KR100270467B1 - 액정 디스플레이 장치의 액티브 매트릭스 기판 및 그의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

각각의 픽셀에 대한 스위칭 디바이스로서 TFT를 사용하는 액정 디스플레이의 액티브 메트릭스 기판에 있어서, 서로 직각으로 연장되는 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인이 금속막을 패터닝하므로써 동시에 형성되며, 상기 두 개의 버스라인들중 한 라인이 갭을 제공하도록 절단되며, 이 갭을 가로질러 다른 한 라인이 연장된다. 상기 갭은 상기 TFT를 제공하도록 형성된 반도체층과 게이트 유전체막의 섬형상(island) 구조에 의해 피복되며, 보조 버스 라인이 상기 갭에 대해 가교(bridge)를 제공하도록 상기 갭의 양 측에서 상기 절단된 버스 라인과 직접 접촉한다. 상기 보조 버스 라인은 투명 도전체막을 패터닝하므로써 픽셀 전극과 함께 형성된다. 이 버스 라인들의 배열에 의해, 제조 공정에 있어서 전체 포토리소그래피단계들의 수가 감소되어, 당해 제조 비용이 절감될 수 있다.

Description

액정 디스플레이 장치의 액티브 매트릭스 기판 및 그의 제조 방법
[발명의 배경]
본원 발명은 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판 및 이 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 사용은 급속하게 확대되고 있다. 대부분의 현재 액티브 매트릭스 액정 디스플레이에서, 각각의 픽셀에 대한 스위칭 디바이스는 반도체막을 사용하는 박막 트랜지스터(TFT)이다. 대부분의 경우, 상기 반도체는 비결정질 실리콘이지만, 몇몇의 경우에 있어서는 CdSe와 같은 화합물 반도체 또는 다결정 실리콘이 사용된다.
첨부 도면들중 도 13 및 도 14는 각각의 픽셀에 대해 하나의 TFT를 가진 액정 디스플레이의 종래의 액티브 매트릭스 기판의 구조를 도시한다. 유리 기판과 같은 투명 절연 기판(50)상에 게이트 전극(52) 및 게이트 버스 라인(54)이 크롬막과 같은 금속막을 패터닝함으로써 형성된다. 상기 전극(52) 및 상기 버스 라인(54)이 질화실리콘막과 같은 투명 유전체막(56)내에 매몰된다. 상기 유전체막(56)상에, 비결정질 실리콘막과 같은 반도체막(58)과 인으로 도핑된 비결정질 실리콘막과 같은 n형 반도체막(60)의 섬형상 구조가 하나의 TFT를 제공하도록 상기 게이트 전극(52)위에 형성된다. 드레인 전극(62), 드레인 버스 라인(64), 및 소스 전극(66)이 크롬막 또는 알루미늄막과 같은 금속막을 패터닝하므로써 형성된다. 상기 소스 전극(66)과 접촉하고 있는 픽셀 전극(70)이 산화인듐주석(ITO)막과 같은 투명한 도전체막을 패터닝하므로써 형성된다. 상기 게이트 버스 라인(54) 및 드레인 버스 라인(64)은 서로 직각으로 연장되지만, 이들 두 개의 버스 라인은 서로 교차해서는 안된다. 따라서, 상기 두 개의 버스 라인(56 및 64)은 두 개의 상이한 층으로 형성된다.
이 구조를 제조함에 있어서, 최소한 다섯 개의 포토리소그래피 단계가 요구된다. 그중 제1포토리소그래피 단계는 상기 게이트 전극(52) 및 게이트 버스 라인(54)을 형성하는 단계이다. 제2포토리소그래피 단계는 상기 반도체막(58,60)의 섬형상 구조를 형성하는 단계이다. 제3포토리소그래피 단계는 상기 게이트 버스 라인에 대한 액세스를 제공하기 위해 상기 유전체막(56)내에 접촉 홀들을 형성하는 단계이다. 제4포토리소그래피 단계는 상기 드레인 전극(62), 드레인 버스 라인(64), 및 상기 소스 전극(66)을 형성하는 단계이다. 제5포토리소그래피 단계는 상기 투명 픽셀 전극(70)을 형성하는 단계이다.
상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인이 동일한 층에 형성될 경우, 전체 포토리소그래피 단계의 수가 감소할 가능성이 있으며, 따라서 제조 비용도 감소된다. 이와 관련하여, 일본 공개특허공보 소60-128486호(1985)에서는 첨부된 도면중 도 15 및 도 16에 도시된 구조를 제안하고 있다.
도 15 내지 도 17에서의 액티브 매트릭스 기판은 다음과 같은 점에서 도 13 및 도 14의 액티브 매트릭스 기판과 상이하다. 게이트 버스 라인(54)이 유전체막(56)상에 형성된다. 접촉 홀(72)이 상기 게이트 버스 라인(54)을 상기 유전체막(56) 아래의 게이트 전극(52)에 접속시키는데 사용된다. 상기 유전체막(56)상의 상기 드레인 버스 라인(64)은 하나의 갭(65)을 제공하도록 절단되며, 그에 따라 상기 게이트 버스 라인(54)이 상기 드레인 버스 라인(64)과 교차하지 않고 상기 갭을 가로질러 연장된다. 상기 갭(65) 아래에서, 가교 전극(76)이 상기 유전체막(56)아래의 유리 기판(50)상에 형성되며, 상기 게이트 버스 라인(54)의 양측에서의 드레인 버스 라인(64)이 접촉 홀들(74)을 사용하므로써 상기 가교 전극(76)에 접속된다. 이 구조에서 상기 게이트 버스 라인(54) 및 상기 드레인 버스 라인(64)은 금속막을 패터닝함으로써 동일한 층에 형성된다.
그러나, 이러한 구조의 제조는 여전히 4개의 포토리소그래피 단계들, 즉 게이트 전극(52) 및 가교 전극(76)을 형성하는 제1단계와; 상기 반도체막(58,60)의 섬형상 구조를 형성하는 제2단계와; 접촉 홀(72,74)을 형성하는 제3단계와; 게이트 버스 라인(54), 드레인 전극(62), 드레인 버스 라인(64), 소스 전극(66) 및 상기 픽셀 전극(70)을 형성하는 제4단계를 필요로 한다. 그 외에도, 이 구조는, 버스 라인들의 전체 저항, 즉 다시 말해 와이어링 저항이 다음의 이유로 크게 증가하기 때문에 큰 면적의 디스플레이에 적합하지 않다. 이 경우, 상기 버스 라인들(54,64)은 ITO와 같은 투명 도전체로 형성되는데, 왜냐하면 이들 버스 라인들(54,64) 및 상기 픽셀 전극(70)이 동시에 형성되기 때문이다. 종래의 투명 도전체막들은 저항률에 있어서 금속막들보다 상당히 크다. 예컨대, ITO막의 체적 저항률은 크롬막보다 20배 정도 높다.
[발명의 개요]
본 발명은 스위칭 디바이스로서 TFT들을 이용하는 액티브 매트릭스 액정 표시 장치의 액정 매트릭스 기판에 관한 것이며, 본 발명의 목적은 와이어링 저항을 증가시키지 않고 포토리소그래피 단계들의 총 수를 감소시키므로써 감소된 비용으로 제조될 수 있는 개선된 액티브 매티릭스 기판을 제공하는 것이다.
본원 발명의 다른 목적은 본원 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
제1도 내지 제3도는 본원 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 공정의 초기 단계들을 도시한 도면으로서, 제1도는 단편적인 평면도이고, 제2도 및 제3도는 제1도에서 라인 A-A 및 라인 B-B을 따라 각각 절단한 개략적 단면도이다.
