KR100464367B1 - 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 - Google Patents

포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100464367B1
KR100464367B1 KR10-2002-0000958A KR20020000958A KR100464367B1 KR 100464367 B1 KR100464367 B1 KR 100464367B1 KR 20020000958 A KR20020000958 A KR 20020000958A KR 100464367 B1 KR100464367 B1 KR 100464367B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
insulating layer
inp
sinx
stacked
Prior art date
Application number
KR10-2002-0000958A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030060309A (ko
Inventor
양승기
백재명
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2002-0000958A priority Critical patent/KR100464367B1/ko
Priority to US10/315,586 priority patent/US6780532B2/en
Priority to JP2003000234A priority patent/JP2003282928A/ja
Publication of KR20030060309A publication Critical patent/KR20030060309A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100464367B1 publication Critical patent/KR100464367B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0735—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIIBV compound semiconductors, e.g. GaAs/AlGaAs or InP/GaInAs solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 포토다이오드 디텍터에 관한 것으로서, InP 기판과, 상기 InP 기판상에 성장되어 적층되는 u-In0.53Ga0.47As층과, 상기 u-In0.53Ga0.47As층의 상부에 적층되는 u-Inp층과, 상기 u-Inp층의 상부에 적층되는 SiNx 절연층과, 상기 SiNx 절연층의 상부에 적층되는 추가 절연층과, 상기 추가 절연층과 SiNx 절연층의 소정의 위치에 개구부를 형성하고, 상기 개구부 아래의 u-Inp층 부분에 Zn 확산을 실시해 형성하는 P-InP층과, 상기 추가 절연층의 상부에 위치되는 P-금속층 및 상기 InP 기판의 하부에 무반사층과 함께 형성되는 N-금속층을 포함하여 구성하므로써, SiNx 절연층의 상부에 저유전율을 가지는 BCB 물질을 비교적 두껍게 형성시켜 소망하는 정전용량을 얻을 수 있기 때문에 기존의 저속 평탄형 디텍터 구조를 그대로 사용하면서 고속 발진할 수 있도록 구성되며, 메사 형태의 포토다이오드 디텍터가 갖는 단결정 에칭과정을 생략하고, 소자 표면의 굴곡을 완전히 평탄화시키기 때문에 높은 공정 안정성을 유지시킬 수 있다.

Description

포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법{PHOTODIODE DETECTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 포토다이오드 디텍터(photodiode detector)에 관한 것으로써, 특히 광통신 시스템에서 광을 수신하여 전기신호로 변환시켜 주는 포토다이오드 디텍터에 관한 것이다.
광전자 집적회로에 이용되는 InGaAs/InP계의 포토다이오드 디텍터는 1.3㎛ 내지 1.5㎛의 장파장 영역에서 유용하고, 광통신 또는 광 정보처리 시스템의 구성에 필요한 최적의 물성을 갖는 소재로 선택되고 있다.
일반적으로 광통신의 발달은 초당 데이터 전송속도가 높아지면서 가능하게 되었으며, 응답성(responsivity), 밴드 폭(bandwidth), 잡음(noise)등의 부문이 그 특성을 좌우하게 된다. 특히, 수신감도를 높이려면 밴드 폭 부문에서 최적의 조건을 구비하여야 한다.
상기 밴드 폭은 전송되어온 최대 시그널의 중간지점에서의 파장(Hz)으로 정의하게 되는데, 이러한 밴드 폭은 커패시턴스(capacitance)와 저항(resistance)이 가장 큰 영향을 미치게 된다. 저항의 경우에는 모든 소자가 극소화하므로 크게 영향을 미치지 않기 때문에 상대적으로 커패시턴스가 소자의 속도향상에 중요한 요소가 되는 것이다.
도 1은 종래 기술의 일실시예에 따른 포토다이오드 디텍터의 구조를 개략적으로 도시한 수직단면도로써 메사구조의 포토다이오드 디텍터를 도시하고 있다.
도시한 바와 같이, 종래의 포토다이오드 디텍터는 InP 기판(1), u-InGaAs 흡수층(2), P-InP층(3)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 P-InP층(3)과 u-InGaAs 흡수층(2)을 에칭을 통해 제거하고 SiNx막(4)을 이용하여 절연하고 있다. 또한, 상기P-InP층(3)의 상부에는 P-금속층(5)이 적층되어 있으며, 상기 InP 기판(1)의 하부에는 SiNx 무반사층(7)과 함께 N-금속층(6)이 증착되어 있다.
그러나 상기와 같은 메사구조는 확산공정이 없어 단결정 성장시에 P-InP층을 성장하기 때문에 공정 단순화에 장점이 있는 반면, 에칭되는 P-InP층과 u-InGaAs층이 공정 도중 대기중에 노출되고 또한 절연막인 SiNx과 접합 형성되는데, 이때 에너지 밴드갭이 적은 상기 InGaAs막의 경우 누설 전류가 매우커서 소정의 신뢰성이 현저히 저하되는 문제점이 발생하게 되었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 메사구조의 단점인 누설전류를 최대한 억제하기 위하여 다이오드의 단결정을 에칭하지 않는 평탄형 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 기존의 저속 평탄형 디텍터 구조를 그대로 사용하면서 고속 수신할 수 있도록 구성되는 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
따라서, 본 발명은 InP 기판;
상기 InP 기판상에 성장되어 적층되는 u-In0.53Ga0.47As층;
상기 u-In0.53Ga0.47As층의 상부에 적층되는 u-Inp층;
상기 u-Inp층의 상부에 적층되는 SiNx 절연층;
상기 SiNx 절연층의 상부에 적층되는 추가 절연층;
상기 추가 절연층과 SiNx 절연층의 소정의 위치에 개구부를 형성하고, 상기 개구부 아래의 u-Inp층 부분에 Zn 확산을 실시해 형성하는 P-InP층;
상기 추가 절연층의 상부에 위치되는 P-금속층 및;
상기 InP 기판의 하부에 무반사층과 함께 형성되는 N-금속층을 포함하여 구성함을 특징으로 한다.
도 1은 종래 기술의 일실시예에 따른 포토다이오드 디텍터의 구조를 개략적으로 도시한 수직단면도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 포토다이오드 디텍터의 구조를 개략적으로 도시한 수직단면도.
도 3은 본 발명에 의한 BCB 물질로 추가 절연층을 형성시켰을때의 입출력비(dB)와 주파수(GHz)간의 관계를 도시한 그래프.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
21: InP 기판 22: u-In0.53Ga0.47As 흡수층
23: u-InP층 24: P-InP층
25: SiNx 절연층 26: BCB 절연층
본 발명에 의한 포토다이오드 디텍터는 기존의 저속 평탄형 디텍터 구조를 그대로 사용하면서 고속 발진할 수 있도록 구성된다. 따라서, 메사 형태의 포토다이오드 디텍터가 갖는 단결정 에칭과정을 생략하고, 소자 표면의 굴곡을 완전히 평탄화시키기 때문에 높은 공정 안정성을 유지시킬 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 포토다이오드 디텍터의 구조를 개략적으로 도시한 수직단면도로써, InP 기판(21)상에 u-In0.53Ga0.47As층(22)을 성장시킨후, 상기 u-In0.53Ga0.47As층(22)의 상부에 u-Inp층(23)을 성장시킨다. 그후, 상기 u-Inp층(23)의 상부에 SiNx 절연층(25)을 PECVD 증착한후, 포토리소그래피(photolithography)를 이용해 선택적인 면에 대하여 u-Inp층 부분에 Zn 확산을 실시해 P-InP층(24)을 형성한다. 그후, 소자의 통전성 확보를 위하여 소정의 금속막(27)을 형성시킨다. 그후, 상기 SiNx 절연층(25)의 상부에 소정의 추가절연층(26)을 적층시킨다. 상기 추가 절연층(26)은 공정안정성이 유지되면서 습기에 약한 디텍터에 내성이 있는 물질을 적용시키게 되는데, 예를 들어, BCB(Benzocyclobutene) 계열의 물질을 사용할 수 있다.
그후, 상기 추가 절연층(26)과 SiNx 절연층(25)의 소정의 위치에 포토리소그래피(photolithography)통해 상기 금속막(27)까지 개구부를 형성하고, 다시 포토리소그래피 공정을 이용하여 와이어 본딩(wire bonding)을 할 수 있는 패드(P-금속층)(28)을 형성시킨다. 그후, 상기 InP 기판(21)의 하부에 웨이퍼의 가공성을 위해서 시닝(thinning)공정을 진행한 후 무반사 코팅을 실시하고, 포토리소그래피를 통해 N-금속층(29)을 형성하게 된다.
본 발명은 기존의 저속 평탄형 디텍터 구조를 그대로 사용하면서 고속 발진하는데 있으므로, 이를 위해서는 수광면적(P-InP) 면적을 작게하면서도 검출된 신호를 회로에 전달할 수 있는 positive 전극을 형성시켜 주어야 한다. 이를 위해 상기 SiNx 절연층(25)의 막의 유전상수보다 훨씬 작은 유전상수를 갖는 물질을 패드(P-금속층)(28) 아래에 형성시켜 유전(dielectric)막으로 사용하므로써 원하는 정전용량(상대적으로 적은 정전용량)을 얻을 수 있는 것이다.
일반적으로, 정전용량(capacitance)은 하기 <수학식 1>에 의하여 표시될 수 있다.
여기서, C는 정전용량, ε은 유전상수, A는 활성면적, d는 유전막의 두께는 나타낸다.
상기 <수학식 1>에 의하면, 유전상수 ε가 작거나, 활성면적 A가 줄어들거나, 반대로 두께 d가 커지면 정전용량 C가 감소하는 것을 알 수 있다. 따라서, 상기 SiNx막 상부에 유전상수가 적으면서 유전막의 두께를 두껍게 형성시킬 수 있는 물질을 사용하게 되는데, 본 발명에서는 BCB(Benzocyclobutene) 계열의 물질을 사용하게 된다.
상기 BCB 물질(26)은 상대적으로 낮은 저유전상수(low dielectric constant)를 가지며, 낮은 고속발진신호 손실율(low loss at high frequency), 우수한 내습성(low moisture absorption), 낮은 공정온도(low cure temperature), 고 평탄도(high degree of planarization), 우수한 열적 안정성(good thermal stability), 우수한 화학적 저항(excellent chemical resistance)등의 특성을 갖는 물질로 알려지고 있다. 따라서, 본 발명에 의하여 SiNx 절연층(30) 상부에 적층되는 물질(26)은 상대적으로 적은 유전상수를 가짐과 동시에 두께를 두껍게 형성시킬 수 있는 BCB 계열의 물질(26)을 사용하게 되는 것이다.
도 3은 본 발명에 의한 BCB 물질로 추가 절연층을 형성시켰을때의 입출력비(dB)와 주파수(GHz)간의 관계를 도시한 그래프로써, 상기 입출력비는 입력된 광파워 대 출력파워의 비를 나타낸다.
일반적으로, 10GHz급 디텍터에서 요구되는 정전용량은 0.2pF 정도인데 본 발명에 의한 BCB 물질을 사용하여 추가 절연층을 형성하였을때에는 상기 0.2pF보다적은 0.13pF의 정전용량을 얻을 수 있었으며, 최대 17.5GHz이상 까지 작동하는 디텍터를 제작할 수 있음을 알수 있다.
본 발명에 의한 포토다이오드 디텍터는 SiNx 절연층의 상부에 저유전율을 가지는 BCB 물질을 비교적 두껍게 형성시키므로써, 소망하는 정전용량을 얻을 수 있기 때문에 기존의 저속 평탄형 디텍터 구조를 그대로 사용하면서 고속 발진할 수 있도록 구성되며, 메사 형태의 포토다이오드 디텍터가 갖는 단결정 에칭과정을 생략하고, 소자 표면의 굴곡을 완전히 평탄화시키기 때문에 높은 공정 안정성을 유지시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

  1. InP 기판;
    상기 InP 기판상에 성장되어 적층되는 u-In0.53Ga0.47As층;
    상기 u-In0.53Ga0.47As층의 상부에 적층되는 u-Inp층;
    상기 u-Inp층의 상부에 적층되는 SiNx 절연층;
    상기 SiNx 절연층의 상부에 적층되며, 상대적으로 유전상수가 적고 유전막의 두께를 크게 할 수 있는 BCB 계열의 물질로 형성된 추가 절연층;
    상기 추가 절연층과 SiNx 절연층의 소정의 위치에 개구부를 형성하고, 상기 개구부 아래의 u-Inp층 부분에 Zn 확산을 실시해 형성하는 P-InP층;
    상기 추가 절연층의 상부에 위치되는 P-금속층 및;
    상기 InP 기판의 하부에 무반사층과 함께 형성되는 N-금속층을 포함하여 구성함을 특징으로 하는 포토다이오드 디텍터.
  2. 삭제
  3. InP 기판상에 u-In0.53Ga0.47As층을 성장시켜 적층하는 단계;
    상기 u-In0.53Ga0.47As층의 상부에 u-InP층을 성장시켜 적층하는 단계;
    상기 u-Inp층의 상부에 SiNx 절연층을 증착하는 단계;
    상기 SiNx 절연층의 상부에 소정의 추가 절연층을 형성시키는 단계;
    상기 추가 절연층과 SiNx 절연층의 소정의 위치에 개구부를 형성하고, 상기 개구부 아래의 u-Inp층 부분에 Zn을 확산시켜 P-InP층을 형성하는 단계;
    상기 InP 기판의 하부에 무반사층과 함께 N-금속층을 형성하는 단계를 포함하여 구성함을 특징으로 하는 포토다이오드 디텍터 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 SiNx 절연층의 상부에 적층되는 추가 절연층은 상대적으로 유전상수가 적고 유전막의 두께를 크게 할 수 있는 성질을 가진 BCB 계열의 재질로 형성함을 특징으로 하는 포토다이오드 디텍터 제조방법.
KR10-2002-0000958A 2002-01-08 2002-01-08 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 KR100464367B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0000958A KR100464367B1 (ko) 2002-01-08 2002-01-08 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법
US10/315,586 US6780532B2 (en) 2002-01-08 2002-12-10 Photodiode detector and fabrication method thereof
JP2003000234A JP2003282928A (ja) 2002-01-08 2003-01-06 フォトダイオード検出器及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2002-0000958A KR100464367B1 (ko) 2002-01-08 2002-01-08 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030060309A KR20030060309A (ko) 2003-07-16
KR100464367B1 true KR100464367B1 (ko) 2005-01-03

Family

ID=19718263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0000958A KR100464367B1 (ko) 2002-01-08 2002-01-08 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6780532B2 (ko)
JP (1) JP2003282928A (ko)
KR (1) KR100464367B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070066762A1 (en) * 2005-09-22 2007-03-22 Acosta Erick J Triazole-containing fluorinated polymers
US20070066785A1 (en) * 2005-09-22 2007-03-22 Acosta Erick J Triazole-containing fluorinated urethanes and ureas
US9087926B2 (en) * 2009-12-23 2015-07-21 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Low capacitance semiconductor device
CN109738792B (zh) * 2018-12-16 2020-06-12 深圳先进技术研究院 SiPM阵列的信号读出方法、装置及SiPM阵列模块

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258878A (ja) * 1988-08-25 1990-02-28 Nec Corp 半導体受光素子アレイ
JPH03136282A (ja) * 1989-10-20 1991-06-11 Shimadzu Corp フォトダイオード
US5114866A (en) * 1989-02-10 1992-05-19 Hitachi, Ltd. Fabricating an avalanche photo diode having a step-like distribution
JPH0621503A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光検出装置とその製造方法
US5315148A (en) * 1990-08-31 1994-05-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Photo-sensing device
KR970024322A (ko) * 1995-10-13 1997-05-30 김주용 포토 다이오드 및 그 제조방법
JPH09270527A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Nec Corp 半導体受光素子

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01146562U (ko) * 1988-03-31 1989-10-09
JPH07142759A (ja) * 1993-11-18 1995-06-02 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体受光素子
US6437425B1 (en) * 2000-01-18 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp Semiconductor devices which utilize low K dielectrics
DE60108286T2 (de) * 2000-03-27 2005-12-29 Shipley Co., L.L.C., Marlborough Entfernungsmittel für Polymer
JP2001308306A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその駆動方法
US20030047791A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-13 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Optoelectronic device doped to augment an optical power threshold for bandwidth collapse and a method of manufacture therefor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258878A (ja) * 1988-08-25 1990-02-28 Nec Corp 半導体受光素子アレイ
US5114866A (en) * 1989-02-10 1992-05-19 Hitachi, Ltd. Fabricating an avalanche photo diode having a step-like distribution
JPH03136282A (ja) * 1989-10-20 1991-06-11 Shimadzu Corp フォトダイオード
US5315148A (en) * 1990-08-31 1994-05-24 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Photo-sensing device
JPH0621503A (ja) * 1992-07-06 1994-01-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光検出装置とその製造方法
KR970024322A (ko) * 1995-10-13 1997-05-30 김주용 포토 다이오드 및 그 제조방법
JPH09270527A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Nec Corp 半導体受光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003282928A (ja) 2003-10-03
US20030129781A1 (en) 2003-07-10
US6780532B2 (en) 2004-08-24
KR20030060309A (ko) 2003-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106098836B (zh) 通讯用雪崩光电二极管及其制备方法
WO2017000873A1 (zh) 硅基锗光电探测器
JP4220688B2 (ja) アバランシェホトダイオード
US6841814B2 (en) Photodiode for ultra high speed optical communication and fabrication method therefor
Umezawa et al. Zero-bias operational ultra-broadband UTC-PD above 110 GHz for high symbol rate PD-array in high-density photonic integration
JP4291521B2 (ja) 半導体受光素子、半導体受光装置、半導体装置、光モジュール及び光伝送装置
US6228673B1 (en) Method of fabricating a surface coupled InGaAs photodetector
US20090057796A1 (en) Photodiode being monolithically integrated onto a waveguide
JP2011187607A (ja) 半導体受光素子
KR100464367B1 (ko) 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법
KR100464333B1 (ko) 수광소자 및 그 제조방법
TWI818027B (zh) 通用寬頻帶光偵測器設計以及製造製程
Chizh et al. High-speed high-power InAlAs/InGaAs/InP schottky photodiode
US6791152B2 (en) Photodetector device and method for manufacturing the same
US20050161695A1 (en) Systems and methods having a metal-semiconductor-metal (MSM) photodetector with buried oxide layer
US10553742B2 (en) Back-surface-incident type light-receiving device and optical module
KR100516594B1 (ko) 포토다이오드 및 그 제조방법
JP3320058B2 (ja) アングルキャビティ共鳴型光検出器組立体及びその製造方法
JPH04263475A (ja) 半導体受光素子及びその製造方法
CN114400267B (zh) 集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法
KR100654014B1 (ko) 대구경 수광부를 위한 전극구조를 구비한 포토 다이오드
KR102664498B1 (ko) 가시광선 및 근적외선의 파장대역에서 입사각도 및 편광상태에 관계없이 반사를 방지하는 무반사막, 무반사막 실리콘 광 검출기 및 이의 제조 방법
US8575714B2 (en) Backside illuminated semiconductor light-receiving device, optical receiver module, and optical transceiver
JP3247552B2 (ja) 受光素子
JP2001111097A (ja) Ｍｓｍ型フォトダイオード

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121129

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131128

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee