KR100542701B1 - 낸드 플래시 메모리 소자의 문턱전압 측정 방법 - Google Patents
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- 다수의 셀이 직렬 접속된 다수의 셀 스트링과, 셀 스트링의 공통 드레인 단자와, 셀 스트링의 공통 소스 단자와, 셀 각각을 선택하기 위한 워드라인과, 셀이 형성된 반도체 기판의 웰을 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자의 문턱전압 측정방법에 있어서,상기 웰과 상기 공통 소스 단자에 동작전압을 인가하고, 선택된 셀의 상기 워드라인에는 문턱전압측정을 위한 측정전압을 인가하고, 선택되지 않은 상기 워드라인에는 패스전압에 상기 동작전압을 합한 전압을 인가하고, 상기 공통 드레인 단자에는 프리차지 전압에 상기 동작전압을 합한 전압을 인가한 다음, 상기 공통 드레인 단자의 전압 변화가 발생하면, 그 순간 인가된 상기 워드라인에 인가된 상기 측정전압에서 상기 웰과 상기 공통 소스 단자에 인가된 상기 동작전압을 뺀 값을 셀의 문턱전압으로 측정하며,상기 공통 드레인 단자의 전압이 변화하지 않으면, 상기 측정전압을 이전에 측정했던 값보다 좀더 높은 전압으로 인가하여, 상기 공통 드레인 단자의 전압이 변화하면, 그 순간 인가된 상기 측정전압에서 상기 동작전압을 뺀 값을 셀의 문턱전압으로 측정하는 낸드 플래시 메모리 소자의 문턱전압 측정 방법.
- 다수의 셀이 직렬 접속된 다수의 셀 스트링과, 상기 셀 스트링을 선택하기 위해 상기 셀 스트링의 공통 드레인 단자에 접속된 다수의 비트라인과, 상기 셀 스트링의 공통 소스 단자에 접속된 공통 소스라인과, 상기 비트라인과 교차하며 상기 셀 각각을 선택하기 위한 다수의 워드라인과, 상기 셀이 형성된 반도체 기판의 웰을 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자의 문턱전압 측정 방법에 있어서,상기 웰에 동작 전압을 인가하는 단계;상기 비트라인에 프리 차지 전압과 상기 동작전압을 합한 전압을 인가하고, 선택된 워드라인에 측정전압을 인가하고, 선택되지 않은 워드라인에는 패스전압과 상기 동작전압을 합한 전압을 인가하고, 상기 공통소스라인에는 상기 동작전압을 인가하는 단계; 및독출동작을 통해 상기 비트라인의 전압 변화를 판단하여, 상기 비트라인 전압이 강하하면 상기 측정전압을 소정레벨 상승시키거나, 상기 비트라인 전압의 변화가 없으면 상기 측정전압에서 상기 동작전압을 뺀 값을 선택된 셀의 문턱전압으로 인식하는 단계를 포함하는 낸드 플래시 메모리 소자의 문턱전압 측정 방법.
- 제 1항 또는 제 2 항에 있어서,상기 측정전압은 0 내지 10V의 전압을 사용하고, 상기 동작전압은 3 내지 4V의 전압을 사용하며, 상기 패스전압은 4 내지 6V의 전압을 사용하며, 상기 프리차지 전압은 1 내지 2V의 전압을 사용하는 낸드 플래시 메모리 소자의 문턱전압 측정 방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 비트라인을 초기화 하기 위한 버추얼 파워 입력단을 통해 상기 비트라인에 상기 프리차지 전압과 상기 동작전압을 합한 전압을 인가하는 낸드 플래시 메모리 소자의 문턱 전압 측정 방법.
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