KR100483282B1

KR100483282B1 - 화학기상증착장치

Info

Publication number: KR100483282B1
Application number: KR10-2002-0023372A
Authority: KR
Inventors: 박은석; 박상준; 김재호; 강석준
Original assignee: 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사
Priority date: 2002-04-29
Filing date: 2002-04-29
Publication date: 2005-04-15
Also published as: KR20030085195A

Abstract

본 발명은 샤워헤드(showerhead)를 소정의 간격으로 구획하여 이중으로 분할하고 샤워헤드의 일측에서만 플라즈마가 발생하도록 하는 화학기상증착장치에 관한 것으로서, 챔버(200)의 상부 내측면에는 샤워헤드의 상부 둘레면에 밀착되며 통전가능한 통전부(206)가 설치되고, 샤워헤드의 사이에는 외부의 RF전원(202)을 공급받아 플라즈마를 발생하며 다수의 홀이 형성되는 RF전극판(215)이 설치되며, 챔버(200)의 상부에는 샤워헤드의 상부에 원료가스를 주입할 수 있도록 연통하는 원료가스 주입관(217)이 설치되고, 챔버(200)의 측면에는 샤워헤드의 사이에 반응가스를 주입할 수 있도록 연통하는 반응가스 주입관(218)이 설치된다. 본 발명의 화학기상증착장치는 샤워헤드를 소정의 간격으로 구획하여 이중으로 분리하여 원료가스와 반응가스가 샤워헤드의 내부에서 섞이는 것을 근본적으로 방지함과 아울러, 샤워헤드 일측의 내부에서 플라즈마를 발생하여 반응기내로 분사함으로, 기판 및 그 위에 형성된 회로소자의 손상을 예방하는 효과가 있다.

Description

화학기상증착장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus}

본 발명은 화학기상증착장치에 관한 것이며, 특히, 샤워헤드(showerhead)를 소정의 간격으로 구획하여 이중으로 분할하고 샤워헤드의 일측에서만 플라즈마가 발생하도록 하는 화학기상증착장치에 관한 것이다.

일반적으로 플라즈마를 응용하는 방법으로는 반응기내에서 직접 플라즈마를 발생하여 증착에 적용하는 방법과, 반응기의 외부에서 플라즈마를 발생하여 반응기내로 공급하여 증착에 적용하는 방법이 있다.

도 1a에는 반응기내에서 직접 플라즈마가 발생하도록 구성한 종래의 플라즈마 화학기상증착장치가 도시되어 있다.

도 1a에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 화학기상증착장치는 하부에 배기구(100)가 형성된 챔버(101)와, 상기 챔버(101)의 중앙 내부로 관통하게 상면에 장착되는 원료가스, 반응가스 및 퍼지가스를 주입하는 주입관(102∼104)과, 다수의 분사홀(105)이 형성되어 공정가스를 분사하는 샤워헤드(106)와, 상기 샤워헤드(106)에 의해 분사되는 공정가스에 의해 박막이 증착되는 웨이퍼 또는 기판(107 ; 이하, '기판'이라 칭함)을 지지함과 동시에 소정의 열원을 제공하는 히터(108)를 포함한다. 또한, 종래의 플라즈마 화학기상증착장치는 샤워헤드(106)에 RF전원 연결부(109)를 설치하여 외부 RF전원(110)을 연결하고, RF전원(110)이 인가되는 샤워헤드(106)를 전기적으로 절연시키기 위하여 샤워헤드(106)의 상부에 절연부(111)를 설치하여 챔버(101)의 반응기내에서 직접 플라즈마가 발생하도록 구성되어 있다.

이러한 직접 플라즈마 방식은 반응기내에서 플라즈마를 직접 발생하여 공정 중에 반응기내로 공급되는 원료가스를 효과적으로 활성화시켜 기판의 박막 증착 균일도 및 증착속도 등을 월등히 향상시킬 수 있다. 그러나, 이러한 직접 플라즈마 방식은 플라즈마가 반응기내에서 직접 발생함에 따른 이온주입, 이온충돌로 인해 기판 및 그 위에 형성된 회로소자의 손상을 초래하는 단점이 있다.

도 1b에는 외부 플라즈마 공급장치를 통해 외부에서 생성한 플라즈마를 반응기내로 공급하여 증착하는 종래의 플라즈마 화학기상증착장치가 도시되어 있다.

도 1b에 도시된 바와 같이, 종래의 플라즈마 화학기상증착장치는 외부 플라즈마 발생장치(112)에서 생성한 플라즈마를 이용하도록 구성한 것을 제외하고는 도 1a의 화학기상장치와 동일하게 구성된다. 즉, 도 1b의 플라즈마 화학기상증착장치는 외부 플라즈마 발생장치(112)에서 생성한 플라즈마를 직접 챔버(101)의 반응기내에 공급하여 기판(107)에 흡착된 원료가스와 반응가스 플라즈마의 반응을 유도하여 보다 낮은 온도에서 빠른 반응속도를 확보하도록 구성한 것이다.

이러한 플라즈마 화학기상증착장치는 도 1a와 같이 반응기내에서 직접 생성되는 플라즈마로 의한 기판 및 그 위에 형성된 회로소자의 손상 등의 문제는 없지만, 플라즈마를 구성하는 이온, 전자 및 레디칼 등의 구성원들이 반응기 내부로 공급되는 동안 서로 재결합을 하여 최초 발생된 플라즈마보다 그 효율이 많이 감소하여 반응 기여도가 낮다는 단점이 있다.

따라서, 본 발명은 앞서 설명한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 샤워헤드를 소정의 간격으로 구획하여 이중으로 분리하고 샤워헤드의 일측에서만 플라즈마가 발생하도록 하여 기판 및 그 위에 형성된 회로소자의 손상을 예방하는 화학기상증착장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.

위와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따르면, 챔버의 상부 내측면에는 샤워헤드의 상부 둘레면에 밀착되며 통전가능한 통전부가 설치되고, 상기 샤워헤드의 사이에는 외부의 RF전원을 공급받아 플라즈마를 발생하며 다수의 홀이 형성되는 RF전극판이 설치되며, 상기 챔버의 상부에는 상기 샤워헤드의 상부에 원료가스를 주입할 수 있도록 연통하는 원료가스 주입관이 설치되고, 상기 챔버의 측면에는 상기 샤워헤드의 사이에 반응가스를 주입할 수 있도록 연통하는 반응가스 주입관이 설치되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 샤워헤드의 상부에는 절연재를 통해 상기 챔버의 상부 내측면과 절연되고 외부의 RF전원을 공급받아 플라즈마를 발생하며 다수의 분사홀이 형성된 RF전극판이 설치되고, 상기 챔버의 상부에는 상기 샤워헤드의 상부에 반응가스를 주입할 수 있도록 연통하는 반응가스 주입관이 설치되고, 상기 챔버의 측면에는 상기 샤워헤드의 사이에 원료가스를 주입할 수 있도록 연통하는 원료가스 주입관이 설치되는 것을 특징으로 한다.

아래에서, 본 발명에 따른 화학기상증착장치의 양호한 실시 예들을 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명하겠다.

본 발명의 화학기상증착장치는 원료가스 및 반응가스 등의 공정가스의 공급을 통해 박막을 형성하도록 구성된다. 또한, 본 발명의 화학기상증착장치는 샤워헤드를 소정의 간격으로 구획하여 이중으로 분리함으로써 원료가스와 반응가스가 샤워헤드의 내부에서 섞이는 것을 근본적으로 방지함과 아울러, 샤워헤드 일측의 내부에서 플라즈마를 발생하여 반응기내로 분사하도록 구성된다.

<제1 실시예>

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성요소들을 나타낸 개략도이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 화학기상증착장치는 챔버(200)의 상부에 챔버(200)의 일부분인 상부 플레이트(201)를 설치하고, 이 상부 플레이트(201)의 일측에 외부 RF전원(202)과 연결할 수 있는 RF전원 연결부(203)를 설치한다. RF전원 연결부(203)는 RF로드(204)와 연결되며, RF로드(204)는 그 둘레에 형성되는 RF로드 절연부(205)에 의해 상부 플레이트(201)와 전기적으로 절연된다.

그리고, 상부 플레이트(201)의 하면에는 통전부(206)를 설치하되, 통전부(206)의 하부에 위치할 제1 샤워헤드(207)의 상부에 소정의 간격을 갖는 제1 버퍼부(208)가 구획되도록 한다. 즉, 통전부(206)의 둘레면에 제1 샤워헤드(207)의 둘레면을 밀착시킴으로써, 통전부(206)와 제1 샤워헤드(207)의 사이에 제1 버퍼부(208)가 구획된다. 이 때, 제1 샤워헤드(207)의 하부 둘레면은 챔버(200)의 일부분인 하부 플레이트(209)에 의해 지지되는 절연부(210)에 의해 지지된다. 즉, 제1 샤워헤드(207)의 둘레면은 통전부(206)와 절연부(210)의 사이에 위치한다. 그러므로, 제1 샤워헤드(207)는 통전부(206)를 통해 상부 플레이트(201)에 전기적으로 접지된다.

그리고, 절연부(210)의 하부에는 하부 플레이트(209)에 의해 지지되는 제2 샤워헤드(211)가 위치한다. 이러한 제2 샤워헤드(211)는 절연재로 형성된 것으로서, 그 상부에 위치하는 제1 샤워헤드(207)와 소정의 간격을 두고 대응하게 위치한다. 또한, 제1 샤워헤드(207)에는 원료가스를 고르게 분사하기 위한 다수의 원료가스 분사관(212)이 형성된다. 그리고, 제2 샤워헤드(211)에는 원료가스 분사관(212)이 관통하는 다수의 관통홀(213)과, 반응가스와 반응가스 레디칼을 고르게 분사하기 위한 다수의 반응가스와 레디칼 분사홀(214 ; 이하 "레디칼 분사홀"이라 함)이 형성된다. 이렇게 형성된 제1 샤워헤드(207)와 제2 샤워헤드(211)를 정위치, 즉 제2 샤워헤드(211)의 관통홀(213)에 제1 샤워헤드(207)의 원료가스 분사관(212)을 각각 끼우면 제1 샤워헤드(207)와 제2 샤워헤드(211)의 사이에 제2 버퍼부(216)가 구획된다.

그리고, 제2 샤워헤드(211)의 상면에는 제2 샤워헤드(211)와 대응하는 동일한 형태의 관통홀 및 반응가스 분사홀을 갖는 RF 전극판(215)이 위치한다. 즉, RF전극판(215)의 관통홀은 제1 샤워헤드(207)의 원료가스 분사관(212)이 끼워지도록 제2 샤워헤드(211)의 관통홀(213)과 동일한 직경을 가지며, RF전극판(215)의 분사홀은 그 축방향의 직경이 제2 샤워헤드(211)의 레디칼 분사홀(214)과 동일한 직경을 갖는다.

이 때, RF 전극판(215)은 절연부(210)와 제2 샤워헤드(211)의 사이에 그 둘레면이 위치하여 고정된다. 그러므로, RF 전극판(215)은 전기적으로 접지되는 반응기의 내부 및 하부 플레이트(209)와 절연된다. 이로써, 반응기의 내부에서는 플라즈마가 발생하지 않는다.

그리고, RF 전극판(215)에는 RF로드(204)가 연결된다. 그러므로, RF 전원을 공급하면 RF 전극판(215)의 상부에 위치하는 제2 버퍼부(216)에서 플라즈마가 발생한다.

그리고, 상부 플레이트(201)의 외부 일측에는 원료가스 주입관(217)이 그 내부와 관통하여 설치되고, 하부 플레이트(209) 및 절연부(210)에는 제2 버퍼부(216)와 연통하는 반응가스 주입관(218)이 형성된다.

또한, 챔버(200)의 반응기 내부에는 실제 박막이 형성되는 웨이퍼 또는 기판(219 ; 이하, '기판'이라 칭함)을 지지함과 동시에 소정의 열에너지를 제공하는 히터(220)가 설치된다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 화학기상증착장치는 제2 버퍼부(216)를 통해 반응가스를 공급하고 플라즈마를 발생하여 제2 샤워헤드(211)를 통해 기판(219)에 분사하고, 제1 버퍼부(208)를 통해 원료가스를 공급하여 기판(219)에 분사하는 것이다. 그러므로, 본 발명은 원료가스와 반응가스가 샤워헤드의 내부에서 혼합되지 않을 뿐만 아니라, 플라즈마가 반응기내에서 발생하지 않는다.

<제2 실시예>

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성요소들을 나타낸 개략도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 화학기상증착장치는 챔버(300)의 상부에 챔버(300)의 일부분인 상부 플레이트(301)를 설치하고, 이 상부 플레이트(301)의 일측에 외부 RF전원(302)과 연결할 수 있는 RF전원 연결부(303)를 설치한다. RF전원 연결부(303)는 RF로드(304)와 연결되며, RF로드(304)는 그 둘레에 형성되는 RF로드 절연부(305)에 의해 상부 플레이트(301)와 전기적으로 절연된다.

그리고, 상부 플레이트(301)의 하부에는 그 상부에 소정의 간격을 갖는 제1 버퍼부(308)가 구획되도록 RF전극판(315)을 설치한다. 이러한 RF전극판(315)은 RF로드(304)에 연결되는 것으로서, 상부 플레이트(301)의 하부 둘레면에 형성되는 상부 절연부(306)와, RF전극판(315)의 하면과 밀착되는 제1 샤워헤드(307)에 의해 지지된다. 그리고, 제1 샤워헤드(307)는 하부 플레이트(309)에 의해 지지되는 하부 절연부(310)에 의해 그 둘레면이 지지된다. 이러한 제1 샤워헤드(307)는 전기가 통전되지 않는 절연재로 구성된다. 그러므로, RF전극판(315)은 전기적으로 접지되는 반응기의 내부 및 챔버(300)의 일부분인 하부 플레이트(309)와 전기적으로 절연된다. 이로써, RF전극판(315)에 RF전원이 공급될 경우 제1 버퍼부(308)에서만 플라즈마가 발생한다.

그리고, 하부 절연부(310)의 하부에는 하부 플레이트(309)에 의해 지지되는 제2 샤워헤드(311)가 위치한다. 이러한 제2 샤워헤드(311)는 그 상부에 위치하는 제1 샤워헤드(307)와 소정의 간격을 두고 대응하게 위치한다.

또한, 제1 샤워헤드(307)에는 반응가스와 반응가스 레디칼을 고르게 분사하기 위한 다수의 반응가스와 레디칼 분사관(312 ; 이하 "레디칼 분사관"이라 함)이 형성된다. 그리고, 제2 샤워헤드(311)에는 레디칼 분사관(312)이 관통하는 다수의 관통홀(313)과, 원료가스를 고르게 분사하기 위한 다수의 원료가스 분사홀(314)이 형성된다. 이렇게 형성된 제1 샤워헤드(307)와 제2 샤워헤드(311)를 정위치, 즉 제2 샤워헤드(311)의 관통홀(313)에 제1 샤워헤드(307)의 레디칼 분사관(312)을 각각 끼우면 제1 샤워헤드(307)와 제2 샤워헤드(311)의 사이에 제2 버퍼부(316)가 구획된다.

그리고, RF전극판(315)에는 제1 샤워헤드(311)의 레디칼 분사관(312)과 동일한 직경을 갖는 다수의 분사홀이 레디칼 분사관(312)과 대응하는 위치에 형성된다. 그리고, 상부 플레이트(301)의 외부 일측에는 반응가스 주입관(318)이 그 내부와 관통하여 설치되고, 하부 플레이트(309) 및 하부 절연부(310)에는 제2 버퍼부(316)와 연통하는 원료가스 주입관(317)이 형성된다.

또한, 챔버(300)의 반응기 내부에는 실제 박막이 형성되는 웨이퍼 또는 기판(319 ; 이하, '기판'이라 칭함)을 지지함과 동시에 소정의 열에너지를 제공하는 히터(320)가 설치된다.

상기와 같이 구성된 본 발명의 화학기상증착장치는 제1 버퍼부(308)를 통해 반응가스를 공급하고 플라즈마를 발생하여 제1 샤워헤드(307)를 통해 기판(319)에 분사하고, 제2 버퍼부(316)를 통해 원료가스를 공급하여 기판(319)에 분사하는 것이다. 그러므로, 본 발명은 원료가스와 반응가스가 샤워헤드의 내부에서 혼합되지 않을 뿐만 아니라, 플라즈마가 반응기내에서 발생하지 않는다.

도 4a는 도 2 및 도 3에 도시된 화학기상증착장치의 중요부분인 샤워헤드의 배면을 나타낸 배면도로서, 제2 샤워헤드(211, 311)의 배면에는 다수의 원료가스 분사관(212) 또는 레디칼 분사관(312)의 관통홀(213, 313)과, 레디칼 분사홀(214) 또는 원료가스 분사홀(314)이 격자 모양으로 배열된다.

도 4b 및 도 4c는 도 3에 도시된 화학기상증착장치의 일부분인 RF 전극판의 형태를 각각 나타낸 개략도이다.

도 3, 도 4b 및 도 4c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 RF전극판(315)에 형성된 분사홀은 반응가스 레디칼을 고르게 기판(319)에 분사하는 역할을 한다. 이러한 분사홀은 그 축방향으로 동일한 직경을 갖는 것으로서, 제1 샤워헤드(307)의 레디칼 분사관(312)과 동일한 직경을 갖는다. 또한, 전극판(315)의 분사홀은 상부의 직경이 크고 하부의 직경이 작은 테이퍼진 형태를 갖는 것으로서, 이러한 분사홀의 제일 하단은 제1 샤워헤드(307)의 레디칼 분사관(312)과 동일한 직경을 갖는다.

상기와 같은 형태를 갖는 RF전극판(315)에 RF전원(302)이 인가되면, 제1 버퍼부(308)에서 플라즈마가 발생한다. 하지만, 반응기내의 압력, 즉 샤워헤드 내부의 압력과 인가된 RF전원의 세기에 따라 RF전극판(315)의 분사홀 내에도 플라즈마가 발생하는 할로우 캐소드 현상(hollow cathode effect)이 발생한다. 이 때, 도 4c와 같이 테이퍼진 분사홀의 경우에는 낮은 RF전원에서도 할로우 캐소드 현상이 발생한다. 이러한 할로우 캐소드 현상이 발생하면, 동일한 RF전원에 의해 발생하는 플라즈마의 밀도측면에서 할로우 캐소드 현상이 없는 경우보다 플라즈마 밀도가 증가하여 기판의 증착효율이 증가된다.

앞서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명의 화학기상증착장치는, 샤워헤드를 소정의 간격으로 구획하여 이중으로 분리하여 원료가스와 반응가스가 샤워헤드의 내부에서 섞이는 것을 근본적으로 방지함과 아울러, 샤워헤드 일측의 내부에서 플라즈마를 발생하여 반응기내로 분사함으로, 기판 및 그 위에 형성된 회로소자의 손상을 예방하는 효과가 있다.

이상에서 본 발명의 화학기상증착장치에 대한 기술사항을 첨부도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 가장 양호한 실시예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다.

또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자이면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않고 첨부한 특허청구의 범위내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.

도 1a는 종래의 플라즈마 화학기상증착장치의 구성요소들을 나타낸 개략도이고,

도 1b는 외부 플라즈마 공급장치를 사용하는 종래의 플라즈마 화학기상증착장치의 구성요소들을 나타낸 개략도이고,

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성요소들을 나타낸 개략도이고,

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화학기상증착장치의 구성요소들을 나타낸 개략도이고,

도 4a는 도 2 및 도 3에 도시된 화학기상증착장치의 중요부분인 샤워헤드의 배면을 나타낸 배면도이며,

♠ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ♠

200 : 챔버 201 : 상부 플레이트

202 : RF전원 203 : RF전원 연결부

204 : RF로드 205 : RF로드 절연부

206 : 통전부 207 : 제1 샤워헤드

208 : 제1 버퍼부 209 : 하부 플레이트

210 : 절연부 211 : 제2 샤워헤드

212 : 원료가스 분사관 213 : 관통홀

214 : 레디칼 분사홀 215 : RF전극판

216 : 제2 버퍼부 217 : 원료가스 주입관

218 : 반응가스 주입관 219 : 기판

220 : 히터

Claims

챔버의 반응기 내에 배치된 기판에 막을 증착시키기 위해 플라즈마 및 공정가스들을 상기 반응기 내부로 유입시켜 증착하는 화학기상증착장치에 있어서,

상기 공정가스들을 상기 반응기 내부에 개별적으로 각각 공급할 수 있도록 상하로 이중으로 분할 형성되어 그 사이에 버퍼부를 형성하며, 하부에 위치하는 하부 샤워헤드가 다수의 분사홀을 갖는 절연재로 형성된 이중 샤워헤드와;

상기 하부 샤워헤드의 분사홀에 대응하는 다수의 분사홀이 형성되며, 상기 하부 샤워헤드의 상면에 밀착하여 설치되는 RF전극판과;

상기 이중 샤워헤드의 상부 샤워헤드를 지지하여 상기 챔버의 내측에 고정하며, 상기 RF전극판을 상기 챔버와 절연시키는 절연부와;

상기 RF전극판에 접속되어 RF 전원을 공급하도록 상기 챔버 및 상기 절연부를 따라 매설되며, 둘레에 절연부가 형성된 RF 로드와;

상기 챔버의 상부와 연통하도록 설치되어 상기 상부 샤워헤드를 통해 원료가스를 주입하는 원료가스 주입관; 및

상기 챔버의 측부와 연통하도록 설치되어 상기 상하부 샤워헤드의 사이에 반응가스를 주입하는 반응가스 주입관을 포함하며,

상기 RF전극판에 공급되는 RF 전원에 의해 상기 상하부 샤워헤드에 의해 형성된 상기 버퍼부에서 플라즈마가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
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제1항에 있어서, 상기 RF전극판의 분사홀은 그 축방향의 직경이 상기 하부 샤워헤드의 분사홀의 직경과 동일한 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
챔버의 반응기 내에 배치된 기판에 막을 증착시키기 위해 플라즈마 및 공정가스들을 상기 반응기 내부로 유입시켜 증착하는 화학기상증착장치에 있어서,

상기 공정가스들을 상기 반응기 내부에 개별적으로 각각 공급할 수 있도록 상하로 이중으로 분할 형성되며, 상부에 위치하는 상부 샤워헤드가 다수의 분사관을 갖는 절연재로 형성된 이중 샤워헤드와;

상기 상부 샤워헤드의 분사관에 대응하는 다수의 분사홀이 형성되며, 상기 상부 샤워헤드의 상면에 밀착하여 설치되는 RF전극판과;

상기 RF전극판을 상기 챔버와 절연시키고, 상기 상부 샤워헤드를 지지하여 상기 챔버의 내측에 고정하되, 상기 RF전극판의 상부에 버퍼부가 형성되도록 고정하는 절연부와;

상기 RF전극판에 접속되어 RF 전원을 공급하도록 상기 챔버 및 상기 절연부를 따라 매설되며, 둘레에 절연부가 형성된 RF 로드와;

상기 챔버의 상부와 연통하도록 설치되어 상기 상부 샤워헤드를 통해 반응가스를 주입하는 반응가스 주입관; 및

상기 챔버의 측부와 연통하도록 설치되어 상기 상하부 샤워헤드의 사이에 원료가스를 주입하는 원료가스 주입관을 포함하며,

상기 RF전극판에 공급되는 RF 전원에 의해 상기 버퍼부에서 플라즈마가 형성되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
삭제
삭제
제6항에 있어서, 상기 RF전극판의 분사홀은 그 축방향의 직경이 상기 상부 샤워헤드의 분사관의 직경과 동일한 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.
제6항에 있어서, 상기 RF전극판의 분사홀은 하부를 향할수록 직경이 작아지는 테이퍼진 형상을 가지며 제일 하단은 상기 상부 샤워헤드의 분사관의 내경과 동일한 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치.