KR100377630B1 - Selective excluding method of Carbon Nanotube having various characteristics - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 탄소나노튜브의 선택적 제거방법은, 탄소나노튜브를 병렬연결시키는 단계; 및 탄소나노튜브의 온도를 100K~300K로 유지시키고, 병렬연결된 탄소나노튜브에 펄스 형태의 전압을 인가하여, 도체적 특성을 갖는 탄소나노튜브를 제거하고, 반도체적 특성을 갖는 탄소나노튜브만을 획득하는 단계를 포함한다.Selective removal method of carbon nanotubes according to the present invention comprises the steps of connecting the carbon nanotubes in parallel; And maintaining the temperature of the carbon nanotubes at 100K to 300K, applying a pulse voltage to the parallel connected carbon nanotubes, removing carbon nanotubes having conductive properties, and obtaining only carbon nanotubes having semiconductor characteristics. It includes a step.
또한, 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 선택적 제거방법은, 탄소나노튜브를 병렬연결시키는 단계; 및 탄소나노튜브의 온도를 550K~700K로 유지시키고, 병렬연결된 탄소나노튜브에 펄스 형태의 전압을 인가하여, 반도체적 특성을 갖는 탄소나노튜브를 제거하고, 도체적 특성을 갖는 탄소나노튜브만을 획득하는 단계를 포함한다.In addition, the selective removal method of carbon nanotubes according to the present invention comprises the steps of: connecting the carbon nanotubes in parallel; And maintaining the temperature of the carbon nanotubes at 550K to 700K, applying a pulse voltage to the parallel connected carbon nanotubes, removing carbon nanotubes having semiconductor characteristics, and obtaining only carbon nanotubes having conductive characteristics. It includes a step.
이와 같은 본 발명에 의하면, 반도체적인 전기적 특성을 지니는 부분과 도체적인 전기적 특성을 지니는 부분이 혼합되어 형성되는 탄소나노튜브에 있어, 반도체적인 특성을 지니는 부분 또는 도체적인 특성을 지니는 부분 중 하나의 특성을 지니는 부분을 선택적으로 제거함으로써, 필요한 전기적 특성을 지닌 탄소나노튜브만을 용이하게 획득할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, in the carbon nanotube formed by mixing a portion having a semiconductor electrical characteristics and a portion having a conductive electrical characteristics, the characteristics of one of a portion having a semiconductor characteristics or a conductive characteristic By selectively removing the portion having the advantage, there is an advantage that can easily obtain only carbon nanotubes having the necessary electrical properties.
Description
본 발명은 탄소나노튜브에 관한 것으로서, 특히 반도체적인 전기적 특성을 지니는 부분과 도체적인 전기적 특성을 지니는 부분이 혼합되어 형성되는 탄소나노튜브에 있어, 반도체적인 특성을 지니는 부분 또는 도체적인 특성을 지니는 부분중 하나의 특성을 지니는 부분을 선택적으로 제거함으로써, 필요한 전기적 특성을 지닌 탄소나노튜브만을 용이하게 획득할 수 있는 탄소나노튜브의 선택적 제거방법에 관한 것이다.The present invention relates to carbon nanotubes, and particularly to carbon nanotubes formed by mixing a portion having semiconductor electrical characteristics and a portion having conductive electrical characteristics, a portion having semiconductor characteristics or a portion having conductive characteristics. By selectively removing a portion having one of the characteristics, and relates to a selective removal method of carbon nanotubes that can easily obtain only carbon nanotubes having the necessary electrical properties.
일반적으로, 탄소나노튜브(CNT:Carbon NanoTube)는 매우 다양한 전기적 특성을 가지는 것으로 알려져 있다. 탄소나노튜브의 구조에 따라서, 그 구조가 단일 벽 구조냐 또는 다중 벽 구조냐에 따라 전도성이 다르게 나타난다. 또한, 그 종류도 단일 벽의 경우 금속성과 반도체성을, 다중 벽의 경우 금속성에서 비금속 특성까지 다양하게 나타난다.In general, carbon nanotubes (CNT: Carbon NanoTube) are known to have a wide variety of electrical properties. Depending on the structure of the carbon nanotubes, the conductivity is different depending on whether the structure is a single wall structure or a multi wall structure. In addition, the type also exhibits a variety of metallic and semiconducting properties in the case of single walls and metallic to nonmetallic properties in the case of multiple walls.