제4도 내지 제6도는 상기 기판 제조 공정의 그 다음 단계를 도시한 도면으로서, 제4도는 단편적인 평면도이고, 제5도 및 제6도는 각각 제4도에서 라인 A-A 및 라인 B-B를 따라 절단한 개략적 단면도이다.
제7도 내지 제9도는 당해 공정의 최종 단계를 도시한 도면으로서, 제7도는 단편적인 평면도이고, 제8도 및 제9도는 각각 제7도에서 라인 A-A 및 라인 B-B를 따라 절단한 개략적 단면도이다.
제10도 내지 제12도는 본원 발명에 따른 다른 액정 매트릭스 기판을 도시한 도면으로서, 제10도는 단편적인 평면도이고, 제11도 및 제12도는 각각 제10도에서 라인 A-A 및 라인 B-B을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
제13도는 종래의 액티브 매트릭스 기판의 단편적인 평면도이고, 제14도는 제13도에서 라인 A-A을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
제15도는 다른 공지된 액정 매트릭스 기판의 단편적인 평면도이고, 제16도 및 제17도는 각각 제15도에서 라인 A-A 및 라인 B-B를 따라 절단한 개략적 단면도이다.
＜도면의 주요부분에 대한 부호의 설명＞
10 : 투명 유리 기판 12 : 게이트 전극
14 : 게이트 버스 라인 16 : 드레인 버스 라인
18 : 갭 20 : 게이트 유전체막
22 : 반도체막 24 : n-형 반도체막
26 : 드레인 전극 28 : 보조 버스 라인
30 : 소스 전극 32 : 픽셀 전극
본원 발명은 스위칭 디바이스들로서 TFTs를 사용하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판에 관한 것이다.
본원 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판은, 절연 기판과, 이 기판상에 금속막을 패터닝함으로써 동시에 형성되며 상호 수직하게 연장되는 게이트 버스 라인, 및 드레인 버스 라인을 포함한다. 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 한 라인이 갭을 제공하도록 절단되고 이 갭을 가로질러 다른 한 라인이 연장된다. 상기 액티브 매트릭스 기판은 또한 전술된 갭을 포함하는 버스 라인 교차영역과 최소한 TFT 영역에 걸쳐 상기 기판상에 형성된 게이트 유전체막과 반도체층의 적층으로 이루어진 섬형상 구조와, 상기 TFT 영역내의 상기 유전체막상의 게이트 전극과, 각각 상기 TFT 영역내의 반도체층과 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극에 연결된 투명 픽셀 전극, 및 상기 갭에 걸쳐 가교를 제공하도록 상기 갭의 양측에 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 한 라인과 접촉하며 상기 교차 영역에서 상기 섬형상 구조에 의해 다른 한 버스 라인으로부터 분리되는 보조 버스 라인을 포함한다.
양호하게도, 상기 보조 버스 라인은 투명 도전체막을 패터닝하므로써 상기 픽셀 전극과 함께 형성된다.
본원 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 방법은 다음의 단계들을 포함한다. 즉, (a) 절연 기판상에 금속막을 증착하는 단계와; (b) 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 전극과 게이트 버스 라인과 상기 게이트 버스 라인과 직각으로 연장되는 드레인 버스 라인을 형성하는 금속막 패터닝단계로서, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 한 버스 라인은 갭을 제공하도록 절단되고, 상기 갭을 가로질러 다른 버스 라인이 상기 한 버스 라인과 교차하지 않고 연장되는, 상기 금속막 패터닝 단계와; (c) 적어도 상기 게이트 전극을 포함하는 TFT 영역, 및 상기 게이트 버스 라인과 상기 드레인 버스 라인중 상기 다른 버스 라인 및 상기 갭을 포함하는 버스 라인 영역에 걸쳐 상기 기판상에 게이트 유전체막 및 반도체층의 섬형상 구조를 형성하는 단계와; (d) 상기 절단된 버스 라인과 상기 섬형상 구조를 포함하여 상기 기판상에 투명 도전체막을 증착시키는 단계와; (e) 상기 투명 도전체막을 패터닝하여, 상기 TFT 영역에서 상기 섬형상 구조상에 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극에 접하는 픽셀 전극과, 상기 갭 위에 가교를 제공하도록 상기 갭 위의 상기 섬형상 구조에 걸쳐 연장되고 상기 갭의 양측에 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 상기 한 버스 라인과 직접 접촉하는 보조 버스 라인을 형성하는 투명 도전체막 패터닝 단계를 포함한다.
본원 발명에 따른 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 또다른 방법은, (a) 절연 기판상에 투명 도전체막을 증착하는 단계와; (b) 상기 투명 도전체막을 패터닝하여 소스 전극, 드레인 전극, 상기 소스 전극에 접하는 픽셀 전극, 및 보조 버스 라인을 형성하는 상기 투명 도전체막 패터닝 단계와; (c) 적어도 상기 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 TFT 영역, 및 상기 보조 버스 라인이 연장되는 버스 라인 교차 영역에 걸쳐 상기 기판 상에 반도체층 및 게이트 유전체막의 섬형상 구조를 형성하는 단계로서, 상기 섬형상 구조는 상기 연장 영역의 양 측의 상기 보조 버스 라인 및 상기 드레인 전극의 일부분이 노출되도록 형성되는, 상기 섬형상 구조 형성 단계와; (d) 상기 섬형상 구조와 상기 보조 버스 라인을 포함하여 상기 기판상에 금속막을 패터닝하는 단계와: (e) 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인과 함께 상기 TFT 영역에서 상기 섬형상 구조상에 게이트 전극을 형성하는 단계로서, 상기 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인중 한 버스 라인은 상기 교차 영역에서 상기 섬형상 구조상에 연장되며, 다른 버스 라인은 갭을 제공하도록 상기 보조 버스 라인과 직접 접촉하고 상기 교차 영역에서 절단되며, 상기 갭을 가로질러 그 위에 상기 섬형상 구조 및 상기 버스 라인이 연장되는, 상기 금속막 패터닝 단계를 포함한다.
본원 발명에 있어서, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인은 금속막을 패터닝함으로써 동시에 형성된다. 상기 두 개의 버스 라인들의 교차를 방지하므로써, 이들 두 개의 버스 라인중 한 라인이 갭을 제공하도록 절단되며 이 갭을 가로질러 다른 한 버스 라인이 연장된다. 상기 절단된 버스 라인을 완성하기 위해, 상기 액티브 매트릭스 기판은 상기 갭에 걸쳐 가교를 제공하도록 상기 갭의 양측에서 상기 절단된 버스 라인과 직접 접촉하는 보조 버스 라인을 갖는다. 상기 보조 라인을 상기 절단된 버스 라인으로부터 분리하기 위해, 상기 유전체막 및 상기 반도체층의 섬형상 구조가 사용된다. 어떠한 홀도 상기 절단된 버스 라인에서 상기 갭을 가교하는데 사용되지 않는다. 상기 보조 라인은 상기 픽셀 전극과 함께 형성될 수 있다. 이들 방법으로, 본원 발명은 제조 공정에서 포투리소그래피 단계의 전체 수를 감소시킨다. 본원 발명에선, 단지 세 개의 포토리소그래피 단계만이 요구된다. 따라서, 제조 비용이 감소될 수 있다.
본원 발명에서, 버스 라인들의 전체 저항은 상기 게이트 및 상기 드레인 버스 라인들이 한 금속막으로 형성되는 반면, 한 투명 도전체막이 단지 상기 절단된 버스 라인의 가교에 대해서만 사용되므로 크게 증가하지 않는다.
또한, 본 발명은 포토리소그래피 단계들의 수의 감소로 인해서 입자들과 같은 불순물의 확률이 낮아지기 때문에 제품의 생산성을 향상시키는 이점을 갖는다.
[양호한 실시예의 설명]
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본원 명세서를 보다 상세히 기술하기로 한다.
본원 발명의 한 실시예로서, 도 1 내지 도 9는 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 공정을 도시한다. 최종적으로 얻어진 액티브 매트릭스 기판의 구조를 도 7 내지 도 9에서 볼 수 있다.
도 1 내지 도 3은 초기 단계들을 도시한다. 투명 유리 기판(10)상에서, 크롬막과 같은 금속막이 스퍼터링에 의해 증착되며, 상기 금속막은 포토리소그래피 및 그 다음의 습식 또는 건식 에칭에 의해 패터닝되어 게이트 전극(12), 게이트 버스 라인(14), 및 드레인 버스 라인(16)을 형성한다. 상기 두 개의 버스 라인들(14 및 16)은 서로 직교한다. 이들 두 개의 버스 라인(14 및 16)의 교차를 방지하기 위해, 상기 드레인 버스 라인(16)이 갭(18)을 제공하도록 상기 교차 영역에서 절단되며, 상기 갭을 가로질러 상기 게이트 버스 라인(14)이 연장된다. 대신, 상기 게이트 버스 라인(14)이 상기 드레인 버스 라인(16)대신 절단될 수도 있다.
다음, 도 4 내지 도 6에 대해 언급하면, 질화실리콘막과 같은 게이트 유전체막(20)이 상기 기판(10)상에 증착된다. 계속해서, 비결정질 실리콘막과 같은 반도체막(22)이 유전체막(20)상에 증착되며, 인으로 도핑된 비결정질 실리콘막과 같은 n형 반도체막(24)이 상기 반도체막(22)상에 증착된다. 통상적으로, 이들 세 개의 막(20,22, 및 24)은 각각 플라즈마형(plasma-assisted) 화학 기상 증착(CVD) 기술에 의해 증착된다. 그 후, 이들 세 개의 막들(20,22, 및 24)은 함께 포토리소그래피 및 다음의 건식 에칭에 의해 패터닝되어 상기 게이트 전극(12)을 포함하는 TFT 영역 및 상기 드레인 라인(16)내의 갭(18)과 상기 게이트 버스 라인(14)에 걸쳐 섬형상 구조를 형성한다. 상기 막들(20,22, 및 24)의 패터닝에 의해, 상기 드레인 라인(16)이 상기 게이트 버스 라인(14)의 양측에서 노출된다.
다음으로, 도 7 내지 도 9에 대해 언급하면, 도 4 내지 도 6에서의 ITO 막과 같은 투명 도전체막이 스퍼터링에 의해 증착되며, 이 증착된 막은 포토리소그래피 및 이어지는 건식 에칭에 의해 패터닝되어, 드레인 전극(26), 이 드레인 전극(26)에 이어지는 보조 버스 라인(28)과, 소스 전극(30), 및 이 소스 전극(30)에 이어지는 픽셀 전극(32)을 형성한다. 상기 보조 버스 라인(28)은 상기 드레인 버스 라인(16)내의 상기 갭 위에서 상기 막들(20,22,24)의 섬형상 구조에 걸쳐 연장되며, 상기 갭(18)의 양측에서 상기 드레인 버스 라인(16)과 직접 접촉한다. 즉, 상기 보조 버스 라인(28)은 상기 갭(18)을 가교하며, 상기 드레인 버스 라인(16)을 상기 드레인 전극(26)과 연결하여 당해 드레인 버스 라인을 완성한다. 상기 투명 도전체막을 패터닝한 후, 상기 n형 반도체막(24)이 상기 드레인 및 소스 전극들(26 및 30) 사이의 영역에서 건식 에칭에 의해 에칭되어 TFT 채널을 제공한다.
앞서 기술된 공정은 단지 세 개의 포토리소그래피 단계들, 즉 상기 게이트 전극(12), 게이트 버스 라인(14), 및 절단된 드레인 버스 라인(16)을 형성하는 제1단계와, 상기 유전체막(20) 및 반도체막(22,24)의 섬형상 구조를 형성하는 제2단계, 및 드레인 전극(26), 보조 버스 라인(28), 소스 전극(30), 및 픽셀 전극(32)을 형성하는 제3단계를 필요로 한다.
도 10 내지 도 12는 본원 발명의 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 6 내지 도 9에 도시된 실시예에서, 상기 TFT는 반전된 구조인 반면, 도 10 내지 도 12에서 TFT는 정상 구조를 갖는다.
상기 유리 기판(10)상에, 산화실리콘막(36)이 스퍼터링 또는 CVD법에 의해 증착된다. ITO 막(다른 투명 도전체막)이 스퍼터링에 의해 상기 산화막(36)상에 증착되며, 상기 ITO 막은 포토리소그래피 및 이어 습식 에칭에 의해 패터닝되어 드레인 전극(26), 이 드레인 전극(26)에 이어지는 보조 버스 라인(28), 소스 전극(30), 및 이 소스 전극(30)에 이어지는 픽셀 전극(32)을 형성한다. 상기 보조 버스 라인(28)은 차후 형성될 드레인 버스 라인(16)과 동일한 방향으로 연장된다. 상기 산화실리콘막(36)은 패터닝되지 않고 남아 있다.
상기 패터닝된 ITO 막은 상기 산화실리콘막(36)과 함께 인화수소(phosphine; PH3)의 플라즈마에 의해 처리된다. 상기 산화실리콘막(36)은 이 인화수소 플라즈마 처리시 선택성(selectivity)을 제공할 목적으로 형성된다. 상기 플라즈마 처리 후, 비결정질 실리콘막(또는 다른 반도체막)(22)과 질화실리콘막(또는 다른 유전체막)(20)이 각각 플라즈마형 CVD에 의해 연속적으로 증착되며, 상기 두 개의 막(22 및 20)이 함께 포토리소그래피 및 그에 이은 건식 에칭에 의해 패터닝되어 드레인 및 소스 전극(26 및 28)을 포함하는 TFT 영역 및 추후 게이트 버스 라인이 형성될 연장 영역에 걸쳐 섬형상 구조를 형성한다. 다음으로, 크롬막과 같은 금속막이 전체 영역에 걸쳐 증착되며, 상기 금속막이 포토리소그래피 및 그에 이은 습식 또는 건식 에칭에 의해 패터닝되어 게이트 전극(12), 상기 반도체 및 유전체막(22,20)상의 섬형상 구조상에 게이트 버스 라인(14), 및 상기 보조 버스 라인(28)상의 드레인 버스 라인(16)을 형성한다. 상기 드레인 버스 라인(16)은 갭(18)을 제공하도록 절단되며, 이 갭을 가로질러 상기 게이트 버스 라인(14)이 연장된다. 그러나, 상기 게이트 버스 라인(14)이 연장되는 섬형상 구조 아래에서, 상기 보조 버스 라인(28)이 상기 갭(18)을 가교하여 상기 드레인 버스 라인을 완성한다.
상기 실시예들에서, 당해 제조 공정은 단지 세 개의 포토리소그래피 단계만을 필요로 한다.

Claims (12)

  1. 각 픽셀에 대해 스위칭 디바이스로서 박막 트랜지스터(TFT)를 사용하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 절연 기판과; 상기 기판상에 금속막을 패터닝하므로써 동시에 형성되며 서로에 대해 직각으로 연장되는 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인으로서, 상기 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인중 한 버스 라인은 갭을 제공하도록 절단되고 다른 버스 라인은 상기 갭을 가로질러 연장되는, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인과; 적어도 TFT 영역 및 상기 갭을 포함하는 버스 라인 교차 영역에 걸쳐 상기 기판상에 형성된 게이트 유전체막 및 반도체층의 적층으로된 섬형상 구조와; 상기 TFT 영역내의 상기 유전체막상의 게이트 전극과; 상기 TFT 영역내의 상기 반도체층과 각각 접촉하는 소스 전극 및 드레인 전극과; 상기 소스 전극에 연결된 투명 픽셀 전극과; 상기 갭 위에 가교(bridge)를 제공하도록 상기 갭의 양 측의 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 상기 한 버스 라인과 직접 접촉하며 상기 교차 영역에서 상기 섬형상 구조에 의해 상기 다른 버스 라인으로부터 분리되는 보조버스 라인을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보조 버스 라인과 상기 픽셀 전극은 투명 도전체막을 패터닝하므로써 동시에 형성되는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판.
  3. 각 픽셀에 대해 스위칭 디바이스로서 박막 트랜지스터(TFT)를 사용하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 절연 기판과; 상기 기판의 표면상에 형성된 게이트 전극과; 상기 기판의 상기 표면상에 형성되고 서로에 대해 직각으로 연장되는 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인으로서, 상기 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인중 한 버스 라인은 갭을 제공하도록 절단되고 상기 갭을 가로질러서 다른 버스 라인이 상기 한 버스 라인과 교차하지 않고 연장되는, 상기 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인과; 적어도 상기 게이트 전극을 포함하는 TFT 영역 및 상기 갭을 포함하는 버스 라인 교차 영역에 걸쳐 상기 기판의 상기 표면상에 형성된 게이트 유전체막과 반도체층의 섬형상 구조와; 상기 섬형상 구조상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극과; 상기 기판의 상기 표면상에 형성되며 상기 소스 전극에 접하는 투명 픽셀 전극과; 상기 갭 위에 가교를 제공하도록, 상기 교차 영역에서 상기 섬형상 구조에 걸쳐 연장되고 상기 갭의 양측의 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인 중 상기 한 버스 라인과 직접 접촉하는 보조 버스 라인을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판.
  4. 제3항에 있어서, 상기 게이트 전극과 상기 게이트 버스 라인과 상기 드레인 버스 라인은 금속막과 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 패터닝하므로써 동시에 형성되고, 상기 픽셀 전극 및 상기 보조 버스 라인은 투명 도전체막을 패터닝하므로써 동시에 형성되는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판.
  5. 제3항에 있어서, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 상기 한 버스 라인은 드레인 버스 라인인 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판.
  6. 각 픽셀에 대해 스위칭 디바이스로서 박막 트랜지스터(TFT)를 사용하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 절연 기판과; 상기 기판의 표면상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극과; 상기 기판의 상기 표면상에 형성되며 상기 소스 전극에 접하는 투명 픽셀 전극과; 상기 기판의 상기 표면상에 형성되는 보조 버스 라인과; 적어도 상기 소스 및 드레인 전극을 포함하는 TFT 영역 및 상기 보조 버스 라인이 연장되는 버스 라인 교차 영역에 걸쳐 상기 기판의 상기 표면상에 형성된 게이트 유전체막 및 반도체층의 섬형상 구조와; 상기 섬형상 구조상에 형성된 게이트 전극과; 서로에 대해 직각으로 연장되는 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인으로서, 상기 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인중 한 버스 라인은 상기 교차 영역에서 상기 섬형상 구조상에 연장되고, 다른 버스 라인은 상기 보조 버스 라인과 직접 접촉하고 갭을 제공하도록 상기 교차 영역에서 절단되며 상기 갭을 가로질러 상기 섬형상 구조 및 상기 버스 라인이 그 위에 연장되는, 상기 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인을 포함하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판.
  7. 제6항에 있어서, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극과 상기 픽셀 전극과 상기 보조 버스 라인은 투명 도전체막을 패터닝하므로써 동시에 형성되고, 상기 게이트 전극과 상기 게이트 버스 라인과 상기 드레인 버스 라인은 금속막을 패터닝하므로써 동시에 형성되는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판.
  8. 제6항에 있어서, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 상기 한 버스 라인은 드레인 버스 라인인 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판.
  9. 각 픽셀에 대해 스위칭 디바이스로서 박막 트랜지스터(TFT)를 사용하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 방법에 있어서, (a) 절연 기판상에 금속막을 증착하는 단계와; (b) 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 전극과 게이트 버스 라인과 상기 게이트 버스 라인과 직각으로 연장되는 드레인 버스 라인을 형성하는 금속막 패터닝 단계로서, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 한 버스 라인은 갭을 제공하도록 절단되고, 상기 갭을 가로질러 다른 버스 라인이 상기 한 버스 라인과 교차하지 않고 연장되는, 상기 금속막 패터닝 단계와; (c) 적어도 상기 게이트 전극을 포함하는 TFT 영역, 및 상기 게이트 버스 라인과 상기 드레인 버스 라인중 상기 다른 버스 라인 및 상기 갭을 포함하는 버스 라인 영역에 걸쳐 상기 기판상에 게이트 유전체막 및 반도체층의 섬형상 구조를 형성하는 단계와; (d) 상기 절단된 버스 라인과 상기 섬형상 구조를 포함하여 상기 기판상에 투명 도전체막을 증착시키는 단계와; (e) 상기 투명 도전체막을 패터닝하여, 상기 TFT 영역에서 상기 섬형상 구조상에 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극에 접하는 픽셀 전극과, 상기 갭 위에 가교를 제공하도록 상기 갭 위의 상기 섬형상 구조에 걸쳐 연장되고 상기 갭의 양측에 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 상기 한 버스 라인과 직접 접촉하는 보조 버스 라인을 형성하는, 투명 도전체막 패터닝 단계를 포함하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 상기 한 버스 라인은 드레인 버스 라인이고, 상기 보조 버스 라인은 상기 드레인 전극에 접하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판 제조 방법.
  11. 각 픽셀에 대해 스위칭 디바이스로서 박막 트랜지스터(TFT)를 사용하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 방법에 있어서, (a) 절연 기판상에 투명 도전체막을 증착하는 단계와; (b) 상기 투명 도전체막을 패터닝하여 소스 전극, 드레인 전극, 상기 소스 전극에 접하는 픽셀 전극, 및 보조 버스 라인을 형성하는 상기 투명 도전체막 패터닝 단계와; (c) 적어도 상기 소스 및 드레인 전극들을 포함하는 TFT 영역, 및 상기 보조 버스 라인이 연장되는 버스 라인 교차 영역에 걸쳐 상기 기판 상에 반도체층 및 게이트 유전체막의 섬형상 구조를 형성하는 단계로서, 상기 섬형상 구조는 상기 연장 영역의 양측의 상기 보조 버스 라인 및 상기 드레인 전극의 일부분이 노출되도록 형성되는, 상기 섬형상 구조 형성 단계와; (d) 상기 섬형상 구조와 상기 보조 버스 라인을 포함하여 상기 기판상에 금속막을 패터닝하는 단계와: (e) 상기 금속막을 패터닝하여 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인과 함께 상기 TFT 영역에서 상기 섬형상 구조상에 게이트 전극을 형성하는 단계로서, 상기 게이트 버스 라인 및 드레인 버스 라인중 한 버스 라인은 상기 교차 영역에서 상기 섬형상 구조상에 연장되며, 다른 버스 라인은 갭을 제공하기 위해 상기 보조 버스 라인과 직접 접촉하고 상기 교차 영역에서 절단되며, 상기 갭을 가로질러 그 위에 상기 섬형상 구조 및 상기 버스 라인이 연장되는, 상기 금속막 패터닝 단계를 포함하는 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 게이트 버스 라인 및 상기 드레인 버스 라인중 상기 한 버스 라인은 게이트 버스 라인인 액티브 매트릭스 액정 디스플레이의 액티브 매트릭스 기판 제조 방법.
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