대한 우수한 결과를 달성할 수 있다.

Claims (13)

  1. 세리아 연마 입자, 초순수 및 분산제를 포함하는 연마용 슬러리에 있어서,
    상기 분산제 투입 시기 조절로 상기 연마 입자의 응집을 최소화하며, 상기 연마 입자를 강제 분산시키기 전의 입도 크기 값과 상기 연마 입자를 강제 분산시킨 후의 입도 크기 값의 차이인 강제 분산 처리 전후의 연마 입자의 입도 크기 변화량이 -30 내지 30㎚인 연마용 슬러리.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 연마 입자의 입도 크기 변화량이 -10 내지 10nm인 연마용 슬러리.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 분산제는 음이온계 고분자 화합물을 사용하되, 상기 음이온계 고분자 화합물로 폴리메타크릴산, 폴리아크릴산, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 암모늄 폴리카르복실네이트, 및 카르복실-아크릴 폴리머 중 적어도 어느 하나를 사용하는 연마용 슬러리.
  5. 삭제
  6. 원료 분말, 초순수 및 분산제를 마련하는 단계;
    상기 초순수에 상기 분산제를 투입 혼합하는 단계;
    상기 분산제가 투입된 초순수에 상기 원료분말을 혼합하는 단계; 및
    상기 원료 분말, 초순수 및 분산제가 혼합된 혼합물을 밀링하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  7. 원료 분말, 초순수 및 분산제를 마련하는 단계;
    상기 초순수에 상기 원료분말을 투입하는 단계;
    상기 원료분말이 투입된 초순수에 상기 분산제를 혼합하는 단계; 및
    상기 원료 분말, 초순수 및 분산제가 혼합된 혼합물을 밀링하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  8. 원료 분말, 초순수 및 분산제를 마련하는 단계;
    상기 초순수에 상기 분산제 및 상기 원료분말을 투입하여 혼합하는 단계;
    상기 원료 분말, 초순수 및 분산제가 혼합된 혼합물을 밀링하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  9. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 원료 분말, 초순수 및 분산제가 혼합된 혼합물을 밀링하는 단계시,
    적어도 한 번 이상 상기 분산제를 더 첨가하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 분산제는 상기 원료 분말을 기준으로 0.0001 내지 10wt% 범위 내로 첨가하되,
    상기 초순수에 첨가되는 상기 분산제는 전체 분산제 양의 50%이상 100%미만이고, 상기 혼합물을 밀링하는 단계시 첨가되는 상기 분산제는 전체 분산제 양의 50%이하로 조절하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  11. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 원료 분말, 초순수 및 분산제가 혼합된 혼합물을 밀링하는 단계후에,
    상기 혼합물에 슬러리의 pH를 조절하기 위해 약산 및 약염기등의 첨가제를 첨가하는 단계; 및
    거대 입자 제거를 위한 필터링 공정을 실시하는 단계;를 더 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  12. 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 분산제는 음이온계 고분자 화합물을 사용하되, 상기 음이온계 고분자 화합물로 폴리메타크릴산, 폴리아크릴산, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 암모늄 폴리카르복실네이트, 및 카르복실-아크릴 폴리머 중 적어도 어느 하나를 사용하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
  13. 세리아 연마 입자, 초순수 및 분산제를 포함하되, 상기 분산제 투입 시기 조절로 상기 연마 입자의 응집을 최소화하며, 상기 연마 입자를 강제 분산시키기 전의 입도 크기 값과 상기 연마 입자를 강제 분산시킨 후의 입도 크기 값의 차이인 강제 분산 처리 전후의 연마 입자의 입도 크기 변화량이 -30 내지 30㎚인 연마용 슬러리를 사용하여 소정의 기판을 연마하는 기판의 연마 방법.
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