그리고, CNT의 비저항도 시료에 따라 많은 차이를 보이고 있고, 다발형태로도 존재하며 수송현상이 3차원적인 특성을 보이기도 한다.In addition, the specific resistance of the CNTs also shows a lot of difference according to the sample, and also exists in the form of a bundle, and the transport phenomenon has three-dimensional characteristics.
이와 같은 CNT의 다양한 수송현상은 앞으로의 응용 가능성에 있어서 매우 크고 또한 매우 광범위하게 연구되어 지고 있다. 그 응용에 있어서 도체가 필요한 경우와 반도체가 필요한 경우가 다르게 된다. 즉, 원하는 전도성을 보이는 CNT만을 선택할 수 있어야 한다.Such various transport phenomena of CNTs are very large and very extensively studied in future applications. In the application, the case where a conductor is required and the case where a semiconductor is required are different. That is, it should be possible to select only CNTs showing the desired conductivity.
현재, 선택적으로 CNT를 구현하는 방법은 전기방전법이나 레이저 증착법을 이용하여 CNT를 선택적으로 합성하는 것이다. 하지만, 수율이 낮고 레이저를 이용하는 경우에는 응용상 비용 때문에 실현되기 어려운 문제점이 있다. 또한, 레이저 증착법을 이용하는 경우에도 원하는 특성(도체 또는 반도체 특성)만을 갖는 완전한 선택성장에는 어려움이 있다.Currently, a method of selectively implementing CNTs is to selectively synthesize CNTs using an electric discharge method or a laser deposition method. However, when the yield is low and the laser is used, there is a problem that is difficult to realize due to the cost of application. In addition, even in the case of using a laser deposition method, there is a difficulty in the complete selective growth having only desired characteristics (conductor or semiconductor characteristics).
한편, 화학기상증착법(CVD:Chemical Vapor Deposition)을 이용한 합성의 경우에는, 양산 장치에 유리하기 때문에 많은 연구가 진행되고 있다. 하지만, CVD를 이용하여 원하는 전도 특성만을 선택적으로 갖는 CNT를 성장하는 데에는 아직 많은 어려움이 있다. 도 1은 일반적인 탄소나노튜브의 합성 장비의 하나인 Thermal-CVD 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.On the other hand, in the case of synthesis using chemical vapor deposition (CVD: Chemical Vapor Deposition), many studies have been conducted because it is advantageous for mass production equipment. However, there are still many difficulties in growing CNTs that selectively have only the desired conductive properties using CVD. 1 is a view schematically showing the structure of a thermal-CVD apparatus which is one of general equipment for synthesizing carbon nanotubes.
그리고, 탄소나노튜브를 합성하는 방법은 여러 가지가 있을 수 있으며, 여러 합성 방법에 따라 생성된 탄소나노튜브의 예를 도 2에 나타내었다. 도 2는 여러 가지 탄소나노튜브의 합성 방법에 따라 형성된 탄소나노튜브의 형상을 확대하여 나타낸 도면이다.In addition, there may be various methods of synthesizing carbon nanotubes, and examples of carbon nanotubes produced according to various synthesis methods are shown in FIG. 2. 2 is an enlarged view of the shape of carbon nanotubes formed according to various carbon nanotube synthesis methods.
여기서, 도 2의 (a)는 아크방전(arc-discharge), (b)는 수직 성장(vertical growth), (c)는 수평 성장(horizontal growth)에 의하여 성장된 탄소나노튜브의 형상을 나타낸 것이다.Here, (a) of FIG. 2 shows arc-discharge, (b) shows vertical growth, and (c) shows the shape of carbon nanotubes grown by horizontal growth. .
한편, 원하는 전도 특성만을 가지는 CNT를 성장시키기가 어려움에 따라, 반도체적 특성과 도체적 특성이 같이 존재하는 CNT를 성장시킨 후에, 원치 않는 특성을 제거할 수 있는 방법들에 대한 연구가 진행되고 있다.On the other hand, as it is difficult to grow a CNT having only desired conductive properties, studies have been made on methods for removing unwanted properties after growing a CNT having both semiconductor and conductor properties. .
이때, CNT의 원하는 성질을 구현함에 있어 몇 가지 필요한 조건들이 있는데, 그 필요한 조건들은 다음과 같다.At this time, there are some necessary conditions for implementing the desired properties of the CNT, the necessary conditions are as follows.
1. 원치 않는 성질을 가진 CNT를 완전하게 제거할 수 있어야 한다.1. Must be able to completely remove CNTs with unwanted properties.
2. 원하는 성질을 가진 CNT의 성질이 선택 후에도 변하지 않아야 한다.2. The properties of the CNTs with the desired properties shall not change after selection.
3. 공정이 간단해야 한다.3. The process should be simple.
4. 도체적 특성의 선택과 반도체적 특성의 선택이 가능해야 한다.4. It should be possible to select conductive and semiconducting characteristics.
본 발명은 상기와 같은 여건을 감안하여 창출된 것으로서, 반도체적인 전기적 특성을 지니는 부분과 도체적인 전기적 특성을 지니는 부분이 혼합되어 형성되는 탄소나노튜브에 있어, 반도체적인 특성을 지니는 부분 또는 도체적인 특성을 지니는 부분 중 하나의 특성을 지니는 부분을 선택적으로 제거함으로써, 필요한 전기적 특성을 지닌 탄소나노튜브만을 용이하게 획득할 수 있는 탄소나노튜브의 선택적 제거방법을 제공함에 그 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above conditions, and in the carbon nanotube formed by mixing a portion having semiconductor electrical characteristics and a portion having conductive electrical characteristics, a portion having a semiconductor characteristic or a conductive characteristic It is an object of the present invention to provide a selective removal method of carbon nanotubes that can easily obtain only carbon nanotubes having the necessary electrical properties by selectively removing one of the parts having the characteristics.
도 1은 일반적인 탄소나노튜브의 합성 장비의 하나인 Thermal-CVD 장치의 구조를 개략적으로 나타낸 도면.1 is a view schematically showing the structure of a thermal-CVD apparatus that is one of the general equipment for synthesizing carbon nanotubes.
도 2는 여러 가지 탄소나노튜브의 합성 방법에 따라 형성된 탄소나노튜브의 형상을 확대하여 나타낸 도면.Figure 2 is an enlarged view showing the shape of the carbon nanotubes formed according to the synthesis method of the various carbon nanotubes.
도 3은 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 선택적 제거방법에 따라 특정 특성을 제거하기 위하여 탄소나노튜브를 병렬 연결시킨 상태를 개념적으로 나타낸 도면.3 is a view conceptually showing a state in which carbon nanotubes are connected in parallel in order to remove specific characteristics according to the selective removal method of carbon nanotubes according to the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
30... 전극30 ... electrode
35, 36, 37, 38... 탄소나노튜브35, 36, 37, 38 ... carbon nanotubes
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 선택적 제거방법은,전극 형성을 통하여, 탄소나노튜브를 병렬연결시키는 단계; 및상기 탄소나노튜브의 온도를 100K~300K로 유지시키고, 상기 병렬연결된 탄소나노튜브에 펄스 형태의 전압을 인가하여, 도체적 특성을 갖는 탄소나노튜브를 제거하고, 반도체적 특성을 갖는 탄소나노튜브만을 획득하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.In order to achieve the above object, the selective removal method of carbon nanotubes according to the present invention comprises the steps of: connecting the carbon nanotubes in parallel through electrode formation; And maintaining the temperature of the carbon nanotubes at 100 K to 300 K, applying a pulse voltage to the parallel connected carbon nano tubes to remove the carbon nanotubes having the conductive characteristics, and the carbon nanotubes having the semiconductor characteristics. It is characterized in that it includes the step of acquiring the bay.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 선택적 제거방법은,전극 형성을 통하여, 탄소나노튜브를 병렬연결시키는 단계; 및상기 탄소나노튜브의 온도를 550K~700K로 유지시키고, 상기 병렬연결된 탄소나노튜브에 펄스 형태의 전압을 인가하여, 반도체적 특성을 갖는 탄소나노튜브를 제거하고, 도체적 특성을 갖는 탄소나노튜브만을 획득하는 단계를 포함하는 점에 그 특징이 있다.In addition, the selective removal method of carbon nanotubes according to the present invention in order to achieve the above object, through the formation of the electrode, the carbon nanotubes in parallel connection; And maintaining the temperature of the carbon nanotubes at 550 K to 700 K, and applying a pulse voltage to the parallel connected carbon nano tubes to remove carbon nanotubes having semiconductor characteristics, and carbon nanotubes having conductive characteristics. It is characterized in that it includes the step of acquiring the bay.
이와 같은 본 발명에 의하면, 반도체적인 전기적 특성을 지니는 부분과 도체적인 전기적 특성을 지니는 부분이 혼합되어 형성되는 탄소나노튜브에 있어, 반도체적인 특성을 지니는 부분 또는 도체적인 특성을 지니는 부분 중 하나의 특성을 지니는 부분을 선택적으로 제거함으로써, 필요한 전기적 특성을 지닌 탄소나노튜브만을 용이하게 획득할 수 있는 장점이 있다.According to the present invention, in the carbon nanotube formed by mixing a portion having a semiconductor electrical characteristics and a portion having a conductive electrical characteristics, the characteristics of one of a portion having a semiconductor characteristics or a conductive characteristic By selectively removing the portion having the advantage, there is an advantage that can easily obtain only carbon nanotubes having the necessary electrical properties.
일반적으로, 금속성과 반도체성을 갖는 물질은 온도에 따라 저항이 변하게 된다. 이때, 금속성의 물성을 갖는 경우에는 온도가 증가함에 따라 저항이 증가하고, 반도체성의 물성을 갖는 경우에는 온도가 증가하면 저항이 감소한다.In general, materials having metallicity and semiconductivity will change resistance with temperature. At this time, in the case of having a metallic property, the resistance increases as the temperature increases, and in the case of the semiconductor property, the resistance decreases when the temperature increases.
즉, 금속적 특성과 반도체적 특성이 혼재된 CNT에 있어서, 상온에서 같은 전압을 병렬로 걸었을 때, 금속성 CNT는 저항이 작으므로 전류가 많이 흐르고, 많은 열이 발생된다.That is, in the CNTs in which the metallic and semiconductor characteristics are mixed, when the same voltage is applied in parallel at room temperature, the metallic CNT has a small resistance, so a large current flows and a lot of heat is generated.
또한, 금속적 특성과 반도체적 특성이 혼재된 CNT에 있어서, 온도가 증가함에 따라 금속성 CNT의 저항이 높아지고, 반도체성 CNT의 저항이 낮아지게 되므로, 고온에서는 반도체적 특성을 갖는 CNT의 발열량이 증가하게 된다(P=V2/R).In addition, in a CNT having a mixture of metallic and semiconducting properties, the resistance of the metallic CNTs increases and the resistance of the semiconducting CNTs decreases as the temperature increases, so that the calorific value of the CNTs having semiconductor properties increases at high temperatures. (P = V 2 / R).
본 발명은 이와 같은 특성을 이용하여 원치않는 특성을 지닌 CNT를 선택적으로 제거할 수 있는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method which can selectively remove CNTs having unwanted properties by using such properties.
그러면 도 3을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명하도록 한다. 도 3은 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 선택적 제거방법에 따라 특정 특성을 제거하기 위하여 탄소나노튜브를 병렬 연결시킨 상태를 개념적으로 나타낸 도면이다.Next, an embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to FIG. 3. 3 is a view conceptually illustrating a state in which carbon nanotubes are connected in parallel to remove specific characteristics according to the selective removal method of carbon nanotubes according to the present invention.
예컨대, 도 3에 나타낸 바와 같이 전극(30)에 병렬연결된 CNT(35, 36, 37, 38) 중에서 도체적 특성을 갖는 CNT(35, 36)와 반도체적 특성을 갖는 CNT(37, 38)가 혼재되어 있다고 하자.For example, as shown in FIG. 3, among the CNTs 35, 36, 37, and 38 connected in parallel to the electrode 30, the CNTs 35 and 36 having the conductive characteristics and the CNTs 37 and 38 having the semiconductor characteristics are provided. Let's say it's mixed.
이러한 경우에, 필요한 특성만을 갖는 CNT를 이용하기 위해서는, 원치 않는 특성을 지닌 CNT를 제거해야만 한다. 그러면, 온도 조절 및 전압 인가를 통하여 선택적으로 원치 않는 특성을 갖는 CNT를 제거하는 과정을 설명해 보기로 한다.In such a case, in order to use CNTs with only the necessary properties, one must remove CNTs with unwanted properties. Next, a process of removing CNTs having unwanted characteristics selectively through temperature control and voltage application will be described.
예를 들어, 반도체적인 특성을 갖는 단일벽 CNT의 경우, 상온에서 20V 이상의 전압을 걸어 주어도 안정된 상태로 존재할 수 있다. 하지만, 금속성 특성을 갖는 CNT의 경우에는, 같은 전압에서 전류가 10~1000배 이상 흐르게 된다. 즉, 금속성 특성을 갖는 CNT에서 발생되는 발열량이 그만큼 많아지게 된다.For example, in the case of a single-wall CNT having a semiconductor characteristic, even if a voltage of 20V or more is applied at room temperature, it may exist in a stable state. However, in the case of CNTs having metallic properties, current flows 10 to 1000 times or more at the same voltage. That is, the amount of heat generated in the CNT having the metallic properties increases.
이에 따라, 발열량이 증가하게 되면 금속성 CNT는 기화되어 없어지게 됨으로써, 선택적으로 금속성 CNT만을 제거할 수 있게 된다. 이때, 실험을 통한 결과로는 약 10V를 흘렸을 경우 금속성 CNT가 선택적으로 제거되었다.Accordingly, when the calorific value increases, the metallic CNTs are vaporized and disappeared, thereby selectively removing only the metallic CNTs. At this time, as a result of the experiment was removed metallic CNT selectively when about 10V flow.
한편, 전류가 흐르는 구간만 온도가 증가하게 되므로, 저항이 큰 CNT는 온도의 상승이 상대적으로 적다. 이때, 온도의 상승이 국부적으로만 일어나게 하기 위해서는 열의 전달을 최대한 줄이면 된다. CNT의 경우 순간적으로 강한 전류를 흘려보내 열이 전달되기 전에 제거될 CNT를 기화시키고, 전류를 멈추면 저항이 큰 CNT의 온도에 미치는 영향이 적어진다.On the other hand, since the temperature increases only in the section in which the current flows, the CNT having a high resistance has a relatively small rise in temperature. In this case, in order for the temperature rise to occur locally, the heat transfer may be reduced as much as possible. In the case of CNT, instantaneous strong current flows to vaporize the CNT to be removed before heat is transferred, and stopping the current reduces the effect on the temperature of the CNT having a high resistance.
그러므로, CNT에 인가되는 전류의 형태는 펄스 형태를 취하고, 온도에 따른 저항의 변화를 이용하여 특정 온도에서 전류 펄스를 흘려 금속성과 반도체성의 CNT를 선택적으로 제거할 수 있다. 이 경우, CNT의 열 전달이 매우 빠르므로 열이 전달되어 미치는 영향을 없애기 위하여 펄스 형태로 한번에 강한 전류를 흘린다.Therefore, the shape of the current applied to the CNT takes the form of a pulse, and by using a change in resistance with temperature, a current pulse can be flowed at a specific temperature to selectively remove the metallic and semiconducting CNTs. In this case, since the heat transfer of the CNT is very fast, a strong current flows at a time in the form of a pulse to eliminate the effect of heat transfer.
한편, CNT는 온도에 따른 변화가 금속성과 비금속성을 띄기도 하지만, 비저항의 크기도 광범위하게 나타난다. 일반적으로 양쪽을 촉매금속을 연결하였을 경우, 금속성 CNT의 경우 접촉 저항만 한쪽이 약 10㏀ 정도가 된다. 이 접촉 저항은 적절한 방법을 통해서 줄어들 수가 있으므로 구체적인 제거 전압은 상황에 따른 조정이 필요하다.On the other hand, although CNTs are metallic and non-metallic in their changes with temperature, the magnitude of the specific resistance is also wide. In general, when the catalytic metal is connected to both sides, in the case of metallic CNT, only one contact resistance is about 10 kPa. This contact resistance can be reduced by appropriate methods, so the specific removal voltage needs to be adjusted accordingly.
그리고, CNT는 비저항뿐만 아니라 온도 의존성도 전형적인 금속성과 비금속성으로 구분하기 어렵다. 상온에서의 경향과 비저항으로 분류한 금속성, 반도체성, 비금속성으로 분류하지만 온도에 따라서 저항의 변화가 다르므로, 온도를 올리거나 내림으로 해서 상온에서의 반도체성과 비금속성도 선택적으로 제거할 수 있다.In addition, CNTs are difficult to distinguish not only the resistivity but also the temperature dependence between typical metallic and nonmetallic properties. It is classified as metallic, semiconducting, and nonmetallic classified into trends and specific resistances at room temperature, but since the change in resistance varies depending on the temperature, the semiconductors and nonmetallics at room temperature can be selectively removed by raising or lowering the temperature.
대체적으로, 반도체성 CNT는 온도가 내려가면서 저항이 증가한다. 그리고, 온도가 상온에서 100K 정도로 내려갔을 때, 저항이 2 배에서 100 배 이상 변하므로, 좀 더 안정적으로 반도체성 CNT를 보존시킬 수 있다.In general, semiconducting CNTs increase in resistance as the temperature decreases. In addition, when the temperature is lowered to about 100K at room temperature, since the resistance changes from 2 times to 100 times, the semiconducting CNTs can be more stably preserved.
한편, 온도를 증가시켜서 550K~700K 정도 되면, 반도체성 CNT의 저항은 급격히 낮아져서 상온의 약 1/100정도로 감소한다. 반면에, 금속성 CNT는 큰 변화가 없으므로 이 온도 이상에서 전압 펄스를 인가하면 반도체성 CNT를 선택적으로 제거할 수 있다.On the other hand, when the temperature is increased to about 550K to 700K, the resistance of the semiconducting CNT is drastically lowered to about 1/100 of room temperature. On the other hand, since metallic CNTs do not change significantly, applying a voltage pulse above this temperature can selectively remove the semiconducting CNTs.
그리고, 이와 같이 전압 인가를 통하여 원치 않는 특성을 지닌 CNT를 선택적으로 제거하기 위해서는 CNT에 전극을 형성하고 병렬 연결시켜야 한다. 이러한 CNT의 병렬연결 방법으로는 다음과 같은 방법을 이용할 수 있다.In order to selectively remove CNTs having unwanted characteristics through voltage application, electrodes must be formed and connected in parallel to the CNTs. As a parallel connection method of such a CNT can be used as follows.
1. 수평 성장을 이용하여 병렬로 연결된 CNT를 성장시키는 방법.1. A method of growing parallel CNTs using horizontal growth.
2. 수직 성장되거나 무질서하게 기판에 존재하는 CNT 들 위에 금속을 증착시켜 병렬연결을 만드는 방법.2. A method of making parallel connections by depositing metal on CNTs that are grown vertically or randomly on a substrate.
3. 기판 위에 자라지 않고 각각 무질서하게 자라서 양쪽 끝이 고정되어 있지 않은 경우에는, 전기장을 걸거나 화학적으로 양 또는 음의 라디칼을 붙이는 방법을 통하여 병렬연결시키는 방법.3. If they do not grow on the substrate and grow out of order, and are not fixed at both ends, they are connected in parallel by applying an electric field or chemically attaching positive or negative radicals.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 탄소나노튜브의 선택적 제거방법에 의하면, 반도체적인 전기적 특성을 지니는 부분과 도체적인 전기적 특성을 지니는 부분이 혼합되어 형성되는 탄소나노튜브에 있어, 반도체적인 특성을 지니는 부분 또는 도체적인 특성을 지니는 부분 중 하나의 특성을 지니는 부분을 선택적으로 제거함으로써, 필요한 전기적 특성을 지닌 탄소나노튜브만을 용이하게 획득할 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the method of selectively removing carbon nanotubes according to the present invention, in the carbon nanotubes formed by mixing a portion having semiconductor electrical characteristics and a portion having conductive electrical characteristics, By selectively removing a portion having one of a portion having a conductive portion or a portion having a conductive characteristic, there is an advantage of easily obtaining only carbon nanotubes having required electrical characteristics.
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| JPH0748110A (en) * | 1993-06-03 | 1995-02-21 | Nec Corp | Purification of carbon-nanotube |
| KR19990073590A (en) * | 1999-07-27 | 1999-10-05 | 이철진 | Massive synthesis of highly purified carbon nanotubes using plasma enhanced chemical vapor deposition. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020024476A (en) | 2002-03-30 |
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