KR100584007B1 - 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 연마 입자, 초순수 및 분산제를 마련하는 단계;상기 연마 입자와 초순수의 혼합물을 밀링하는 단계;상기 혼합물의 pH를 측정하는 단계;상기 pH에 따라 상기 분산제의 투입량을 결정하는 단계; 및상기 연마 입자와 초순수의 혼합물에 상기 분산제를 투입하여 밀링하는 단계를 포함하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 분산제의 투입량을 결정하는 단계는,상기 혼합물의 pH가 8.7 내지 9.5인 경우에 분산제의 투입량을 연마 입자 대비 2.2 내지 3.0wt%로 결정하는 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 분산제의 투입량을 결정하는 단계는,상기 혼합물의 pH가 8.0 내지 8.7인 경우에 분산제의 투입량을 연마 입자 대비 1.4 내지 2.2wt%로 결정하는 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 분산제의 투입량을 결정하는 단계는,상기 혼합물의 pH가 7.4 내지 8.0인 경우에 분산제의 투입량을 연마 입자 대비 0.6 내지 1.4wt%로 결정하는 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
- 청구항 1에 있어서,상기 연마 입자는 세리아를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리의 제조 방법.
- 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 연마용 슬러리.
- 청구항 6에 있어서,상기 연마용 슬러리의 전도도가 300 내지 900㎲/㎝인 연마용 슬러리.
- 청구항 6에 있어서,상기 연마용 슬러리의 전도도가 550 내지 600㎲/㎝인 연마용 슬러리.
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2016148409A1 (ko) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 주식회사 케이씨텍 | 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09131660A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-20 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び方法 |
KR19980032895A (ko) * | 1996-10-18 | 1998-07-25 | 카네코 히사시 | 연마제의 회수재이용방법 및 장치 |
KR20010004980A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 화학기계적 연마법에 의한 산화막 연마 방법 |
KR20030043096A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 주식회사 엘지생활건강 | 유변학적 물성이 향상된 래핑 슬러리용 분산제 |
-
2004
- 2004-12-31 KR KR1020040118158A patent/KR100584007B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09131660A (ja) * | 1995-11-06 | 1997-05-20 | Toshiba Corp | 半導体製造装置及び方法 |
KR19980032895A (ko) * | 1996-10-18 | 1998-07-25 | 카네코 히사시 | 연마제의 회수재이용방법 및 장치 |
KR20010004980A (ko) * | 1999-06-30 | 2001-01-15 | 김영환 | 화학기계적 연마법에 의한 산화막 연마 방법 |
KR20030043096A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | 주식회사 엘지생활건강 | 유변학적 물성이 향상된 래핑 슬러리용 분산제 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016148409A1 (ko) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 주식회사 케이씨텍 | 연마입자 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물 |
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