JP2007017967A - 平板ディスプレイ装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】平板ディスプレイ装置及びその製造方法に係り、金属基板を利用してフレキシブルが可能で、外部からの電気的衝撃を受けない平面ディスプレイ装置。
【解決手段】基板１０の一面を覆う第１絶縁体１１、前記基板１０の他面に配置されたディスプレイ部２０、及び前記基板１０の端部が露出されないように前記基板１０の端部を覆う第２絶縁体１２を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置である。
【選択図】図６
【解決手段】基板１０の一面を覆う第１絶縁体１１、前記基板１０の他面に配置されたディスプレイ部２０、及び前記基板１０の端部が露出されないように前記基板１０の端部を覆う第２絶縁体１２を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置である。
【選択図】図６
Description
本発明は、平板ディスプレイ装置及びその製造方法に係り、特に金属基板を利用してフレキシブル化が可能であり、かつ外部からの電気的衝撃を受けない平板ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
通常的に有機電界発光ディスプレイ装置、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）−ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のような平板型のディスプレイ装置は、駆動特性上、超薄型化及びフレキシブル化が可能であって、これについての多くの研究が行われている。
平板型のディスプレイ装置が薄型化及び柔軟性を有するためには、フレキシブル基板を使用するが、このようなフレキシブル基板としては、一般的に合成樹脂材からなる基板が使われた。しかし、平板型のディスプレイ装置は、その特性によって、有機膜、駆動のためのＴＦＴ、電極または配向膜などの多様な構造を備えているため、それらを形成するための非常に複雑な工程条件も満足させねばならない。したがって、合成樹脂材の基板を利用する場合、そのような工程条件により基板が変形されるか、または基板上に形成される薄膜などが変形されるという問題点があった。
このような合成樹脂材の基板の限界を克服するために、最近は、前記合成樹脂材の基板の代わりに金属フォイルを基板として使用する技術が研究されつつある。
このような金属フォイルの基板は、光が金属フォイルの基板の逆方向に放出される前面発光型の構造として使用するのに十分であり、また、非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化する高温工程を比較的自由に行えるなど、従来の基板に比べて工程条件に比較的敏感ではないという長所がある。特許文献１には、このように金属フォイルを基板として使用した能動駆動型の有機電界発光ディスプレイ装置が開示されている。
一方、このような金属基板は、電気的導体であるので、最終のディスプレイ装置で外部に露出させないことが望ましい。このとき、ディスプレイ部が備えられる面の逆面は、絶縁体で覆って露出させないが、量産時には、一連の工程を経て一つのディスプレイ装置のみを製造するものではなく、複数個のディスプレイ装置を同時に生産するので、金属基板の端部は外部に露出されるという問題点があった。すなわち、一つの金属基板上に複数個のディスプレイ部を形成した後、金属基板を切断して複数個のディスプレイ装置を同時に製造するが、この過程で、ディスプレイ部の形成前に金属基板を絶縁体で覆うとしても、金属基板を切断して複数個のディスプレイ装置を形成するステップで金属基板の端部が露出されるという問題点があった。このように金属基板の一部が露出される場合、静電気などがディスプレイ部に影響を与えて寿命を短縮させ、不良をもたらすという問題点があった。
米国特許出願公開第２００４／０，０８７，０６６号明細書
本発明の目的は、金属基板を利用してフレキシブル化が可能であり、かつ外部からの電気的衝撃を受けない平板ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することである。
前記の目的を達成するために、本発明は、基板、前記基板の一面を覆う第１絶縁体、前記基板の他面に配置されたディスプレイ部、及び前記基板の端部が露出されないように前記基板の端部を覆う第２絶縁体を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置を提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記基板の他面を覆う第３絶縁体をさらに備え、前記ディスプレイ部は、前記第３絶縁体上に備えられる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１絶縁体及び前記第３絶縁体は、同一な物質で形成される。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁体は無機絶縁体である。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁体は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム及びそれらの化合物のうち少なくとも一つを含む。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁体は有機絶縁体である。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁体は、ＰＩ（ポリイミド）、パリレン、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、エポキシ、ＰＳ（ポリスチレン）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）、ＰＡＮ（ポリアクリロニトリル）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、フェノール樹脂及びＣＹＰＥ（シクロペンテン）のうち少なくとも一つを含む。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記基板は金属基板である。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記金属基板は、ステンレススチール、Ｔｉ、Ｍｏ、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金のうち少なくとも一つを含む。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ディスプレイ部は、電界発光素子を備えるディスプレイ部である。
