KR100326488B1 - 플라즈마화학기상증착법 - Google Patents

플라즈마화학기상증착법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표면과 표면상에 증착되는 층간의 계면 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 표면은 물체의 표면 또는 물체상에 증착된 층의 표면일 수 있다. 표면에 역효과를 주지않고 그 위에 층을 증착시키지 않는 제 1 가스의 플라즈마로 표면을 처리한다. 다음에, 증착가스를 분해시켜 표면상에 층을 증착시키는 증착 가스의 플리즈마로 표면을 처리한다.

Description

플라프마 화학 기상 증착법
본 발명은 플라즈마 화학 기상 증착법(CVD)에 의해 형성되는 층들간의 계면 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 도포되고 있는 장치와 그 위에 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 증착되는 층간의 계면 특성을 향상시키기 위하여 장치를 처리하는 방법에 관한것이다.
플라즈마 화학 기상 증착법은 특히, 유리 또는 반도체 물체(기판)와 같은 절연성 물체 상에 형성되는 반도체 등의 제조시에 물체(기관) 상에 각종 물질의 층들을 증착하는데 사용되는 공정이다. 플라즈마 화학 기상 증착법에서, 물체는 한 쌍의 격리된 전극을 포함하는 증착 챔버에 위치된다. 일반적으로, 물체는 전극의 하나로서도 역할을 할 수 있는 서셉터(susceptor)상에 탑재된다. 전극 사이에는 증착가스에 플라즈마를 발생시키는데 충분한 라디오 주파수(이하 "rf"라 한다) 전력을 갖는 rf 전압이 인가된다. 플라즈마는 증착가스를 분해시켜서 물체 상에 소정 물질층을 증착시킨다. 증착 챔버에 추가로 증착할 층의 물질을 함유하는 증착가스를 도입하여 제 1 층 상에 추가 층들을 증착할 수 있다. 각 증착가스는 플라즈마에 의해 소기 물질층을 증착시키게 된다.
이러한 공정에서 발생하는 문제점의 하나는, 증착된 층과 물체간 또는 인근의 증착된 층들간의 계면이 불량한 경향이 있다는 것이다. 그러한 불량한 계면으로 인하여, 증착된 층과 물체 또는 상기 층이 증착되어 있는 이전층간의 접착력이 불량하게 된다. 그 결과, 장치의 성능이 나빠지게 된다. 일반적으로, 증착된 층의 흐린(hazy) 외관 및/또는 그 내부에 형성된 기포에 의해 계면이 불량하다는 것을 알 수 있다. 불량한 계면은, 입자 또는 원치 않는 가스 종과 같은 도포될 표면 상의 오염물질, 또는 벌크 막 특성과 비교할 때 계면에서의 상이한 막 특성의 결과라고 생각된다. 따라서 증착된 층과 증착될 층이 형성될 물체 또는 층간의 계면을 향상시켜 이들간의 접착력을 향상시킬 수 있다면 바람직할 것이다.
본 발명은, 표면을 증착될 물질을 함유하는 증착가스의 플라즈마로 처리하는 것을 특징으로 하는 표면과 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 증착되는 층간의 계면 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 플라즈마는 증착가스를 화학적으로 반응시키고 물체 상에 물질을 증착시킨다. 증착된 층과 표면간의 계면을 향상시키기 위하여, 표면 상에 층을 증착하기 전에, 표면에 역효과를 주지 않고 표면 상에 물질 층을 증착하지 않는 불활성 가스의 플라즈마로 표면을 처리한다. 표면은 물체의 표면 또는 물체 상에 증착된 다른 층일 수 있다.
다른 면에서 보면, 본 발명은 물체의 표면 상에 적어도 하나의 층을 증착하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법에서 기판물체는 증착챔버 내에서 전극으로부터 떨어진 서셉터 상에 위치된다. 챔버 내에 불활성 가스의 유동을 제공하되, 불활성 가스는 물체에 역효과를 미치지 않고 그 위에 층을 증착하지 않는 물질로 구성된다. 전극과 서셉터 사이에, 불활성 가스 중에서 플라즈마를 발생시키는데 충분한 rf 전력에서 전압을 인가한다. 물체의 표면을 불활성 가스의 플라즈마로 처리한다. 다음에 챔버에 증착가스의 유동을 제공하고, 증착가스에 rf 파워를 인가하여 증착가스를 반응시켜 물체 상에 층을 증착하는 플라즈마를 발생시킨다.
본 발명은 첨부한 도면을 참조한 하기의 보다 상세한 설명 및 특허청구의 범위로부터 보다 명확해질 것이다.
첨부한 제 1 도는 본 발명의 방법을 수행할 수 있는 플라즈마 CVD장치의 개략적인 단면도이다. 도면은 반드시 실제 크기와 동일한 축척은 아니다.
플라즈마 CVD법에 의해, 유리, 실리콘 또는 다른 반도체 물질의 물체(기판)에 하나 이상의 층을 도포하는 전형적인 방법에서, 서셉터상의 증착챔버에 물체를 위치시킨다. 증착챔버에 증착가스 또는 가스 혼합물의 유동을 도입하고, 서로 떨어져 있는 전극과 서셉터간에 전압을 인가한다. 전압은, 증착가스 압력에서, 증착가스에 인가되어 가스 중에 플라즈마를 발생하는데 충분한 rf 전력을 제공한다. 전형적인 구현예에서, 약 0.15 내지 0.08와트/㎠의 전력을 사용하여 증착가스 중에 플라즈마를 형성한다. 총 전력은 플라즈마를 형성하는데 전압이 인가되는 전극의 면적에 의해 결정된다. 기판 상에 원하는 층 또는 층들을 증착시킨 후, 물체는 서셉터로부터 들어올려 져서 증착챔버에서 꺼내진다.
본 발명에 따른 방법에서, 상기 방법을 사용하여 물체 상에 층을 증착하기 전에, 증착 챔버에 불활성 가스가 제공된다. 본 발명의 목적을 위하여, 불활성 가스는 물체 또는 그 위의 코팅에 역효과를 미치지 않고, 물체에 어떠한 도포물도 형성하지 않는 것으로 한정한다. 대표적인 적당한 가스로서는 수소(H2), 아르콘(Ar), 질소(N2) 및 암모니아(NH3)를 들 수 있다. 불활성 가스에 전력을 인가하여 플라즈마를 형성시킨다. 불활성 가스에 인가되는 전력은 바람직하게는 증착가스에 플라즈마를 형성하는데 사용되는 파워보다 작고, 즉 0.15와트/㎠ 미만이고, 바람직하게는 0.03 내지 0.14와트/㎠이다. 도포될 물체를 불활성 가스의 플라즈마로 처리하는 시간은 약 2초 정도로 짧을 수도 있지만, 바람직하게는 5 내지 15초이다. 보다 긴 시간도 가능하다. 일단 물체를 불활성 가스의 플라즈마로 처리한 후, 이렇게 처리된 물체 상에 층을 증착시킨다. 전력을 증가시키면서 불활성 가스의 플라즈마를 유지시키고, 증착 챔버에 증착가스의 유동을 제공하여 상기 플라즈마를 증착가스의 플라즈마로 전환시키는 것이 바람직하다. 따라서 불활성 가스로부터 증착가스로 바뀌는 동안에 물체는 연속적으로 플라즈마로 처리된다.
