KR100650263B1 - 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 - Google Patents
발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100650263B1 KR100650263B1 KR1020050112953A KR20050112953A KR100650263B1 KR 100650263 B1 KR100650263 B1 KR 100650263B1 KR 1020050112953 A KR1020050112953 A KR 1020050112953A KR 20050112953 A KR20050112953 A KR 20050112953A KR 100650263 B1 KR100650263 B1 KR 100650263B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting device
- conductive substrate
- region
- regions
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 46
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 18
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 2
- CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N so4-so4 Chemical compound OS(O)(=O)=O.OS(O)(=O)=O CBXWGGFGZDVPNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 235000015097 nutrients Nutrition 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- GHXRKGHKMRZBJH-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O.OB(O)O GHXRKGHKMRZBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002991 molded plastic Substances 0.000 description 1
- LFLZOWIFJOBEPN-UHFFFAOYSA-N nitrate, nitrate Chemical compound O[N+]([O-])=O.O[N+]([O-])=O LFLZOWIFJOBEPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 기판을 전기적으로 독립된 적어도 둘 이상의 영역들로 분리하고, 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하여 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 전도성 기판을 두께가 얇은 금속 시트를 사용함으로써, 패키지의 슬림(Slim)화를 달성할 수 있는 효과가 있다.
게다가, 발광 소자에서 발생된 열을 전도성 기판을 통하여 외부로 방출시킴으로써, 열 방출 경로가 짧아져 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
발광소자, 패키지, 산화막, 알루미늄, 기판, 홈
Description
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 개략적으로 도시한단면도
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도
도 3a 내지 3c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도
도 4a 내지 4c는 본 발명에 따라 전도성 기판을 전기적으로 독립적인 두 영역으로 분할하는 방법의 일례를 설명하는 단면도
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도
도 6a 내지 6d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도
도 8a와 8b은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도
도 9는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에서 발광 소자를 전도성 기판에 접착시키는 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 단면도
도 10은 본 발명에 따라 발광 소자를 전도성 기판에 플립칩(Flip chip) 본딩하는 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 단면도
도 11은 본 발명에 따른 일례의 발광 소자 패키지에 실장된 발광소자에서 방출되는 광의 경로를 설명하기 위한 개념도
도 12는 본 발명에 따른 일례의 발광 소자 패키지에 실장된 발광소자에서 방출되는 광의 경로를 설명하기 위한 다른 개념도
도 13은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하는 개략적인 흐름도
도 14는 도 3a에 도시된 발광 소자 패키지의 개략적인 사시도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 전도성 기판 110,120,125 : 영역
115 : 홈 130 : 절연성 영역
135 : 산화막 150 : 반사막
200 : 발광 소자 210,211,212 : 와이어
221,222 : 도전성 범프 250 : 전도성 접착수단
251 : 절연성 접착수단 310 : 미러용 금속층
320 : 접착수단 500 : 산화 억제층
본 발명은 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 기판을 전기적으로 독립된 적어도 둘 이상의 영역들로 분리하고, 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하여 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 슬림(Slim)화시키고, 열방출 효율이 우수한 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
21세기 화합물 반도체가 주도하는 광반도체 시대의 차세대 광원으로 기존광원에 비하여 에너지 절감 효과가 매우 뛰어나고 반 영구적으로 사용할 수 있는 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)가 빛을 발하고 있다.
이러한 발광 다이오드 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하다.
이러한 기술의 발달로 최근 들어 디스플레이 백라이트 유닛(Backlight Unit)용 뿐만 아니라, 자동차용, 광고판용, 교통신호등용, 조명용등 산업 전반적으로 사 용되고 있다.
특히, 크기가 작으면서도 고휘도라는 장점을 가진 백라이트유닛용 액정 디스플레이는 기존 백라이트 유닛의 광원으로 사용되어 온 CCFL램프를 대체하면서 모바일 기기의 상승곡선과 같은 궤적을 그릴 전망이다.
