KR100473589B1 - 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents
패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 유기전계발광층이 개재된 제 1, 2 전극이 교차되는 부분을 발광영역으로 하는 패시브 매트릭스형(passive matrix type) 유기전계발광 소자에 있어서,기판 상에 제 1 방향으로 형성된 제 1 전극과;상기 제 1 전극을 덮는 기판 전면에 형성된 유기전계발광층과;상기 유기전계발광층 상부에 위치하며, 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 위치하고, W/L = 0.2 ~ 20 및 D ≥L ×20의 관계식이 성립되는 오목부와 볼록부가 서로 반복적으로 구성된 요철부를 가지고, PDMS(polydimethylsiloxane)로 이루어진 몰드를 사용한 열전사 방식에 의해 형성된 제 2 전극을 포함하는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자.(단, 상기 W(width) : 상기 오목부의 폭, L(length) : 상기 오목부의 길이, D(distance) : 오목부간의 이격거리(볼록부의 폭))
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은, 상기 PDMS 몰드의 오목부와 대응되는 영역에 형성되는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자.
- 유기전계발광층이 개재된 제 1, 2 전극이 교차되는 부분을 발광영역으로 하는 패시브 매트릭스형(passive matrix type) 유기전계발광 소자의 제조방법에 있어서,기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계와;상기 제 1 전극 상부에 유기전계발광층을 형성하는 단계와;상기 유기전계발광층 상부에 전극물질을 형성하는 단계와;W/L = 0.2 ~ 20 및 D ≥L ×20의 관계식이 성립되는 오목부와 볼록부가 서로 반복적으로 구성된 요철부를 가지고 PDMS(polydimethylsiloxane)로 이루어진 몰드와, 상기 전극물질을 접착시키는 단계와;상기 몰드가 접착된 기판에 80 ~ 100 ℃의 열을 가하는 단계와;상기 열이 가해진 몰드의 볼록부에 상기 전극물질을 전사하여, 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.(단, 상기 W(width) : 상기 오목부의 폭, L(length) : 상기 오목부의 길이, D(distance) : 오목부간의 이격거리(볼록부의 폭))
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극은 정공을 공급하는 양극이고, 상기 제 2 전극은 전자를 공급하는 음극인 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 양극을 이루는 물질은 일함수값이 높은 투명 도전성 물질에서 선택되는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 투명 도전성 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 중 어느 한 물질에서 선택되는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 음극을 이루는 물질은 일함수값이 낮으며, 반사특성을 가지는 금속물질에서 선택되는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 금속물질은 알루미늄(Al), 칼슘(Ca), 마그네슘(Mg) 중 어느 하나에서 선택되는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 전극은 하부 전극이고, 상기 제 2 전극은 상부 전극이며, 상기 유기전계발광 소자는 하부발광방식 유기전계발광 소자인 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 삭제
- 제 3 항에 있어서,상기 몰드는 경화제를 10 중량% 포함하는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 전극을 형성하는 단계에서는, 상기 몰드의 볼록부와 접착하는 상기 전극물질을 기판으로부터 떼어내는 단계를 포함하는 패시브 매트릭스형 유기전계발광 소자의 제조방법.
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