처리된 물체 상에 층을 증착하면 층과 물체 사이의 계면 특성이 향상되어 층과 물체 사이의 접착력이 향상됨을 발전하였다. 향상된 계면 특성은 증착된 층이 덜 희미하고 기포의 수가 적다는 것으로부터 증명된다. 후에 연속되는 증착가스의 플라즈마 이전의 불활성 가스의 플라즈마는, 도포되고 있는 표면에 오염물질이 축적되는 것을 방지하여 층과 표면 사이의 계면 특성을 향상시킨다고 생각된다. 제 1층 상에 추가 층 또는 층들을 증착시키고자 하면, 추가 층을 증착시키기 전에 이미 증착된 층을 불활성 가스의 플라즈마로 처리한다. 이에 의해 추가로 증착된 층과 이미 증착된 층간의 계면 특성이 향상된다. 상기한 바와 같이, 하나의 가스로부터 다른 가스로 전환하는 동안에 증착챔버 중에 플라즈마를 유지시키는 것이 바람직하다. 불활성 가스 중의 플라즈마를 형성하기 위하여 저전력을 사용하는 것이 바람직한데, 이는 특히 표면이 다른 층의 표면인 경우에 도포되고 있는 표면이 손상되는 것을 방지하기 때문이다.
이하 첨부한 도면을 참조하면, 본 발명에 따른 방법이 수행될 수 있는 플라즈마 CVD 장치(10)의 도식적 단면도가 나타나 있다. 장치(10)는 증착챔버(12)를 포함하고, 증착챔버(12)의 상부벽(14)에는 이를 통과하는 개구부가 있고, 상기 개구부 내에 제 1 전극(16)이 구비되어 있다. 선택적으로, 상부벽(14)은 그 내면 또는 외면에 인접한 전극(16)을 구비한 고체일 수 있다. 챔버(12) 내에는, 제 1 전극(16)과 평행하게 연장된 플레이트(plate) 형상의 서셉터(18)가 있다. 서셉터(18)는 전형적으로는 알루미늄으로 구성되고 산화 알루미늄으로 도포되어 있다. 서셉터(18)는 접지되어 제 2 전극으로 작용한다. 서셉터(18)는 증착챔버(12)의 바닥벽(22)을 통하여 수직적으로 연장되어 있는 샤프트(20)의 단부에 장착된다. 샤프트(20)는 수직으로 이동할수 있어 서셉터(18)가 제 1 전극(16)에 가까이 또는 멀리 수직 이동할 수 있게 한다. 서셉터(18)와 증착챔버(12)의 바닥벽(22) 사이에 서셉터(18)에 평행하게 리프트-오프(lift-off) 플레이트(24)가 수평으로 연장되어 있다. 리프트-오프 핀(26)은 리프트-오프 플레이트(24)로부터 위쪽으로 수직 돌출되어 있다. 리프트-오프 핀(26)은 서셉터(18) 중의 구멍(28)을 통하며 신장할 수 있도록 위치되며, 그 길이는 서셉터(18)의 두께보다 약간 길다. 도면에는 단 2개의 리프트-오프 핀(26)이 도시되어 있지만, 리프트-오프 플레이트(24)의 주변에 격리되어 보다 많은 리프트-오프 핀(26)이 존재할 수 있다. 배출 파이프(30)는 증착 챔버(12)의 측벽(32)을 통하여 연장되어 증착 챔버(12)를 진공화하는 수단(도시 안됨)에 접속되어 있다. 도입 파이프(34)는 또한 증착챔버(12) 외벽(32)의 다른 부분을 통하여 연장되어, 가스 전환 네트워크(gas switching network: 도시 안됨)를 통하여 각종 가스 소스(도시 안됨)에 접속되어 있다. 제 1 전극(16)은 전원(36)에 접속되어 있다. 로드-록(load-lock) 문(도시 안됨)을 통하며 증착챔버(12) 내 서셉터(18) 상으로 물체를 운반하고 증착챔버(12)로부터 도포된 물체를 제거하기 위하여 이송 플레이트(도시 안됨)를 구비하는 것이 일반적이다.
