KR100298587B1 - 이온 주입 장치 - Google Patents

이온 주입 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100298587B1
KR100298587B1 KR1019990051880A KR19990051880A KR100298587B1 KR 100298587 B1 KR100298587 B1 KR 100298587B1 KR 1019990051880 A KR1019990051880 A KR 1019990051880A KR 19990051880 A KR19990051880 A KR 19990051880A KR 100298587 B1 KR100298587 B1 KR 100298587B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
vertical
correction means
conveying member
ion implantation
Prior art date
Application number
KR1019990051880A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010047584A (ko
Inventor
서상일
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
Priority to KR1019990051880A priority Critical patent/KR100298587B1/ko
Priority to JP2000241248A priority patent/JP3667605B2/ja
Priority to TW089119755A priority patent/TW483072B/zh
Priority to US09/689,823 priority patent/US6559461B1/en
Publication of KR20010047584A publication Critical patent/KR20010047584A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100298587B1 publication Critical patent/KR100298587B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H01J2237/20221—Translation
    • H01J2237/20228—Mechanical X-Y scanning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 이온 주입 장치에 관한 것으로서, 특히 일측에 형성된 개구부(22)를 통하여 이온빔(21)이 조사되는 진공 챔버(20)와, 상기 진공 챔버(20) 내에 회동 가능케 경사지게 설치된 제1구동모터(41)를 갖는 스캔축(40)과, 상기 스캔축(40)의 기울기를 변경시키는 스캔축 보정수단(50)과, 상기 제1구동모터(41)의 작동에 따라 승강되는 승강부재(42)에 결합되어 수평으로 전, 후진되는 수평 이송부재(64)를 갖는 수평보정수단(60)과, 상기 수평 이송부재(64)의 선단에 결합되어 수직으로 승강되는 수직 이송부재(74)를 갖는 수직보정수단(70) 및 상기 수직 이송부재(74)의 선단에 장착되어 웨이퍼(W)를 로딩 또는 언로딩하는 틸터(90)를 포함한다.
따라서, 본 발명에서는 웨이퍼의 크기 등에 따른 틸트각을 적절하게 변경시키는 것이 용이하며, 웨이퍼가 틸트각 만큼 경사진 스캔축을 따라서 승강 작동함으로써 웨이퍼가 최상측에 위치할 때의 상부 부분과 최하측에 위치할 때의 하부 부분과의 차이가 최소화되어 웨이퍼의 표면에 주입되는 이온의 분포가 균일하게 됨으로써 품질의 균일성이 향상된다.

Description

이온 주입 장치{Ion implantation device for manufacturing semiconductor}
본 발명은 이온 주입 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 표면에 이온을 균일하게 주입하기 위한 이온 주입 장치에 관한 것이다.
일반적으로 이온 주입 공정은 웨이퍼의 특정 부위에 전류가 잘 흐르도록 하기 위하여 외부에서 입자를 강제적으로 가속하여 불순물을 삽입시키는 반도체 제조 기술로서, 이온 빔 또는 웨이퍼가 수평 방향과 수직 방향으로 연속적으로 이동하면서 웨이퍼의 전면에 이온을 주입하게 된다.
종래에 이와 같은 이온 주입 장치는 일본국 특개평 04-283923호에 개시되어 있으며, 이는 도 1 에 도시한 바와 같이 이온 빔(A)을 조사하는 평행 이온빔 조사수단(10)과, 웨이퍼(11)를 지지하는 지지판(12)과, 지지판(12)의 하부에 일체로 설치된 구동축(13)을 개재하여 지지판(12)을 승강 구동시키는 승강 구동수단(14)과, 상기 이온 빔(A)의 하부 근방에 배치된 정전 유동형의 차지 모니터(15)를 구비하고, 상기 이온 빔(A)은 마스크(16)의 슬릿(17)을 통과하도록 구성된다.
따라서, 이온 주입 시에는 지지판(12) 상에 웨이퍼(11)를 로딩시킨 상태에서 평행 이온빔 조사수단(10)에서 이온 빔(A)을 조사하면 마스크(16)의 슬릿(17)을 통하여 통과된 이온 빔(A)이 별도의 가속관에서 가속되어 웨이퍼(11)에 이온을 주입하게 되는데, 상기 지지판(12)은 좌, 우 또는 전, 후 방향으로 약 7°정도 기울이진 상태에서 승강 구동수단(14)의 작동에 의해 구동축(13)이 승강 작동하면서 지지판(12)을 승강시키는 Y방향으로의 스캔을 행하게 된다.
이때, 상기 웨이퍼(11)는 구동축(13)에 의해 최상측에 위치된 상태에서의 상부 부분과 최하측에 위치한 상태에서의 하부 부분이 틸트각 만큼의 거리(X)를 형성시키게 된다.
그리고, 이 거리(X)는 평행 이온빔 조사수단(10)으로부터 조사된 이온 빔(A)이 웨이퍼(11)에 도달하기까지의 거리에 차이를 형성시킴으로써 웨이퍼(11)에 주입되는 이온의 분포를 다르게 하고, 이에 따라 웨이퍼(11) 전체에 주입된 이온의 분포가 다르게 됨으로써 이후에 제조되는 디바이스의 품질이 균일하지 않을 뿐만 아니라 원하는 품질의 요구 수준을 만족시킬 수 없는 등의 여러 가지 문제점들이 내재되어 있었다.
또한, 디바이스의 미세화로 인하여 공정 조건이 복잡하고 까다로워지면서 일반적인 틸트각인 7°이상의 큰 각도를 요구하는 경우에는 웨이퍼(11)가 상승 또는 하강된 상태에서의 웨이퍼(11)의 상부 부분과 하부 부분과의 거리(X)가 더욱 커지게 됨으로써 품질의 균일성은 더욱 나빠지는 문제점이 있게 된다.
따라서, 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점들을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 이온 주입시 승강되는 웨이퍼의 상부 부분과 하부 부분의 거리를 최소화하여 디바이스 품질의 균일성을 확보함과 동시에 웨이퍼의 틸트각에 따라 스캔축의 틸트각을 적절하게 변경하는 것이 가능한 이온 주입 장치를 제공하는데 있다.
도 1 은 종래의 이온 주입 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 2 는 본 발명에 의한 이온 주입 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.
도 3 은 본 발명의 요부인 스캔축의 결합 관계를 나타내는 일부 도면이다.
도 4 는 본 발명의 요부인 수평보정수단의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 요부인 수직보정수단의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6 은 본 발명의 요부인 수평보정수단과 수직보정수단의 결합 관계를 나타내는 일부 단면도이다.
도 7 은 본 발명에 의한 이온 주입 장치에서 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하는 상태를 나타내는 도면이다.
도 8 은 본 발명에 의한 이온 주입 장치에서 웨이퍼를 이동시키는 작동 상태를 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
20: 진공 챔버 21: 이온빔
22: 개구부 30: 고정부재
40: 스캔축 41: 제1구동모터
42: 승강부재 50: 스캔축 보정수단
51: 힌지축 52: 기어부
53: 제2구동모터 54: 전동기어
60: 수평보정수단 61,71: 실린더
62,72: 스크류축 63: 제3구동모터
64: 수평 이송부재 70: 수직보정수단
73: 제4구동모터 74: 수직 이송부재
80: 연결수단 81: 돌출부
82: 회전축 83: 제5구동모터
90: 틸터 W: 웨이퍼
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 이온 주입 장치는, 상기 스캔축의 기울기를 변경시키는 스캔축 보정수단과, 상기 제1구동모터의 작동에 따라 승강되는 승강부재에 결합되어 수평으로 전, 후진되는 수평 이송부재를 갖는 수평보정수단과, 상기 수평 이송부재의 선단에 결합되어 수직으로 승강되는 수직 이송부재를 갖는 수직보정수단 및 상기 수직 이송부재의 선단에 장착되어 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하는 틸터를 포함한다.
따라서 본 발명에 의하면, 스캔축을 필요에 따라 소정의 각도로 변경시키는 것이 가능케 되고, 상기 스캔축의 변경에 따른 웨이퍼의 로딩 및 언로딩 위치를 수평보정수단, 수직보정수단 등에 의해 변경시키지 않고 보정하여 동일한 위치로 유지시키는 것이 가능함으로써 웨이퍼의 크기 등에 따른 틸트각을 적절하게 변경시키는 것이 용이하며, 웨이퍼가 틸트각 만큼 경사진 스캔축을 따라서 승강 작동함으로써 웨이퍼가 최상측에 위치할 때의 상부 부분과 최하측에 위치할 때의 하부 부분과의 차이가 최소화되어 웨이퍼의 표면에 주입되는 이온의 분포가 균일하게 됨으로써 품질의 균일성이 향상되는 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명한다.
도 2 는 본 발명에 의한 이온 주입 장치를 나타내는 도면으로서, 부호 (20)은 진공 챔버를 나타내고 있으며, 상기 진공 챔버(20)의 일측에는 도시하지 않은 이온 조사 수단으로부터 조사된 이온빔(21)을 유입시키는 개구부(22)가 형성되어 있다.
상기 진공 챔버(20)의 하측에는 고정부재(30)가 장착되어 있고, 상기 고정부재(30)의 일측에는 소정의 각도로 회동되는 스캔축(40)이 회동 가능케 결합되어 있다.
상기 스캔축(40)에는 상측에 정, 역회전이 가능하도록 결합된 제1구동모터(41)의 작동에 의해 승강 작동하는 승강부재(42)가 결합되어 있다.
그리고, 상기 스캔축(40)의 하측에는 스캔축(40)을 적정의 각도로 틸팅시키는 스캔축 보정수단(50)이 구비되어 있다.
상기 스캔축 보정수단(50)은 도 3에 도시한 바와 같이 고정부재(30)의 일측면에 스캔축(40)이 힌지핀(51)으로 회동 가능케 힌지 결합되어 있고, 상기 스캔축(40)의 하단에는 원호상의 기어부(52)가 형성되어 있으며, 상기 기어부(52)에는 제2구동모터(53)의 구동에 따라 소정의 각도로 회동되어 틸트각의 조절을 가능케 하는 전동 기어(54)가 결합되어 있다.
한편, 상기 스캔축(40)에서 승강되는 승강부재(42)에는 수평보정수단(60)이 구비된다.
상기 수평보정수단(60)은 도 4에 도시한 바와 같이 승강부재(42)에 장착되고 일측이 개구된 실린더(61)와, 상기 실린더(61)의 일측 선단에 장착된 스크류축(62)을 갖는 제3구동모터(63)와, 상기 실린더(61) 내에 슬라이딩 가능케 삽입되고 상기 스크류축(62)이 나사 결합으로 관통 설치된 수평 이송부재(64)를 구비한다.
그리고, 상기 수평 이송부재(64)의 선단에는 관통공(65)이 형성되어 있다.
상기 수평 이송부재(64)는 제3구동모터(63)의 작동에 따른 스크류축(62)의 정, 역회전에 의해 전진 또는 후진 작동하게 된다.
한편, 상기 수평보정수단(60)의 선단에는 수직보정수단(70)이 결합된다.
상기 수직보정수단(70)은 구조적으로 상기 수평보정수단(60)과 대략 유사한 구성으로 이루어지는데, 이는 도 5 에 도시한 바와 같이 일측이 개구된 실린더(71)와, 상기 실린더(71)의 일측 선단에 장착되며 작동에 따라 정, 역회전되는 스크류축(72)을 갖는 제4구동모터(73)와, 상기 실린더(71)의 내측에 슬라이딩 가능케 삽입되고 일측이 상기 스크류축(72)과 나사 결합되는 수직 이송부재(74)를 구비한다.
상기 수직보정수단(70)은 연결수단(80)을 개재하여 수평보정수단(60)의 일측면에 결합되는데, 상기 연결수단(80)은 도 6 에 도시한 바와 같이 실린더(71)의 일측면에 구멍(81a)을 갖는 돌출부(81)가 돌출 형성되고, 상기 돌출부(81)의 선단은 실린더(61)의 선단에 고정 설치되며, 상기 실린더(61)에는 관통공(65) 내에 관통된 회전축(82)을 갖는 제5구동모터(83)가 고정 설치된다.
상기 돌출부(81)의 외측에는 캡부재(84)가 형성되어 돌출부(81)를 지지하게 된다.
그리고, 상기 실린더(61)의 관통공(65)을 관통한 회전축(82)은 선단이 돌출부(81)의 구멍(81a) 내에 고정되어 제5구동모터(83)의 구동에 따라 회전되는 회전축(82)의 작동에 의해 수직보정수단(70)을 소정의 각도, 예컨대 스캔축(40)의 보정된 각도만큼 회전시켜 수직 상태를 유지하도록 하게 된다.
상기 수직보정수단(70)의 상측에는 선단에 웨이퍼(W)를 로딩 또는 언로딩하는 틸터(90)이 결합된다.
상기 틸터(90)는 수직 이송부재(74)의 선단에 장착된 지지부재(91)와, 상기 지지부재(91)에 회동 가능케 결합되어 도시하지 않은 구동 수단의 작동에 따라 소정의 각도로 회동되는 회동부재(92)와, 상기 회동부재(92)의 선단에 결합되어 웨이퍼(W)를 로딩 및 언로딩하는 홀더(93)를 포함한다.
이와 같이 구성된 본 발명에 의한 이온 주입 장치는 진공 챔버(20) 내에 소정의 진공도가 유지된 상태에서 틸터(90)에 웨이퍼(W)를 로딩한 후 이온을 주입시키게 된다.
이때, 스캔축(40)의 틸트각은 웨이퍼(W)의 크기나 이온 주입 조건 등에 따라 다르게 되는데, 그 틸트각을 변경시키고자 하는 경우에는 도시하지 않은 입력부에 그 값을 입력시키면 제어부에서 제2구동모터(53)를 구동시킴으로써 가능케 된다.
즉, 제어부에서 보내지는 신호에 의해 상기 제2구동모터(53)가 소정의 각도로 정 또는 역회전을 행하면 전동 기어(54)가 동일한 각도로 회전을 행하게 되고, 이어서 상기 전동 기어(54)와 맞물려진 기어부(52)가 힌지핀(51)을 중심으로 소정의 각도로 회동됨으로써 스캔축(40)이 입력된 틸트각 만큼 회동하게 된다.
상기 스캔축(40)의 틸트각이 변경되면 그 각도만큼 수직보정수단(70) 및 틸터(90)도 경사지게 되는데 이는 연결수단(80)의 제5구동모터(83)의 작동에 의해 보정이 이루어지게 된다.
즉, 상기 제5구동모터(83)가 스캔축(40)의 회동 량만큼 소정의 각도로 회동되면 회전축(82)이 동일한 각도로 회동되고, 상기 회전축(82)이 회동되면 그 선단에 고정된 돌출부(81)가 회전축(82)과 일체로 회전됨으로써 수직보정수단(70)은 수직 상태를 유지하게 되며, 틸터(90)와 스캔축(40)은 동일한 각도를 유지하게 된다.
상기 스캔축(40)의 보정이 완료되면 이온 주입 공정이 이루어지는데, 먼저 틸터(90)에서 웨이퍼(W)의 로딩이 이루어지게 된다.
즉, 도시하지 않은 구동수단의 작동에 따라 회동부재(92)가 180°로 회전하면 홀더(93)가 도 7에서 도시한 바와 같이 상향하는 자세로 위치하게 되고, 이때수평보정수단(60) 및 수직보정수단(70)이 작동하여 상기 홀더(93)를 웨이퍼(W)의 로딩 위치에 위치되도록 보정하게 된다.
이때, 상기 틸터(90)의 수평 방향의 보정은 수평보정수단(60)의 작동에 따라 이루어지는데, 먼저 제3구동모터(63)의 작동에 따라 정, 역회전되는 스크류축(62)의 작동에 의해 수평 이송부재(64)가 전, 후진되면서 보정이 이루어지게 된다.
그리고, 수직 방향의 보정은 제4구동모터(73)의 작동에 따라 정, 역회전되는 스크류축(72)의 작동에 의해 수직 이송부재(74)가 승강됨으로써 상기 수직 이송부재(74)의 선단에 장착된 틸터(90)가 승강 작동된다.
따라서, 상기 틸터(90)의 승강 작동에 따라 웨이퍼(W)의 로딩 또는 언로딩 위치에 홀더(93)가 위치되는 것이 가능케 되며, 이에 따라 로딩 또는 언로딩 위치에 위치된 홀더(93) 상에 도시하지 않은 로봇 등의 수단이 작동하여 웨이퍼(W)를 로딩 또는 언로딩시키게 되는 것이다.
상기 웨이퍼(W)의 로딩이 완료되면 다시 회동부재(92)가 작동하여 홀더(93)를 원상태로 회동시킴과 동시에 수평보정수단(60) 및 수직보정수단(70)이 작동하여 웨이퍼(W)를 개구부(22)에 향하도록 위치시키게 된다.
이때, 도시하지 않은 이온 조사 수단으로부터 조사된 이온빔(21)이 개구부(22)를 통하여 진공 챔버(20)의 내측으로 유입되면, 제1구동모터(41)가 반복적으로 정, 역회전하면서 상기 웨이퍼(W)를 승강 작동시키게 된다.
즉, 상기 제1구동모터(41)의 정, 역회전에 따라 승강부재(42)가 반복적으로 승강 작동하게 되고, 이에 따라 상기 승강부재(42)에 결합된 수평보정수단(60)이승강함으로써 틸터(90)의 홀더(93)에 장착된 웨이퍼(W)의 표면에 이온이 주입되는 것이다.
그리고, 이온의 주입이 완료되면 다시 수평보정수단(60), 수직보정수단(70) 및 틸터(90)의 작동에 의해 홀더(93)는 언로딩 위치로 위치하게 되고, 이어서 이온이 주입된 웨이퍼(W)는 언로딩되고 새로운 웨이퍼(W)가 로딩된 후 상술한 작동이 순서적으로 이루어지면서 웨이퍼(W)의 주입이 이루어지게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 스캔축을 필요에 따라 소정의 각도로 변경시키는 것이 가능케 되고, 상기 스캔축의 변경에 따른 웨이퍼의 로딩 및 언로딩 위치를 수평보정수단, 수직보정수단 등에 의해 변경시키지 않고 보정하여 동일한 위치로 유지시키는 것이 가능함으로써 웨이퍼의 크기 등에 따른 틸트각을 적절하게 변경시키는 것이 용이하며, 웨이퍼가 틸트각 만큼 경사진 스캔축을 따라서 승강 작동함으로써 웨이퍼가 최상측에 위치할 때의 상부 부분과 최하측에 위치할 때의 하부 부분과의 차이가 최소화되어 웨이퍼의 표면에 주입되는 이온의 분포가 균일하게 됨으로써 품질의 균일성이 향상되는 등의 여러 가지 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 일측에 형성된 개구부를 통하여 이온빔이 조사되는 진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내에 회동 가능케 경사지게 설치된 제1구동모터를 갖는 스캔축;
    상기 스캔축의 기울기를 변경시키는 스캔축 보정수단;
    상기 제1구동모터의 작동에 따라 승강되는 승강부재에 결합되어 수평으로 전, 후진되는 수평 이송부재를 갖는 수평보정수단;
    상기 수평 이송부재의 선단에 결합되어 수직으로 승강되는 수직 이송부재를 갖는 수직보정수단 및;
    상기 수직 이송부재의 선단에 장착되어 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하는 틸터를 포함하는 이온 주입 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 스캔축 보정수단은 고정부재에 힌지핀으로 회동 가능케 결합된 스캔축의 선단에 형성된 기어부와, 상기 기어부에 맞물려진 전동기어, 그리고 상기 전동기어를 정, 역회전시키는 제2구동모터를 포함하는 이온 주입 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 수평보정수단은 승강부재에 장착된 실린더와, 상기 실런더의 일측에 장착되고 정, 역회전되는 스크류축이 상기 수평 이송부재에 나사 결합되는 제3구동모터를 포함하는 이온 주입 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 수직보정수단은 수평 이송부재의 선단에 장착된 실린더와, 상기 실린더의 일측에 장착되고 정, 역회전되는 스크류축이 상기 수직 이송부재에 나사 결합되는 제4구동모터를 포함하는 이온 주입 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 수평보정수단과 수직보정수단의 사이에는 수직보정수단의 각도를 보정하는 연결수단이 구비된 것을 특징으로 이온 주입 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 연결수단은 수평 이송부재의 선단에 관통 설치된 회전축을 갖는 제5구동모터와, 상기 수직보정수단의 일측에 돌출되고 회전축의 선단에 고정되는 돌출부를 포함하는 이온 주입 장치.
KR1019990051880A 1999-11-22 1999-11-22 이온 주입 장치 KR100298587B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990051880A KR100298587B1 (ko) 1999-11-22 1999-11-22 이온 주입 장치
JP2000241248A JP3667605B2 (ja) 1999-11-22 2000-08-09 イオン注入装置
TW089119755A TW483072B (en) 1999-11-22 2000-09-25 Ion implantation apparatus
US09/689,823 US6559461B1 (en) 1999-11-22 2000-10-13 Wafer scanning support unit of ion implantation apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990051880A KR100298587B1 (ko) 1999-11-22 1999-11-22 이온 주입 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010047584A KR20010047584A (ko) 2001-06-15
KR100298587B1 true KR100298587B1 (ko) 2001-11-05

Family

ID=19621149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990051880A KR100298587B1 (ko) 1999-11-22 1999-11-22 이온 주입 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6559461B1 (ko)
JP (1) JP3667605B2 (ko)
KR (1) KR100298587B1 (ko)
TW (1) TW483072B (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6776173B2 (en) * 2000-06-30 2004-08-17 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus
US6595031B2 (en) * 2000-12-19 2003-07-22 Larry Stephen Wilson Retaining device for personal vehicle with handlebars
KR100393231B1 (ko) * 2001-08-16 2003-07-31 삼성전자주식회사 이온주입장치에서의 회전축과 회전체의 연결시스템
JP4061044B2 (ja) * 2001-10-05 2008-03-12 住友重機械工業株式会社 基板移動装置
US20030122088A1 (en) * 2001-11-14 2003-07-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Scan methods and apparatus for ion implantation
US6710360B2 (en) * 2002-07-10 2004-03-23 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter
US6740894B1 (en) * 2003-02-21 2004-05-25 Axcelis Technologies, Inc. Adjustable implantation angle workpiece support structure for an ion beam implanter utilizing a linear scan motor
JP4251453B2 (ja) 2004-02-23 2009-04-08 日新イオン機器株式会社 イオン注入方法
JP4560321B2 (ja) * 2004-03-31 2010-10-13 株式会社Ｓｅｎ ウエハスキャン装置
US6992309B1 (en) 2004-08-13 2006-01-31 Axcelis Technologies, Inc. Ion beam measurement systems and methods for ion implant dose and uniformity control
US6992310B1 (en) 2004-08-13 2006-01-31 Axcelis Technologies, Inc. Scanning systems and methods for providing ions from an ion beam to a workpiece
JP4049168B2 (ja) * 2005-05-24 2008-02-20 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射装置
EP1780764A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-02 FEI Company Stage assembly, particle-optical apparatus comprising such a stage assembly, and method of treating a sample in such an apparatus
DE102009001587A1 (de) * 2009-01-06 2010-07-08 Carl Zeiss Nts Gmbh Verfahren zur Einstellung eines Betriebsparameters eines Teilchenstrahlgeräts sowie Probenhalter zur Durchführung des Verfahrens
TWI396249B (zh) * 2009-03-02 2013-05-11 Inotera Memories Inc 晶圓離子佈值機之移動模組
KR101576348B1 (ko) * 2013-01-18 2015-12-21 어드밴스드 이온 빔 테크놀로지 인크. 스캔 헤드 및 이를 사용하는 스캔 암
SG11201610311SA (en) * 2014-07-11 2017-01-27 Applied Materials Inc Apparatus and methods for alignment of a susceptor
CN109524285B (zh) * 2017-09-19 2021-06-11 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种离子束刻蚀设备
KR102193994B1 (ko) * 2019-03-29 2020-12-23 주식회사 나인벨 반도체 웨이퍼 이온주입 스캔로봇
US11450506B2 (en) * 2020-04-24 2022-09-20 Tel Manufacturing And Engineering Of America, Inc. Pattern enhancement using a gas cluster ion beam

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3733494A (en) * 1972-05-15 1973-05-15 H Erwin Replacement coil set for automobile starter motors
JP2717822B2 (ja) * 1988-11-21 1998-02-25 住友イートンノバ株式会社 イオン注入装置
US5003183A (en) * 1989-05-15 1991-03-26 Nissin Electric Company, Limited Ion implantation apparatus and method of controlling the same
US5966160A (en) * 1995-03-13 1999-10-12 Atlantek , Inc. In-line flip station for a card printing apparatus
US5898179A (en) * 1997-09-10 1999-04-27 Orion Equipment, Inc. Method and apparatus for controlling a workpiece in a vacuum chamber

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010047584A (ko) 2001-06-15
US6559461B1 (en) 2003-05-06
JP3667605B2 (ja) 2005-07-06
TW483072B (en) 2002-04-11
JP2001155676A (ja) 2001-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100298587B1 (ko) 이온 주입 장치
US6035804A (en) Process chamber apparatus
US5003183A (en) Ion implantation apparatus and method of controlling the same
US5947675A (en) Cassette transfer mechanism
JPH02278643A (ja) イオン注入機
WO2019105671A1 (en) Evaporation chamber and system
US6555825B1 (en) Ion implanter
TWI732447B (zh) 半導體晶圓離子注入掃描機器人
JPH02139846A (ja) イオン注入装置
JPH11121420A (ja) 基板洗浄方法及びその装置
JP2000208090A (ja) 集束イオンビ―ム加工装置およびエッチング加工方法
KR100199375B1 (ko) 이온주입방법
JP4380673B2 (ja) イオンビーム照射装置及びイオンビーム照射方法
KR100693380B1 (ko) 도어가 개방된 항온 챔버
JP3912439B2 (ja) 半導体製造装置及びウェーハの表面の処理方法
WO2022222098A1 (zh) 离子布植装置及机械手臂
TWI776479B (zh) 離子佈植裝置及機械手臂
JP2005347543A (ja) イオンドーピング方法およびイオンドーピング装置
KR920004052Y1 (ko) 소프트 랜더
JPS6357759A (ja) 真空中での表面処理方法およびその装置
Tamura et al. Production implanter Nissin NH-20SR
KR20000048352A (ko) 음극선관의 편향요크 조정장치
KR20000024763A (ko) 반도체 웨이퍼의 이온주입장치의 디스크 및 이를 이용한 이온주입방법
JPS63218140A (ja) イオン注入装置
JP2006019639A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131128

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140519

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee