KR100386946B1 - 트렌치 소자 분리형 반도체 장치의 형성방법 - Google Patents
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- 기판에 식각 보호막 패턴을 형성하여 활성 영역을 정의하는 단계,상기 식각 보호막 패턴을 식각 마스크로 상기 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계,상기 트렌치의 측벽에 열산화막을 형성하는 단계,상기 열산화막이 형성된 상기 트렌치를 CVD 실리콘 산화막으로 채워 소자 분리막을 형성하는 단계,상기 소자 분리막이 형성된 기판에서 상기 식각 보호막 패턴을 제거하는 단계,상기 트렌치의 측벽 상단에서 상기 열산화막을 상기 실리콘 기판의 상면을 기준으로 100 내지 350Å 깊이까지 제거하는 단계,상기 활성 영역 및 상기 트렌치의 측벽 상단에 드러난 실리콘 기판에 게이트 산화막을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 게이트 산화막을 형성하는 단계는,이온주입용 버퍼 산화막을 상기 드러난 실리콘 기판에 형성하는 단계,이온주입 후 상기 버퍼 산화막을 제거하는 단계 및상기 버퍼 산화막을 제거하는 단계에서 노출된 실리콘 기판에 열산화를 통해 게이트 산화막을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 식각 보호막 패턴은 상기 기판에 패드 산화막이 형성된 상태에서 실리콘 질화막(Si3N4)을 적층하고 패터닝하여 형성되며,상기 트렌치 측벽 상단의 열산화막을 100 내지 350Å 제거하는 단계는 상기 활성 영역에서 상기 패드 산화막을 제거하는 단계에서 함께 이루어지는 것임을 특징으로 하는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 형성방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 열산화막은 200Å 이상의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 형성방법.
- 기판에 식각 보호막 패턴을 형성하여 활성 영역을 정의하는 단계,상기 식각 보호막 패턴을 식각 마스크로 상기 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 단계,상기 식각 보호막 패턴을 등방성으로 식각하여 상기 식각 보호막 패턴의 측단을 소정의 폭으로 제거하여 축소패턴을 형성하는 단계,상기 트렌치의 내벽에 열산화막을 형성하는 단계,상기 축소패턴이 형성된 기판에 상기 열산화막 위로 산소 베리어용 라이너를 적층하는 단계;상기 열산화막이 형성된 상기 트렌치를 CVD 실리콘 산화막으로 채워 소자 분리막을 형성하는 단계,상기 소자 분리막이 형성된 기판에서 상기 축소패턴을 제거하는 단계,상기 트렌치의 측벽 상단에서 상기 열산화막을 상기 실리콘 기판의 상면을 기준으로 100 내지 350Å 깊이까지 제거하는 단계,상기 활성 영역 및 상기 트렌치의 측벽 상단에 드러난 실리콘 기판에 게이트 산화막을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 형성방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 축소패턴을 형성하는 단계에서 상기 소정의 폭은 50 내지 1000Å으로 하는 것을 특징으로 하는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치의 형성방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 산소 베리어용 라이너는 실리콘 질화막을 CVD로 적층하여 50 내지 150A 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치의 형성방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 게이트 산화막을 형성하는 단계는,이온주입용 버퍼 산화막을 상기 드러난 실리콘 기판에 형성하는 단계,이온주입 후 상기 버퍼 산화막을 제거하는 단계 및상기 버퍼 산화막을 제거하는 단계에서 노출된 실리콘 기판에 열산화를 통해 게이트 산화막을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 형성방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 식각 보호막 패턴은 상기 기판에 패드 산화막이 형성된 상태에서 실리콘 질화막(Si3N4)을 적층하고 패터닝하여 형성되며,상기 트렌치 측벽 상단의 열산화막을 100 내지 350Å 제거하는 단계는 상기 활성 영역에서 상기 패드 산화막을 제거하는 단계에서 함께 이루어지는 것임을 특징으로 하는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 형성방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 열산화막은 200Å 이상의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 소자 분리형 반도체 장치 형성방법.
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