KR100654014B1 - 대구경 수광부를 위한 전극구조를 구비한 포토 다이오드 - Google Patents

대구경 수광부를 위한 전극구조를 구비한 포토 다이오드 Download PDF

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Abstract

본 발명은 수광부를 대구경화할 수 있는 포토 다이오드의 구조에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 광전변환을 위한 화합물 반도체의 접합구조를 구비한 수광부; 상기 수광부 일면의 광입사영역에 오믹 접촉된 그물망 구조의 제1전극; 및 상기 제1전극과 대응하도록 상기 수광부의 타면에 형성되는 제2전극;을 포함하는 포토 다이오드가 개시된다.
포토 다이오드, 수광부, 화합물 반도체, 그물망 구조, 전극패드

Description

대구경 수광부를 위한 전극구조를 구비한 포토 다이오드{PHOTO DIODE HAVING ELECTRODE STRUCTURE FOR LARGE OPTICAL SIGNAL RECEIVING AREA}
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 종래기술에 따른 포토 다이오드의 구성을 도시하는 평면도.
도 2는 종래기술에 따른 포토 다이오드의 다른 구성을 도시하는 평면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토 다이오드의 구성을 도시하는 평면도.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토 다이오드의 내부 구성을 도시하는 절개사시도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 다이오드의 주파수 응답특성을 도시하는 그래프.
도 6은 포토 다이오드의 임펄스 응답을 측정하기 위한 시스템 구성도.
도 7 및 도 8은 비교예에 따른 포토 다이오드의 임펄스 응답 측정시 광의 정렬위치를 도시하는 평면도.
도 9 및 도 10은 비교예에 따른 포토 다이오드의 광정렬에 대응하는 임펄스 특성을 도시하는 그래프.
도 11 및 도 12는 비교예에 따른 포토 다이오드의 주파수 응답특성을 도시하는 그래프.
<도면의 주요 참조부호에 대한 설명>
100...수광부 101...제1전극
102...링형 전극 103...전극패드
104...Zn확산영역 105...절연막
106...무반사막 107...제2전극
108...InP 기판 109...InP 버퍼층
110...InGaAs 흡수층 111...InP층
본 발명은 포토 다이오드에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수광량을 증대시키도록 대구경의 수광부를 구성할 수 있는 전극구조를 갖는 포토 다이오드에 관한 것이다.
포토 다이오드(Photo diode)는 수광면적이 넓을수록 수광되는 광량이 많아 광통신에 있어 보다 정확한 데이터 전송동작을 지원하게 되며, 광섬유와의 결합시 쉽게 정렬이 이루어질 수 있다.
그러나, 한편으로는 수광면적을 넓힐 경우 포토 다이오드의 전이시간(Transit time) 및 캐리어 전달시간이 길어져 동작속도가 늦어지게 될 뿐만 아니라 포토 다이오드의 가장 중요한 전기적 특징인 주파수 응답속도가 늦어지는 문제도 발생하게 된다.
도 1에는 일반적인 포토 다이오드의 구성이 도시되어 있다. 도면을 참조하면, 포토 다이오드는 인화인듐(InP)의 기판(10)과, 상기 기판(10)에 형성되는 수광부(11)와, 상기 수광부(11)에 인접하도록 기판(10)상에 오믹 접촉(Ohmic contact) 되는 전극패드(12)를 구비한다. 이러한 구성에 의하면, 수광부(11)에 흡수되는 광자(Photon)에 대응하여 전자-정공쌍(electron-hole pair)이 발생하게 되고, 그에 따른 캐리어(Carrier)는 전극패드(12)를 거쳐서 외부회로로 전달된다.
상기와 같은 구조를 갖는 포토 다이오드는, 인화인듐(InP)에 광이 입사했을 때 가전자대(Valence band)의 전자(Electron)가 전도대(Conduction band)로 여기되는 광전효과에 의해 가전자대에는 정공(hole)이 생성되고, 전도대에는 전자가 생성됨으로써 전자정공쌍이 발생하고, 그에 따른 캐리어는 PN접합구조에 의해 제공되는 전기장에 의해 전극으로 이동되어 외부회로로 전달된다. 특히, 최근에는 전기장이 가해지는 영역을 넓게 형성하기 위해 I층, 즉 진성(Intrinsic)반도체층을 PN접합구조 사이에 개재한 PIN 포토 다이오드에 대한 연구도 활발히 이루어지고 있다.
일반적으로, 포토 다이오드가 광신호를 잘 감지하기 위해서는 광신호가 입력되지 않을 때의 전류, 즉 암전류가 작아야 하고, 입사광에 대응하는 출력전류의 비인 감응도(Responsivity) 값이 커야 한다. 그밖에 포토 다이오드의 동작속도에 영 향을 주는 변수로서는 다이오드 정전용량(diode capacitance), 기생정전용량(Parastitic capacitance), 및 공핍층에서의 캐리어 전달시간(carrier transport time) 등을 들 수 있다.
일반적인 평면형 PIN 포토 다이오드의 경우 수광면적을 넓힐 경우 아래의 수학식1에 의해 다이오드 정전용량 C j 가 증가하여 소자의 총 정전용량(Capacitance)이 증가하게 되므로 동작속도와 주파수 응답속도가 낮아지는 문제가 발생하게 된다.
Figure 112004044063511-pat00001
상기 수학식1에서 공핍층폭 W는 아래의 수학식2와 같이 표현된다. 여기서, ε은 유전율, A는 접합면적, V는 역바이어스 전압, V bi 는 접합고유전압(Junction built-in voltage), q는 전하량, N D 는 I층의 순전하농도를 나타낸다.
Figure 112004044063511-pat00002
도 2에는 수광면적의 대구경화시 문제되는 정전용량을 최소화하기 위하여 이산화규소(SiO2)의 박막위에 형성되는 전극패드(12)와, 수광부(11)의 가장자리를 따라 형성되는 금속의 링형 전극(13)을 구비한 포토 다이오드가 도시되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 입사되는 광신호에 대응하여 발생하는 전류를, 수광부(11)에 오 믹 접촉된 링형 전극(13)과, 상기 링형 전극(13)에 연결된 전극패드(12)를 거쳐서 외부회로로 전달함으로써 기생용량을 최소화할 수 있다.
그러나, 링형 전극(13)을 사용하는 경우 OSA(Optical sub assembly) 조립시 금속링에 의한 반사(Back reflectance) 특성 때문에 정렬을 위한 공정시간이 증가하는 문제가 있으며, 일정 직경 이상의 대구경 수광부(11)를 갖는 경우 캐리어 전달시간이 길어짐으로 인해 주파수 응답속도가 낮아지는 문제가 발생하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 점을 고려하여 창안된 것으로서, 광섬유와의 정렬공정시 발생하는 반사 문제를 해소하고, 정전용량을 최소화함과 동시에 캐리어의 전달시간을 줄일 수 있는 전극구조를 구비한 포토 다이오드를 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 포토 다이오드는, 광전변환을 위한 화합물 반도체의 접합구조를 구비한 수광부; 상기 수광부 일면의 광입사영역에 오믹 접촉된 그물망 구조의 제1전극; 및 상기 제1전극과 대응하도록 상기 수광부의 타면에 형성되는 제2전극;을 포함한다.
바람직하게, 상기 제1전극의 그물망 구조는 가로와 세로가 30~50㎛인 정사각형 패턴을 구비할 수 있다.
또한, 상기 제1전극은 1~4㎛의 폭을 갖는 배선으로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에는, 상기 제1전극과 전기적으로 연결되되, 상기 수광부의 광입사영역의 가장자리를 따라 오믹 접촉된 링형 전극이 더 구비될 수 있다.
상기 수광부는, N형 InP 기판; 상기 기판 위에 형성되는 N형 InP 버퍼층; 상기 버퍼층 위에 형성되는 InGaAs 흡수층; 및 상기 흡수층 위에 형성되는 InP 층;을 구비할 수 있다.
바람직하게, 본 발명에는 상기 광입사영역 주변의 InP 층 위에 형성되는 이산화규소 절연막; 상기 이산화규소 절연막 위에 패시베이션(Passivation) 되는 무반사막; 및 상기 무반사막 위에 형성되어 상기 제1전극에 연결되는 전극패드;가 더 포함될 수 있다.
상기 InGaAs 흡수층의 두께는 2.0~3.4㎛의 값을 갖는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토 다이오드의 구성을 도시하는 평면도이며, 도 4는 절개사시도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 포토 다이오드는 광전변환을 위한 화합물 반도체의 다층 접합구조를 구비한 수광부(100)와, 상기 수광부(100)의 광입사영역에 구비되는 그물망 구조의 제1전극(101)과, 상기 수광부(100)의 타면에 형성되는 제2전극(107)을 포함한다.
수광부(100)의 광입사영역에는 그물망 구조의 제1전극(101)이 구비된다. 제1전극(101)의 그물망 구조는 수광부(100)의 상부에 오믹 접촉되며, 일반적인 광통신용 전송광의 직경보다 크거나 같은 30~50㎛의 정사각형 배선 패턴이 반복되는 구조를 갖는다. 여기서, 제1전극(101)을 이루는 그물망 배선의 폭은 포토 다이오드의 반사(Back reflectance) 특성에 영향을 미치지 않고 조립공정 중 레이저 용접(Laser welding) 공정시에도 영향을 미치지 않는 정도인 1~4㎛의 값을 갖는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게, 제1전극(101)의 배선은 2~4㎛의 폭을 갖도록 형성된다. 상기 제1전극(101)은 Ti/Pt/Au 또는 Cr/Au의 다중층으로 이루어지는 것이 바람직하다.
바람직하게, 수광부(100)의 광입사영역 가장자리에는 링형 전극(102)이 더 구비될 수 있다. 수광부(100)에 오믹 접촉되는 링형 전극(102)은 상기 그물망 구조의 가장자리를 원형으로 둘러쌈과 동시에 제1전극(101)에 전기적으로 연결된다.
상기 수광부(100)의 광입사영역 주변에는 제1전극(101) 및 링형 전극(102)과 전기적으로 연결되어 캐리어를 외부회로로 전달하는 전극패드(103)가 구비된다. 여 기서, 수광부(100)의 광입사영역 주변에는, 대략 1㎛ 두께의 이산화규소(SiO2) 절연막(105)과, 상기 이산화규소 절연막(105) 위에 패시베이션(Passivation)되는 대략 1000~2000Å의 Si3N4(질화규소막)로 이루어진 무반사막(106)이 구비된다. 상기 전극패드(103)는 기생용량을 최소화 하도록 무반사막(106) 위에 형성되며, Ti/Pt/Au 또는 Cr/Au의 다중층으로 이루어지는 것이 바람직하다.
수광부(100)는 입사광에 대응하는 캐리어의 생성을 위한 화합물 반도체층을 비롯하여, 캐리어를 전극으로 전달하기 위한 전기장을 제공하는 PN 접합구조를 구비한다. 바람직하게, 수광부(100)는 N형의 InP 기판(108)과, 상기 기판(108) 위에 형성되는 N형 InP 버퍼층(109)과, 상기 버퍼층(109) 위에 형성되는 InGaAs 흡수층(110)과, 상기 흡수층(110) 위에 형성되는 InP층(111)을 구비할 수 있다. 상기 InP층(111)에는 Zn 확산을 통한 P형의 InP 영역이 구비되고, 상기 기판(108)의 하면에는 그물망 구조의 제1전극(101)과 대응하는 제2전극(107)이 형성된다. 여기서, 수광부(100)가 상기와 같은 구성에 한정되지 않고 공지의 PIN 접합구조가 채용되는 등 다양한 변형예가 있을 수 있음은 물론이다.
포토 다이오드의 성능에 가장 큰 영향을 미치는 주파수 응답은 흡수층(110)에 대한 전이시간과 정전용량에 의해 제한된다. 즉, 흡수층(110)의 두께가 지나치게 두꺼워지면 전이시간이 많이 소요되고, 지나치게 얇아지면 정전용량이 증가하게 되어 주파수 응답특성이 좋지 않게 된다. 이러한 점을 감안할 때, 상기 InGaAs 흡수층(110)의 두께는 2.0~3.4㎛로, 수광부(100)의 직경은 약 100㎛ 이상 300㎛ 이하 의 값을 갖는 것이 바람직하다. 특히, 포토 다이오드가 광통신을 위한 수신용으로 사용되는 경우 수광부(100)의 직경은 100~150㎛의 값을 갖는 것이 바람직하다.
상기 수광부(100)의 InP 버퍼층(109), InGaAs 흡수층(110), InP층(111) 등은 통상의 반도체 제조공정에 사용되는 박막 성장 기술에 의해 순차적으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 InP층(111) 상부의 Zn확산영역(104)은 통상의 PECVD(Plasma Enhanced Chemical-Vapor Deposition)를 이용한 마스킹(Masking) 기술, 사진식각(Photo-lithography) 공정, 리프트 오프(Lift off) 기술, RTA(Rapid Thermal Annealing) 기술 등을 통해 형성될 수 있으며, 그물망 패턴의 제1전극(101), 링형전극(102), 전극패드(103), 제2전극(107) 등의 전극 구조는 통상의 전자빔(E-beam) 증착기술과 리프트 오프 기술 혹은 습식식각 기술을 이용해 제작될 수 있다.
이하, 수광부(100)의 Zn확산영역(104), 전극 등의 형성 공정을 중심으로 본 발명에 따른 포토 다이오드의 제조공정을 설명하기로 한다.
먼저, MOCVD법에 의해 성장된 에피 웨이퍼에 대하여 황산계 식각용액을 사용하여 0.1㎛ 두께의 InGaAs 캡핑층(capping layer)을 제거하고, Zn 확산용 마스크를 만들기 위하여 PECVD 장비를 이용하여 Si3N4막을 증착한다.
증착공정을 완료한 후에는, Si3N4막 위에 사진식각 공정으로 Zn 확산용 포토레지스터(Photo resister; PR) 패턴을 만든 후, BOE(Buffer Oxide Etchant) 용액을 사용하여 PR 패턴에 의해 노출된 Si3N4를 식각한다.
BOE 에칭이 끝난 웨이퍼는 Zn3P2와 함께 열증기 챔버(Thermal evaporator chamber)에 투입되어 2x10-6Torr의 진공에서 Zn3P2를 웨이퍼 위에 증착하는 공정을 거친다. 증착이 끝난 웨이퍼는 Zn을 확산하기 위한 부분의 Zn3P2만 남겨놓고 나머지 부분의 Zn3P2와 PR을 모두 제거하는 리프트 오프(Lift-off) 공정을 거친다. 여기서, 리프트 오프 공정은 아세톤 용액 등을 이용해 PR을 녹임으로써 PR과 그 위에 증착되어 있는 Zn3P2이 기판으로부터 떨어져 나가도록 하는 방식으로 수행된다.
상기 웨이퍼는 PECVD를 이용해 그 상면에 SiO2를 증착하는 공정을 거침으로써 높은 온도에서 Zn이 확산될 때 외부 확산(out-diffusion)되는 것이 방지된다.
다음으로, SiO2가 캡핑(capping)된 웨이퍼를 질소 분위기의 RTA 챔버에 넣은 후 550℃ 에서 4분 동안 Zn-RTA 확산공정을 실시한다. 확산공정을 마친후에는 SiO2 캡핑층을 BOE로 제거한 다음 질산계 식각 용액을 사용하여 확산하고 남은 수광부 영역의 Zn3P2를 제거한다.
이어서, 전극패드에 의한 기생용량을 최소화하기 위해 PECVD 장비를 이용하여 웨이퍼의 상면에 SiO2 절연층을 1㎛의 두께로 증착한 후, Zn이 확산된 부분의 SiO2를 사진식각 공정과 BOE 용액을 사용하여 제거하는 공정이 진행된다.
계속해서, PECVD 공정으로 Zn이 확산된 부분에 대하여 무반사막(Si3N4)을 형성한 다음 사진식각 공정과 리프트 오프 공정을 이용하여 그물망 패턴을 갖는 제1 전극인 P-metal 전극을 형성한다. 여기서, P-metal 전극의 형성 공정은, 사진식각 공정을 거쳐 PR 패턴이 형성된 웨이퍼에 대하여 전자빔 증착장비(E-beam evaporator)를 이용해 1x10-6Torr의 고진공에서 Ti/Pt/Au를 400/600/12000Å의 두께로 증착하고, 리프트 오프 공정으로 불필요한 부분의 금속박막을 제거한 후 RTA 챔버에서 오믹 접촉 열처리(ohmic contact annealing)를 실시하는 방식으로 수행된다. 이와 같이 그물망 패턴의 P-metal 전극을 형성한 후에는 상기 P-metal 전극에 인접한 SiO2 절연층 상의 일측에 전극패드를 형성하는 공정이 진행된다.
이어서, 상기 웨이퍼의 뒷면에 대하여 랩핑(Lapping) 공정을 수행하여 100㎛정도의 두께가 되도록 한 후, n-metal로서 채용된 Ti/Pt/Au를 400/600/3000Å의 두께로 증착하고, 다시 RTA에서 오믹 접촉 열처리(ohmic contact annealing)를 실시하게 되면 상기 그물망 패턴의 P-metal 전극에 대응하는 제2전극인 n-metal 전극이 형성된다.
이상과 같은 단위공정이 모두 끝난 웨이퍼를 도 4와 같이 일정한 크기로 절단하면 수광부에 그물망 구조의 전극이 구비된 포토 다이오드가 얻어진다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 본 발명의 구체적인 일 실시예와 종래기술에 따른 포토 다이오드(비교예)를 상호 비교하여 설명하기로 한다.
<실시예>
수광부의 직경이 150㎛, InGaAs 흡수층의 두께가 2.0㎛이며 그물망 구조의 전극과 전극패드를 갖는 포토 다이오드를 제조하였다.
상기 실시예에 대하여 주파수 응답속도를 측정한 결과, 도 5에 도시된 바와 같이, 예를 들어 VR=5V일때, 3dB 대역폭(band width)에 대응하는 주파수가 0.58GHz로 나타났다.
<비교예1>
수광부의 직경이 120㎛이고, InGaAs 흡수층의 두께가 3.4㎛이며 InP 기판 위에 바로 형성된 전극패드만을 구비한 포토 다이오드(도 1 참조).
<비교예2>
수광부의 직경이 120㎛이고, InGaAs 흡수층의 두께가 3.4㎛이며 링형 전극과, SiO2막 위에 형성되는 전극패드를 구비한 포토 다이오드(도 2 참조).
상기 비교예1과 비교예2에 대하여 수광 정렬의 위치변화에 따른 포토 다이오드의 응답속도 변화를 임펄스 응답(impulse response)을 통해 살펴보았다. 도 6에 도시된 바와 같이, 통상의 임펄스 응답 측정시스템의 옵티컬 스테이지(Optical stage)(200)에서 포토 다이오드의 감응도(Responsivity)가 최대가 되도록 광축을 조정한 후, LSA 3703A(201)를 이용하여 포토 다이오드의 스텝 응답(step response)을 측정하였다. 측정조건은 Test power = -2.5dBm, VR=5.0V, RL=50, λ=1550nm, Electrical delay = 6ns, Time span = 5ns로 셋팅되었으며, 도 7 및 도 8과 같이 광의 위치를 수광부(11)의 각 지점(A,B,C..)에 대응하도록 변화시켜 가면서 임펄스 응답을 측정 비교하였다.
측정 결과, 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 비교예2의 포토 다이오드가 비교예1의 포토 다이오드에 비해 빔의 위치변화에 따른 응답속도의 변화가 작은 것으로 나타났다. 따라서, 본 발명에 따라 수광부를 대구경으로 구성하는 경우에는 링형 전극을 부가하여 수광 정렬의 위치변화에 따른 응답속도의 변화를 최소화하는 것이 바람직함을 알 수 있다.
<비교예3>
수광부의 직경이 150㎛이고, InGaAs 흡수층의 두께가 2.0㎛이며 InP 기판 위에 바로 형성된 전극패드만을 구비한 포토 다이오드(도 1 참조).
<비교예4>
수광부의 직경이 150㎛이고, InGaAs 흡수층의 두께가 2.0㎛이며 링형 전극과, SiO2막 위에 형성되는 전극패드를 구비한 포토 다이오드(도 2 참조).
상기 비교예3과 비교예4에 대하여 주파수 응답속도를 측정한 결과, 도 11과 도 12에 각각 도시된 바와 같이, VR=5V 일때 비교예3의 경우 3dB 대역폭에 대응하는 주파수는 0.33GHz로, 비교예4의 경우에는 3dB 대역폭에 대응하는 주파수가 0.5GHz로 나타났다.
이상과 같은 측정 결과에 따르면, 수광부에 그물망 구조의 전극을 구비한 포토 다이오드의 경우 캐리어의 전달특성이 향상됨으로써 링형 전극만을 구비한 종래의 포토 다이오드 보다도 3dB 대역폭에 대응하는 주파수 응답특성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발 명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
이상의 설명과 같이 본 발명에 따른 포토 다이오드는 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, OSA 조립시 반사(Back reflectance) 특성이 개선되므로 광섬유 정렬을 위한 공정시간을 절감할 수 있고, 대구경 수광부를 구비하고 있으므로 레이저 용접공정시 정렬 정밀도의 허용치를 크게 할 수 있으며, 압착방식의 수동정렬도 가능하다.
둘째, 그물망 구조의 특성상 전극 배선의 폭을 좁게 형성하더라도 전극 구조가 안정적으로 유지되므로 반사특성 개선은 물론 외부회로로의 캐리어 전달시간을 줄일 수 있다.
셋째, 링형 전극만을 사용하는 포토 다이오드에 비해 동일 수광부 직경 대비 주파수 응답특성을 향상시킬 수 있다.
넷째, 예컨대 100~300㎛ 정도의 대구경 수광부가 구성되므로 모니터용 포토 다이오드는 물론 155Mbps~2.5Gbps의 광신호 수신용으로 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (7)

  1. 광전변환을 위한 화합물 반도체의 접합구조를 구비한 수광부;
    상기 수광부 일면의 광입사영역에 오믹 접촉된 그물망 구조의 제1전극;
    상기 제1전극과 대응하도록 상기 수광부의 타면에 형성되는 제2전극; 및
    상기 제1전극의 가장자리를 원형으로 둘러싸면서 전기적으로 연결되고, 상기 수광부의 광입사영역의 가장자리를 따라 오믹 접촉된 링형 전극;을 포함하는 포토 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극의 그물망 구조는 가로와 세로가 30~50㎛인 정사각형 패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1전극은 1~4㎛의 폭을 갖는 배선으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 수광부는,
    N형 InP 기판;
    상기 기판 위에 형성되는 N형 InP 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 형성되는 InGaAs 흡수층; 및
    상기 흡수층 위에 형성되는 InP층;을 구비하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 광입사영역 주변의 InP 층 위에 형성되는 이산화규소 절연막;
    상기 이산화규소 절연막 위에 패시베이션 되는 무반사막; 및
    상기 무반사막 위에 형성되어 상기 제1전극에 연결되는 전극패드;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 InGaAs 흡수층의 두께가 2.0~3.4㎛인 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
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