이러한 발광 다이오드는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)에 직접 실장하기 위하여 표면 실장소자(Surface Mount Device; SMD)형으로 만들어지고 있으며, 정보 통신기기의 소형화 및 슬림화 추세에 따라 발광 다이오드 패키지 또한 더욱 소형화, 단순화되고 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 개략적으로 도시한단면도로서, 방열판(10) 상부에 인쇄회로기판(11)이 본딩되어 있고, 상기 인쇄회로기판(11) 상부에 상호 이격된 한 쌍의 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)이 본딩되어 있고, 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b) 상부에 발광 다이오드 패키지(30)가 전기적으로 연결되며 실장되어 있다.
그리고, 상기 발광 다이오드 패키지(30)는 상부에 홈이 형성된 히트 슬러그(20)와; 상기 히트 슬러그(20)의 홈 내부에 본딩되며, 상부에 두 단자(22a,22b)를 갖는 서브 마운트 기판(21)과; 상기 서브 마운트 기판(21)의 두 단자(22a,22b)에 플립칩 본딩된 발광 다이오드(25)와; 상기 히브 슬러그(20)를 감싸며, 성형된 플라스틱 사출물(26)과; 상기 플라스틱 사출물(26)에 고정되며, 플라스틱 사출물(26) 측면에 노출된 리드들(27a,27b)과; 상기 서브 마운트 기판(21)의 두 단자(22a,22b)와 리드들(27a,27b)을 전기적으로 연결시키는 와이어(23)와; 상기 발광 다이오드 (25)에서 방출되는 광의 분포를 제어하도록 상기 플라스틱 사출물(26)에 고정된 렌즈(22)로 이루어진다.
여기서, 상기 발광 다이오드 패키지(30)의 플라스틱 사출물(26)은 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)에 본딩되고, 상기 리드들(27a,27b)은 상기 실장용 인쇄회로기판(12a,12b)과 전기적으로 연결되도록 본딩된다.
이와 같은 종래 기술의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 구동 시 발생 하는 열이 열전달 속도가 늦은 인쇄회로기판을 통하여 방열기판(Heat sink)에 전달 됨으로 방열 효과가 미비할 뿐만 아니라 이로 인하여 광 특성이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 서브 마운트 기판, 히트 슬러그와 방열판을 추가로 제작하고, 이를 본딩하는 공정을 수행함으로써, 부품 수 및 작업공정 증가로 인하여 시간적으로나 경제적으로 제조비용이 증가하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 기판을 전기적으로 독립된 적어도 둘 이상의 영역들로 분리하고, 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하여 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 전도성 기판을 두께가 얇은 금속 시트를 사용함으로써, 패키지의 슬림(Slim)화를 달성할 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 발광 소자에서 발생된 열을 전도성 기판을 통하여 외부로 방출시킴으로써, 열 방출 경로가 짧아져 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 1 양태(樣態)는,
절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역으로 양분된 전도성 기판과;
상기 전도성 기판의 제 1과 2 영역 중 적어도 하나 이상의 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 2 양태(樣態)는,
절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역으로 양분되고, 상기 제 1 영역 상부에 홈이 형성된 전도성 기판과;
상기 전도성 기판의 홈에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성되며,
상기 발광 소자는 상기 전도성 기판의 제 1 영역에 있는 홈에 절연성 접착수단으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자 두 전극은 상기 발광 소자의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체는 와이어인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 3 양태(樣態)는,
제 1과 2 영역으로 양분시키는 홈이 상부에 형성되어 있는 전도성 기판과;
상기 전도성 기판의 홈 바닥면에서 상기 전도성 기판의 하부까지 형성되어, 상기 제 1과 2 영역을 전기적으로 독립시키는 절연성 영역과;
상기 전도성 기판의 홈에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 4 양태(樣態)는,
상호 이격된 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역으로 분리된 전도성 기판과;
상기 전도성 기판의 제 2 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 3 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 5 양태(樣態)는,
상호 이격된 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역으로 분리된 전도성 기판과;
상기 전도성 기판의 제 1과 3 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;
상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;
상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 3 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성되며,
상기 발광 소자는 상기 전도성 기판의 제 1과 3 영역에 도전성 범프(Bump)로 접착되어 있고, 상기 발광 소자의 두 전극은 상기 발광 소자의 하부에 형성되어 있 고, 상기 제 1과 2 도전체는 도전성 범프인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지가 제공된다.
