KR100476557B1 - A Method for Producing Metal Particle Having Nano Size And A Method for Forming Electrode Layer By Using the Same - Google Patents
A Method for Producing Metal Particle Having Nano Size And A Method for Forming Electrode Layer By Using the Same Download PDFInfo
- Publication number
- KR100476557B1 KR100476557B1 KR10-2002-0022386A KR20020022386A KR100476557B1 KR 100476557 B1 KR100476557 B1 KR 100476557B1 KR 20020022386 A KR20020022386 A KR 20020022386A KR 100476557 B1 KR100476557 B1 KR 100476557B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive layer
- metal
- nano
- organometallic compound
- naphthenate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
- B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
- B22F9/24—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
- B22F1/054—Nanosized particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
- H01B1/121—Charge-transfer complexes
Abstract
유기 금속화합물을 가열하여 나노크기의 금속입자를 형성하는 방법 및 이와 같은 방법을 이용한 전도층 형성방법에 관한 것이다. Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce 및 W의 카르복시레이트, 나프테네이트, 옥타데이트, 탈레이트 및 알코올레이트로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나의 유기 금속 화합물을 200∼800℃로 가열하여 유기물을 제거함을 특징으로 하는 나노 크기의 금속 입자 제조방법 및 이를 이용하여 또한 나노 단위의 박막 전도층 제조방법이 제공된다. 본 발명의 방법에 의해 나노크기의 금속입자가 용이하게 제조되며, 이 방법을 칩부품의 전도층 형성에 적용하여 나노크기의 초박막 전도층을 형성할 수 있다.The present invention relates to a method for forming nano-sized metal particles by heating an organometallic compound, and a method for forming a conductive layer using the same method. Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce and W carboxylate, naphthenate, octadate, talate and alcoholate Provided is a method for producing a nano-sized metal particle, and a method for manufacturing a thin film conductive layer using the same, characterized in that the organic material is removed by heating at least one organometallic compound selected from 200 to 800 ° C. Nano-sized metal particles are easily produced by the method of the present invention, and this method can be applied to the formation of a conductive layer of a chip component to form a nano-sized ultra thin conductive layer.
Description
본 발명은 나노크기의 금속입자를 형성하는 방법 및 이를 이용한 전도층 형성방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 유기 금속화합물을 가열하여 나노크기의 금속입자를 형성하는 방법 및 이와 같은 방법을 이용한 전도층 형성방법을 제공하는 것이다. The present invention relates to a method for forming nano-sized metal particles and a method for forming a conductive layer using the same, and more particularly, to a method for forming nano-sized metal particles by heating an organic metal compound and a conductive layer using the same method. It is to provide a formation method.
최근 소형화되고 있는 전자기기의 추세에 따라, 이를 구성하는 부품 또한 그 크기가 소형화되고 있다. 특히 MLCC 등과 같은 칩부품의 경우 0603의 초소형 제품이 양산되고 있으며, 계속하여 그 크기가 더욱 작아지는 추세이다. In accordance with the trend of electronic devices that have been miniaturized in recent years, the components constituting them are also downsized in size. In particular, in the case of chip components such as MLCC, the ultra small products of 0603 are being mass-produced, and the size thereof continues to be smaller.
칩부품은 대부분 전도층과 유전층이 교대로 매엽된 후 소결하여 제조된다. 따라서, 초소형 칩부품을 제조하기 위해서는 박막의 전도층 및 유전층을 형성할 수 있는 페이스트 제조 기술 및 박막 필름 형성 기술이 요구된다. 또한, 소결시 전도층과 유전층의 수축온도 차이에 의해 발생되는 디라미네이션 현상이 없어야 한다. Most chip components are manufactured by sintering the conductive and dielectric layers alternately. Therefore, in order to manufacture microchip components, a paste manufacturing technique and a thin film formation technique capable of forming a conductive layer and a dielectric layer of a thin film are required. In addition, there should be no delamination caused by the shrinkage temperature difference between the conductive layer and the dielectric layer during sintering.
종래 칩부품의 전도층 형성에 사용되는 금속성분을 함유한 조성물 또는 페이스트는 일반적으로 금, 은, 백금, 팔라듐, 니켈, 코발트, 구리등의 금속분말, 금속산화물 또는 세라믹 분말(glass frit), 바인더, 분산 매질로 사용되는 고분자 수지 및 점도 조절을 위한 용제를 일정비율로 혼합하여 제조하여 왔다. Conventionally, compositions or pastes containing metal components used in forming conductive layers of chip components are generally metal powders such as gold, silver, platinum, palladium, nickel, cobalt, copper, metal oxides or ceramic powders, and binders. , A polymer resin used as a dispersion medium and a solvent for viscosity control have been prepared by mixing at a constant ratio.
금속 분말중 금, 은, 백금, 팔라듐등의 귀금속류들이 우수한 물리적 특성으로 인하여 주로 사용되어 왔으나, 이들의 높은 가격으로 인해 최근에는 구리, 니켈등 비교적 저렴한 금속 분말이 사용되고 있다. Precious metals such as gold, silver, platinum, and palladium have been mainly used in metal powders because of their excellent physical properties, but relatively inexpensive metal powders such as copper and nickel have recently been used due to their high price.
한편, 이와 같이 제조된 금속 조성물은 스크린 코팅, 브러슁, 디핑등 여러가지 방법으로 코팅한 후 소결하여 MLCC등 칩부품의 전극 형성에 사용된다. On the other hand, the metal composition thus prepared is coated in a variety of ways, such as screen coating, brushing, dipping, and then sintered to be used for forming electrodes of chip parts such as MLCC.
그러나, 금속분말은 그 크기가 수 ∼ 수십 ㎛ 이므로 형성된 필름은 수십 ㎛의 후막으로 형성되어 칩부품을 소형화하는데 한계가 있으며, 금속 분말의 고분자 수지 및 용제내의 분산성이 좋지 않거나 전도층과 유전층을 고온에서 동시에 소결시 각각의 수축온도 차이에 의한 디라미네이션 등의 문제가 발생한다. However, since the metal powder has a size of several to several tens of micrometers, the formed film is formed into a thick film of several tens of micrometers, thereby limiting the miniaturization of chip components. When sintering at high temperature at the same time, problems such as delamination due to the difference in shrinkage temperature occur.
본 발명의 목적은 분자단위의 유기금속 화합물을 가열하여 나노크기의 금속입자를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to provide a method for producing nano-sized metal particles by heating the organometallic compound of the molecular unit.
본 발명의 다른 목적은 유기금속 화합물을 가열하여 나노크기의 금속입자를 제조하는 방법을 이용한 전도층 형성방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method for forming a conductive layer using a method of preparing an organic metal compound by heating an organometallic compound.
본 발명의 일 견지에 의하면, According to one aspect of the invention,
Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce 및 W의 카르복시레이트, 나프테네이트, 옥타데이트, 탈레이트 및 알코올레이트로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나의 유기 금속 화합물을 200∼800℃로 가열하여 유기물을 분해, 제거함을 특징으로 하는 나노 크기의 금속 입자를 제조하는 방법이 제공된다. Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce and W carboxylate, naphthenate, octadate, talate and alcoholate Provided is a method for producing nano-sized metal particles, characterized in that the organic material is decomposed and removed by heating at least one organometallic compound selected from 200 to 800 ° C.
본 발명의 다른 견지에 의하면, According to another aspect of the present invention,
Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce 및 W의 카르복시레이트, 나프테네이트, 옥타데이트, 탈레이트 및 알코올레이트로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나의 유기 금속 화합물을 포함하는 전도층 형성 조성물을 기판에 적용하고 200∼800℃로 가열 및 소성함을 특징으로 하는 전도층 형성방법이 제공된다. Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce and W carboxylate, naphthenate, octadate, talate and alcoholate Provided is a conductive layer forming method comprising applying a conductive layer forming composition comprising at least one organometallic compound selected from a substrate to a substrate, and heating and baking at 200 to 800 ° C.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.
종래 전도층 형성에 사용되는 전극 페이스트 조성물등에 금속 성분으로는 금속분말이 사용되어 왔으나, 금속분말의 크기를 소형화하는데는 한계가 있다. 또한, 전도층 형성용 조성물(페이스트) 제조시 금속분말은 분산성이 저조하며 별도의 기계적 분산공정을 필요로 한다. 또한, 전극 형성시 전도층과 유전층과의 소결 수축률 차이에 의한 디라미네이션 문제가 발생한다. Conventionally, metal powders have been used as metal components in electrode paste compositions used for forming conductive layers, but there is a limit in miniaturizing the size of metal powders. In addition, the metal powder in the manufacturing of the conductive layer-forming composition (paste) is poor dispersibility and requires a separate mechanical dispersion process. In addition, there is a problem of delamination due to the difference in sintering shrinkage ratio between the conductive layer and the dielectric layer during electrode formation.
이에 본 발명에서는 금속을 미세분말화하기 위한 별도의 공정없이 분자단위의 유기 금속 화합물을 가열함으로써 용이하게 나노크기의 금속분말을 형성하는 방법을 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention provides a method for easily forming nano-sized metal powder by heating an organometallic compound in molecular units without a separate process for micropowdering the metal.
분자단위의 유기 금속화합물을 200∼800℃로 가열함으로써 유기금속 화합물중 유기성분은 열분해에 의해 제거되고 나노크기의 미립 금속분말이 형성된다. By heating the organometallic compound on a molecular basis to 200 to 800 ° C, the organic component in the organometallic compound is removed by pyrolysis to form nano-sized fine metal powder.
가열에 의한 나노크기의 미립 금속분말제조에 사용가능한 유기 금속화합물은 일반적으로 금속염과 유기 화합물의 반응에 의해 제조되거나 혹은 유기 티타네이트등과 같은 킬레이트 형태의 화합물로 제조된 것일 수 있다. 금속과 반응하는 유기물 반응기로는 카르복시레이트, 나프테네이트, 옥타데이트, 톨레이트, 알코올레이트등을 포함한다. 금속성분을 이루는 금속원소로는 Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce 및 W을 포함한다. The organometallic compound usable for producing nano-sized fine metal powder by heating may be generally prepared by the reaction of a metal salt with an organic compound, or may be made of a chelate type compound such as an organic titanate. Organic reactors that react with metals include carboxylates, naphthenates, octadates, tolates, alcoholates, and the like. Metal elements constituting the metal component include Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce, and W.
본 발명에 사용가능한 유기 금속화합물의 예로는 Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce 및 W의 카르복시레이트, 나프테네이트, 옥타데이트, 탈레이트 및 알코올레이트, 바람직하게는 니켈 나프테네이트, 코발트 옥타데이트, 망간 나프테네이트, 망간 옥타데이트, 철 나프테네이트 및 세륨 옥타데이트을 포함한다. Examples of organometallic compounds usable in the present invention include carboxylates, naphthenates, octadates of Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Ba, Ce, and W. , Phthalates and alcoholates, preferably nickel naphthenate, cobalt octadate, manganese naphthenate, manganese octadate, iron naphthenate and cerium octadate.
상기 유기 금속화합물을 200∼800℃의 온도로 가열하면 유기성분은 분해, 제거되고 금속성분인 금속자체나 금속 산화물이 나노크기의 미립자로 남는다.When the organometallic compound is heated to a temperature of 200 to 800 ° C, the organic component is decomposed and removed, and the metal itself or the metal oxide, which is a metal component, remains as nano-sized fine particles.
200℃미만에서는 유기물이 완전히 열분해되지 않으며, 800℃를 초과하면 금속이 소결되기 시작함으로 바람직하지 않다. Below 200 ° C., the organic matter is not completely pyrolyzed, and if it exceeds 800 ° C., the metal starts to sinter, which is not preferable.
유기 금속화합물을 가열하여 분자단위의 나노크기 금속입자를 형성하는 본 발명의 방법은 전도층 형성등에 적용될 수 있다. 예를들어, 종래 금속분말을 사용하여 전도층 형성용 조성물(페이스트)를 제조하는 대신, 유기 금속화합물과 전도층 형성용 페이스트에 일반적으로 사용되는 세라믹 분말, 고분자 수지 및 용제를 혼합하여 전도층 형성용 페이스트를 제조하고 이를 알루미나 기판등과 같은 기판에 코팅한 후, 200∼800℃로 가열함으로써, 유기성분은 분해제거되고 나노크기의 금속 입자가 그 내부에서 형성된다. The method of the present invention for heating the organometallic compound to form nanoscale metal particles on a molecular basis can be applied to the formation of a conductive layer or the like. For example, instead of manufacturing a conductive layer forming composition (paste) using a conventional metal powder, a conductive layer is formed by mixing an organic metal compound and a ceramic powder, a polymer resin, and a solvent generally used in the conductive layer forming paste. By preparing a paste for coating and coating it on a substrate such as an alumina substrate, and then heating to 200 to 800 ℃, the organic component is decomposed and the nano-sized metal particles are formed therein.
나아가, 유기 금속화합물은 톨루엔, 메틸 클로라이드, 벤질 아세테이트 등과 같은 유기용제에 용해됨으로, 세라믹분말, 고분자수지, 기타 다른 첨가제와 혼합하여 전도층 형성에 사용하기 위한 페이스트(조성물) 제조시 고분자수지와 유기용제등과의 분산불량이 발생하지 않고 단일한 상을 형성하는 우수한 분산성을 나타낸다. 따라서, 종래 별도의 금속입자를 사용하여 페이스트를 형성하는 경우 발생하는 뭉침현상과 같은 분산불량이 발생하지 않는다. Furthermore, the organometallic compound is dissolved in an organic solvent such as toluene, methyl chloride, benzyl acetate, and the like, and is mixed with ceramic powder, polymer resin, and other additives to prepare a paste (composition) for forming a conductive layer. It shows the excellent dispersibility which forms a single phase without the dispersion defect with a solvent etc. not occurring. Therefore, there is no dispersion defect such as agglomeration which occurs when a paste is formed using separate metal particles.
상기 페이스트 제조시 세라믹 분말로는 입자크기가 나노크기인 것으로 부터 수 미크롱 크기인 것이 사용될 수 있으며, 녹는점이 350∼1500℃인 것이 좋다. 특히, 글래스 프릿(glass frit)은 칼슘, 스트론튬, 바륨, 징크, 리튬, 나트륨, 포타슘 옥사이드등의 옥사이드기를 갖는 것으로 바람직한 것이다. In preparing the paste, the ceramic powder may have a particle size from nano size to several microns, and the melting point is preferably 350 to 1500 ° C. In particular, glass frit is preferred to have oxide groups such as calcium, strontium, barium, zinc, lithium, sodium, potassium oxide, and the like.
한편, 금속분말을 이용한 전도층 형성 조성물 제조시에는 금속분말을 분산시키기 위해 분산 매질로 사용되는 고분자 수지가 필요하며, 또한 금속분말의 고분자수지내의 분산상태 또한 매우 중요하다. 그러나, 유기 금속 화합물을 이용하여 페이스트를 제조하는 경우에는 유기 금속 화합물 자체가 유기 용제에 용해되므로 분산매질로 사용되는 고분자 수지를 필요로하지 않는다. 점도를 조절하기 위해 고분자 수지를 첨가하는 경우에도 금속과 고분자 수지간의 우수한 혼화성 및 분산성을 나타낸다. On the other hand, when preparing a conductive layer-forming composition using a metal powder, a polymer resin that is used as a dispersion medium to disperse the metal powder is required, and the dispersion state of the metal powder in the polymer resin is also very important. However, in the case of preparing the paste using the organometallic compound, the organometallic compound itself is dissolved in the organic solvent, and thus does not require a polymer resin used as a dispersion medium. Even when a polymer resin is added to control the viscosity, excellent compatibility and dispersibility between the metal and the polymer resin are exhibited.
상기한 유기금속화합물, 세라믹 분말(또는 글래스 프릿), 고분자 수지 및 용제를 혼합하여 별도의 밀링(milling)과 같은 분산공정없이 전극용 페이스트(조성물)을 제조할 수 있으며, 필요에 따라 수소화 아주까리 기름 또는 그 유도체, 에틸 셀룰로스등의 칙소제 및 계면활성제등의 첨가제가 첨가될 수 있다. The above-mentioned organometallic compound, ceramic powder (or glass frit), polymer resin, and solvent may be mixed to prepare an electrode paste (composition) without a separate process such as milling, and hydrogenated castor oil, if necessary. Or a derivative thereof, a thixotropic agent such as ethyl cellulose, and an additive such as a surfactant may be added.
스핀 코팅, 롤 코팅, 스크린 코팅등의 방법으로 제조된 조성물로 필름을 형성한 후, 200∼800℃로 가열하고 수소분위기에서 소성시켜 나노 단위의 박막 전도층(전극)을 형성할 수 있다. 소성은 전도층 형성시 일반적으로 이용되는 500∼1700℃ 온도범위에서 행한다. After forming a film from a composition prepared by a method such as spin coating, roll coating, screen coating, and the like, the film may be heated to 200 to 800 ° C. and calcined in a hydrogen atmosphere to form a nano thin film conductive layer (electrode). Firing is carried out at a temperature in the range of 500 to 1700 ° C. which is generally used in forming the conductive layer.
500℃미만에서는 금속이 소성되지 않으며, 1,700℃를 이상에서는 대부분의 세라믹이 소성되어 그 이상의 온도에서는 여러가지 문제가 야기될 뿐만아니라 공정상 난점이 있음으로 바람직하지 않다.The metal is not calcined at less than 500 ° C., and most ceramics are calcined at temperatures above 1,700 ° C., and various problems are caused at temperatures above.
가열에 의해 유기 금속 화합물의 유기성분은 분해, 제거되고 박막에는 나노크기의 미립 금속입자가 남게된다. By heating, the organic component of the organometallic compound is decomposed and removed, leaving nano-sized fine metal particles in the thin film.
이하, 실시예를 통하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples.
실시예 1Example 1
유기 금속 화합물인 니켈 나프타네이트와 톨루엔을 3:7 중량비로 혼합하여 니켈이 함유된 페이스트를 제조하였다. 제조된 페이스트를 알루미나 기판상에 스크린 코팅한 후, 500℃에서 10분간 가열하여 용제 및 유기 금속 화합물의 유기물이 분해되도록 한다. 그 후, 950℃ 수소분위기에서 1시간동안 소성하여 금속 박막층을 얻었다. 형성된 금속 박막층의 FT-SEM사진을 도 1에 나타내었다. 도 1에서 알 수 있듯이, 금속 박막층에서 나노크기의 금속 입자를 확인할 수 있었으며, 이로부터 본 발명의 기술을 나노 단위의 박막 전극 형성에 적용될 수 있음을 알 수 있다. Nickel-containing pastes were prepared by mixing an organic metal compound, nickel naphtanate and toluene in a 3: 7 weight ratio. After the prepared paste is screen-coated on the alumina substrate, it is heated for 10 minutes at 500 ℃ to decompose the organic matter of the solvent and the organometallic compound. Thereafter, the mixture was calcined for 1 hour in a hydrogen atmosphere of 950 ° C. to obtain a metal thin film layer. An FT-SEM photograph of the formed metal thin film layer is shown in FIG. 1. As can be seen in Figure 1, it was able to identify the nano-sized metal particles in the metal thin film layer, from which it can be seen that the technique of the present invention can be applied to the formation of nano-scale thin film electrode.
실시예 2Example 2
유기 금속 화합물인 니켈 나프타네이트와 코발트 옥타데이트를 7:3 중량비로 혼합하였다. 상기 혼합물 25중량%, 세라믹 분말로서 글래스 프릿 0.1중량% 및 잔부 톨루엔을 혼합하여 금속 조성물을 얻었다. 얻어진 조성물을 상기 실시예 1과 같이 알루미나 기판상에 스크린 코팅한 후, 500℃에서 10분간 가열하여 용제 및 유기 금속 화합물의 유기물을 제거한 다음 950℃ 수소분위기에서 1시간동안 소성하여 금속 박막층을 얻었다.Nickel naphtanate, which is an organometallic compound, and cobalt octadate were mixed at a 7: 3 weight ratio. 25% by weight of the mixture, 0.1% by weight of glass frit and residual toluene as a ceramic powder were mixed to obtain a metal composition. The obtained composition was screen-coated on the alumina substrate as in Example 1, heated at 500 ° C. for 10 minutes to remove the organic material of the solvent and the organometallic compound, and then calcined in a hydrogen atmosphere at 950 ° C. for 1 hour to obtain a metal thin film layer.
분자단위의 금속 유기 화합물을 가열함으로써 나노크기의 금속입자가 용이하게 제조된다. 또한, 상기 나노크기 금속입자 제조방법을 칩부품의 전도층 형성에 적용하여 나노크기의 초박막 전도층을 형성할 수 있다. 금속 유기 화합물은 유기용제에 쉽게 용해되므로 칩부품의 전도층을 형성하기 위한 조성물 제조시 다른 성분과의 배합 및 분산성이 우수한 것으로 분산 불량이 발생하지 않는다. 나아가, 조성물에 유기 금속 화합물을 사용하여 전도층 형성시, 전도층과 유전층과 소결시 수축온도 차이에 의한 디라미네이션 현상이 현저하게 감소된다. Nano-sized metal particles are easily prepared by heating a metal organic compound on a molecular basis. In addition, the nano-size metal particle manufacturing method may be applied to the formation of the conductive layer of the chip component to form a nano-sized ultra thin conductive layer. Since the metal organic compound is easily dissolved in an organic solvent, it is excellent in blending and dispersibility with other components in the preparation of the composition for forming the conductive layer of the chip component, and does not cause poor dispersion. Further, when the conductive layer is formed using the organometallic compound in the composition, the delamination phenomenon due to the shrinkage temperature difference when the conductive layer and the dielectric layer are sintered is significantly reduced.
도 1은 본 발명에 의한 실시예 1의 방법으로 형성된 박막의 FS-SEM 사진이다. 1 is an FS-SEM photograph of a thin film formed by the method of Example 1 according to the present invention.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0022386A KR100476557B1 (en) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | A Method for Producing Metal Particle Having Nano Size And A Method for Forming Electrode Layer By Using the Same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0022386A KR100476557B1 (en) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | A Method for Producing Metal Particle Having Nano Size And A Method for Forming Electrode Layer By Using the Same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030083961A KR20030083961A (en) | 2003-11-01 |
| KR100476557B1 true KR100476557B1 (en) | 2005-03-17 |
Family
ID=32380232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0022386A KR100476557B1 (en) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | A Method for Producing Metal Particle Having Nano Size And A Method for Forming Electrode Layer By Using the Same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100476557B1 (en) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07232919A (en) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Nippon Shokubai Co Ltd | Production of fine zinc oxide particles |
| JPH10146531A (en) * | 1996-09-20 | 1998-06-02 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | Metal superfine particle carrying photocatayst and of its production |
| KR20010072724A (en) * | 1998-08-19 | 2001-07-31 | 그래햄 이. 테일러 | Process for preparing nanosize metal oxide powders |
| KR20010092706A (en) * | 2000-03-22 | 2001-10-26 | 마에다 시게루 | Complex metal ultrafine particle and manufacturing method thereof |
| KR20010099547A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | 허승헌 | A design of a nanometer size metal, nonmetal, and alloy particle generator |
| KR20010106425A (en) * | 1998-07-30 | 2001-11-29 | 스프레이그 로버트 월터 | Nanosize metal oxide particles for producing transparent metal oxide colloids and ceramers |
| KR20030030728A (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-18 | 주식회사 한국나노기술 | Synthesis of Monodisperse and Highly-Crystalline Nanoparticles of Metals, Alloys, Metal Oxides, and Multi-metallic Oxides without a Size-selection Process |
| KR20030046950A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 박성 | A method for preparaing ZnO nanopowder |
-
2002
- 2002-04-24 KR KR10-2002-0022386A patent/KR100476557B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07232919A (en) * | 1994-02-22 | 1995-09-05 | Nippon Shokubai Co Ltd | Production of fine zinc oxide particles |
| JPH10146531A (en) * | 1996-09-20 | 1998-06-02 | Daiken Kagaku Kogyo Kk | Metal superfine particle carrying photocatayst and of its production |
| KR20010106425A (en) * | 1998-07-30 | 2001-11-29 | 스프레이그 로버트 월터 | Nanosize metal oxide particles for producing transparent metal oxide colloids and ceramers |
| KR20010072724A (en) * | 1998-08-19 | 2001-07-31 | 그래햄 이. 테일러 | Process for preparing nanosize metal oxide powders |
| KR20010092706A (en) * | 2000-03-22 | 2001-10-26 | 마에다 시게루 | Complex metal ultrafine particle and manufacturing method thereof |
| KR20010099547A (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | 허승헌 | A design of a nanometer size metal, nonmetal, and alloy particle generator |
| KR20030030728A (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-18 | 주식회사 한국나노기술 | Synthesis of Monodisperse and Highly-Crystalline Nanoparticles of Metals, Alloys, Metal Oxides, and Multi-metallic Oxides without a Size-selection Process |
| KR20030046950A (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 박성 | A method for preparaing ZnO nanopowder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030083961A (en) | 2003-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4973830B2 (en) | Conductive composition, conductive paste and conductive film | |
| EP0517738B1 (en) | Improved ceramic dielectric compositions and method for enhancing dielectric properties | |
| KR100895414B1 (en) | The conductive paste composition for electrode including powder coated with silver and the manufacturing method thereof | |
| JPH0256402B2 (en) | ||
| JP5831055B2 (en) | Plate-like ruthenium oxide powder and method for producing the same, and thick film resistor composition using the same | |
| JPH05504541A (en) | Improved ceramic dielectric composition and manufacturing method | |
| KR20150131316A (en) | Complex oxide-coated metal powder, production method therefor, conductive paste using complex oxide-coated metal powder, and multilayer ceramic electronic component | |
| CN103594139A (en) | Metal powder, electronic component and method of producing the same | |
| CN115461825A (en) | Thick film resistor paste, thick film resistor, and electronic component | |
| KR100476557B1 (en) | A Method for Producing Metal Particle Having Nano Size And A Method for Forming Electrode Layer By Using the Same | |
| TWI662561B (en) | Lead-free thick film resistor composition, lead-free thick film resistor and production method thereof | |
| JP4689961B2 (en) | Conductive paste and ceramic electronic component manufacturing method | |
| JP6754430B2 (en) | Lead-free thick film resistor composition, lead-free thick film resistor, and method for producing the same. | |
| JPH10154633A (en) | Ceramic electronic part and its manufacturing method | |
| CN110494937B (en) | Lead-free thick film resistor and electronic component including the same | |
| JP4562282B2 (en) | Manufacturing method of ceramic circuit board | |
| JP2799916B2 (en) | Conductive metal-coated ceramic powder | |
| JP2008101276A (en) | Copper powder for electrically conductive paste for external electrode having excellent oxidation resistance and sinterability | |
| JP3542079B2 (en) | Nickel powder and conductive paste | |
| JP4494145B2 (en) | Dielectric precursor solution, metal composite particles, and conductive paste | |
| JP2018137076A (en) | Method for producing conductive paste | |
| JPH03214716A (en) | Formation of electrode and electronic parts using the same | |
| CN115516579A (en) | Thick film resistor paste, thick film resistor, and electronic component | |
| CN115516578A (en) | Thick film resistor paste, thick film resistor, and electronic component | |
| JPH04210481A (en) | Composition for forming palladium or palladium alloy thin film and its manufacture |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080131 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |