KR100502966B1 - 자기 검출장치 - Google Patents

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KR100502966B1
KR100502966B1 KR10-2001-0059934A KR20010059934A KR100502966B1 KR 100502966 B1 KR100502966 B1 KR 100502966B1 KR 20010059934 A KR20010059934 A KR 20010059934A KR 100502966 B1 KR100502966 B1 KR 100502966B1
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나다타쿠지
후카미타쓰야
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미쓰비시덴키 가부시키가이샤
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Abstract

자전변환소자(magnetoelectic conversiol element)의 위치변위가 생겨도 양호한 피검출부의 위치검출성능을 확보할 수 있는 자기검출장치를 얻는다.
회전체(11)의 티스부(12a), 홈부(12b)에 대향하여 배치된 자기저항소자(15)와, 착자방향이 회전체(11)와 대향방향에 수직으로 향해진 자석(14)와, 티스부 (12a)홈부(12b)에 대향한 대향방향에 간격을 두어서 형성된 제1의 돌극부(21a), 제2의 돌극부(21b)를 갖는 자성체 가이드(21)를 구비하고, 자기저항소자(14)가 상기 대향방향에 대하여 수식방향에서 보아서 제 1의 돌극부(21a)와 제2의 돌극부(21b)와의 사이에 배치되어 있다.

Description

자기검출장치{MAGNETIC DETECTION APPARATUS}
본 발명은 자계강도를 검출하여 자성이동체의 위치를 검출하는 자기검출장치에 관한 것이다.
자기검출장치로서 예컨대 자전변환소자인 자기저항소자의 각단에 전극을 형성하여 브리지를 구성하고, 이 브리지의 대향하는 2개의 전극간에 정전압, 정전류의 전원을 접속하며, 자기저항소자의 저항치변화를 전압변화로 변환하여, 이 자기저항소자에 작용하고 있는 자계변화를 검출하여 자성이동체의 위치를 검출하는 것이 알려져 있다.
도 16은 상기 자기검출장치의 전기회로도이다.
이 자기검출장치에서는 자기저항소자(1)및 고정저항(2)으로 구성된 브리지회로에 정전압을 인가하고, 자계의 변화에 의한 자기저항소자(1)의 저항치변화를 전압변화로 변환한다.
전압변화된 신호는 증폭회로(3)에서 증폭되고, 비교회로(4)에 입력된다.
비교회로(4)에 의해 소정의 전압과 비교된 신호는 출력회로(5)에 의해 "0"또는 "1"의 최종출력으로 변환되고, 이 출력은 출력단자(6)에서 출력된다.
도 17은 종래의 자기검출장치를 표시하는 구성도이고, 도 17(a)는 그 사시도, 도 17(b)는 도 17(a)의 부분평면도이다.
이 자기검출장치는, 자성이동체인 회전체(11)의 피검출부인 티스부(teeth)부(12a)및 홈부(12b)에 대향하여 배치되어 있다.
자기검출장치는, 자전변환소자이고 자계의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 자기저항소자(15)와, 착자방향이 회전체(11)로 향해진 자석(14)과, 자기저항소자(15)의 저항치변화가 전압변화된 신호를 증폭하는 증폭회로(3), 비교회로(4)를 내장한 처리회로부(16)를 구비하고 있다.
상기 구성의 자기검출장치에서는 회전축(10)이 회전함으로써 회전체(11)도 동기하여 회전하고, 자기저항소자(15)에 인가되는 자석(14)으로부터의 자계가 변화된다.
그 결과, 도 18에 표시한바와같이, 회전체(11)의 티스부(12a)가 자기저항소자(15)에 대향한때와, 홈부(12)가 대향한때에서는, 자기저항소자(15)의 저항치가 변화되고, 또 증폭회로(3)로부터의 출력도 변화된다.
그리고 최종적으로는 처리회로부(16)의 출력단자(6)로부터는, 증폭회로출력이 파형정형되고, 회전체(11)의 티스부(12a)및 홈부(12b)에 대응하여 "1" 또는 "0"의 최종출력신호가 얻어진다.
도 19는 티스부(12a)및 홈부(12b)에 대하여 자기저항소자(15)가 회전체(11)의 직경방향(회전체 대향방향, 화살표 B방향)으로 떨어져서 변위가 생긴 경우 및 회전체 원주방향(화살표 A방향)에 변위가 생긴 경우의 자기저항소자(15)에 인가되는 자석(14)으로부터의 바이어스 자계의 변동을 표시한다.
그리고, 도 19(c)에 표시하는바와같이, 회전체 대향방향인 화살표 B방향으로 자기저항소자(15)가 위치변위를 발생한때의 쪽이, 회전체 원주방향인 화살표 A방향으로 자기저항소자(15)가 위치변위를 발생한 때보다도 바이어스 자계의 변동이 크다는 것을 안다.
그리고, 예컨데 피검출체인 티스부(12a)및 홈부(12b)에 대하여 자기저항소자(15)가 화살표 B방향으로 변위를 발생한 경우, 자기저항소자(15), 증폭회로(3)의 출력 및 출력단자(6)로부터의 최종출력의 각각의 동작파형이 도 20에 표시되어 있다.
이 도면에서, 실선은 정상위치에 자기저항소자(15)가 있을때의 동작파형도, 점선은 정상위치에서 변위가 발생한때의 동작파형도, 2점쇄선은 비교전압을 표시하고 있다.
이 도면에서, 알수 있는바와같이, 자기저항소자(15)가 정상위치에서 변위를 발생한 경우, 티스부(12a)및 홈부(12b)의 위치검출의 타이밍이 T1 만큼 변위되어버리고, 자기저항소자(15)의 위치변위에 의해 티스부(12a)및 홈부(12b)의 위치를 정확하게 검출할 수 없다는 문제점이 있었다.
본 발명은, 이와같은 문제점을 해결하는 것을 과제로 하는 것으로 자전변환소자의 위치변위가 발생되어도 양호한 피검출부의 위치검출성능을 확보할 수 있는 자기검출장치를 얻는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 자기검출장치는, 자성이동체의 피검출부에 대향하여 배치된 자전변환소자와, 착자방향이 상기 자성이동체와 대향방향에 수직으로 향해진 자석과, 상기 피검출부에 대향한 대향방향에 간격을 두어서 형성된 적어도 2개의 돌극부를 갖는 자성체 가이드를 구비하고, 적어도 하나의 상기 자전변환소자가 상기 대향방향에 대하여 수직방향에서 보아서 상기 돌극부 사이에 배치되어 있다.
본 발명에 관한 자기검출장치에서는, 자전변환소자가 자성이동체의 대향방향에 대하여 수직방향에서 보아 상기 돌극부 사이를 기준으로 할 때, 상기 자성이동체측에 배치되어 있거나, 또는 상기 자성이동체의 반대측에 배치되어 있다.
본 발명에 관한 자기검출장치에서는, 자성체가이드는 복수의 돌극부 사이에 형성되고 각각의 인접하는 돌극부 사이에 자전변환소자가 배치되어 있다.
본 발명에 관한 자기검출장치에서는 자석의 대향방향의 길이치수가 자성체가이드의 돌극부 사이의 간격치수보다 크다.
본 발명에 관한 자기검출장치에서는 자성체가이드의 돌극부의 대향방향에 대한 수직방향의 폭치수가 자석의 대향방향에 대한 수직방향의 폭치수와 거의 같다.
본 발명에 관한 자기검출장치에서는, 자전변환소자는 자기저항소자이다.
본 발명에 관한 자기검출장치에서는, 자전변환소자는 거대자기저항소자이다.
(발명의 실시의 형태)
이하, 본 발명의 각 실시의 형태에 대하여 설명하나, 종래의 것과 동일 또는 상당부재, 부위에 대하여는 동일부호를 붙여서 설명한다.
실시의 형태 1
도 1은 실시의 형태 1의 자기검출장치의 구성도이고 도1(a)는 그 사면도, 도 1(b)는 그 상면도, 도 1(c)는 그 측면도이다.
이 자기검출장치는, 자성이동체인 회전체(11)의 피검출부인 티스부(12a)및 홈부(12b)에 대향하여 배치되어 있다.
자기검출장치는, 자전변환소자이고 자계의 변화에 따라서 저항치가 변화하는 자기저항소자(15)와, 착자방향이 회전체(11)와 대향방향에 대하여 수직으로 향해진 자석(14)과, 티스부(12a)및 홈부(12b)에 대향한 대향방향에 간격을 두어서 형성된 제1의 돌극부(21a)및 제2의 돌극부(21b)를 갖는 철제의 자성체가이드(21)와, 자기저항소자(15)의 저항치변화로부터 전압변화된 신호를 증폭하는 증폭회로(3), 비교회로(4)및 출력회로(5)를 내장한 처리회로부(16)를 구비하고 있다.
상기 자기저항소자(15)는, 회전체 대향방향 A에 대하여 수직방향인 회전축(10)에 따라서 본 경우에 제1의 돌극부(21a)와 제2의 돌극부(21b)와의 사이에 배치되어 있다.
도 2는 자기저항소자(15)를 회전체(11)에 대하여 직경방향으로 자석(14)의 선단면으로부터 L의 위치에 배치시키고, 회전체(11)의 티스부(12a)의 대향시, 홈부(12b)의 대향시에 자기저항소자(15)에 인가되는 자계 및 자기저항소자(15)의 저항치를 표시한 도면이다.
이 도2에서 아는바와같이 L1~L2 의 범위내에서 자기저항소자(15)에 인가되는 바이어스자계의 변화 및 저항치의 변화가 거의 없는 위치가 존재한다.
이 위치에 자기저항소자(15)를 배치한 경우에는, 검출본체(20)가 회전체(11)의 직경방향에서의 위치에 다소 변위가 생긴 때에도 위치검출성능에 거의 영향을 주는 일은 없다.
이 L1~L2 의 범위는, 제1의 돌극부(21a)와 제2의 돌극부(21b)와의 범위이다.
이것은 제1의 돌극부(21a)및 제2의 돌극부(21b)는 자속이 집중화되기 쉽고 그만큼 제1의 돌극부(21a)와 제2의 돌극부(21b) 사이에서는 자계의 균일화가 도모되기 때문이라고 생각된다.
그리고 이 실시의 형태1에서는 이 범위 L1~L2 에 자기저항소자(15)가 배치되어 있으므로 자기저항소자(15)가 회전체 대향방향에 위치변위를 발생하여도 양호한 티스부(12a), 홈부(12b)의 위치검출성능을 확보할 수 있다.
실시의 형태 2
도 3은 본 발명의 실시의 형태 2의 자기검출장치의 구성도이고 도 3(a)는 그 사면도, 도3(b)는 그 상면도, 도 3(c)는 그 측면도, 도 4는 그 전기회로도이다.
이 실시의 형태2에서는 제1의 자기저항소자(22)를 자성체가이드(21)의 제1의 돌극부(21a)와 제2의 돌극부(21b)와의 사이에 설치하고, 제2의 자기저항소자(23)를 반회전체(11)측의 제2의 돌극부(21b)의 직경방향 외측에 설치한 것이다.
도 5는 종래예에서 주위온도가 상온시 및 고온시에서의 동작파형을 표시한다.
이 도면에서, 실선은 상온시의 자기저항소자(1)의 동작파형도, 점선은 고온시의 자기저항소자(1)의 동작파형도, 2점쇄선은 비교전압을 표시하고 있다.
도면과 같이 자기저항소자(1)의 저항치의 온도변화에 의해 동작파형이 시프되어 있다.
이것은, 자기저항소자(1)와 브리지를 구성하는 고정저항(2)의 온도계수의 차에 의해 발생하는 것이다.
이 결과, 티스부(12a)및 홈부(12b)의 위치검출의 타이밍이 T2 만큼 시프트되어 버리고, 자기저항소자(1)의 온도변화에 의해 티스부(12a) 및 홈부(12b)의 검출위치가 크게 시프트되게 된다.
이에 대하여, 이 실시의 형태2에서는, 도 4에 표시하는 바와 같이, 제1의 자기저항소자(22)와 제2의 자기저항소자(23)로 브리지를 구성함으로써, 자기저항소자의 온도계수의 특성을 상쇄할 수 있고, 또 도 7에 표시하는 바와 같이 증폭회로 출력의 진폭을 크게 할 수 있으며 검출정밀도를 향상시킬 수 있다.
또 도 6에 표시하는 바와 같이, 제1의 자기저항소자(22)를 바이어스자계의 변화 및 저항치의 변화가 거의 없는 위치 L3 에 배치함으로써, 제1의 자기저항소자 (22)가 회전체 대향방향에 위치변위를 발생하여도 양호한 티스부(12a), 홈부(12b)의 위치검출성능을 확보할 수 있다.
실시의 형태 3
도 8은 본 발명의 실시의 형태 3의 자기검출장치의 구성도 및 제1및 제2의 자기저항소자(24),(25)에 인가되는 자계 및 제1및 제2의 자기저항소자(24),(25)의 저항치를 표시한 도면이다.
이 실시의 형태에서는, 자성체가이드(100)는 3개의 돌극부(100a), (100b), (100c)를 가지고 있으며, 이 돌극부(100a),(100b),(100c) 사이에 자기저항소자(24) ,(25)가 각각 배치되어 있다.
또, 제1의 자기저항소자(24)와 제2의 자기저항소자(25)로 브리지를 구성하고 있다.
이 실시의 형태에서는 실시의 형태 2와 같이, 자기저항소자의 온도계수의 특성을 상쇄할 수 있는 동시에, 증폭회로출력의 진폭을 크게 할 수 있고 검출정밀도를 향상시킬수 있다.
또, 제2의 자기저항소자(25)도 바이어스 자계의 변화 및 저항치의 변화가 거의 없는 위치 L4 에 배치되어 있으므로, 실시의 형태2와 비교하여 제1의 자기저항소자(24), 제2의 자기버항소자(25)가 회전체 대향방향으로 위치변위를 발생하여도 보다 양호하게 티스부(12a), 홈부(12b)의 위치검출성능을 확보할 수 있다.
실시의 형태 4
도 9(a)는 본 발명의 실시의 형태 4의 자기검출장치의 구성도, 도 9(b)내지 도 9(d)는 자성체가이드(21)의 한쌍의 돌극부(21a),(21b)간의 피치 N에 대하여 자석(14)의 회전체(11)의 대향방향의 길이(M)를 변화한 때의 자기저항소자(15)에 인가되는 바이어스자계를 표시하는 도면이다.
이 실시의 형태에서는, 이 도 9(b)에서 알수 있는 바와 같이, 자석(14)의 대향방향길이(M)를 한쌍의 돌극부(21a),(21b)간의 피치(N)이상으로 함으로써, 회전체 (11)의 직경방향위치변위에 의한 자기저항소자(15)로의 바이어스 자계의 변동이 작다.
또, 티스부(12a)와 홈부(12b) 사이에 큰 인가자계의 차를 얻을 수 있다.
이때문에, 자기저항소자(15)가 회전체 대향방향에 위치변위를 발생하여도 보다 양호하게 티스부(12a), 홈부(12b)의 위치검출성능을 확보할 수 있는 동시에 위치검출정밀도가 향상된다.
실시의 형태 5
도 10은 본 발명의 실시의 형태 5의 자기검출장치의 구성도이고, 도 10(a)는 그 평면도, 도 10(b)는 그 측면도이다.
도 11은 자석(14)의 폭(P)에 대하여 자성체가이드(21)의 한쌍의 돌극부 (21a),(21b)의 폭(Q)을 변화한 때의 자기저항소자(15)에 인가되는 바이어스 자계를 표시하는 도면이다.
이 실시의 형태에서는, 도 11에서 알 수 있는 바와 같이, 자성체가이드(21)의 한쌍의 돌극부(21a),(21b)의 폭(Q)을 자석(14)의 폭(P)와 동일하게 함으로써, 검출본체(60)의 회전체(11)의 원주방향 위치변위에 의한 자기저항소자(15)로의 바이어스 자계변동을 보다 억제할 수 있다.
실시의 형태 6
이 실시의 형태 6에서는, 자기검출소자로서 거대자기저항소자(이하, GMR이라 한다)를 사용하는 것이다.
GMR소자는, 수옹스트롬(angstrom)에서 수십 옹스트롬의 두께의 자성층과 비자성층을 교대로 적층시킨 적층체, 소위 「인공격자막」이고 (Fe/cr)n, (퍼멀로이(permalloy)/CU/CO/Cu)n, (co/cu)n (n는 적층수)가 알려져 있다.
이것은 종래의 자기저항소자(이하 MR소자라 한다)와 비교하여 현격하게 큰 MR효과(MR변화율)를 갖는 동시에 인접한 자성층의 자화의 방향의 상대각도에만 의존하므로, 외부자계의 향이 전류에 대하여 어떤 각도차를 가지고 있어도 같은 저항치변화가 얻어지는 면내감자(magnetrosensitive)의 소자이다.
단 자기저항패턴의 폭을 좁게함으로써 이방성(anisotropy)을 가질 수 있는 소자이기도 하다.
또, 이 GMR소자는, 인가자계의 변화에 의한 저항치변화에 히스테리시스가 존재하는 동시에, 온도특성, 특히 온도계수가 크다는 특징을 구비한 소자이다.
또한, 도 12에서는 GMR소자의 MR루프특성을 표시하고 있다.
이와같이, 자전변환소자로서 GMR소자를 사용함으로써, SN비를 향상할 수 있고 노이즈내량을 상승시킬수 있다.
실시의 형태 7
도 13은 본 발명의 실시의 형태 7의 자기검출장치의 구성도이고, 도 13(a)는 그 평면도, 도 13(b)는 그 측면도이다.
또 도 14는 도 13의 자기검출장치의 전기회로도이다.
이 실시의 형태에서는, 자성체가이드(100)는 3개의 돌극부 (100a),(100b), (100c)를 가지고 있으며, 제1의 돌극부(100a)와 제2의 돌극부(100b) 사이에 제1의 자기저항소자 (26)및 제2의 자기저항소자(27)가 배치되고, 제2의 돌극부 (100b)와 제3의 돌극부(100c) 사이에 제3의 자기저항소자(28)및 제4의 자기저항소자(29)가 배치되어 있다.
도 15는 이 실시의 형태의 자기검출장치의 동작파형을 표시하는 도면이고, 제1의 자기저항소자(26)와 제3의 자기저항소자(28) 사이의 중간점 F의 전압변동에 대하여, 제2의 자기저항소자(27)와 제4의 자기저항소자(29) 사이의 중간점 G의 전압변동이 반전하기 때문에, 실시의 형태 3의 경우와 비교하여 증폭회로출력이 2배가 되고, 위치검출정밀도가 향상되는 것을 알수 있다.
또한, 상기 각 실시의 형태에서는, 자성이동체로서 회전체로 설명하였으나, 물론 이 형태에는 한정되지 않는다.
또 돌극부 사이의 공간이 2개까지밖에 설명되어 있지 않으나, 3개 이상 있는 경우라도 좋다.
또 자기저항소자의 수가 4개 이상이라도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 관한 자기검출장치에 의하면, 자성이동체의 피검출부에 대향하여 배치된 자전변환소자와, 착자방향이 상기 자성이동체와 대향방향에 수직으로 향해진 자석과, 상기 피검출부에 대향한 대향방향에 간격을 두어서 형성된 적어도 2개의 돌극부를 갖는 자성체가이드를 구비하고, 적어도 하나의 상기 자전변환소자가 상기 대향방향에 대하여 수직방향에서 보아서 상기 돌극부 사이에 배치되어 있으므로 자전변환소자는 인가되는 바이어스 자계의 변화가 거의 없는 위치에 있고, 자전변환소자가 자성이동체의 대향방향에 위치변위가 발생된 때에도 위치검출성능에 거의 영향을 받지 않으며, 위치변위가 발생되어도 양호한 피검출부의 위치검출성능을 확보할 수 있다.
또, 본 발명에 관한 자기검출장치에 의하면, 자전변환소자가 대향방향에 대하여 수직방향에서 보아서 상기 돌극부 사이으로부터 자성이동체측 또는 반자성이동체측에 배치되어 있으므로, 온도변화에 대한 자기저항소자의 온도계수의 변화특성을 상쇄할 수 있고, 온도변동하에서도 양호한 피검출부의 위치검출성능을 확보할 수 있다.
또, 본 발명에 관한 자기검출장치에 의하면, 복수의 돌극부 사이에 형성되고, 각각의 돌극부 사이에 자전변환소자가 배치되어 있으므로 온도변동하에서도 양호한 피검출부의 위치검출성능을 확보할 수 있는 동시에, 증폭회로출력의 진폭을 크게 할 수 있고, 검출정밀도를 향상시킬 수 있으며, 또 자전변환소자가 자성이동체의 대향방향에 위치변위가 발생되어도 보다 양호한 피검출부의 위치검출성능을 확보할 수 있다.
또 본 발명에 관한 자기검출장치에 의하면, 자석의 대향방향의 길이치수가 자성체가이드의 돌극부 사이의 간격치수보다도 크므로, 자전변환소자가 자성이동체의 대향방향에 위치변위를 발생하여도, 보다 양호하게 피검출부의 위치검출성능을 확보할 수 있는 동시에 위치검출정밀도가 향상된다.
또, 본 발명에 관한 자기검출장치에 의하면, 자성체가이드의 돌극부의 대향방향에 대한 수직방향의 폭치수가 자석의 대향방향에 대한 수직방향의 폭치수와 거의 같으므로 자전변환소자가 자성이동체의 원주방향에 위치변위를 발생하여도 보다 양호하게 피검출부의 위치검출성능을 확보할 수 있다.
또, 본 발명에 관한 자기검출장치에 의하면, 자전변환소자는 자기저항소자이므로, 저코스트로 자기검출장치를 제조할 수 있다.
또, 본 발명에 관한 자기검출장치에 의하면, 자전변환소자는 거대자기저항소자이므로 SN비를 향상할 수 있고 노이즈내량을 상승시킬 수 있다.
도 1, 실시의 형태1의 자기검출장치의 구성도이고, 도 1(a)는 그 사면도, 도 1(b)는 그 상면도, 도 1(c)는 그 측면도,
도 2, 도 2(a)는 도 1의 자기검출장치의 구성도, 도 2(b)는 자계의 특성도, 도 2(c)는 자기저항소자의 저항특성도,
도 3, 도 3(a)는 실시의 형태 2의 자기검출장치의 사면도,
도 3(b)는 그 상면도, 도 3(c)는 그 측면도,
도 4는 도 3의 자기검출장치의 전기회로도.
도 5는 종래예에서의 주위온도가 상온시 및 고온시에서의 자기저항소자의 동작파형도,
도 6, 도 6(a)는 도 3의 자기검출장치의 구성도, 도 6(b)는 자계의 특성도, 도 6(c)는 자기저항소자의 저항특성도,
도 7은 실시의 형태 2의 자기검출장치의 동작파형도,
도 8, 도8(a)는 실시의 형태 3의 자기검출장치의 구성도, 도 8(b)는 자계의 특성도, 도 8(c)는 자기저항소자의 저항특성도,
도 9, 도9(a)는 실시의 형태 4의 자기검출장치의 구성도, 도 9(b)내지 도 9(d)는 자계의 특성도,
도 10은 본 발명의 실시의 형태 5의 자기검출장치의 구성도이고 도 10(a)는 그 평면도, 도 10(b)는 그 측면도,
도 11은 도 10의 자기검출장치의 위치변위와 자계위치 관계를 표시하는 도면,
도 12는 GMR소자의 MR루트특성도,
도 13은 본 발명의 실시의 형태 6의 자기검출장치의 구성도이고 도 13(a)는 그 평면도, 도 13(b)는 그 측면도,
도 14는 도 13의 자기검출장치의 전기회로도,
도 15는 실시의 형태 6의 자기검출장치의 동작파형도,
도 16은 종래의 자기검출장치의 전기회로도,
도 17은 도 16의 자기검출장치를 표시하는 구성도이고, 도 17(a)는 그 사시도, 도 17(b)는 도 17(a)의 부분 평면도,
도 18은 도 16의 자기검출장치의 동작파형도,
도 19, 도 19(a)는 도 16의 자기검출장치의 사시도, 도 19(b)는 도 19(a)의 자기검출장치의 부분평면도, 도 19(c)는 도 19(a)의 자기검출장치의 위치변위와 자계와의 관계를 표시하는 도면,도 20은 도 19의 자기검출장치의 동작파형도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
11. 회전체(자성이동체), 12a. 티스부(피검출부),
12b. 홈부(피검출부), 15. 자기저항소자(자전변환소자),
14. 자석, 21a,100a. 제1의 돌극부,
21b,100b. 제2의 돌극부, 100c. 제3의 돌극부,
21,100. 자성체가이드, 22,24,26. 제1의 자기저항소자,
23,25,27. 제2의 자기저항소자,
28. 제3의 자기저항소자, 29. 제4의 자기저항소자.

Claims (3)

  1. 자성이동체의 피검출부에 대향하여 배치된 자전변환소자와,
    착자방향이 상기 자성이동체와 대향방향에 수직으로 향해진 자석과,
    상기 피검출부에 대향한 대향방향에 간격을 두고 형성된 적어도 2개의 돌극부를 갖는 자성체가이드
    를 구비하며,
    하나 이상의 상기 자전변환소자가 상기 대향방향에 대하여 수직방향에서 보아서 상기 돌극부 사이에 배치되어 있는 자기검출장치.
  2. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 자전변환소자가 상기 자성이동체의 직경방향에 대하여 수직방향에서 보아 상기 돌극부 사이를 기준으로 할 때, 상기 자성이동체측에 배치되어 있거나, 또는 상기 자성이동체의 반대측에 배치되어 있는 자기검출장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    복수의 돌극부 사이가 형성되고, 각각의 돌극부 사이에 상기 자전변환소자가 배치되어 있는 자기검출장치.
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