KR100326813B1 - 반도체소자의 층간절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 층간절연막 형성방법에 관한 것으로, 세라믹 입자를 탄소 이중 결합을 함유하는 유기 단량체를 포함하는 용매에 분산시킨 슬러리를 형성하고 상기 슬러리를 스핀 코팅 ( spin coating ) 하여 반도체기판 상에 층간절연막을 형성한 다음, 상기 층간절연막에 O-O (산소)결합을 갖는 화학물질을 녹인 용액을 스프레이 ( spray ) 장치에서 분사하고 상기 세라믹 입자들 사이에 존재하는 유기 단량체를 중합반응시켜 유기 고분자를 형성한 다음, 상기 반도체기판을 핫 플레이트 ( hot plate ) 위에서 열처리하여 상기 층간 절연막 내의 용매를 증발시켜 소수성의 층간절연막을 형성함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 수율 및 생산성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 발명은 반도체소자의 층간절연막 형성방법에 관한 것으로, 특히 금속배선 층들 간에 사용되는 층간절연막을 형성하는데 있어서, 세라믹 입자 간을 유기 단량체의 중합 반응에 의해 형성된 유기 고분자로 연결시켜 슬러리 상태로 도포함으로써 갭필 ( gap fill ) 능력이 우수한 층간절연막을 형성하는 기술에 관한 것이다.
일반적으로, 소자간이나 소자와 외부회로 사이를 전기적으로 접속시키기 위한 반도체소자의 배선은, 배선을 위한 소정의 콘택홀 및 비아홀을 배선재료로 매립하여 배선층을 형성하고 후속공정을 거쳐 이루어지며, 낮은 저항을 필요로 하는 곳에는 금속배선을 사용한다.
그리고, 상기 금속배선은 필요에 따라 다층 구조로 형성한다.
그리고, 다층으로 형성되는 금속배선은 그 계면에 절연막인 층간절연막이 구비된다.
최근에는 반도체소자의 동작 속도를 증가시키기 위하여 층간절연막의 유전 상수 값을 감소시키려는 연구가 많이 진행되고 있다.
현재, 저유전 층간절연막 형성방법은 막 내에 기공 ( pore ) 을 형성하여 층간절연막의 유전 상수값을 3.0 이하로 낮추려는 연구가 진행되고 있다.
상기 층간절연막 내의 기공 형성방법은 에스.오.지. ( spin on glass, 이하에서 SOG 라 함 ) 계 화학물질 내에 끓는점 ( boilong ) 이 높은 용매를 첨가하여 금속 배선이 형성된 웨이퍼에 도포한 후 베이킹 단계 ( baking step ) 에서 층간절연막 내에 함유하고 있는 용매를 증발시켜 기공을 형성하거나 졸겔 ( sol-gel ) 방법을 응용하여 제로겔 ( xerogel ) 이나 애로겔 ( aerogel ) 형태로 층간절연막 내에 기공을 형성시킨다.
이경우 상기 층간절연막의 기계적 강도가 일반적인 산화 규소 절연막에 비해 떨어지며 불안정한 층간절연막 구조로 인하여 층간 배선 곶엉인 비아콘택홀 식각공정 및 감광막 제거공정에서 열화되어 후속 공정 불량을 유발 할 수 있는 가능성이 높다. 또한, 후속 열처리 공정에서 층간절연막 수축 등의 문제가 발생할 수도 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기위하여, 세라믹 입자와 입자 사이를 유기 단량체의 중합 반응에 의해 형성된 유기 고분자로 연결시켜 층간절연막을 형성하여 금속배선 형성공정을 안정되게 실시할 수 있도록 하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1 은 본 발명에 사용되는 슬러리 내의 세라믹 분말 및 유기 단량체 분포를 도시한 개략도.
도 2a 및 도 2b 는 본 발명에 따른 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
<도면의주요부분에대한부호의설명>
11 : 용매
13 : 유기 다량체가 흡착된 세라믹 입자
31 : 반도체기판 33 : 금속배선
35 : 층간절연막
이상의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체소자의 층간절연막 형성방법은,
반도체소자의 층간절연막 형성방법에 있어서,
세라믹 입자를 탄소 이중 결합을 함유하는 유기 단량체를 포함하는 용매에 분산시킨 슬러리를 형성하는 공정과,
상기 슬러리를 스핀 코팅 ( spin coating ) 하여 반도체기판 상에 층간절연막을 형성하는 공정과,
상기 층간절연막에 O-O (산소)결합을 갖는 화학물질을 녹인 용액을 스프레이 ( spray ) 장치에서 분사하는 공정과,
상기 세라믹 입자들 사이에 존재하는 유기 단량체를 중합반응시켜 유기 고분자를 형성하는 공정과,
상기 반도체기판을 핫 플레이트 ( hot plate ) 위에서 열처리하여 상기 층간 절연막 내의 용매를 증발시켜 소수성의 층간절연막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로한다.
한편, 이상의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 원리는 다음과 같다.
본 발명은 수십 나노메타 ( nanometer ) 크기의 세라믹 입자를 기본 구조로 하고 세라믹 입자와 입자 사이를 유기 단량체의 중합 반응에 의해 형성된 유기 고분자로 연결시켜 층간절연막을 형성한다.
여기서, 상기 층간절연막은 세라믹 입자들로 구성되고 중찹 반응에 의해 형성된 유기 고분자가 세라믹 입자 각각의 표면 전체를 코팅하면서 입자들을 잡아주는 구조로 형성되어 막의 기계적 강도를 높이고 고분자로 코팅된 세라믹 입자들은 소수성 성질을 가져 층간절연막 내로 수분 흡수를 방질 할 수 있어 후속 금속배선 형성공정을 안정적으로 실시할 수 있도록 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
도 1 은 본 발명에 사용되는 슬러리 내의 세라믹 분말 및 유기 단량체 분포를 도시한 개략도이다.
도 2a 및 도 2b 는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 층간절연막 형성방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 반도체기판(31) 상에 활성영역을 정의하는 소자분리막을 형성한다.
그리고, 상기 반도체기판 상부에 워드라인, 비트라인 및 캐패시터가 구비된 평탄화절연막을 형성한다.
그리고, 상기 평탄화절연막 상부에 제1금속배선(33)을 형성한다. (도 2a)
그 다음, 상기 제1금속배선(33)을 포함한 전체표면상부에 층간절연막(35)을 다음과 같은 방법으로 형성한다.
우선, 수십 나노메타 크기의 세라믹 입자를 아크릴아마이드 ( acrylamide )(H2C=C(H)NH2)와 같이 탄소 이중 결합을 함유하는 유기 단량체를 포함하는 용매에 분산시킨 슬러리를 제조한다.
이때, 상기 세라믹 입자 재질은 산화규소 ( SiO2), 알루미나 ( Al2O3) 또는 ZrO2등을 사용하며, 입자 크기는 1 ∼ 100 nm 정도의 크기로 하며, 상기 슬러리내 세라믹 함유량은 1 ∼ 30 무게 퍼센트정도로 한다.
그리고, 상기 슬러리 내의 세라믹 입자 및 유기 단량체 분포는 상기 도 1 과 같다.
그 다음, 상기 슬러리를 스핀 코팅 ( spin coating ) 방법으로 상기 층간절연막(35)을 형성한다.
그 다음, 상기 층간절연막(35)이 형성된 반도체기판(31)을 스프레이 ( spray ) 장치에서 유기 단량체 중합 반응의 촉매 역할을 하는 과산화수소수 ( H2O2) 등과 같이 O-O 결합을 갖는 화학물질을 녹인 용액을 상기 반도체기판(31)에 일정량 분사한다. 여기서, 상기 O-O 결합, 즉 산소결합을 가지고 있는 화학물질은 자외선이나 열분해에 의해 산소 라디칼을 형성하여 유기 단량체의 중팝 반응으킬 수 있도록 한다.
그리고, 온도 및 습도가 조절되는 챔버 내에서 세라믹 입자들 사이, 즉 기공 내 존재하는 유기 단량체를 중합반응시켜 유기 고분자로 형성한다.
이때, 상기 유기 단량체의 중합반응은 챔버 내의 온도를 1 ∼ 300 ℃ 로 하고, 습도를 10 ∼ 80 퍼센트 상대 습도로 하여 실시한다.
그 다음, 상기 반도체기판(31)을 25 ∼ 300 ℃ 범위의 핫 플레이트 ( hot plate ) 위에서 상기 층간 절연막(35) 내의 용매를 증발시켜 제거한다. (도 2b)
그 다음, 후속공정으로 상기 층간절연막(35)을 평탄화시키고 후속공정으로 상기 제1금속배선(33)에 접속되는 제2금속배선(도시안됨)을 형성한다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 따른 반도체소자의 층간절연막 형성방법은, 유기 단량체를 포함하는 슬러리를 제조하고 상기 슬러리 내의 세라믹 입자들 사이에 존재하는 유기 단량체를 중합 반응시켜 유기 고분자로 형성한 다음, 핫 플레이트 위에서 함유된 용매를 증발시킴으로써 층간절연막을 소수성으로 형성하여 상기 층간절연막으로의 수분흡수를 방지하고 후속 열처리공정시 막의 수축으로 인한 크랙의 유발을 방지하며 상기 슬러리 내의 세라믹 입자 하량을 조절하여 층간절연막의 유전상수 값을 용이하게 조절할 수 있어 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
Claims (5)
- 반도체소자의 층간절연막 형성방법에 있어서,세라믹 입자를 탄소 이중 결합을 함유하는 유기 단량체를 포함하는 용매에 분산시킨 슬러리를 형성하는 공정과,상기 슬러리를 스핀 코팅 ( spin coating ) 하여 반도체기판 상에 층간절연막을 형성하는 공정과,상기 층간절연막에 O-O (산소)결합을 갖는 화학물질을 녹인 용액을 스프레이 ( spray ) 장치에서 분사하는 공정과,상기 세라믹 입자들 사이에 존재하는 유기 단량체를 중합반응시켜 유기 고분자를 형성하는 공정과,상기 반도체기판을 핫 플레이트 ( hot plate ) 위에서 열처리하여 상기 층간 절연막 내의 용매를 증발시켜 소수성의 층간절연막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹 입자 재질은 산화규소 ( SiO2), 알루미나 ( Al2O3) 또는 ZrO2등을 사용하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 세라믹 입자 크기는 1 ∼ 100 nm 인 것을 특징으로하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 슬러리내 세라믹 함유량은 1 ∼ 30 무게 퍼센트인 것을 특징으로하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기 단량체의 중합반응은 챔버 내의 온도를 1 ∼ 300 ℃ 로 하고, 습도를 10 ∼ 80 퍼센트 상대 습도로 하여 실시하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 층간절연막 형성방법.
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