前記の目的を達成するために、本発明は、金属基板の一面を覆うように第１絶縁体を形成する工程、前記金属基板の他面に複数個のディスプレイ部を形成する工程、前記金属基板を前記各ディスプレイ部の外周部に沿って切断して複数個のディスプレイパネルを形成する工程、及び前記各ディスプレイパネルの金属基板の端部を覆うように第２絶縁体を形成する工程を含むことを特徴とする平板ディスプレイ装置の製造方法を提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記第１絶縁体を形成する工程と前記ディスプレイ部を形成する工程との間に、前記金属基板の他面を覆うように第３絶縁体を形成する工程をさらに含み、前記ディスプレイ部を形成する工程は、前記第３絶縁体上に複数個のディスプレイ部を形成する工程である。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１絶縁体を形成する工程及び前記第３絶縁体を形成する工程は、同時に行われる。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁体は、無機物で形成される。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁体は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム及びそれらの化合物のうち少なくとも一つを含むように形成される。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁体は、有機物で形成される。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２絶縁体は、ＰＩ、パリレン、ＰＭＭＡ、エポキシ、ＰＳ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴＦＥ、ＰＰＳ、ＰＣ、ＰＥＴ、ＰＶＣ、ＢＣＢ、ＰＶＰ、ＰＡＮ、ＰＶＡ、フェノール樹脂及びＣＹＰＥのうち少なくとも一つを含む。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記金属基板は、ステンレススチール、Ｔｉ、Ｍｏ、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金のうち少なくとも一つを含む。
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ディスプレイ部を形成する工程は、電界発光素子を備えたディスプレイ部を形成する工程である。
本発明の平板ディスプレイ装置及びその製造方法によれば、次のような効果が得られる。
第一に、金属基板あるいは導電性基板を使用することによって、高温工程でも容易に平板ディスプレイ装置を製造できる。
第二に、金属基板あるいは導電性基板を使用することによって、さらにフレキシブルな平板ディスプレイ装置を製造できる。
第三に、金属基板あるいは導電性基板を露出させないことによって、静電気のような外部からの電気的衝撃からディスプレイ部を保護して不良などを防止でき、それを通じてディスプレイ装置の寿命を著しく延長させうる。
以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
図１ないし図６は、本発明の望ましい第１実施形態による平板ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す平面図または断面図である。
まず、図１及び図２に示したように、金属基板１０を利用して平板ディスプレイ装置を製造する。金属基板１０は、金属フォイルで備えられるが、ステンレススチール、Ｔｉ、Ｍｏ、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金のうち少なくとも一つを含む。前記金属基板１０は、その表面を洗浄した後に平坦化処理を行うことが望ましいが、この平坦化処理は、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：ＣＭＰ）方法を利用して行える。
前記金属基板１０の一面には、第１絶縁体１１が形成される。この第１絶縁体１１は、最終的に製造された平板ディスプレイ装置で金属基板１０の面の露出を防止する役割を行うものであって、有機物または無機物で形成される。このような無機物としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム及びそれらの化合物のうち少なくとも一つを含むものが挙げられ、有機物としては、ＰＩ、パリレン、ＰＭＭＡ、エポキシ、ＰＳ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴＦＥ、ＰＰＳ、ＰＣ、ＰＥＴ、ＰＶＣ、ＢＣＢ、ＰＶＰ、ＰＡＮ、ＰＶＡ、フェノール樹脂またはＣＹＰＥのような物質が挙げられる。
次いで、図３に示したように、金属基板１０の他面に複数個のディスプレイ部２０を形成する。このディスプレイ部２０は、多様な素子を利用して形成できるが、例えば電界発光素子、電子放出素子または液晶素子などが挙げられる。特に、本発明は、前述したようにフレキシブル特性が要求されるディスプレイ装置に適用されるときにその効用性が高く、このようなフレキシブル特性の具現に最も望ましい素子としては電界発光素子が挙げられる。
この電界発光素子の構造を簡略に説明すれば、次の通りである。
電界発光素子を備えた平板ディスプレイ装置は、発光層での発光色相によって多様な画素パターンを備えるが、例えば赤色、緑色及び青色の画素を備える。前記電界発光素子は、電流駆動方式の発光素子であって、素子を構成する両電極の間の電流フローによって赤色、緑色または青色の光を発光して所定の画像を具現する。
電界発光素子は、第１電極、第１電極の上部に備えられる少なくとも発光層を備える中間層、及び中間層の上部に備えられる第２電極から構成される。本発明は、必ずしも前記のような構造に限定されるものではなく、多様な電界発光素子の構造がそのまま適用されうる。
第１電極はアノード電極の機能を行い、第２電極はカソード電極の機能を行うが、もちろん、それらの第１電極及び第２電極の極性は逆になってもよい。
第１電極は、透明電極または反射型電極で備えられるが、透明電極として使われるときには、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で備えられる。反射型電極として使われるときには、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはそれらの化合物などで反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３層を形成して備えられる。第１電極のパターンは、受動駆動型（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＰＭ）の場合には、フォトリソグラフィ方法などを利用して互いに所定間隔ほど離れたストライプ状のラインで形成され、能動駆動型（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）の場合には、画素に対応する形態に形成される。ＡＭの場合には、また、第１電極と基板との間に少なくとも一つのＴＦＴを備えたＴＦＴ層がさらに備えられ、第１電極は、このＴＦＴ層に電気的に連結される。
第２電極も、透明電極または反射型電極で備えられるが、透明電極として使われるときには、第２電極がカソード電極として使われうるので、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇまたはそれらの化合物が中間層に向かうように蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の物質で補助電極やバス電極ラインを備えて形成できる。そして、反射型電極として使われるときには、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇまたはそれらの化合物を全面蒸着して形成できる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、第１電極及び第２電極として伝導性ポリマーなど有機物を使用してもよい。
第２電極は、ＰＭの場合には、第１電極のパターンに直交するストライプ状のラインで備えられ、ＡＭの場合には、全体画素を覆うように、または各画素に対応するように備えられる。
一方、第１電極と第２電極との間に介在される中間層は、第１電極と第２電極の電気的駆動により発光する発光層を有し、中間層の種類によって、電界発光素子が有機電界発光素子または無機電界発光素子に区分されうる。
有機電界発光素子の場合には、低分子有機膜または高分子有機膜で備えられる。
低分子有機膜を使用する場合、中間層は、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、ホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが単一あるいは複合の構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様に適用可能である。このような低分子有機膜は、真空中で有機物を加熱して蒸着する方式で形成されうる。もちろん、中間層の構造は、必ずしも前記に限定されるものではなく、必要に応じて多様な層として構成できる。
高分子有機膜を使用する場合には、中間層は、ほぼＨＴＬ及びＥＭＬで備えられる。高分子ＨＴＬは、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用して、インクジェットプリンティング法やスピンコーティング法により形成されうる。高分子のＥＭＬは、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、可溶性ＰＰＶ、シアノ−ＰＰＶ、ポリフルオレンなどで備えられ、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。もちろん、このような高分子有機層の場合にも、前記中間層の構造は、必ずしも前記に限定されるものではなく、必要に応じて多様な層として構成できる。
無機電界発光素子の場合には、中間層は、無機膜で備えられ、これは、ＥＭＬ及び前記ＥＭＬと電極との間に介在された絶縁層で備えられる。もちろん、中間層の構造は、必ずしも前記に限定されるものではなく、必要に応じて多様な層として構成できる。このとき、ＥＭＬは、ＺｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳのような金属硫化物またはＣａＧａ２Ｓ４、ＳｒＧａ２Ｓ４のようなアルカリ土類ガリウム硫化物、及びＭｎ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｐｂなどを含む遷移金属またはアルカリ希土類金属で備えられる。
このようにディスプレイ部２０を形成した後、金属基板１０を各ディスプレイ部２０の外周部に沿って切断して複数個のディスプレイパネルを形成する。すなわち、図４で概略的に示した破線１０ａ，１０ｂに沿って金属基板１０を切断して、複数個のディスプレイパネルを形成する。
図５は、このように切断して製造されたディスプレイパネルを示す図面である。このとき、金属基板１０の端部が外部に露出しているので、図６に示したように、ディスプレイパネルの金属基板１０の端部を覆うように第２絶縁体１２を形成する。
前記第２絶縁体１２も、有機物または無機物で形成されうる。無機物としては、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム及びそれらの化合物のうち少なくとも一つを含むものが挙げられ、有機物としては、ＰＩ、パリレン、ＰＭＭＡ、エポキシ、ＰＳ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴＦＥ、ＰＰＳ、ＰＣ、ＰＥＴ、ＰＶＣ、ＢＣＢ、ＰＶＰ、ＰＡＮ、ＰＶＡ、フェノール樹脂またはＣＹＰＥのような物質が挙げられる。
一方、図６に示すように、金属基板１０の面のうち、ディスプレイ部２０が形成された面が露出している。さらに正確に説明すれば、ディスプレイ部２０の外周部で金属基板１０は露出しているが、図６に示したような平板ディスプレイ装置は、携帯電話または他の装置に結合されることによって、金属基板１０を露出させない。
もちろん、前記平板ディスプレイ装置が他の装置に結合されず、それ自体として独立されたディスプレイ装置となることもあるが、図７は、そのような変形例を概略的に示す図面である。
すなわち、図７に示したように、シーラント４０を利用してディスプレイ部２０の外側に金属基板１０に付着される対向部材３０がさらに備えられる。特に、ディスプレイ部２０が前述したように電界発光素子で備えられる場合、この電界発光素子は、外部の水分及び酸素などに非常に脆弱であるので、それを保護するために対向部材３０がさらに備えられることが望ましい。この場合、対向部材３０の内側には、外部から浸透した水分及び酸素などを除去するための除湿剤などが必要に応じてさらに備えられてもよい。一方、ディスプレイ部２０から放出される光は、金属基板１０でない対向部材３０を通じて外部に取り出されねばならないので、この対向部材３０は透明であることが望ましい。
もちろん、図６のように対向部材が備えられていない場合にも、第２絶縁体１２が、金属基板１０が露出されないようにディスプレイ部２０に隣接した部分まで備えられてもよいなど、多様な変形が可能であるということは自明である。
この場合、金属基板１０は、露出されず、フレキシブル特性を維持し、かつ外部からの静電気などによりディスプレイ部２０の損傷を防止できる。
もちろん、第２絶縁体１２が形成される前に対向部材３０が備えられ、次いで、第２絶縁体１２が形成されてもよいが、図８は、そのような平板ディスプレイ装置を示す図面である。
本実施形態において、基板１０が金属基板である場合についてのみ説明したが、本発明は、これに限定されていない。すなわち、導電性物質で形成された基板ならば、前述したようにその端部を外部に露出させない必要があるので、このような場合にも本発明が適用されうる。これは、後述する実施形態においても同一である。
図９ないし図１２は、本発明の望ましい第２実施形態による平板ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す平面図または断面図である。
本実施形態による製造工程が前述した製造工程と異なる点は、金属基板１０の他面にディスプレイ部を形成する前に、その面に第３絶縁体１３を形成するという点である。
金属基板１０は、電気的に導体であるので、その上部に形成されるディスプレイ部と絶縁させる必要がある場合には、前記第３絶縁体１３をあらかじめ形成する必要がある。もちろん、その上部に形成されるディスプレイ部の一構成要素と電気的疎通をなす場合にも、そのディスプレイ部の他の構成要素と電気的に絶縁される必要があるので、必要に応じて前記第３絶縁体１３を備える。また、金属基板１０から後でディスプレイ部に金属成分が拡散されることを防止するための目的でも、前記第３絶縁体１３が必要に応じて形成されてもよい。
この場合、第１絶縁体１１及び第３絶縁体１３は、相異なる工程を経て形成されてもよく、同時に形成されてもよい。例えば、ディッピング法のような方法を利用して同時に形成されてもよい。この場合には、第１絶縁体１１及び第３絶縁体１３は、同じ物質で形成される。
次いで、図１０に示したように、第３絶縁体１３上に複数個のディスプレイ部２０を形成し、図１１に示したように、各ディスプレイ部の外周部に沿って金属基板１０を切断して複数個のディスプレイパネルを製造する。
この場合、金属基板１０を切断することによって、第１絶縁体１１及び第３絶縁体１３により覆われていない金属基板１０の端部が露出されるが、これを防止するために、金属基板１０の端部に第２絶縁体１２を形成して金属基板１０を露出させない。第１絶縁体１１及び第２絶縁体１２の材料などは、前述した実施形態で説明した通りである。
もちろん、図示していないが、前述した実施形態及び変形例で説明したように、対向部材がさらに備えられてもよいなど多様な変形が可能である。
前記実施形態及びその変形例では、ディスプレイ部が電界発光素子を備えた場合である電界発光ディスプレイ装置について説明したが、本発明はこれに限定されていない。すなわち、ディスプレイ部は、液晶で形成されてもよく、電子放出素子で形成されてもよいなど多様な変形が可能である。
本発明は、図面に示した実施形態を参照して説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。
本発明は、平板ディスプレイ装置関連の技術分野に適用可能である。
１０ 基板
１１ 第１絶縁体
１２ 第２絶縁体
１３ 第３絶縁体
２０ ディスプレイ部
３０ 対向部材
４０ シーラント
１１ 第１絶縁体
１２ 第２絶縁体
１３ 第３絶縁体
２０ ディスプレイ部
３０ 対向部材
４０ シーラント
Claims (19)
- 基板と、
前記基板の一面を覆う第１絶縁体と、
前記基板の他面に配置されたディスプレイ部と、
前記基板の端部が露出されないように前記基板の端部を覆う第２絶縁体と、を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置。 - 前記基板の他面を覆う第３絶縁体をさらに備え、前記ディスプレイ部は、前記第３絶縁体上に備えられることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
- 前記第１絶縁体及び前記第３絶縁体は、同一な物質で形成されることを特徴とする請求項２に記載の平板ディスプレイ装置。
- 前記第２絶縁体は、無機絶縁体であることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
- 前記第２絶縁体は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム及びそれらの化合物のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項４に記載の平板ディスプレイ装置。
- 前記第２絶縁体は、有機絶縁体であることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
- 前記第２絶縁体は、ＰＩ、パリレン、ＰＭＭＡ、エポキシ、ＰＳ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴＦＥ、ＰＰＳ、ＰＣ、ＰＥＴ、ＰＶＣ、ＢＣＢ、ＰＶＰ、ＰＡＮ、ＰＶＡ、フェノール樹脂及びＣＹＰＥのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項６に記載の平板ディスプレイ装置。
- 前記基板は、金属基板であることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
- 前記金属基板は、ステンレススチール、Ｔｉ、Ｍｏ、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項８に記載の平板ディスプレイ装置。
- 前記ディスプレイ部は、電界発光素子を備えるディスプレイ部であることを特徴とする請求項１に記載の平板ディスプレイ装置。
- 金属基板の一面を覆うように第１絶縁体を形成する工程と、
前記金属基板の他面に複数個のディスプレイ部を形成する工程と、
前記金属基板を前記各ディスプレイ部の外周部に沿って切断して複数個のディスプレイパネルを形成する工程と、
前記各ディスプレイパネルの金属基板の端部を覆うように第２絶縁体を形成する工程と、を含むことを特徴とする平板ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記第１絶縁体を形成する工程と前記ディスプレイ部を形成する工程との間に、前記金属基板の他面を覆うように第３絶縁体を形成する工程をさらに含み、
前記ディスプレイ部を形成する工程は、前記第３絶縁体上に複数個のディスプレイ部を形成する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の平板ディスプレイ装置の製造方法。 - 前記第１絶縁体を形成する工程及び前記第３絶縁体を形成する工程は、同時に行われることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記第２絶縁体は、無機物で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の平板ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記第２絶縁体は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム及びそれらの化合物のうち少なくとも一つを含むように形成されることを特徴とする請求項１４に記載の平板ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記第２絶縁体は、有機物で形成されることを特徴とする請求項１１に記載の平板ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記第２絶縁体は、ＰＩ、パリレン、ＰＭＭＡ、エポキシ、ＰＳ、ＰＥ、ＰＰ、ＰＴＦＥ、ＰＰＳ、ＰＣ、ＰＥＴ、ＰＶＣ、ＢＣＢ、ＰＶＰ、ＰＡＮ、ＰＶＡ、フェノール樹脂及びＣＹＰＥのうち少なくとも一つを含むように形成されることを特徴とする請求項１６に記載の平板ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記金属基板は、ステンレススチール、Ｔｉ、Ｍｏ、インバー合金、インコネル合金及びコバール合金のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の平板ディスプレイ装置の製造方法。
- 前記ディスプレイ部を形成する工程は、電界発光素子を備えたディスプレイ部を形成する工程であることを特徴とする請求項１１に記載の平板ディスプレイ装置の製造方法。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150071287A (ko) * | 2013-12-18 | 2015-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속 필름을 이용한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6642092B1 (en) * | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
| US8405193B2 (en) * | 2004-04-02 | 2013-03-26 | General Electric Company | Organic electronic packages having hermetically sealed edges and methods of manufacturing such packages |
| KR101443369B1 (ko) * | 2007-02-12 | 2014-09-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 기판 모듈 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법 |
| CN100508675C (zh) * | 2007-06-08 | 2009-07-01 | 信利半导体有限公司 | 有机电致发光显示器的防静电方法 |
| KR100934480B1 (ko) * | 2009-03-17 | 2009-12-30 | 실리콘 디스플레이 (주) | 유기 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 |
| KR101267534B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2013-05-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
| CN102825889A (zh) * | 2012-08-10 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及具有该显示基板的显示装置 |
| CN104051671B (zh) * | 2014-06-16 | 2016-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示装置及其制备方法 |
| CN107565060B (zh) * | 2016-07-01 | 2019-11-22 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示器件的制备方法 |
| KR102620962B1 (ko) | 2016-12-07 | 2024-01-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4339482A (en) * | 1980-08-29 | 1982-07-13 | Lucitron, Inc. | Flat-panel display and method of manufacture |
| JPH0652795B2 (ja) * | 1984-03-07 | 1994-07-06 | 太陽誘電株式会社 | 可撓性非晶質半導体太陽電池 |
| US4695490A (en) * | 1985-10-15 | 1987-09-22 | Rca Corporation | Seal for liquid crystal display |
| JP3158667B2 (ja) | 1991-08-01 | 2001-04-23 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示素子の製造方法及び液晶表示素子の再生方法 |
| JPH08124676A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜ｅｌ素子の耐熱基板構造 |
| US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| JP4011649B2 (ja) | 1996-06-11 | 2007-11-21 | 出光興産株式会社 | 多色発光装置およびその製造方法 |
| JPH11202349A (ja) * | 1998-01-12 | 1999-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US6274887B1 (en) * | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| US6204906B1 (en) * | 1999-03-22 | 2001-03-20 | Lawrence E. Tannas, Jr. | Methods of customizing the physical size and shape of commercial off-the-shelf (COTS) electronic displays |
| JP4819211B2 (ja) | 1999-03-26 | 2011-11-24 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | ガラス積層物を含む電気的または電子的モジュールの製造法 |
| US6355125B1 (en) * | 1999-03-26 | 2002-03-12 | Agfa-Gevaert | Method for making an electric or electronic module comprising a glass laminate |
| US6362507B1 (en) | 1999-04-20 | 2002-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical devices in which pixel section and the driver circuit are disposed over the same substrate |
| MXPA01010917A (es) * | 1999-04-28 | 2002-07-30 | Du Pont | Dispositivo electronico organico flexible con resistencia mejorada a la degradacion por oxigeno y humedad. |
| US6597489B1 (en) * | 1999-06-30 | 2003-07-22 | Gentex Corporation | Electrode design for electrochromic devices |
| JP4776769B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2011-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| JP4563539B2 (ja) | 2000-02-07 | 2010-10-13 | アイファイヤー アイピー コーポレイション | 複合基板およびこれを用いたｅｌ素子 |
| CN1227751C (zh) * | 2000-02-17 | 2005-11-16 | Lg电子株式会社 | 有机电致发光显示板及其封装方法 |
| JP4566475B2 (ja) | 2000-08-04 | 2010-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
| US6605826B2 (en) * | 2000-08-18 | 2003-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and display device |
| JP3909556B2 (ja) | 2001-01-15 | 2007-04-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| US7255451B2 (en) * | 2002-09-20 | 2007-08-14 | Donnelly Corporation | Electro-optic mirror cell |
| US6576351B2 (en) * | 2001-02-16 | 2003-06-10 | Universal Display Corporation | Barrier region for optoelectronic devices |
| JP4255643B2 (ja) | 2001-02-21 | 2009-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| US6822391B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof |
| US7019809B2 (en) * | 2001-06-29 | 2006-03-28 | Citizen Watch Co., Ltd | Liquid crystal display panel having an insulating member to protect lead electrodes |
| WO2003023745A1 (fr) | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Appareil d'affichage et son procede de fabrication |
| TW594947B (en) * | 2001-10-30 | 2004-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP3810681B2 (ja) | 2001-12-20 | 2006-08-16 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置 |
| JP3865056B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | 封止用基板の製造方法 |
| JP3942017B2 (ja) | 2002-03-25 | 2007-07-11 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子 |
| US7268486B2 (en) * | 2002-04-15 | 2007-09-11 | Schott Ag | Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements |
| US6642092B1 (en) | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
| WO2004026002A1 (en) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus and fabrication method of the same |
| US7436050B2 (en) * | 2003-01-22 | 2008-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a flexible printed circuit |
| JP2004354648A (ja) | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| KR100583252B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-05-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| US20070222370A1 (en) * | 2003-12-30 | 2007-09-27 | Agency For Science, Technology And Research | Flexible Electroluminescent Devices |
| JP2005297498A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 可撓性基板およびそれを用いた有機デバイス |
| KR100601378B1 (ko) * | 2004-11-26 | 2006-07-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 |
| US7368307B2 (en) * | 2005-06-07 | 2008-05-06 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface |
-
2005
- 2005-07-06 KR KR1020050060718A patent/KR100719554B1/ko active IP Right Grant
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-
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR20150071287A (ko) * | 2013-12-18 | 2015-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속 필름을 이용한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치 |
| KR102167133B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2020-10-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 금속 필름을 이용한 면 봉지 방식의 유기발광 다이오드 표시장치 |
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