상기한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 바람직한 제 6 양태(樣態)는,
절연성 영역에 의해 전기적으로 분리된 적어도 둘 이상의 영역들을 갖는 전도성 기판을 준비하는 단계와;
상기 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하는 단계와;
상기 전도성 기판의 분리된 영역들과 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법이 제공된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도로서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 절연성 영역에 의해 전기적으로 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분(兩分)된 전도성 기판(100)을 준비하고, 이 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120) 중 적어도 하나 이상의 영역에 발광 소자(200)를 실장하여 구현하는 것이다.
즉, 전도성 기판(100)은 알루미늄 시트와 같은 금속 시트이고, 이 금속 시트 가 전기적으로 독립적인 두 영역으로 분할되도록, 분할되는 두 영역 사이의 금속 시트 영역을 산화시켜 절연성 영역을 만드는 것이다.
그러므로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 구성부품이 단순하고, 제조공정도 간단하여 패키지를 제조하기 위한 소요 경비가 줄어든다.
그리고, 전도성 기판(100)의 두께(T)를 얇게 할 수 있는 금속 시트를 사용함으로써, 패키지의 슬림(Slim)화를 달성할 수 있다.
참고로, 본 발명의 도면에서는 패키지의 구조를 명확하게 하기 위해, 발광 소자의 두께보다 전도성 기판의 두께를 두껍게 도시하였으나, 전도성 기판의 두께는 자유롭게 설계할 수 있는 사항이므로, 발광 소자의 두께보다 얇게 하여 패키지를 구성할 수 있다.
더불어, 상기 전도성 기판의 두께는 100 ~ 1000㎛가 바람직하다.
또한, 발광 소자가 히트 싱크와 같은 열전달이 우수한 금속 시트에 실장됨으로, 발광 소자에서 발생되는 열을 보다 쉽게 방출시킬 수 있다.
게다가, 분할된 금속 시트의 하부는 노출되어 있으므로, 마더(Mother) 보드와 같은 다른 실장 영역에 패키지의 실장을 간단히 할 수 있다.
도 3a 내지 3c는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도로서, 제 1 실시예의 발광 소자 패키지는 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분된 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120) 중 적어도 하나 이상의 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110) 을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200)의 다른 전극과 상기 제 2 영역(120)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.
먼저, 도 3a의 패키지는 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 실장되는 구조이다.
즉, 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 전도성 접착수단(250)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 한 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 제 1 도전체는 전도성 접착수단이며, 상기 발광 소자(200)의 다른 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 2 도전체는 와이어(210)이다.
그리고, 도 3b의 패키지는 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 절연성 접착수단(251)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체가 와이어(211,212)인 구조이다.
또한, 도 3c의 패키지는 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120)에 실장되는 구조로, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120)에 솔더와 같은 도전성 범프(Bump)(221,222)로 본딩되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체는 범프(221,222)이다.
도 4a 내지 4c는 본 발명에 따라 전도성 기판을 전기적으로 독립적인 두 영역으로 분할하는 방법의 일례를 설명하는 단면도로서, 전도성 기판(100)의 상부에 두 상부 영역으로 양분(兩分)하는 홈(130a)을 형성한다.(도 4a)
여기서, 상기 홈(130a)은 본 발명의 실시예에 따른 전도성 기판의 구조에 따라 적어도 둘 이상의 영역들로 분리시키는 홈으로 형성할 수 있다.
그 후, 상기 홈(130a)을 제외하고, 상기 전도성 기판(100) 상부에 산화 억제층(500)을 형성한다.(도 4b)
여기서, 상기 산화 억제층(500)은 후술되는 산화 공정에서 상기 산화 억제층(500)에 의해 노출된 홈(130a) 내부면의 전도성 기판(100) 영역만 산화되고, 나머지 전도성 기판(100) 영역은 산화되지 못하게 하는 기능을 수행한다.
연이어, 상기 산화 억제층(500)에 의해 노출된 홈(130a) 내부면의 전도성 기판(100)을 산화시켜, 상기 전도성 기판(100)을 전기적으로 독립된 상기 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분시키는 산화막(135)을 형성한다.(도 4c)
여기서, 상기 전도성 기판(100)은 금속 시트를 사용하는 것이 바람직하고, 알루미늄 시트를 사용하는 것이 더 바람직하다.
여기서, 상기 산화 공정은 질소산(Nitric Acid) 또는 붕소산(Boric Acid)와 같은 전해액(Electrolytes)을 이용한 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법을 수행하는 것이 바람직하다.
이 때, 상기 전해액의 온도는 10 ~ 50도가 적당하고, 펄스 전류(Pulsed Current)를 인가한다.
그리고, 상기 전해액에 산화막의 두께 및 강도를 증가시키기 위하여 유황산(Sulfuric Acid)를 첨가하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 산화 억제층(500)은 양극 산화 공정시 사용되는 전해액(Electrolytes)에 반응이 없어야 하며, 산화막 형성 후, 산화 억제층(500)이 제거될 때, 전도성 기판(100) 및 산화막(135)의 손상없이 제거될 수 있는 물질이어야 한다.
즉, 상기 산화 억제층(500)은 폴리머(Polymer) 계열의 물질 또는 금속 물질로 형성할 수 있다.
마지막으로, 상기 산화 억제층(500)을 제거한다.(도 4d)
이로써, 본 발명의 패키지에 적용된 전도성 기판의 제조가 완료된다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도로서, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분되고, 상기 제 1 영역(110) 상부에 홈(115)이 형성된 전도성 기판(100)을 준비하고, 이 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)의 홈(115)에 발광 소자(200)를 실장하여 구현하는 것이다.
즉, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110) 상부에 홈(115)을 형성하고, 이 홈(115) 바닥면에 발광 소자를 실장하는 것이다.
도 6a 내지 6d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도로서, 제 2 실시예의 발광 소자 패키지는 절연성 영역(130)에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분되고, 상기 제 1 영역(110) 상부에 홈(115)이 형성된 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 홈(115)에 실장되 며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110)을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200)의 다른 전극과 상기 제 2 영역(120)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.
도 6a의 패키지는 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 있는 홈(115)에 실장되는 구조이며, 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 있는 홈(115)에 전도성 접착수단(250)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 한 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 제 1 도전체는 전도성 접착수단이며, 상기 발광 소자(200)의 다른 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 2 도전체는 와이어(210)이다.
그리고, 도 6b의 패키지는 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 있는 홈(115)에 절연성 접착수단(251)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체가 와이어(211,212)인 구조이다.
또한, 도 6c의 패키지는 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분시키는 홈(115)이 상부에 형성되어 있는 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 홈(115) 바닥면에서 상기 전도성 기판(100)의 하부까지 형성되어, 상기 제 1과 2 영역(110,120)을 전기적으로 독립시키는 절연성 영역(130)과; 상기 전도성 기판(100)의 홈(115)에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110)을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200) 의 다른 전극과 상기 제 2 영역(120)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 전도성 기판(100)의 제 1과 2 영역(110,120)에 솔더와 같은 도전성 범프(Bump)(221,222)로 본딩되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체는 범프(221,222)이다.
한편, 상기 발광 소자가 실장된 홈 내부에는, 상기 발광 소자를 감싸며 형광체가 분산된 수지, 실리콘 젤과 투광성이 우수한 에폭시 중 어느 하나가 더 충진되어 있으면, 외부로부터 발광 소자를 보호할 수 있고, 형광체는 발광 소자에서 방출된 광의 파장을 전환시켜 방출시킬 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 설명하기 위한 개략적인 개념도로서, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 상호 이격된 절연성 영역(131,132)에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역(110,120,125)으로 분리된 전도성 기판(100)을 준비하고, 상기 전도성 기판(100)의 제 2 영역(120)에 발광 소자(200)를 실장하여 구현하는 것이다.
즉, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 전도성 기판(100)이 분리된 제 1 내지 3 영역(110,120,125) 중 어느 한 영역으로 발광 소자에서 발생되는 열을 방출시키는 구조를 구현하는 것이다.
도 8a와 8b은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자 패키지의 개략적인 단면도로서, 도시된 도 8a의 발광 소자 패키지는 상호 이격된 절연성 영역 (131,132)에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역(110,120,125)으로 분리된 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 제 2 영역(120)에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110)을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200)의 다른 전극과 상기 제 3 영역(125)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 2 영역(120)에 절연성 접착수단(251)으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체가 와이어(211,212)이다.
또한, 도 8b의 패키지는 상호 이격된 절연성 영역(131,132)에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역(110,120,125)으로 분리된 전도성 기판(100)과; 상기 전도성 기판(100)의 제 1과 3 영역(110,125)에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자(200)와; 상기 발광 소자(200)의 한 전극과 상기 제 1 영역(110)을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와; 상기 발광 소자(200)의 다른 전극과 상기 제 3 영역(125)을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 발광 소자(200)가 전도성 기판(100)의 제 1과 3 영역(110,125)에 솔더와 같은 도전성 범프(Bump)(221,222)로 접착되어 있고, 상기 발광 소자(200)의 두 전극은 상기 발광 소자(200)의 하부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체가 도전성 범프(221,222)이다.
전술된 본 발명에 따른 제 1 내지 3 실시예의 발광 소자 패키지에서는, 발광 소자에서 방출된 광의 분포를 제어하기 위하여, 발광 소자를 감싸며, 전도성 기판 에 렌즈가 더 본딩되어 있는 것이 바람직하다.
도 9는 본 발명에 따른 발광 소자 패키지에서 발광 소자를 전도성 기판에 접착시키는 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 단면도로서, 발광 소자(200)가 접착되는 전도성 기판의 대상 영역(300)에 미러용 금속층(310)을 형성하고, 접착수단(320)으로 발광 소자(200)를 상기 전도성 기판의 대상 영역(300)에 접합하면, 상기 발광 소자(200)의 하부로 방출되는 광이 상기 미러용 금속층(310)에서 반사되어, 상기 발광 소자(200) 상부로 출사된다.
그러므로, 발광 소자 패키지 상부로 출력되는 광량을 증가시킬 수 있는 것이다.
도 10은 본 발명에 따라 발광 소자를 전도성 기판에 플립칩(Flip chip) 본딩하는 공정의 일례를 설명하기 위한 부분 단면도로서, 절연성 영역(135)에 의해 전기적으로 독립된 분리된 전도성 기판의 제 1과 2 영역(110,120)에 발광 소자(200)를 플립칩 본딩하기 전에, 상기 제 1과 2 영역(110,120) 상부에 시드층(Seed Layer) 또는 전극단자(321,322)를 각각 형성하고, 발광 소자(200)를 솔더와 같은 도전성 범프(221,222)로 상기 시드층(Seed Layer) 또는 전극단자(321,322)에 본딩한다.
전술된 시드층(Seed Layer) 또는 전극단자(321,322)는 상기 발광 소자(200)를 상기 전도성 기판에 쉽게 본딩시킬 수 있는 기능을 수행한다.
도 11은 본 발명에 따른 일례의 발광 소자 패키지에 실장된 발광소자에서 방출되는 광의 경로를 설명하기 위한 개념도로서, 전도성 기판(100)에 홈(115)이 형 성되어 있고, 이 홈(115)에 발광 소자(200)를 실장하는 경우, 상기 홈(115) 내부의 측면은 'θ'의 각도로 경사져 있는 것이 바람직하다.
즉, 상기 홈(115) 내부의 측면이 경사져 있으면, 발광 소자에서 방출된 광이 홈(115) 내부의 측면에서 반사되어 발광 소자 상부로 진행하게 되어 광출력을 향상시킬 수 있게 된다.
그리고, 도 12와 같이, 상기 홈(115)의 측벽 및 바닥면에 반사막(150)이 형성되어 있으면, 상기 반사막(150)에서 반사되는 광량이 많아져, 상기 발광 소자(200) 상부로 진행하는 광량을 증가시킬 수 있다.
도 13은 본 발명에 따른 발광 소자 패키지의 제조 공정을 설명하는 개략적인 흐름도로서, 먼저, 절연성 영역에 의해 전기적으로 분리된 적어도 둘 이상의 영역들을 갖는 전도성 기판을 준비한다.(S10단계)
여기서, 상기 전도성 기판은 전술된 도 4a 내지 4c와 같은 공정에 의해 형성한다.
그 후, 상기 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장한다.(S20단계)
연이어, 상기 전도성 기판의 분리된 영역들과 발광 소자를 전기적으로 연결한다.(S30단계)
여기서, 상기 전도성 기판의 분리된 영역들과 발광 소자를 전기적으로 연결하는 것은, 전술된 바와 같이, 와이어 본딩 공정, 범프 본딩 공정과 이들이 혼합된 공정 중 어느 하나를 이용하는 것이 바람직하다.
도 14는 도 3a에 도시된 발광 소자 패키지의 개략적인 사시도로서, 전도성 기판(100)을 산화하여 형성된 절연성 영역(130)으로 전도성 기판(100)은 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역(110,120)으로 양분된다.
그리고, 발광 소자(200)는 전도성 기판(100)의 제 1 영역(110)에 전도성 접착수단으로 본딩된다.
또한, 발광 소자(200)와 제 2 영역(120)을 와이어(210)로 전기적으로 연결한다.
게다가, 상기 제 1 영역(110)에 형성된 홈(115)을 원형 그루브(Groove) 형상으로 형성하면, 상기 발광 소자(200)의 측면에서 방출된 광을 상부로 반사시켜 발광 효율을 증대할 수 있는 것이다.
그러므로, 본 발명의 발광 소자 패키지는 간단한 구조의 전도성 기판(100)에 발광 소자를 실장함으로써, 패키지를 구성하는 부품수를 줄일 수 있어 저가로 제조할 수 있는 장점이 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명은 양극 산화(Anodic Oxidation) 방법으로 산화시킨 절연성 영역으로 전도성 기판을 전기적으로 독립된 적어도 둘 이상의 영역들로 분리하고, 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하여 패키지를 구현함으로써, 패키지 구조를 단순화시키고, 제조 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 전도성 기판을 두께가 얇은 금속 시트를 사용함으로써, 패키지의 슬림(Slim)화를 달성할 수 있는 효과가 있다.
게다가, 발광 소자에서 발생된 열을 전도성 기판을 통하여 외부로 방출시킴으로써, 열 방출 경로가 짧아져 열 방출효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (20)
- 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역으로 양분된 전도성 기판과;상기 전도성 기판의 제 1과 2 영역 중 적어도 하나 이상의 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지.
- 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1과 2 영역으로 양분되고, 상기 제 1 영역 상부에 홈이 형성된 전도성 기판과;상기 전도성 기판의 홈에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성되며,상기 발광 소자는 상기 전도성 기판의 제 1 영역에 있는 홈에 절연성 접착수단으로 접착되어 있고, 상기 발광 소자 두 전극은 상기 발광 소자의 상부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체는 와이어인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1과 2 영역으로 양분시키는 홈이 상부에 형성되어 있는 전도성 기판과;상기 전도성 기판의 홈 바닥면에서 상기 전도성 기판의 하부까지 형성되어, 상기 제 1과 2 영역을 전기적으로 독립시키는 절연성 영역과;상기 전도성 기판의 홈에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 2 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지.
- 상호 이격된 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역으로 분리된 전도성 기판과;상기 전도성 기판의 제 2 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 3 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성된 발광 소자 패키지.
- 상호 이격된 절연성 영역에 의해 전기적으로 독립된 제 1 내지 3 영역으로 분리된 전도성 기판과;상기 전도성 기판의 제 1과 3 영역에 실장되며, 두 전극을 갖는 발광 소자와;상기 발광 소자의 한 전극과 상기 제 1 영역을 전기적으로 연결하는 제 1 도전체와;상기 발광 소자의 다른 전극과 상기 제 3 영역을 전기적으로 연결하는 제 2 도전체를 포함하여 구성되며,상기 발광 소자는 상기 전도성 기판의 제 1과 3 영역에 도전성 범프(Bump)로 접착되어 있고, 상기 발광 소자의 두 전극은 상기 발광 소자의 하부에 형성되어 있고, 상기 제 1과 2 도전체는 도전성 범프인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절연성 영역은,상기 전도성 기판 영역을 산화시켜 형성된 산화된 영역인 것을 특징으로 하 는 발광 소자 패키지.
- 제 6 항에 있어서,상기 산화된 영역은,상기 전도성 기판 영역에 홈을 형성하고, 이 홈의 양측면과 바닥면을 산화시켜 만들어진 영역인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 소자가 실장되는 전도성 기판의 영역에는 미러용 금속층이 더 형성되어 있고,상기 발광 소자는 상기 미러용 금속층에 실장되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 전도성 기판의 홈 측면은 경사져 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,상기 발광 소자가 실장된 홈 내부에는,상기 발광 소자를 감싸며 형광체가 분산된 수지, 실리콘 젤과 투광성이 우수한 에폭시 중 어느 하나가 더 충진되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전도성 기판은 금속 시트인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전도성 기판은 두께는,100 ~ 1000㎛인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 소자에서 방출된 광의 분포를 제어하기 위하여,상기 발광 소자를 감싸며, 상기 전도성 기판에 렌즈가 더 본딩되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
- 절연성 영역에 의해 전기적으로 분리된 적어도 둘 이상의 영역들을 갖는 전도성 기판을 준비하는 단계와;상기 전도성 기판의 분리된 영역들 중 하나 또는 두 영역에 발광 소자를 실장하는 단계와;상기 전도성 기판의 분리된 영역들과 발광 소자를 전기적으로 연결하는 단계를 포함하여 이루어진 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 전도성 기판을 준비하는 단계는,상기 전도성 기판의 상부에 적어도 둘 이상의 영역으로 분리시키는 홈을 형성하고,상기 홈을 제외하고, 상기 전도성 기판 상부에 산화 억제층을 형성하고,상기 산화 억제층에 의해 노출된 홈 내부면의 전도성 기판을 산화시켜, 상기 전도성 기판을 전기적으로 독립된 적어도 둘 이상의 영역들로 분리시키는 산화막을 형성하고,상기 산화 억제층을 제거하는 공정을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 산화 공정은,전해액(Electrolytes)을 이용한 양극 산화(Anodic oxidation) 방법을 수행하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 전해액에 산화막의 두께 및 강도를 증가시키기 위하여 유황산(Sulfuric acid)를 첨가하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 산화 억제층은,폴리머(Polymer) 계열의 물질 또는 금속 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 전도성 기판은,금속 시트인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 전도성 기판의 분리된 영역들과 발광 소자를 전기적으로 연결하는 것은, 와이어 본딩 공정, 범프 본딩 공정과 이들이 혼합된 공정 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050112953A KR100650263B1 (ko) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050112953A KR100650263B1 (ko) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100650263B1 true KR100650263B1 (ko) | 2006-11-27 |
Family
ID=37713701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050112953A KR100650263B1 (ko) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100650263B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101191363B1 (ko) * | 2010-11-01 | 2012-10-15 | (주)포인트엔지니어링 | 광 소자 디바이스 |
| WO2015041456A1 (ko) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 주식회사 포인트엔지니어링 | 칩 실장용 기판 및 칩 패키지 |
| TWI555237B (zh) * | 2009-11-16 | 2016-10-21 | 波音特工程股份有限公司 | 光學元件裝置及其製作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303999A (ja) | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
| JP2004119981A (ja) | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高パワー発光ダイオードの平面実装構造、及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-11-24 KR KR1020050112953A patent/KR100650263B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003303999A (ja) | 2002-04-05 | 2003-10-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード |
| JP2004119981A (ja) | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Kokuren Koden Kagi Kofun Yugenkoshi | 高パワー発光ダイオードの平面実装構造、及びその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI555237B (zh) * | 2009-11-16 | 2016-10-21 | 波音特工程股份有限公司 | 光學元件裝置及其製作方法 |
| KR101191363B1 (ko) * | 2010-11-01 | 2012-10-15 | (주)포인트엔지니어링 | 광 소자 디바이스 |
| WO2015041456A1 (ko) * | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 주식회사 포인트엔지니어링 | 칩 실장용 기판 및 칩 패키지 |
| CN105580130A (zh) * | 2013-09-17 | 2016-05-11 | 普因特工程有限公司 | 用于安装芯片的衬底和芯片封装 |
| US9673367B2 (en) | 2013-09-17 | 2017-06-06 | Point Engineering Co., Ltd. | Substrate for mounting chip and chip package |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10677417B2 (en) | Package for light emitting device and method for packaging the same | |
| US10177283B2 (en) | LED packages and related methods | |
| US8395178B2 (en) | Light emitting device package and method of fabricating the same | |
| US20180190627A1 (en) | Light emitting device | |
| CN102376855B (zh) | 发光器件和具有发光器件的照明*** | |
| US8492777B2 (en) | Light emitting diode package, lighting device and light emitting diode package substrate | |
| EP2385549B1 (en) | Chip package, package module, and illumination apparatus including chip package module | |
| AU2006254610B2 (en) | Package structure of semiconductor light-emitting device | |
| US9112125B2 (en) | Light emitting device, method of fabricating the same and lighting system having the same | |
| US8384117B2 (en) | Light emitting device package and lighting system including the same | |
| CN102376853A (zh) | 发光器件和具有该发光器件的照明*** | |
| KR100667504B1 (ko) | 발광 소자의 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| CN102044617A (zh) | 发光二极管器件及其制造方法和发光装置 | |
| US20110175511A1 (en) | Light emitting diode and light source module having same | |
| KR100699161B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| JP2007088060A (ja) | 発光装置 | |
| KR100646569B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| US20110194273A1 (en) | Light emitting device, method for manufacturing the same, and backlight unit | |
| KR100650263B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| KR20050090918A (ko) | 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법 | |
| KR100645657B1 (ko) | 플립칩 인쇄회로기판 및 플립칩 인쇄회로기판을 구비한백색 발광 다이오드 모듈 | |
| US20140353701A1 (en) | Light source package and method of manufacturing the same | |
| KR100954858B1 (ko) | 고휘도 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 | |
| KR100609970B1 (ko) | 발광 소자 실장용 기판 및 그의 제조 방법, 그를 이용한패키지 | |
| KR100691124B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121026 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131024 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141024 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151023 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161024 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |