KR100489873B1 - 액정표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents
액정표시장치 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100489873B1 KR100489873B1 KR10-1999-0068056A KR19990068056A KR100489873B1 KR 100489873 B1 KR100489873 B1 KR 100489873B1 KR 19990068056 A KR19990068056 A KR 19990068056A KR 100489873 B1 KR100489873 B1 KR 100489873B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- contact portion
- layer
- source
- contact
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
- 게이트라인 및 데이터라인의 교차로 마련된 화소영역에 형성된 화소전극을 구비하는 액정 표시 장치에 있어서,투명기판과,상기 투명기판 상에 형성된 게이트전극과,상기 투명기판 상에 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연막과,상기 게이트절연막 상의 상기 게이트전극과 대응하는 부분에 형성된 활성층과,상기 활성층 상에 오믹접촉층을 개재시켜 형성된 소오스 및 드레인전극과,상기 드레인전극으로부터 상기 소오스 전극과 반대하는 부분의 상기 화소전극쪽으로 길게 신장되며 상기 화소전극과 중첩되는 영역에서 측면이 노출되게 형성된 접촉부와,상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극과 접촉부의 상부를 덮으나 상기 접촉부의 측면이 노출되도록 형성된 패시베이션층을 구비하며,상기 화소전극은 상기 게이트 절연막 상에 상기 접촉부의 노출된 측면과 접촉되게 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 접촉부는 칼라필터가 형성된 상판의 블랙매트릭스와 중첩되도록 형성되는 액정표시장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 접촉부는 상기 소오스 및 드레인전극과 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 형성된 액정표시장치.
- 게이트라인 및 데이터라인의 교차로 마련된 화소영역에 형성된 화소전극을 구비하는 액정 표시 장치에 있어서,투명기판과,상기 투명기판 상에 형성된 게이트전극과,상기 투명기판 상에 상기 게이트전극을 덮도록 형성된 게이트절연막과,상기 게이트절연막 상의 상기 게이트전극과 대응하는 부분에 형성된 활성층과,상기 활성층 상에 오믹접촉층을 개재시켜 형성된 소오스 및 드레인전극과,상기 드레인전극으로부터 상기 소오스 전극과 반대하는 부분의 상기 화소전극쪽으로 빗살 무늬 형상으로 다수개가 길게 신장되며 상기 화소전극과 중첩되는 영역에서 상기 빗살 무늬 형상의 1개 이상의 측면이 노출되게 형성된 접촉부와,상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극과 접촉부의 상부를 덮으나 상기 접촉부의 측면이 노출되도록 형성된 패시베이션층을 구비하며,상기 화소전극은 상기 게이트절연막 상에 상기 접촉부의 노출된 측면과 접촉되게 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 4 항에 있어서,상기 접촉부는 러빙 방향과 일치되게 형성된 액정표시장치.
- 게이트라인 및 데이터라인의 교차로 마련된 화소영역에 형성된 화소전극을 가지는 액정 표시 장치의 제조방법에 있어서,투명기판 상에 게이트전극을 형성하는 공정과,상기 투명기판 상에 상기 게이트전극을 덮도록 게이트절연막, 활성층 및 오믹접촉층을 순차적으로 형성하는 공정과,상기 오믹접촉층 상에 금속박막을 형성하고 상기 활성층이 노출되도록 상기 금속박막을 패터닝하여 소오스 및 드레인전극을 형성함과 아울러 상기 드레인전극과 연결되어 상기 소오스전극의 반대부분의 상기 화소전극쪽으로 신장된 접촉부를 형성하는 공정과,상기 활성층 상에 상기 소오스 및 드레인전극을 덮는 패시베이션층을 형성하고 상기 패시베이션층 및 활성층을 패터닝하여 상기 게이트절연막을 노출시킴과 아울러 상기 접촉부 및 상기 패시베이션층을 패터닝하여 상기 화소전극과 중첩되는 영역에서 상기 접촉부의 측면이 노출되게 형성하는 공정과,상기 게이트절연막 상에 상기 접촉부의 측면과 접촉되게 상기 화소전극을 형성하는 공정을 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 제 6 항에 있어서,상기 패시베이션층을 상기 소오스 및 드레인전극의 측면을 덮도록 패터닝하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 접촉부를 칼라필터가 형성되는 상판의 블랙매트릭스와 중첩되도록 형성하는 액정표시장치의 제조방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-1999-0068056A KR100489873B1 (ko) | 1999-12-31 | 1999-12-31 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
US09/739,824 US6509940B2 (en) | 1999-12-31 | 2000-12-20 | Liquid crystal display and fabricating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-1999-0068056A KR100489873B1 (ko) | 1999-12-31 | 1999-12-31 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010066348A KR20010066348A (ko) | 2001-07-11 |
KR100489873B1 true KR100489873B1 (ko) | 2005-05-17 |
Family
ID=19635144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-1999-0068056A KR100489873B1 (ko) | 1999-12-31 | 1999-12-31 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6509940B2 (ko) |
KR (1) | KR100489873B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106200151A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267578A (ja) | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Sony Corp | 薄膜半導体装置及びその製造方法 |
JP2002148659A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR100650401B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2006-11-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
JP3901460B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2007-04-04 | 株式会社日立製作所 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
KR20030016051A (ko) * | 2001-08-20 | 2003-02-26 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR100828456B1 (ko) * | 2001-12-19 | 2008-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
KR100480333B1 (ko) * | 2002-04-08 | 2005-04-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
JP4464078B2 (ja) * | 2003-06-20 | 2010-05-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 画像表示装置 |
KR100560404B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2006-03-14 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
JP4120591B2 (ja) * | 2004-01-16 | 2008-07-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電気泳動表示装置 |
CN100461433C (zh) * | 2007-01-04 | 2009-02-11 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种tft阵列结构及其制造方法 |
US8558960B2 (en) * | 2010-09-13 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW409194B (en) * | 1995-11-28 | 2000-10-21 | Sharp Kk | Active matrix substrate and liquid crystal display apparatus and method for producing the same |
KR100190023B1 (ko) * | 1996-02-29 | 1999-06-01 | 윤종용 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법 |
US6310669B1 (en) * | 1997-05-26 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | TFT substrate having connecting line connect to bus lines through different contact holes |
-
1999
- 1999-12-31 KR KR10-1999-0068056A patent/KR100489873B1/ko active IP Right Grant
-
2000
- 2000-12-20 US US09/739,824 patent/US6509940B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106200151A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010066348A (ko) | 2001-07-11 |
US6509940B2 (en) | 2003-01-21 |
US20010022633A1 (en) | 2001-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100456151B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
US7863120B2 (en) | Liquid crystal display device with double metal layer source and drain electrodes and fabricating method thereof | |
US7205570B2 (en) | Thin film transistor array panel | |
US8218117B2 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
US8497949B2 (en) | Liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
US7858412B2 (en) | Thin-film transistor substrate and method of fabricating the same | |
KR100489873B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR100751177B1 (ko) | 액정 표시소자 및 그의 제조방법 | |
US20050094046A1 (en) | Liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
KR20050060963A (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR100443829B1 (ko) | 액정표시소자용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
US20020047948A1 (en) | Array substrate for a liquid crystal display and method for fabricating thereof | |
KR100897487B1 (ko) | 액정표시소자의 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR100696263B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR20020058917A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR101097675B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR100443538B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 | |
KR100466392B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 액정표시장치의 제조방법 | |
KR100799465B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100433208B1 (ko) | 액정표시소자 및 그 제조방법 | |
KR100733876B1 (ko) | 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR19980013623A (ko) | 액정 표시 장치 제조 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치의 구조 | |
KR20040062189A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120330 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130329 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150429 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160428 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170413 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180416 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190417 Year of fee payment: 15 |