증착장치(10)의 조작 중에, 이송 플레이트(도시 안됨)에 의해 물체(38)는 증착챔버(12) 내로 도입되어 서셉터(18) 상에 배치된다. 물체(38)는 서셉터(18) 내의 구멍(28)에까지 연장되는 정도의 크기이다. 서셉터(18)는 리프트 오프 핀(26)(도시된 바와 같다)의 상부에 위치하여 사프트(20)에 의해 리프트-오프 핀(26)이 구멍(28)을 통하여 연장되지 않을 정도로 위쪽으로 이동하고, 서셉터(18) 및 물체(38)는 제 1 전극(16)에 비교적 근접하게 된다. 증착 챔버(12)는 배출 파이프(30)를 통하여 진공으로 되고, 수소, 질소, 아르곤 또는 암모니아와 같은 불활성 가스가 증착챔버(12) 내로 제공된다. 증착챔버내의 압력은 0.2 내지 3.5토르로 조정된다. 전원(36)을 켜서 제 1 전극(16) 및 서셉터(18) 사이에 불활성 가스를통하여 rf 전력을 제공한다. 총 전력은 전극(16)과 서셉터(18) 사이의 중첩 면적을 기준으로 하여, 바람직하게는 0.03 내지 0.14와트/㎠이고, 이는 불활성 가스에 플라즈마를 생성하는데 충분하다. 물체(38)는 적어도 2초 이상, 바람직하게는 약 10초간 불활성 가스의 플라즈마로 처리한다.
상기한 방법으로 물체(38)를 불활성 가스의 플라즈마로 처리한 후, 전극(16)과 서셉터(18) 사이의 전력을 전형적으로 0.15 내지 0.8와트/㎠의 수준으로 증가시킨다. 이에 따라 불활성가스의 플라즈마가 유지된다. 다음에, 도입 파이프(34)를 통하여 증착챔버(12) 내로 증착가스를 도입하여 불활성 가스를 대체시킨다. 증착챔버 내의 압력은 약 1.5토르에서 유지된다. 이제는 전극(16)과 서셉터(18) 간의 전력은 증착가스 중에 플라즈마를 발생시키는데 충분하다. 플라즈마는 증착가스를 분해시켜 물체(38) 상에 소기 물질의 층을 증착시킨다. 따라서 가스가 불활성 가스에서 증착가스로 바뀌는 동안 물체(38)는 연속적으로 플라즈마로 처리된다.
증착가스의 조성은 증착될 물질에 의존한다. 예를 들면 질화실리콘(Si3N4)을 증착하기 위해서는, 실란(SiH4), 암모니아(NH3) 및 질소(N2)의 혼합물을 포함하는 가스가 사용된다. 비정질 실리콘층을 증착하기 위해서는, 실란(SiH4)과 수소(H2)의 혼합물을 포함하는 증착가스가 사용된다. 이산화 실리콘(SiO2)을 증착하기 위해서는, 실란(SiH4)과 일산화질소(N2O)의 혼합물을 함유하는 증착가스를 사용할 수 있다. 증착가스 혼합물 중에 사용되는 가스중 하나는 종종 물체(38)의 초기 처리에도 사용되는 불활성 가스이다. 만일 그렇다면, 초기 처리 후에, 불활성 가스의 유동에 증착가스 혼합물을 구성하는 다른 가스(들)를 가하여 원하는 층의 증착을 이룰 수 있도록 하기만 하면된다.
물체(38) 상에 하나 이상의 층을 증착하고자 한다면, 제 1 층을 증착한 후, 제 1 층을 불활성 가스의 플라즈마로 처리한다. 이는 제 1 층을 증착하기 전에 물체(38)를 처리하기 위한 상기한 방법과 동일한 방법으로 수행한다. 다음에, 제 2층은 제 1 층 상에 제 1 층과 관련하여 기재한 바와 동일한 방법으로 증착한다. 물체(38) 상에 연속적으로 몇 개의 층이라도 증착할 수 있다. 그렇지만, 각 층을 증착하기 진에, 이전 층을 불활성 가스의 플라즈마로 처리한다. 하나의 가스에서 다른 가스로 즉, 불활성 가스에서 증착가스로 또는 증착가스에서 불활성 가스로 변환시킬 때, 증착챔버에 플라즈마를 유지하는 것이 바람직하다. 물체(38) 및 각 층의 처리에 의해 증착된 층과 물체 표면 또는 이전에 증착된 층간의 계면 특성이 향상되어 이들 간의 접착력을 향상시킨다. 이러한 향상은 보다 덜 희미하거나 보다 작은 기포가 형성되어 있는 외관을 갖는 층으로부터 알 수 있다.
마지막 층을 물체(38) 상에 증착한 후, 사프트(20)를 아래로 이동시켜, 제 1 전극(16)으로부터 멀리 리프트-오프 플레이트(24)를 향하여 서셉터(18)와 도포된 물체(38)를 이동시킨다. 서셉터(18)가 리프트-오프 플레이트(24)에 도달하면, 리프트 오프 핀(26)은 구멍(28)을 통하여 연장되어, 물체(38)의 바닥면(38a)에 접하게 된다. 리프트-오프 핀(26)은 서셉터(18)의 두께보다 길기 때문에, 리프트-오프 핀(26)은 물체(38)의 아래쪽 이동을 정지시킨다. 서셉터(18)가 아래로 더 이동하여서셉터(18)로부터 물체(38)가 분리된다. 다음에, 도포된 물체(38)를 이송 플레이트(도시 안됨)에 의해 들어 올려 증착챔버(12)로부터 꺼낸다.
도면의 제 1도에 도시된 장치(10)의 전형적인 한 실시예에서, 전극(16) 및 서셉터(18)는 각각 38×48cm이다. 물체(38)인 유리 플레이트를 증착챔버(12) 내로 도입하여 서셉터(18) 상에 위치시켰다. 서셉터(18)를 위쪽으로 이동시켜 서셉터(18)와 전극(16) 사이의 간격을 962밀(mils)(24mm)로 하였다. 증착챔버 내로 수소가스 유동을 도입하여 0.8토르의 압력으로 하였다.
전극(16)에 전원(36)을 켜서 300와트의 rf 전력을 제공하였다. 그 결과 수소가스 중에 플라즈마가 생성되었다. 유리 플레이트를 10초간 수소 플라즈마로 처리하였다. 전극(16)에 대한 전력을 1200와트로 증가시키고, 수소 플라즈마는 그대로 유지하였다. 다음에, 수소가스 유동을 실란, 암모니아 및 질소의 혼합물을 포함하는 증착가스 유동으로 바꾸고 압력을 1.5토르로 하였다. 서셉터(18)는 전극(16)으로부터의 거리가 962밀(24mm)인 지점에서 유지하였다. 전극(16)에 대한 전력은 증착가스 혼합물에 플라즈마가 생성되기에 충분하였다. 플라즈마에 의해 실란과 암모니아가 반응하여 유리 플레이트의 표면 상에 질화 실리콘층을 증착시켰다. 소정 두께의 질화실리콘층을 형성시킨 후, 증착가스의 유동을 정지시키고, 전력을 끄고, 증착 챔버(12)로부터 도포된 유리 플레이트를 꺼냈다.
제 1도에 도시된 장치(10)와 다른 전형적인 실시예에서도 전극(16) 및 서셉터(18)는 각각 38×48cm였다. 물체(38)인 유리 플레이트를 증착챔버(12)내로 도입하여 서셉터(18) 상에 위치시켰다. 서셉터(18)를 위쪽으로 이동시켜 서셉터(18)와전극(16) 사이의 간격을 962밀(mils)(24mm)로 하였다. 증착챔버 내로 수소가스의 유동을 도입하여 0.8토르의 압력으로 하였다. 전극(16)에 전원(36)을 켜서 250와트의 rf 전력을 제공하였다. 그 결과 수소가스중에 플라즈마가 생성되었다. 유리 플레이트를 10초간 수소 플라즈마로 처리하였다. 전극(16)에 대한 전력을 1200와트로 증가시키고, 수소 플라즈마는 그대로 유지하였다. 다음에, 수소가스 유동을 실란, 암모니아 및 질소의 혼합물을 포함하는 증착가스 유동으로 바꾸고 압력을 1.5토르로 하였다. 서셉터(18)는 전극(16)으로부터의 거리가 962밀(24mm)인 지점에서 유지하였다. 전극(16)에 대한 전력은 증착가스 혼합물에 플라즈마가 생성되기에 충분하였다. 플라즈마에 의해 증착가스가 반응하여 유리 플레이트의 표면 상에 질화 실리콘층을 증착시켰다.
전극(16)에의 전력을 250와트로 감소시켰지만 이는 아직도 증착가스의 플라즈마를 유지하는데는 충분하였다. 증착가스 유동을 수소가스 유동으로 대체하고 압력을 0.8토르로 유지하였다. 전극(16)과 서셉터(18) 사이의 간격은 962밀(24mm)로 유지하였다. 전극(16)에 대한 전력은 수소 중에서 플라즈마를 발생시키는데는 충분하였다. 질화실리콘으로 도포되어 있는 유리 플레이트를 10초간 수소 플라즈마로 처리하였다.
다음에, 전극(16)에 대한 전력을 250-300와트로 증가시키고, 수소 플라즈마는 그대로 유지하였다. 수소 가스 유동만을 실란 및 수소의 혼합물을 함유하는 제 2 증착가스 유동으로 대체하고 압력은 0.8토르로 고정하였다. 전극(16)에 대한 전력은 제 2 증착가스에서 플라즈마를 발생시키는데 충분하였다. 플라즈마는 실란을반응시켜 질화 실리콘층 상에 비정질 실리콘층을 증착시켰다. 제 2 증착가스의 유동을 정지시키고, 전원을 끄고, 도포된 유리플레이트를 증착 챔버(12)로부터 꺼냈다.
따라서 본 발명은 플라즈마 CVD에 의해 층이 증착될 표면을 처리하여, 표면과 층간의 계면 특성을 향상시키는 방법을 제공한다. 표면은 그 표면 상에 직접 층이 증착될 물체의 표면일 수 있고, 또는 제 1 층 상에 제 2 층이 증착될 물체 상에 형성된 제 1 층의 표면일 수 있다. 물체를 물체에 역효과를 미치지 아니하고 그 자체로는 물체 상에 층을 증착하지 않는 불활성 가스의 플라즈마로 처리함으로써 계면특성이 향상된다. 특성이 향상된 계면은 물체 상에 증착되는 층 상에 형성되는 흐림 및/또는 기포가 감소된것을 가시적으로 확인함으로써 알 수 있다.
본 발명의 특정 실시예는 단지 본 발명의 일반적인 원리의 예시에 불과하다. 설명된 원리와 일치하는 다양한 변형이 있을수 있다. 예를 들면 상술한 것 이외의 불활성 가스들도, 그들이 플라즈마를 형성할 수 있고, 층이 증착될 물체 또는 층에 역효과를 주지 않고 그 자체로 층을 형성하지 않는 한, 사용될 수 있다. 또한 상술한 것들 이외의 물질의 기판물체를 사용할 수 있다.
제 1도는 본 발명의 방법을 수행할 수 있는 플라즈마 CVD 장치의 개략적인 단면도이다.

Claims (14)

  1. 표면과 그 위에 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 증착되는 층간의 양호한 계면을 제공하여 이들간의 양호한 접착성을 이루기 위한 플라즈마 화학 기상 증착법으로서,
    상기 표면과 화학적으로 반응하지 않고, 상기 표면 위에 제 1 가스의 물질을 함유하는 층을 증착시키지 않는 제 1 가스의 플라즈마로 상기 표면을 처리하는 단계; 및
    상기 표면 위에 물질 층을 증착시키도록 반응하는 증착가스의 플라즈마에 상기 표면을 노출시키는 단계를 포함하며,
    상기 표면은, 상기 제 1 가스의 플라즈마로부터 증착가스의 플라즈마까지 연속적으로 가스 플라즈마 처리되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제 1 가스 및 증착가스의 플라즈마는 가스를 통하여 rf 전력을 인가하여 형성되고, 제 1 가스에 인가되는 전력은 증착가스에 인가되는 전력에 비하여 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마화학 기상 증착법.
  4. 제 1항에 있어서,
    제 1 층을 상기 표면 상에 증착한 후, 상기 층을 상기 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 단계; 및
    상기 제 1 층과 화학적으로 반응하지 않고, 상기 제 1 층 위에 제 2 가스의 물질을 함유하는 층을 증착시키지 않는 제 2 가스의 플라즈마로 상기 제 1 층을 처리하는 단계; 및
    상기 제 1 층 위에 제 2의 물질 층을 증착시키도록 반응하는 제 2 증착가스의 플라즈마에 상기 제 1 층을 노출시키는 단계를 포함하며,
    상기 제 1 층은, 상기 제 2 가스의 플라즈마로부터 제 2 증착가스의 플라즈마까지 연속적으로 가스 플라즈마 처리되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르콘 및 암모니아로 구성된 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 층 각각은, 증착가스를 반응시켜서 층을 증착시키도록 하는 플라즈마를 증착가스 중에 형성함으로써 증착되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  7. 제 6항에 있어서, 제 1 가스의 플라즈마 및 각 증착가스들의 플라즈마는 이들에 rf 전력을 인가함으로써 형성되며, 제 1 가스에 인가되는 rf 전력이 증착가스에 인가되는 전력에 비해 작은 것을 특징으로 하는 플라즈마 화화 기상 증착법.
  8. 제 4항에 있어서, 플라즈마가, 제 1 가스와 각 증착가스들 사이에서 전환될 때, 가스 플라즈마가 연속적으로 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  9. 물체의 표면 상에 적어도 하나의 층을 증착시키는 플라즈마 화학 기상 증착법으로서,
    물체를 증착 챔버 내에, 전극으로부터 격리된 서셉터 상에 배치하는 단계;
    상기 물체와 화학적으로 반응하지 않거나, 제 1 가스 물질을 함유하는 층을 상기 물체 위에 증착하지 않는 제 1 가스를 증착챔버 내로 유입시키는 단계;
    상기 물체에 적용되는 제 1 가스에 플라즈마를 발생시키는데 충분한 rf 전력으로, 전극과 서셉터 사이에 전압을 인가하는 단계;
    상기 물체 상에 증착될 물질의 원소들을 함유하는 증착가스를 증착챔버 내로 도입하는 단계; 및
    증착가스 중에 플라즈마를 형성시키는데 충분한 rf 전력을 증착가스에 인가하여, 증착가스를 반응시킴으로써 물체 상에 층이 증착되도록 하는 단계를 포함하며;
    상기 제 1 가스로부터 증착가스로 전환되는 동안 가스 플라즈마는 연속적으로 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  11. 제 10항에 있어서, 챔버 내의 가스의 압력은 0.2 내지 3.5토르인것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  12. 제 11항에 있어서, 제 1 가스에 인가되는 rf 전력이 증착가스에 적용되는 rf 전력에 비해 작을 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 물체 상에 층이 증착된 후에, 상기 증착된 층과 화학적으로 반응하지 않음으로써 그 위에 층을 증착시키지 않는 제 1 가스의 유동을 챔버에 제공하는 단계;
    상기 제 1 가스에 rf 전력을 인가함으로써 플라즈마를 형성하고, 이 형성된 플라즈마가 상기 증착된 층에 대해 작용하게 되는 단계;
    상기 챔버에 제 2증착가스 유동을 제공하는 단계; 및
    상기 제 2 증착가스를 반응시켜서 제 1 층 상에 제 2 층을 형성시키는 플라즈마를 형성하는데 충분한 rf 전력을 제 2 증착가스에 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 제 1 가스로부터 상기 증착가스로 전환되는 동안 가스 플라즈마가 연속적으로 유지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학 기상 증착법.
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