KR950000922A - 플라즈마 화학 기상 증착법 - Google Patents

플라즈마 화학 기상 증착법 Download PDF

Info

Publication number
KR950000922A
KR950000922A KR1019940013880A KR19940013880A KR950000922A KR 950000922 A KR950000922 A KR 950000922A KR 1019940013880 A KR1019940013880 A KR 1019940013880A KR 19940013880 A KR19940013880 A KR 19940013880A KR 950000922 A KR950000922 A KR 950000922A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
plasma
deposition
layer
power
Prior art date
Application number
KR1019940013880A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100326488B1 (ko
Inventor
로버트슨 로버트
미셸 콜랙 마크
티. 리 안젤라
다까꼬 다께하라
구오푸 제프 펭
코놀리 로버트
캄로
메이단 댄
Original Assignee
제임스 조셉 드롱
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제임스 조셉 드롱, 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 제임스 조셉 드롱
Publication of KR950000922A publication Critical patent/KR950000922A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100326488B1 publication Critical patent/KR100326488B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • C23C16/0245—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 표면과 표면상에 증착되는 층간의 계면 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 표면은 물체의 표면 또는 물체상에 증착된 층의 표면일 수 있다. 표면에 역효과를 주지않고 그 위에 층을 증착시키지 않는 제 1 가스의 플라즈마로 표면을 처리한다. 다음에, 증착가스를 분해시켜 표면상에 층을 증착시키는 증착가스의 플라즈마로 표면을 처리한다.

Description

플라즈마 화학 기상 증착법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 방법을 수행할 수 있는 플라즈마 CVD 장치의 도식 단면도이다.

Claims (18)

  1. 표면과 그 위에 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 증착되는 층간의 양호한 계면을 제공하여 이들간의 양호한 접착성을 이루는 화학 기상 증착 방법에서, 상기 화학 기상 증착법은, 상기 표면과 화학적으로 반응하지 않고, 그 위에 제 1 가스의 물질을 함유하는 층을 증착시키지 않는 상기 제 1 가스의 플라즈마로 상기 표면을 처리하는 단계 : 및 상기 표면상에 물질층을 증착시키기 위하여, 반응하는 증착가스로 상기 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하고, 상기 표면을 상기 제 1 가스의 플라즈마로부터 증착가스의 플라즈마까지 실질적으로 연속적으로 가스 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 군으로 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 가스는 0.2 내지 3.5토르의 압력에서 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 표면은 약 2 내지 15초간 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 가스 및 증착가스의 플라즈마는 가스를 통하여 rf전력을 인가하여 형성되고, 제 1 가스에 인가되는 전력은 증착가스에 인가되는 전력에 비하여 작은 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 싱기 방법은 제 1 층을 상기 표면상에 증착한 후, 상기 층을 상기 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 단계; 및 플라즈마 기상 증착법에 의해 상기 제 1 층상에 제 2 층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 표면 및 상기 제 1 층은 각각 2 내지 15초동안 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 층 각각은 증착가스중에서 증착가스를 반응시켜 층을 증착시키는 플라즈마를 형성시켜서 증착시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 제 1 가스의 플라즈마 및 가 증착가스들의 플라즈마는 이들에 rf전력을 인가하여 형성하고, 제 1 가스에 인가되는 rf 전력은 증착가스에 인가되는 전력에 비해 작은 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 6 항에 있어서, 제 1 가스와 각 증착가스들간에 플라즈마가 변경될때 가스 플라즈마는 실질적으로 연속적으로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 물체 증착 챔버내에 전극으로부터 격리된 시셉터상에 배치하는 단계 : 물체와 화학적으로 반응하지 않고 물체상에 제 1 가스의 물질을 함유하는 층을 증착시키는 제 1 가스를 증착챔버내로 유입하는 단계; 물체에 적용되는 제 1 가스에 플라즈마를 발생시키는데 충분한 rf전력에서 전극과 서셉터 사이에 전압을 인가하는 단계; 물체상에 증착될 물질의 원소들을 함유하는 증착가스를 증착챔버내로 도입하는 단계; 및 증착가스를 반응시키면서 물체상에 층을 증착시키는 플라즈마를 증착가스중에 형성시키는데 충분한 rf전력을 증착가스에 적용하는 단계로 구성되고, 상기 제 1 가스로부터 증착가스로 전환시키는 동안 가스 플라즈마는 실질적으로 연속적으로 유지시키는 것을 특징으로 하는 물체의 표면상에 적어도 하나의 층을 증착시키는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 싱기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 챔버내의 가스의 압력은 0.2 내지 3.5토르인 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 물체는 2 내지 15초동안 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 제 1 가스에 인가되는 rf전력을 증착가스에 적용되는 rf전력에 비해 작은 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제12항에 있어서, 물체상에 층을 증착시킨 후, 상기 증착된 층과 화학적으로 반응하지 않고 그 위에 층을 증착시키지 않는 제 1 가스의 플로우를 챔버에 제공하는 단계; 상기 제 1 가스에 rf전력을 인가하여 증착된 층에 인가되는 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 챔버에 제 2 증착가스의 플로우를 제공하는 단계; 및 상기 제 2 증착가스를 반응시켜 제 1 층상에 제 2 층을 형성시키는 플라즈마를 형성하는데 충분한 rf전력을 제 2 증착가스에 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제 1 가스로부터 상기 증착가스로 전환되는 동안 가스 플라즈마는 실질적으로 연속적으로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940013880A 1993-06-21 1994-06-20 플라즈마화학기상증착법 KR100326488B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8001993A 1993-06-21 1993-06-21
US08/080,019 1993-06-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950000922A true KR950000922A (ko) 1995-01-03
KR100326488B1 KR100326488B1 (ko) 2002-06-20

Family

ID=22154736

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940013880A KR100326488B1 (ko) 1993-06-21 1994-06-20 플라즈마화학기상증착법

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0630989B1 (ko)
JP (1) JPH07142416A (ko)
KR (1) KR100326488B1 (ko)
DE (1) DE69422550T2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100372537B1 (ko) * 1999-07-30 2003-02-17 알프스 덴키 가부시키가이샤 플라즈마성막방법 및 반도체장치의 제조장치
KR20120094078A (ko) * 2009-11-30 2012-08-23 폴리테크니코 디 밀라노 제어된 모폴로지와 나노구조를 갖는 나노구조 박층을 증착하는 방법 및 장치

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6291343B1 (en) 1994-11-14 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Plasma annealing of substrates to improve adhesion
FR2756663B1 (fr) * 1996-12-04 1999-02-26 Berenguer Marc Procede de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant une etape de traitement de surface
US6872429B1 (en) 1997-06-30 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten nitride using plasma pretreatment in a chemical vapor deposition chamber
US6162715A (en) * 1997-06-30 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Method of forming gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride
US6355571B1 (en) 1998-11-17 2002-03-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing copper oxidation and contamination in a semiconductor device
US20010049181A1 (en) 1998-11-17 2001-12-06 Sudha Rathi Plasma treatment for cooper oxide reduction
US6821571B2 (en) 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
KR100467082B1 (ko) * 2000-03-02 2005-01-24 주성엔지니어링(주) 반도체소자 제조장치 및 그 클리닝방법
US6794311B2 (en) 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
CN1322556C (zh) * 2001-02-15 2007-06-20 东京毅力科创株式会社 被处理件的处理方法及处理装置
JP4573162B2 (ja) * 2004-09-16 2010-11-04 富士電機システムズ株式会社 透明導電膜の製造方法
KR100710597B1 (ko) * 2004-12-08 2007-04-24 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
GB201218697D0 (en) * 2012-10-18 2012-11-28 Spts Technologies Ltd A method of depositing an amorphous silicon film
CN107464743A (zh) * 2017-07-17 2017-12-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 非晶硅薄膜成膜方法
CN107919272A (zh) * 2017-11-21 2018-04-17 上海华虹宏力半导体制造有限公司 非晶硅薄膜成膜方法
CN109148263A (zh) * 2018-07-26 2019-01-04 上海华虹宏力半导体制造有限公司 沉积非晶硅的成膜方法
CN109166795A (zh) * 2018-08-20 2019-01-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 TiN电极薄膜形成方法
CN109285759B (zh) * 2018-09-11 2021-08-20 上海华虹宏力半导体制造有限公司 非晶硅的成膜方法
CN114664651A (zh) * 2020-12-23 2022-06-24 长鑫存储技术有限公司 半导体表面缺陷的处理方法和半导体器件的制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821324A (ja) * 1981-07-30 1983-02-08 Agency Of Ind Science & Technol 水素添加した半導体薄膜成長用金属表面基板の前処理方法
DE3574997D1 (de) * 1984-03-03 1990-02-01 Stc Plc Pulsierendes plasmaverfahren.
CH671407A5 (ko) * 1986-06-13 1989-08-31 Balzers Hochvakuum
DE4005956C1 (ko) * 1990-02-26 1991-06-06 Siegfried Dipl.-Ing. Dr. 5135 Selfkant De Straemke
FR2664294B1 (fr) * 1990-07-06 1992-10-23 Plasmametal Procede de metallisation d'une surface.
DE4034842A1 (de) * 1990-11-02 1992-05-07 Thyssen Edelstahlwerke Ag Verfahren zur plasmachemischen reinigung fuer eine anschliessende pvd oder pecvd beschichtung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100372537B1 (ko) * 1999-07-30 2003-02-17 알프스 덴키 가부시키가이샤 플라즈마성막방법 및 반도체장치의 제조장치
KR20120094078A (ko) * 2009-11-30 2012-08-23 폴리테크니코 디 밀라노 제어된 모폴로지와 나노구조를 갖는 나노구조 박층을 증착하는 방법 및 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP0630989B1 (en) 2000-01-12
DE69422550T2 (de) 2000-08-10
JPH07142416A (ja) 1995-06-02
EP0630989A2 (en) 1994-12-28
DE69422550D1 (de) 2000-02-17
KR100326488B1 (ko) 2002-06-20
EP0630989A3 (en) 1996-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950000922A (ko) 플라즈마 화학 기상 증착법
KR950000931A (ko) 증착 처리시 물체가 수용기에 고착하는 것을 제한하는 방법
KR100421572B1 (ko) 화학적 기상 증착 챔버를 비활성화하는 방법
KR970008361A (ko) 반도체 기판의 전처리방법
JP4585692B2 (ja) 薄膜形成方法
EP0883698B1 (fr) PROCEDE DE FORMATION DE REVETEMENTS DE Ti1-xAlxN
KR960026267A (ko) 고융점금속박막의 형성방법
TW362118B (en) Method for depositing amorphous SiNC coatings
KR970703443A (ko) 집적 회로의 저온 플라즈마-증착 방법(Low temperature plasma-enhanced formation of integrated circuits)
EP0936284A3 (en) Method and apparatus for producing thin films
DE60027401D1 (de) Radikal-unterstützte sequentielle gasphasenabcheidung
WO2000079576A1 (en) Chemical deposition reactor and method of forming a thin film using the same
EP0284693A3 (en) Plasma deposited coatings and low temperature, plasma method of making same
KR960035890A (ko) 타이타늄 카보 나이트라이드층의 개질 방법
WO2004044963B1 (en) Atomic layer deposition methods
KR20020008395A (ko) 화학 증착 시스템 및 방법
KR970003431A (ko) 개선된 질화 티타늄 함유 방지층을 형성하기 위한 연속적인 방법
TW368681B (en) Method for forming barrier metal film
EP0878823A3 (en) Plasma-enhanced chemical vapor deposition apparatus and method M
WO1999028955A3 (en) Chemical vapor deposition of titanium on a wafer comprising an in-situ precleaning step
ES2140496T3 (es) Sustrato de metal duro con una capa de diamante de alta adherencia.
Kawamoto et al. Study on reaction mechanism of aluminum selective chemical vapor deposition with in-situ XPS measurement
JP2003049261A (ja) 基板上にガス／液体不透過層を形成する方法
WO2002045147A3 (en) Method for pretreating dielectric layers to enhance the adhesion of cvd metal layers thereto
TW368701B (en) A high temperature, high deposition rate process and apparatus for depositing titanium layers

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120131

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee