KR950000922A - 플라즈마 화학 기상 증착법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 표면과 표면상에 증착되는 층간의 계면 특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다. 표면은 물체의 표면 또는 물체상에 증착된 층의 표면일 수 있다. 표면에 역효과를 주지않고 그 위에 층을 증착시키지 않는 제 1 가스의 플라즈마로 표면을 처리한다. 다음에, 증착가스를 분해시켜 표면상에 층을 증착시키는 증착가스의 플라즈마로 표면을 처리한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 방법을 수행할 수 있는 플라즈마 CVD 장치의 도식 단면도이다.
Claims (18)
- 표면과 그 위에 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 증착되는 층간의 양호한 계면을 제공하여 이들간의 양호한 접착성을 이루는 화학 기상 증착 방법에서, 상기 화학 기상 증착법은, 상기 표면과 화학적으로 반응하지 않고, 그 위에 제 1 가스의 물질을 함유하는 층을 증착시키지 않는 상기 제 1 가스의 플라즈마로 상기 표면을 처리하는 단계 : 및 상기 표면상에 물질층을 증착시키기 위하여, 반응하는 증착가스로 상기 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 포함하고, 상기 표면을 상기 제 1 가스의 플라즈마로부터 증착가스의 플라즈마까지 실질적으로 연속적으로 가스 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 군으로 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 가스는 0.2 내지 3.5토르의 압력에서 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 표면은 약 2 내지 15초간 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 가스 및 증착가스의 플라즈마는 가스를 통하여 rf전력을 인가하여 형성되고, 제 1 가스에 인가되는 전력은 증착가스에 인가되는 전력에 비하여 작은 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서, 싱기 방법은 제 1 층을 상기 표면상에 증착한 후, 상기 층을 상기 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 단계; 및 플라즈마 기상 증착법에 의해 상기 제 1 층상에 제 2 층을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 6 항에 있어서, 상기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 표면 및 상기 제 1 층은 각각 2 내지 15초동안 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 제1 및 제 2 층 각각은 증착가스중에서 증착가스를 반응시켜 층을 증착시키는 플라즈마를 형성시켜서 증착시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 9항에 있어서, 제 1 가스의 플라즈마 및 가 증착가스들의 플라즈마는 이들에 rf전력을 인가하여 형성하고, 제 1 가스에 인가되는 rf 전력은 증착가스에 인가되는 전력에 비해 작은 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 6 항에 있어서, 제 1 가스와 각 증착가스들간에 플라즈마가 변경될때 가스 플라즈마는 실질적으로 연속적으로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 물체 증착 챔버내에 전극으로부터 격리된 시셉터상에 배치하는 단계 : 물체와 화학적으로 반응하지 않고 물체상에 제 1 가스의 물질을 함유하는 층을 증착시키는 제 1 가스를 증착챔버내로 유입하는 단계; 물체에 적용되는 제 1 가스에 플라즈마를 발생시키는데 충분한 rf전력에서 전극과 서셉터 사이에 전압을 인가하는 단계; 물체상에 증착될 물질의 원소들을 함유하는 증착가스를 증착챔버내로 도입하는 단계; 및 증착가스를 반응시키면서 물체상에 층을 증착시키는 플라즈마를 증착가스중에 형성시키는데 충분한 rf전력을 증착가스에 적용하는 단계로 구성되고, 상기 제 1 가스로부터 증착가스로 전환시키는 동안 가스 플라즈마는 실질적으로 연속적으로 유지시키는 것을 특징으로 하는 물체의 표면상에 적어도 하나의 층을 증착시키는 방법.
- 제12항에 있어서, 싱기 제 1 가스는 수소, 질소, 아르곤 및 암모니아로 구성된 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 챔버내의 가스의 압력은 0.2 내지 3.5토르인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 물체는 2 내지 15초동안 제 1 가스의 플라즈마로 처리하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제15항에 있어서, 제 1 가스에 인가되는 rf전력을 증착가스에 적용되는 rf전력에 비해 작은 것을 특징으로 하는 방법.
- 제12항에 있어서, 물체상에 층을 증착시킨 후, 상기 증착된 층과 화학적으로 반응하지 않고 그 위에 층을 증착시키지 않는 제 1 가스의 플로우를 챔버에 제공하는 단계; 상기 제 1 가스에 rf전력을 인가하여 증착된 층에 인가되는 플라즈마를 형성하는 단계; 상기 챔버에 제 2 증착가스의 플로우를 제공하는 단계; 및 상기 제 2 증착가스를 반응시켜 제 1 층상에 제 2 층을 형성시키는 플라즈마를 형성하는데 충분한 rf전력을 제 2 증착가스에 인가하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 제 1 가스로부터 상기 증착가스로 전환되는 동안 가스 플라즈마는 실질적으로 연속적으로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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