JP2003303999A - 表面実装型発光ダイオード - Google Patents

表面実装型発光ダイオード

Info

Publication number
JP2003303999A
JP2003303999A JP2002104571A JP2002104571A JP2003303999A JP 2003303999 A JP2003303999 A JP 2003303999A JP 2002104571 A JP2002104571 A JP 2002104571A JP 2002104571 A JP2002104571 A JP 2002104571A JP 2003303999 A JP2003303999 A JP 2003303999A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
metal core
emitting diode
light emitting
core substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002104571A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4023723B2 (ja
Inventor
Hiroto Isoda
寛人 磯田
Katsuhiro Sho
功裕 庄
Shinobu Nakamura
忍 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
Kawaguchiko Seimitsu KK
Original Assignee
Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd
Citizen Electronics Co Ltd
Kawaguchiko Seimitsu KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd, Citizen Electronics Co Ltd, Kawaguchiko Seimitsu KK filed Critical Kawaguchiko Seimitsu Co Ltd
Priority to JP2002104571A priority Critical patent/JP4023723B2/ja
Publication of JP2003303999A publication Critical patent/JP2003303999A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4023723B2 publication Critical patent/JP4023723B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 構成部材の熱膨張でＬＥＤ素子に加わる応力
により寿命が劣化する。 【解決手段】 対称形状をした２つのメタルコアを、断
面形状が逆台形の凹部１２になるように電気絶縁性接着
剤１４で固着して略立体形状のメタルコア基板１１を形
成し、一方、絶縁基板に所定の電極パーンを形成したサ
ブマウント基板３に、半田バンプ１６を付けたＬＥＤ素
子１５を実装し、ＬＥＤ素子１５を覆うように封止樹脂
１７で封止したサブマウント２を形成し、メタルコア基
板１１の凹部１２の底面１２ａで接着剤１４を跨ぐよう
にして、サブマウント２を半田５で半田付けする。メタ
ルコア基板の凹部斜面１２には光沢銀メッキ等よりなる
反射膜１３を形成っする。サブマウント基板には熱膨張
係数がＬＥＤ素子とメタルコア基板の中間にあるガラス
セラミック基板若しくはガラエポ基板を用いる。温度に
より発生する応力が緩和され、高信頼性の表面実装型Ｌ
ＥＤが実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型の発光
ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、軽薄短小を追求する電子機器
向けに提供された表面実装型の発光ダイオードの代表的
な従来構造として、例えば、図３に示す発光ダイオード
（ＬＥＤ）が知られている。以下その概要について説明
する。
【０００３】図３において、１０は表面実装型ＬＥＤで
ある。１１は、熱伝導性の高いＭｇ系、Ａｌ系、Ｃｕ系
等のメタルコア材料を、射出成形あるいはプレス成形に
よって、略立方体形状に成形したメタルコア基板であ
る。該メタルコア基板１１は、断面形状が逆台形の凹部
１２になるように成形される。該凹部１２の底面１２ａ
及び斜面１２ｂは、光沢銀メッキ等の反射膜１３が施さ
れている。
【０００４】前記メタルコア基板１１を２分割するよう
にスリット１２ｃが形成されていて、該スリット１２ｃ
内に電気絶縁性の接着剤１４が充填されている。対称形
状をした２つのメタルコアを接着剤１４で一体化した状
態である。前記電気絶縁性の接着剤１４は、一般的なエ
ポキシ系の接着剤の熱膨張係数は４０〜８０ｐｐｍ／°
Ｃ程度であるが、基本的には、例えば、エポキシ系の接
着剤で、熱膨張係数は２０ｐｐｍ／°Ｃ程度の低膨張タ
イプの接着剤が好ましい。
【０００５】前記メタルコア基板１１には、電気絶縁性
の接着剤１４において２分割される一対の電極パターン
が形成されている。そして、発光ダイオード１５（ＬＥ
Ｄ素子）を実装する凹部１２の底面１２ａ、およびメタ
ルコア基板１１の下面１１ａの外部接続端子部には、そ
れぞれ防錆とボンィングとに必要な金メッキ等の表面処
理が施されている。
【０００６】前記メタルコア基板１１の凹部１２の底面
１２ａにおいて、前記電気絶縁性の接着剤１４を跨いで
両電極面に、予めＬＥＤ素子１５に半田バンプ１６を形
成したバンプ付きのＬＥＤ素子１５をフリップチップ実
装して接合されている。そして、前記ＬＥＤ素子１５を
覆うように透明樹脂からなる封止樹脂１７で封止するこ
とにより、表面実装型ＬＥＤ１０が完成される。
【０００７】前記表面実装型ＬＥＤ１０を使用する時に
は、メタルコア基板１１の下面１１ａの外部接続端子部
を、図示しないマザーボードのプリント配線に半田等で
電気的に固定することによって表面実装を実現するもの
である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た表面実装型発光ダイオードは、例えば、−４０°Ｃ×
３０ｍｉｎ→＋１００°Ｃ×３０ｍｉｎの１時間を１０
００サイクルまたはそれ以上行った後に動作保証するヒ
ートサイクルなどの環境試験下で、低膨張タイプの電気
絶縁性の接着剤を使用しても、接着剤、ＬＥＤ素子、メ
タルコア基板などの熱膨張率の差による応力が発生し、
ＬＥＤ素子部の半田のクラック、バンプ剥がれなどの不
良が起こる危険があり、表面実装型発光ダイオードの寿
命が短縮する。
【０００９】本発明は上記従来の課題に鑑みなされたも
のであり、その目的は、放熱性に優れ、熱膨張による発
生応力の少ない、信頼性の高い表面実装型発光ダイオー
ドを提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における表面実装型発光ダイオードは、対称
形状をした２つのメタルコアを、断面形状が逆台形の凹
部になるように絶縁性部材で固着して略立体形状のメタ
ルコア基板を形成し、該メタルコア基板の凹部底面に発
光ダイオード素子を実装し、該発光ダイオード素子を覆
うように封止樹脂で封止してなる表面実装型発光ダイオ
ードにおいて、前記発光ダイオード素子とメタルコア基
板の間にサブマウント基板を介在させたことを特徴とす
るものである。
【００１１】また、前記サブマウント基板は、ガラスエ
ポキシ樹脂などよりなる絶縁基板に所定の電極パターン
を形成した配線基板であることを特徴とするものであ
る。
【００１２】また、前記メタルコア基板の少なくとも凹
部斜面には反射膜が形成されていることを特徴とするも
のである。
【００１３】また、前記電極パターンは、金または銀で
あることを特徴とするものである。
【００１４】また、前記反射膜は、光沢銀メッキである
ことを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明にお
ける表面実装型ＬＥＤについて説明する。図１は、本発
明の第１の実施の形態に係わる表面実装型ＬＥＤの断面
図、図２は、図１のサブマウントの断面図である。
【００１６】図１において、表面実装型ＬＥＤ１の構成
は、サブマウント基板３にＬＥＤ素子１５を実装したサ
ブマウント２をメタルコア基板１１の凹部の半田５で電
気的に固着したものである。前記メタルコア基板１１
は、従来技術で説明したものと同様であり、対称形状を
した２つのメタルコアを、断面形状が逆台形の凹部１２
を形成するように電気絶縁性の接着剤１４で接着して略
略立体形状の形成したものである。前記メタルコア基板
１１には、電気絶縁性の接着剤１４において２分割され
る一対の電極パターンが形成されて、凹部１２の底面１
２ａ、およびメタルコア基板１１の下面１１ａの外部接
続端子部には、それぞれ防錆とボンィングとに必要な金
メッキ等の表面処理が施されている。そして、前記凹部
１２の底面１２ａ及び斜面１２ｂは、光沢銀メッキ等の
反射膜１３が施されている。
【００１７】図２により、前記メタルコア基板の凹部の
底面に搭載するサブマウントについて説明する。図２は
サブマウントの断面図である。図２において、３はガラ
スエポキシ樹脂などよりなる絶縁基板に所定の配線パタ
ーンを形成したサブマウント基板（配線基板）である。
該サブマウント基板３は絶縁基板の両面銅箔部にメッキ
レジストをラミネートし、露光現像して所定の配線パタ
ーンを形成し、さらにその上に金メッキまたは銀メッキ
などの表面処理を施している。前記配線パターンは、一
対の上面電極４ａ、５ａと下面電極４ｃ、５ｃと上下電
極を接続する側面電極４ｂ、５ｂとで構成される。
【００１８】そして、前記サブマウント基板３の上面に
おいて、前記上面電極４ａ、５ａを跨いで両電極面に、
予めＬＥＤ素子１５に半田バンプ１６を形成したバンプ
付きのＬＥＤ素子１５をフリップチップ実装して接合さ
れている。そして、前記ＬＥＤ素子１５を覆うように透
明樹脂からなる封止樹脂１７で封止することにより、サ
ブマウント２が完成される。
【００１９】前記メタルコア基板１１の凹部１２の底面
１２ａにおいて、前記電気絶縁性の接着剤１４を跨いで
両電極面に、上記したサブマウント２を搭載し銀ペース
トによりダイボンドし半田５により半田付けして電気的
に接続する。
【００２０】上記したサブマウント基板３の熱膨張係数
は略１０ｐｐｍ／°Ｃであり、ＬＥＤ素子の熱膨張係数
は略５．３ｐｐｍ／°Ｃと、メタルコア基板の熱膨張係
数は略２０ｐｐｍ／°Ｃの中間にある。
【００２１】上述した構成による表面実装型ＬＥＤの作
用効果について説明する。前述したヒートサイクルなど
の厳しい環境試験下にあっても、サブマウント基板の熱
膨張係数がＬＥＤ素子とメタルコア基板の略中間にある
ので、温度により発生する応力が緩和されるので、ＬＥ
Ｄ素子部の半田のクラック、バンプ剥がれなど致命的な
不良が減少される。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パッケージを構成するメタルコア基板は放熱性に優れ、
ＬＥＤ素子とメタルコア基板との間にサブマウント基板
を介在させた構造にすることにより、放熱性に優れ、熱
膨張による発生応力の少ない、車載用ＬＥＤなどには最
適なものであり、信頼性の高い表面実装型発光ダイオー
ドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係わる表面実装型発光ダ
イオードの断面図である。
【図２】図１のサブマウントの断面図である。
【図３】従来の表面実装型発光ダイオードの断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 表面実装型ＬＥＤ ２ サブマウント ３ サブマウント基板 ４ａ、５ａ 上面電極 ４ｂ、５ｂ 側面電極 ４ｃ、５ｃ 下面電極 ５ 半田 １１ メタルコア基板 １２ 凹部 １２ａ 底面 １２ｂ 斜面 １３ 反射膜 １４ 電気絶縁性の接着剤 １５ ＬＥＤ素子 １６ 半田バンプ １７ 封止樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庄 功裕 山梨県富士吉田市上暮地１丁目23番１号 株式会社シチズン電子内 (72)発明者 中村 忍 山梨県南都留郡河口湖町船津6663番地の２ 河口湖精密株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA33 AA43 AA44 DA09 DA20 DA43 DB09

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対称形状をした２つのメタルコアを、断
    面形状が逆台形の凹部になるように絶縁性部材で固着し
    て略立体形状のメタルコア基板を形成し、該メタルコア
    基板の凹部底面に発光ダイオード素子を実装し、該発光
    ダイオード素子を覆うように封止樹脂で封止してなる表
    面実装型発光ダイオードにおいて、前記発光ダイオード
    素子とメタルコア基板の間にサブマウント基板を介在さ
    せたことを特徴とする表面実装型発光ダイオード。
  2. 【請求項２】 前記サブマウント基板は、ガラスエポキ
    シ樹脂などよりなる絶縁基板に所定の電極タパーンを形
    成した配線基板であることを特徴とする請求項１記載の
    表面実装型発光ダイオード。
  3. 【請求項３】 前記メタルコア基板の少なくとも凹部斜
    面には反射膜が形成されていることを特徴とする請求項
    １記載の表面実装型発光ダイオード。
  4. 【請求項４】 前記電極パターンは、金または銀である
    ことを特徴とする請求項２記載の表面実装型発光ダイオ
    ード。
  5. 【請求項５】 前記反射膜は、光沢銀メッキであること
    を特徴とする請求項３記載の表面実装型発光ダイオー
    ド。
JP2002104571A 2002-04-05 2002-04-05 表面実装型発光ダイオード Expired - Fee Related JP4023723B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002104571A JP4023723B2 (ja) 2002-04-05 2002-04-05 表面実装型発光ダイオード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002104571A JP4023723B2 (ja) 2002-04-05 2002-04-05 表面実装型発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003303999A true JP2003303999A (ja) 2003-10-24
JP4023723B2 JP4023723B2 (ja) 2007-12-19

Family

ID=29389729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002104571A Expired - Fee Related JP4023723B2 (ja) 2002-04-05 2002-04-05 表面実装型発光ダイオード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4023723B2 (ja)

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006004987A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体素子用パッケージとそれを用いた発光装置
JP2006093711A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 半導体発光素子ユニット
WO2006035626A1 (ja) * 2004-09-30 2006-04-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光体ユニット
JP2006165542A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光素子パッケージ
JP2006303397A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR100650263B1 (ko) 2005-11-24 2006-11-27 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
JP2007116127A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
WO2007111355A1 (ja) * 2006-03-28 2007-10-04 Kyocera Corporation 発光装置
EP1900040A1 (en) * 2005-07-04 2008-03-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd Light emitting diode and method of fabricating the same
EP1909336A1 (en) * 2005-06-30 2008-04-09 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device
WO2008056813A1 (fr) 2006-11-08 2008-05-15 C.I.Kasei Company, Limited Dispositif électroluminescent et son procédé de fabrication
JP2008292660A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Fujikura Ltd 光ファイバ、光通信モジュール
JP2009532900A (ja) * 2006-04-04 2009-09-10 クリー インコーポレイテッド 均一放射のｌｅｄのパッケージ
WO2011122848A2 (ko) * 2010-03-31 2011-10-06 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
KR101076978B1 (ko) 2006-05-22 2011-10-26 우시오덴키 가부시키가이샤 자외선 발광소자 패키지
US8088635B2 (en) 2006-10-17 2012-01-03 C.I. Kasei Company, Limited Vertical geometry light emitting diode package aggregate and production method of light emitting device using the same
JP2012089870A (ja) * 2004-10-25 2012-05-10 Cree Inc 固体金属ブロック半導体発光デバイス実装基板ならびにキャビティおよびヒートシンクを含むパッケージ、ならびにそれらをパッケージングする方法
WO2013051869A1 (ko) * 2011-10-05 2013-04-11 주식회사 포인트엔지니어링 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
WO2015041456A1 (ko) * 2013-09-17 2015-03-26 주식회사 포인트엔지니어링 칩 실장용 기판 및 칩 패키지
US9378986B2 (en) * 2013-10-10 2016-06-28 Point Engineering Co., Inc. Method for mounting a chip and chip package
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
CN106159058A (zh) * 2015-04-09 2016-11-23 江西省晶瑞光电有限公司 一种led封装结构及其制作方法
US9640734B2 (en) 2013-12-13 2017-05-02 Nichia Corporation Light emitting device
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
US9812624B2 (en) 2008-01-17 2017-11-07 Nichia Corporation Method for producing conductive material, conductive material obtained by the method, electronic device containing the conductive material, light-emitting device, and method for producing light-emitting device
US9847462B2 (en) 2013-10-29 2017-12-19 Point Engineering Co., Ltd. Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same

Cited By (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4525193B2 (ja) * 2004-06-15 2010-08-18 パナソニック株式会社 光半導体素子用パッケージとそれを用いた発光装置
JP2006004987A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体素子用パッケージとそれを用いた発光装置
JP2006093711A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Shogen Koden Kofun Yugenkoshi 半導体発光素子ユニット
WO2006035626A1 (ja) * 2004-09-30 2006-04-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 発光体ユニット
US8598606B2 (en) 2004-10-25 2013-12-03 Cree, Inc. Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages
JP2012089870A (ja) * 2004-10-25 2012-05-10 Cree Inc 固体金属ブロック半導体発光デバイス実装基板ならびにキャビティおよびヒートシンクを含むパッケージ、ならびにそれらをパッケージングする方法
JP2006165542A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Samsung Electro Mech Co Ltd 発光素子パッケージ
JP2013153195A (ja) * 2004-12-06 2013-08-08 Samsung Electronics Co Ltd 発光素子パッケージ
US8124998B2 (en) 2004-12-06 2012-02-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device package
JP2006303397A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
US8044424B2 (en) 2005-06-30 2011-10-25 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting device
EP1909336A4 (en) * 2005-06-30 2010-08-11 Panasonic Elec Works Co Ltd LIGHT EMITTING DEVICE
EP1909336A1 (en) * 2005-06-30 2008-04-09 Matsushita Electric Works, Ltd. Light emitting device
EP1900040B1 (en) * 2005-07-04 2017-05-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd Light emitting diode and method of fabricating the same
EP1900040A1 (en) * 2005-07-04 2008-03-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd Light emitting diode and method of fabricating the same
JP2008544568A (ja) * 2005-07-04 2008-12-04 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US8809892B2 (en) 2005-07-04 2014-08-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode and method of fabricating the same
JP2007116127A (ja) * 2005-09-20 2007-05-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
KR100650263B1 (ko) 2005-11-24 2006-11-27 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
US8710737B2 (en) 2006-03-28 2014-04-29 Kyocera Corporation Light-emitting device
WO2007111355A1 (ja) * 2006-03-28 2007-10-04 Kyocera Corporation 発光装置
JP5025636B2 (ja) * 2006-03-28 2012-09-12 京セラ株式会社 発光装置
JP2009532900A (ja) * 2006-04-04 2009-09-10 クリー インコーポレイテッド 均一放射のｌｅｄのパッケージ
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
KR101076978B1 (ko) 2006-05-22 2011-10-26 우시오덴키 가부시키가이샤 자외선 발광소자 패키지
US8088635B2 (en) 2006-10-17 2012-01-03 C.I. Kasei Company, Limited Vertical geometry light emitting diode package aggregate and production method of light emitting device using the same
US7999277B2 (en) 2006-11-08 2011-08-16 C. I. Kasei Company, Limited Light emitting device and production method of same
WO2008056813A1 (fr) 2006-11-08 2008-05-15 C.I.Kasei Company, Limited Dispositif électroluminescent et son procédé de fabrication
JP2008292660A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Fujikura Ltd 光ファイバ、光通信モジュール
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US11652197B2 (en) 2008-01-17 2023-05-16 Nichia Corporation Method for producing an electronic device
US10950770B2 (en) 2008-01-17 2021-03-16 Nichia Corporation Method for producing an electronic device
US10573795B2 (en) 2008-01-17 2020-02-25 Nichia Corporation Method for producing conductive material, conductive material obtained by the method, electronic device containing the conductive material, light-emitting device, and method for producing light-emitting device
US9812624B2 (en) 2008-01-17 2017-11-07 Nichia Corporation Method for producing conductive material, conductive material obtained by the method, electronic device containing the conductive material, light-emitting device, and method for producing light-emitting device
KR101121745B1 (ko) 2010-03-31 2012-03-22 (주)포인트엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
WO2011122848A3 (ko) * 2010-03-31 2012-01-12 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
WO2011122848A2 (ko) * 2010-03-31 2011-10-06 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
WO2013051869A1 (ko) * 2011-10-05 2013-04-11 주식회사 포인트엔지니어링 캔 패키지 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스
US9281452B2 (en) 2011-10-05 2016-03-08 Point Engineering Co., Ltd. Method for manufacturing a can package-type optical device, and optical device manufactured thereby
KR101284796B1 (ko) 2011-10-05 2013-07-10 (주)포인트엔지니어링 캔 패지키 타입의 광 디바이스 제조 방법 및 이에 의해 제조된 광 디바이스
CN103875084A (zh) * 2011-10-05 2014-06-18 普因特工程有限公司 制造外壳封装型光学设备的方法和利用该方法制造的光学设备
US10062812B2 (en) 2011-10-05 2018-08-28 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for can package-type optical device and optical device using same
CN103875084B (zh) * 2011-10-05 2018-11-13 普因特工程有限公司 制造外壳封装型光学设备的方法和利用该方法制造的光学设备
US9673367B2 (en) 2013-09-17 2017-06-06 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting chip and chip package
CN105580130A (zh) * 2013-09-17 2016-05-11 普因特工程有限公司 用于安装芯片的衬底和芯片封装
WO2015041456A1 (ko) * 2013-09-17 2015-03-26 주식회사 포인트엔지니어링 칩 실장용 기판 및 칩 패키지
US9378986B2 (en) * 2013-10-10 2016-06-28 Point Engineering Co., Inc. Method for mounting a chip and chip package
US9847462B2 (en) 2013-10-29 2017-12-19 Point Engineering Co., Ltd. Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same
US10270011B2 (en) 2013-12-13 2019-04-23 Nichia Corporation Light emitting device
US9640734B2 (en) 2013-12-13 2017-05-02 Nichia Corporation Light emitting device
CN106159058A (zh) * 2015-04-09 2016-11-23 江西省晶瑞光电有限公司 一种led封装结构及其制作方法
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP4023723B2 (ja) 2007-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003303999A (ja) 表面実装型発光ダイオード
US11411152B2 (en) Packaging photon building blocks with top side connections and interconnect structure
JP4085917B2 (ja) 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール
US6562643B2 (en) Packaging types of light-emitting diode
JP2003218398A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JPH1187780A (ja) 発光装置
JP2003163378A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
US7791083B2 (en) Light-emitting diode
US7554039B2 (en) Electronic device
JP4010424B2 (ja) 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法
KR100602847B1 (ko) 방열판이 장착된 인쇄회로기판과 이 회로기판을 이용한발광다이오드 패캐지 및 그 제조방법
JPH1050734A (ja) チップ型半導体
JP4255015B2 (ja) 光半導体パッケージ
JP4908669B2 (ja) チップ型発光素子
KR20060068371A (ko) 고출력 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2006269485A (ja) 発光素子実装用配線基板
KR20120031681A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP7283938B2 (ja) 半導体発光装置
TW550717B (en) Improvement of flip-chip package
JP2007242908A (ja) 電子部品収納用セラミックパッケージ
JP2000106410A (ja) 半導体装置
JP2000036621A (ja) 側面型電子部品の電極構造
JPH05211256A (ja) 半導体装置
KR20120119396A (ko) 발광소자 모듈 및 그의 제조방법
KR20040031882A (ko) 표면장착 ｌｅｄ의 패키지 구조와 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20041202

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041203

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20041203

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070709

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070724

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070903

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070928

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070928

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4023723

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees