KR100371856B1 - 표면 탄성파 장치 및 통신장치 - Google Patents

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KR100371856B1
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Abstract

본 발명의 표면 탄성파 장치는 오일러각(0°, θ, 90°±5°)을 가지고 있으며, 여기에서 θ가 119°≤θ≤140°가 되는 수정 기판; 및 상기 수정 기판 상에 형성되고, 밀도가 약 7g/㎤ 이상으로 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있는 전극 재료로 구성됨으로써 SH(Shear Horizontal)파를 여진시키는 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer: IDT)를 포함하고 있다. 상기 IDT의 막두께는 감쇠 상수가 거의 0이 되도록 설정된다.

Description

표면 탄성파 장치 및 통신장치{Surface Acoustic Wave Device and Communication Device}
본 발명은 표면 탄성파 공진자, 표면 탄성파 필터, 듀플렉서 등의 표면 탄성파 장치에 관한 것으로, 특히 SH(Shear Horizontal)파를 사용하는 표면 탄성파 장치에 관한 것이다.
무선 이동 통신장치 및 그 외의 통신장치 등에서 대역필터용으로 표면 탄성파 장치가 광범위하게 사용되고 있다. 각종의 표면 탄성파 장치가 각종의 장치용으로 상업적으로 제작되고 있다. 이러한 표면 탄성파 장치들 중에서, 수정 기판 및 Ta, W 또는 Au 등으로 구성된 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer: IDT)를 포함하고 있는 SH형 표면 탄성파 장치가, 예를 들어 EP 0860943A2에 개시되어 있다.
이러한 표면 탄성파 장치에서, 수정 및 그 외의 적당한 재료로 구성된 압전기판 상에 Ta, W 및 Au 등의 금속을 증착하거나 스퍼터링함으로써 금속막을 형성하고, 그 다음에 통상적으로, 이 금속막을 포토-에칭 (photo-etching) 등의 방법에 의해 패턴화함으로써 표면 탄성파 장치의 IDT를 형성하는 전극지가 형성된다. 이러한 표면 탄성파 장치의 공진 주파수는 주로 IDT를 형성하는 전극지들간의 간격, 막두께 및 전극지폭에 의해서 결정된다.
상술한 공정에 의해 표면 탄성파 장치를 제작할 때에, 공정 매개변수의 조절에서 정확도의 결여로 전극지폭과 막두께가 웨이퍼(wafer)마다 각기 다르거나 변동이 있다는 문제점이 발생한다. 이러한 변동에 의해 표면 탄성파 장치에서 발생되는 표면 탄성파 장치의 주파수에서 변동이 발생한다.
본 출원에서 기술하고 청구하고 있는 발명의 발명자들은, Ta, W 및 Au 등의 밀도가 큰 금속으로 IDT를 형성하는 경우에, 전극지폭과 막두께의 변동에 의해 IDT의 주파수의 변동이 크다는 매우 중대한 문제가 발생한다는 것을 발견하였다. 보다 상세히하면, 통상의 표면 탄성파 장치에 거의 공용인 Al로 IDT를 형성하는 경우에는, 웨이퍼 상의 주파수 편차가 일반적으로 작다. 다시 말해, Ta, W 및 Au 등의 밀도가 큰 금속으로 IDT를 형성하는 경우에는, 주파수 편차가 크므로 IDT를 형성한 후에 웨이퍼 상의 주파수 편차를 조정할 수 없다. 이것은, 주파수 및 SAW 속도가 IDT를 구성하는 재료의 밀도에 의존하기 때문이다. 따라서, IDT의 두께의 변동이Al로 구성된 IDT에서 발생하는 변동과 동일하더라도, 주파수 편차는 상당히 크다.
주파수 편차를 억제하기 위해서, 질량 부하가 작은 Al로 구성된 막의 두께를 SH파를 발생시킬 수 있을 정도로 두껍게 하는 것이 고려될 수 있다. 그러나, 현존하는 박막 형성기술로는, 레지스트막(resist film)의 두께의 제한에 의해 발생되는 레지스트막의 왜곡 등의 원인에 의해, 전극지폭 방향으로의 편차가 발생하는 문제점이 있다. 이러한 이유로, Al로 IDT를 형성하는 경우에, SH파를 여진시킬 수 있을 정도로 IDT의 막두께를 두껍게 하는 것이 어렵다. IDT의 막두께를 SH파를 여진시키기에 충분할 정도로 형성하는 것이 가능하더라도, 이러한 IDT로 얻은 전기기계 결합계수는 실용적으로 사용하기에는 너무 작다.
또한, IDT의 전극지를 높은 정밀도로 형성할 수 있는 막두께 H/λ(전극 두께/여진되는 SH파의 파장)는 일반적으로 5% 이내로 어림된다. 그러나, Al로 상술한 막두께를 가지고 있게 형성된 IDT의 표면 탄성파 장치의 감쇠 상수(전파 손실)를 고려하면, 감쇠 상수가 0이 되지 않는다는 문제점이 있다.
상술한 문제점들을 극복하기 위해서, 본 발명의 바람직한 구현예들은 막두께를 토대로 하는 SAW 속도의 변화가 극히 적고, 압전 기판 상에 전극을 형성한 직후에 측정된 감쇠 상수가 0에 거의 근접하는 표면 탄성파 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제 1 구현예를 설명하는 표면 탄성파 공진자의 평면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제 2 구현예를 설명하는 종결합형 표면 탄성파 필터의 평면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제 3 구현예를 설명하는 횡결합형 표면 탄성파 필터의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 제 4 구현예를 설명하는 사다리형 표면 탄성파 필터의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 제 5 구현예 및 바람직한 제 6 구현예를 설명하는 통신장치의 블록 선도이다.
도 6은 인터디지탈 트랜스듀서의 규격화된 막두께 H/λ와 SH파의 SAW 속도의 변위간의 관계를 설명하는 그래프이다.
도 7은 인터디지탈 트랜스듀서의 규격화된 막두께 H/λ와 감쇠 상수간의 관계를 설명하는 그래프이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
1 ... 표면 탄성파 공진자
2, 12, 22, 32 ... 압전기판
3, 13a, 13b, 23a, 23b, 33a, 33b ... 인터디지탈 트랜스듀서
4, 14, 24a, 24b, 34a, 34b ... 반사기
11 ... 종결합형 표면 탄성파 필터
21 ... 횡결합형 표면 탄성파 필터
31 ... 사다리형 표면 탄성파 필터
41 ... 통신장치
44 ... 듀플렉서
본 발명의 한 바람직한 구현예에 따르면, 표면 탄성파 장치는 오일러각(0°, θ, 90°±5°)을 가지고 있으며, 여기에서 θ가 114°≤θ≤140°가 되는 수정 기판; 및 상기 수정 기판 상에 형성되고, 밀도가 약 7g/㎤ 이상으로 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있는 전극 재료로 구성됨으로써 SH파를 여진시키는 IDT를 포함하고 있으며, 상기 IDT의 막두께는 감쇠 상수가 거의 0이 되도록 설정된다.
상기 전극 재료의 주성분으로서 Ag를 사용하는 경우에, 상기 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.021∼약 0.050이 되는 것이 바람직하다.
상기 전극 재료의 주성분으로서 Mo를 사용하는 경우에, 상기 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.016∼약 0.050이 되는 것이 바람직하다.
상기 전극 재료의 주성분으로서 Cu를 사용하는 경우에, 상기 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.027∼약 0.050이 되는 것이 바람직하다.
상기 전극 재료의 주성분으로서 Ni를 사용하는 경우에, 상기 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.019∼약 0.050이 되는 것이 바람직하다.
상기 전극 재료의 주성분으로서 Cr를 사용하는 경우에, 상기 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.014∼약 0.050이 되는 것이 바람직하다.
상기 전극 재료의 주성분으로서 Zn을 사용하는 경우에, 상기 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.028∼약 0.050이 되는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 구현예에 따르면, 오일러각(0°, 114°≤θ≤140°, 90°±5°)를 가지고 있는 수정 기판 상에 IDT를 밀도가 약 7g/㎤ 이상인 전극 재료를 사용하여 형성한다. 따라서, 얻은 표면 탄성파 장치에서는, 막두께를 토대로 하는 SAW 속도의 변화가 극히 적으며, 주파수 편차가 억제된다.
또한, 표면 탄성파 장치에서는, IDT의 규격화된 막두께를 원하는 값으로 설정함으로써, 압전 기판 상에 전극을 형성한 직후에 측정된 감쇠 상수를 거의 0에 근접하게 얻을 수 있다. 이 때에, IDT는 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있으며, 밀도가 약 7g/㎤ 이상인 전극 재료로 형성된다.
본 발명을 설명할 목적으로, 본 발명에는 특히 바람직한 형태의 도면들을 도시하였지만, 본 발명이 도시된 특정한 도면 형태로만 제한되지 않는다는 것을 주지한다.
이하에서는, 본 발명의 바람직한 구현예들을 첨부된 도면들을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제 1 구현예에 따른 표면 탄성파 장치를 형성하는 표면 탄성파 공진자를 도시하는 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 표면 탄성파 공진자 1은 바람직하게 오일러각(0°, 114°≤θ≤140°, 90°±5°)를 가지고 있는 수정으로 구성된 압전 기판 2 상에서 IDT 3 및 상기 IDT의 양측에 형성된 반사기 4를 포함하고 있다. 상기 θ는, 군지연 시간의 온도 계수(TCD)가 약 ±3ppm/℃가 되도록, 약 114°∼약 140°의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 상기 θ가 약 ±2ppm/℃의 TCD를 얻도록 약 119°∼약 136°의 범위 내에 있는 것이다.
IDT 3은 바람직하게 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있으며, 밀도가 약 7g/㎤ 이상인 전극 재료로 형성된다. IDT 3은,바람직하게 한 세트의 교차지 전극의 전극지가 상호 교차하도록 구성되어 있다.
IDT 3의 교차지 부분을 형성하는 전극지는, 규격화된 막두께 H/λ가 약 5% 이내에 있도록 형성되어 있다. 즉, 규격화된 막두께는 H/λ ≤(전극 두께/여진되는 SH파의 파장) ≤ 0.050의 범위에 있도록 설정된다.
다음으로, 본 발명의 바람직한 제 2 구현예에 대해서 설명할 것이다. 도 2는 본 발명의 바람직한 제 2 구현예에 따른 표면 탄성파 장치를 형성하는 종결합형 표면 탄성파 필터를 도시하는 평면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종결합형 표면 탄성파 필터 11은 오일러각(0°, 114°≤θ≤140°, 90°±5°)를 가지고 있는 수정으로 구성된 압전 기판 12 상에서 적어도 2개의 IDT 13a, 13b 및 상기 IDT의 양측에 형성된 반사기 14를 포함하고 있다.
IDT 13a, 13b는 바람직하게 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있으며, 밀도가 약 7g/㎤ 이상인 전극 재료로 형성된다. IDT 13a, 13b는, 바람직하게 한 세트의 교차지 전극의 교차지 부분이 상호 대향하도록 배치되어 있다. 또한, IDT 13a, 13b는 표면 탄성파 전파 방향으로 일정한 간격을 두고 서로에 대해서 실질적으로 병렬로 배열되어 있다. 또한 바람직한 제 2 구현예에서도, IDT 13a, 13b의 교차지 부분을 구성하는 전극지는, 상기 바람직한 제 1 구현예에서와 마찬가지로, 규격화된 막두께 H/λ가 약 5% 이내에 있도록 형성되어 있다. 즉, 전극지는, 규격화된 막두께가 H/λ(전극 두께/여진되는 SH파의 파장) ≤ 0.050의 범위에 있도록 설정된다.
다음으로, 본 발명의 바람직한 제 3 구현예에 대해서 설명할 것이다. 도 3은 본 발명의 바람직한 제 3 구현예에 따른 횡결합형 표면 탄성파 필터를 도시하는 평면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 횡결합형 표면 탄성파 필터 21은 오일러각(0°, 114°≤θ≤140°, 90°±5°)를 가지고 있는 수정으로 구성된 압전 기판 22 상에서 적어도 2개의 IDT 23a, 23b 및 상기 IDT의 양측에 형성된 반사기 24a, 24b를 포함하고 있다.
IDT 23a, 23b는 바람직하게 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있으며, 밀도가 약 7g/㎤ 이상인 전극 재료로 형성된다. IDT 23a, 23b는, 바람직하게 한 세트의 교차지 전극의 각 교차지 부분이 상호 대향하도록 구성되어 있다. 또한, IDT 23a, 23b는 표면 탄성파 전파 방향에 대해서 실질적으로 직교하게 배열되어 있다. 또한 바람직한 제 3 구현예에서도, IDT 23a, 23b의 교차지 부분을 구성하는 전극지는 규격화된 막두께 H/λ가 약 5% 이내에 있도록 형성되어 있다. 즉, 전극지는, 규격화된 막두께가 H/λ(전극 두께/여진되는 SH파의 파장) ≤ 0.050의 범위에 있도록 설정된다.
다음으로, 본 발명의 바람직한 제 4 구현예에 대해서 설명할 것이다. 도 4는 본 발명의 바람직한 제 4 구현예에 따른 표면 탄성파 장치를 형성하는 사다리형 표면 탄성파 필터를 도시하는 평면도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 사다리형 표면 탄성파 필터 31은 오일러각(0°, 114°≤θ≤140°, 90°±5°)를 가지고 있는 수정으로 구성된 압전 기판 32 상에서 적어도 2개의 IDT 33a, 33b 및 상기 IDT의 양측에 형성된 반사기 34a, 34b를 포함하고 있다.
IDT 33a, 33b는 바람직하게 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있으며, 밀도가 약 7g/㎤ 이상인 전극 재료로 형성된다. 또한, IDT 33a, 33b는, 바람직하게 한 세트의 교차지 전극의 각 교차지 부분이 상호 대향하도록 구성되어 있다. IDT 33a는 직렬암으로 배열되어 있고, IDT 33b는 병렬암으로 배열되어서, 사다리형 구성의 표면 탄성파 필터를 구성한다. 또한 바람직한 제 4 구현예에서도, IDT 33a, 33b의 교차지 부분을 구성하는 전극지는 규격화된 막두께 H/λ가 약 5% 이내에 있도록 형성되어 있다. 즉, 전극지는, 규격화된 막두께가 바람직한 제 1 내지 제 3 구현예에서와 마찬가지로, H/λ(전극 두께/여진되는 SH파의 파장) ≤ 0.050의 범위에 있도록 설정된다.
다음으로, 본 발명에 따른 바람직한 제 5 구현예 및 바람직한 제 6 구현예를 설명할 것이다. 도 5는 본 발명의 바람직한 제 5 구현예에 따른 듀플렉서 및 바람직한 제 6 구현예에 따른 통신장치의 블록 선도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 통신장치 41은, 수신용 표면 탄성파 필터 42 및 송신용 표면 탄성파 필터 43을 구비하고 있는 듀플렉서 44의 안테나 단자는 안테나 45에 접속되어 있고, 듀플렉서 44의 출력 단자는 수신회로 46에 접속되어 있으며, 듀플렉서 44의 입력 단자는 송신회로 47에 접속되어 있는 구성을 가지고 있다. 상술한 듀플렉서 44의 수신용 표면 탄성파 필터 42 및 송신용 표면 탄성파 필터 43으로서는, 바람직하게, 본 발명의 바람직한 제 2 구현예 내지 제 4 구현예에 따른 표면 탄성파 필터 11∼31 중의 하나 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
다음으로, 본 발명의 바람직한 구현예들에 따른 IDT의 규격화된 막두께 H/λ(전극 두께/여진되는 SH파의 파장)에 대해서 한 실시예를 통해서 설명할 것이다.
도 6은 압전기판 상에 전극이 형성되지 않는 경우를 포함하여, 압전기판 상의 규격화된 막두께 H/λ(전극 두께/여진되는 SH파의 파장)가 약 0.000∼약 0.050의 범위에서 변화될 때에 압전기판에 전파되는 SH파의 SAW 속도의 변위를 도시하는 그래프이다.
도 6에 도시된 바와 같이, IDT의 전극 재료로서 Au와 비교하여 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn을 사용함으로써, 규격화된 막두께 H/λ에 대해서 SH파의 SAW 속도가 서서히 변화한다는 것을 알 수 있다. 따라서, IDT를 형성하는 전극 재료로서 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn을 사용할 때에, IDT의 막두께를 토대로 하는 SAW 속도의 변화가 Au 등을 사용할 때와 비교하여 적다. 즉, 주파수의 변동이 매우 적은 표면 탄성파 장치를 얻게 된다.
도 7은 압전기판 상에 전극이 형성되지 않는 경우를 포함하여, 규격화된 막두께 H/λ(전극 두께/여진되는 SH파의 파장)가 약 0.000∼약 0.050의 범위에서 변화될 때에 발생되는 감쇠 상수의 변화를 도시하는 그래프이다. 이 경우에, 감쇠 상수는 오일러각(0°, 127°, 89°)를 가지고 있는 압전기판을 사용하여 측정하였다. 이 감쇠 상수는 SH파가 전파 동안에 감쇠되는 λ당 값으로서 정의한다.
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 재료들 중의 임의의 재료를 사용하여도 막두께가 두꺼워짐에 따라서, 감쇠 상수가 점진적으로 개선된다는 것을 알 수 있다. 그러나, Al에 관해서는, 규격화된 막두께 H/λ가 0.040을 초과하는 범위에서도 감쇠 상수가 거의 개선되지 않았다.
이에 반해, 도 7에 도시된 바와 같이, Ag에서는 H/λ = 0.019, Mo에서는 H/λ = 0.016, Cu에서는 H/λ = 0.027, Ni에서는 H/λ = 0.019, Cr에서는 H/λ = 0.014 및 Zn에서는 H/λ = 0.028 이상에서, 감쇠 상수가 거의 0에 근접한다.
상술한 바와 같이, 오일러각(0°, θ, 90°±5°)을 가지고 있으며, 여기에서 θ가 119°≤θ≤136°가 되는 수정 기판 상에 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있는 전극 재료로 IDT를 형성함으로써, 막두께를 토대로 하는 SAW 속도의 변화가 매우 작고, 압전기판 상에 전극을 형성한 후에 측정한 감쇠 상수가 거의 0에 근접한 표면 탄성파 장치를 얻게 된다.
본 바람직한 구현예에서, Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn에 대해서 설명한다. 본 발명은 이들 재료들로만 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 어드밴스(Advance) (밀도: 8.9g/㎤), 알크롬(Alchrome) (밀도: 7.1g/㎤), 알루멜(Alumel) (밀도: 8.7g/㎤), 놋쇠(밀도: 8.43g/㎤), 세라마와이어(Ceramawire) (밀도: 8.92g/㎤), 크로멜(Chromel) (밀도: 8.5g/㎤), 콘스탄탄(Constantan) (밀도: 8.9g/㎤), 베릴륨동(밀도: 8.23g/㎤), 동텅스턴(밀도: 13.8g/㎤), 듀밋(Dumet) (밀도: 8g/㎤), 길딩메탈(Guilding metal) (밀도: 8.75g/㎤), 하스텔로이(Hastelloy) (밀도: 8.9g/㎤), 허버(Herber) (밀도: 8.3g/㎤), 인코넬600(Inconel) (밀도: 8.42g/㎤), 인코넬601(밀도: 8.11g/㎤), 인코넬625(밀도: 8.44g/㎤), 인코넬690(밀도: 8.19g/㎤),인코넬X-750(밀도: 8.25g/㎤), 인코로이800(Incoloy) (밀도: 7.05g/㎤), 인코로이825(밀도: 8.14g/㎤), 36 인바(Invar) (밀도: 8.15g/㎤), 42 인바(밀도: 8.2g/㎤), 슈퍼-인바(밀도: 8.2g/㎤), 철-크롬10(밀도: 7.78g/㎤), 철-크롬30(밀도: 7.2g/㎤), 칸탈(Kanthal) (밀도: 8.5g/㎤), 망가닌(Manganin) (밀도: 8.4g/㎤), 모레쿨로이(Moleculoy) (밀도: 8.11g/㎤), 모넬(Monel) (밀도: 8.83g/㎤), 무메탈(Mumetal) (밀도: 8.8g/㎤), 니켈-베릴륨(밀도: 8.74g/㎤), 니켈-크롬(밀도: 8.41g/㎤), 니켈-실버(밀도: 8.72g/㎤), 45 퍼말로이(Permalloy) (밀도: 8.25g/㎤), 78 퍼말로이(밀도: 8.6g/㎤), 인청동(밀도: 8.9g/㎤), 실버-코퍼(밀도: 10.1g/㎤), 스테인레스 SUS-301(밀도: 7.9g/㎤), 스테인레스 SUS-302(밀도: 7.9g/㎤), 스테인레스 SUS-304(밀도: 7.9g/㎤), 틴-납(tin-lead) (밀도: 8.42g/㎤), 몰리브덴 합금(밀도: 10.18g/㎤), 와스팔로이(Waspaloy) (밀도: 8.18g/㎤) 등의 밀도 7.1g/㎤ 이상의 함금, 실질적으로 밀도 7g/㎤ 이상의 함금으로도 상술한 바와 같은 동일한 경향을 제공한다.
본 발명의 바람직한 제 1 내지 제 6 구현예에서는, 반사기를 구비하고 있는 표면 탄성파 장치에 대해서 기술하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 표면 탄성파 장치로만 한정되는 것은 아니고, 반사기를 구비하고 있지 않은 표면 탄성파 장치에도 적용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 오일러각(0°, 119°≤θ≤136°, 90°±5°)을 가지고 있는 수정 기판 상에 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있는 전극 재료로 IDT를 형성함으로써, 막두께를 토대로 하는 SAW 속도의 변화가 매우 작고, 주파수 편차가 극히 작은 표면 탄성파 장치를 얻게 된다.
또한, 본 발명의 표면 탄성파 장치에서는, IDT를 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있으며, 밀도가 약 7g/㎤ 이상인 전극 재료로 형성하여, IDT의 규격화된 막두께를 원하는 값으로 설정함으로써, 압전 기판 상에 전극을 형성한 직후에 측정된 감쇠 상수를 거의 0에 근접하게 얻을 수 있다.
본 발명의 바람직한 구현예들을 기술하였지만, 본 발명은 상술한 구현예로만 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명의 원리를 실행하는 각종 모드로 다양하게 변형될 수 있다.

Claims (19)

  1. 오일러각(0°, θ, 90°±5°)을 가지고 있으며, 여기에서 θ가 119°≤θ≤140°의 범위에 있는 기판; 및
    상기 기판 상에 형성되고, 밀도가 약 7g/㎤ 이상으로 Ag, Mo, Cu, Ni, Cr 및 Zn 중의 적어도 하나를 주성분으로서 함유하고 있는 전극 재료로 구성됨으로써 SH(Shear Horizontal)파를 발생시키는 적어도 1개의 인터디지탈 트랜스듀서(interdigital transducer: IDT)를 포함하고 있는 표면 탄성파 장치로서,
    상기 적어도 1개의 IDT의 막두께는 감쇠 상수가 거의 0이 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 기판을 수정으로 구성하는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 IDT의 전극 재료는 주성분으로서 Ag를 가지고 있으며, 상기 적어도 1개의 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.021∼약 0.050이 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 IDT의 전극 재료는 주성분으로서 Mo를가지고 있으며, 상기 적어도 1개의 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.016∼약 0.050이 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 IDT의 전극 재료는 주성분으로서 Cu를 가지고 있으며, 상기 적어도 1개의 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.027∼약 0.050이 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 IDT의 전극 재료는 주성분으로서 Ni를 가지고 있으며, 상기 적어도 1개의 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.019∼약 0.050이 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 IDT의 전극 재료는 주성분으로서 Cr를 가지고 있으며, 상기 적어도 1개의 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.014∼약 0.050이 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 IDT의 전극 재료는 주성분으로서 Zn를 가지고 있으며, 상기 적어도 1개의 IDT의 규격화된 막두께 H/λ는 약 0.028∼약 0.050이 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 기판 상에서 상기 적어도 1개의 IDT의 양측에 형성되어 있는 한쌍의 반사기를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 표면 탄성파 장치는 종결합형 표면 탄성파 필터가 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 표면 탄성파 장치는 횡결합형 표면 탄성파 필터가 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 표면 탄성파 장치는 사다리형 필터가 되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 IDT의 양측에서 적어도 2개의 IDT 및 반사기를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 기판은 수정으로 오일러각(0°, 114°≤θ≤140°, 90°±5°)을 가지고 있게 구성되는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  15. 제 1항에 있어서, 표면 탄성파 전파 방향으로 일정한 간격을 두고 서로에 대해서 실질적으로 병렬로 배열되어 있는 적어도 2개의 IDT를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  16. 제 1항에 있어서, 규격화된 막두께 H/λ가 약 5% 이내로 구성되어 있는 전극지를 구비하고 있는 적어도 2개의 IDT를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  17. 제 1항에 있어서, 표면 탄성파 전파 방향으로 실질적으로 직교하게 배열되어 있는 적어도 2개의 IDT를 더 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 표면 탄성파 장치.
  18. 제 1항에 기재된 표면 탄성파 장치를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 통신장치.
  19. 제 18항에 있어서, 상기 통신장치가 듀플렉서가 되는 것을 특징으로 하는 통신장치.
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