KR100620967B1 - 누설전류 발생이 감소된 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
누설전류 발생이 감소된 쇼트키 다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (10)
- n형 반도체;상기 n형 반도체 상부의 제1 영역에 형성되는 애노드; 및상기 n형 반도체 상부의 제2 영역에 형성되며, 상기 애노드의 외곽을 소정 거리만큼 이격하여 둘러싸는 패턴으로 형성되는 캐소드;를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드.
- 제 1항에 있어서,상기 애노드의 패턴은 타원형이고,상기 캐소드의 패턴은 타원링형인 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드.
- 제 1항에 있어서,상기 애노드의 외곽과 상기 캐소드의 내곽은, 닮은꼴인 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드.
- 제 3항에 있어서,상기 애노드의 외곽곡률과 상기 캐소드의 내곽곡률은 동일한 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드.
- 제 1항에 있어서,상기 애노드 및 상기 캐소드의 상부에 형성되는 절연체;상기 절연체 및 상기 절연체의 상부에 형성되고, 상기 애노드에 연결되는 애노드 전극; 및상기 절연체 및 상기 절연체의 상부에 형성되고, 상기 캐소드에 연결되는 캐소드 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드.
- n형 반도체 상부의 제1 영역에 애노드를 형성하는 단계; 및상기 n형 반도체 상부의 제2 영역에, 상기 애노드의 외곽을 소정 거리만큼 이격하여 둘러싸는 패턴으로 캐소드를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 애노드의 패턴은 타원형이고,상기 캐소드의 패턴은 타원링형인 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 애노드의 외곽과 상기 캐소드의 내곽은, 닮은꼴인 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조방법.
- 제 8항에 있어서,상기 애노드의 외곽곡률과 상기 캐소드의 내곽곡률은 동일한 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조방법.
- 제 6항에 있어서,상기 애노드 및 상기 캐소드의 상부에 절연체를 형성하는 단계;상기 절연체 및 상기 절연체의 상부에, 상기 애노드와 연결되는 애노드 전극을 형성하는 단계; 및상기 절연체 및 상기 절연체의 상부에, 상기 캐소드와 연결되는 캐소드 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드의 제조방법.
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