JPS63240527A - 薄膜トランジスタアレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はアクティブマトリクス方式液晶表示装置に用い
られる薄膜トランジスタアレイに関するものである。

従来の技術 近年、従来のＣＲＴに代わる新しい表示装置の開発が盛
んに行なわれるようになってきた。その中でも液晶表示
装置は薄型で低電力動作が可能であるため、自動車、時
計、家電と市場での期待は大きいものがある。

従来、液晶表示装置は単純駆動方式で小型のものが多か
ったが、コントラストが悪く、高密度化。

大型化が難しいため、各絵素を独立で動作させるアクテ
ィブマトリクス方式の表示装置が有望となってきている
。中でも薄膜トランジスタによる駆動方式の液晶表示装
置として高密度な１〜５インチサイズの小型テレビなど
市場が拡大されてきている。さらに今後は１０〜２０イ
ンチサイズや小型サイズを拡大投映する液晶ライトパル
プを利用した投写型テレビなど将来的に有望な商品の研
究開発が進んでいる。

以下図面を参照しながら、上述した従来の薄膜トランジ
スタアレイの一例について説明する。

第８図は従来の薄膜トランジスタアレイの平面構成図を
示すものである。第８図において、１は走査線でゲート
電極７に接続されている。２は信号線でソース電極６と
接続されており走査線との交差部は絶縁膜３で絶縁され
ている。５はドレイン電極で絵素電極４と接続されてい
る。８は半導体膜および絶縁膜で半導体膜とソース電極
、ドレイン電極が接続されておりゲート電極とは絶縁膜
８で絶縁されている。

以上のように構成された薄膜トランジスタアレイに制御
信号と走査電圧が与えられた場合、個々の薄膜トランジ
スタのスイッチングが行なわれ絵素電極４に信号が入力
される。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、薄膜トランジスタ
の欠陥やパネル化した時に生ずる対向電極との短絡（コ
モンショート）、あるいは走査線と信号線の交差部での
クロスショートなどにより表示画像に欠陥が生じた場合
にパネルとして不良となるが欠陥部のトランジスタある
いは欠陥部の走査線、信号線を切り離し走査線、信号線
を両側給電することにより修正が可能である。しかしな
がら走査線、信号線はパネルの大型化に伴ない低抵抗化
をはかる必要がありＡｎｔなどにより数千人の膜厚にな
っている。アレイ状態ではレーザ光線により数千人のＡ
ｌを切断することは可能であるが、パネル状態で切断可
能なレーザ出力を与えた場合、滞在する液晶、対向電極
等に悪影響を与え逆に対向電極とのシ曹−ト不良を起こ
すため修正は困難であるので歩留を低下させるという大
きな問題点を有していた。

本発明は上記問題点に鑑み、欠陥トランジスタおよび欠
陥部分を走査線および信号線から容易に切り離なせる構
造を有した薄膜トランジスタを提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために本発明の薄膜トランジスタ
アレイは、１絵素に対して走査線と信号線に１箇所以上
のブリッジ部を設けたという構成を備えたものである。

作用 本発明は上記した構成によって薄膜トランジスタに欠陥
が生じた時や、パネル化後に対向電極との短絡不良など
が生じた場合に、レーザ光線により切断容品なブリッジ
部を切断して、走査線あるいは信号線より欠陥部分を分
離することにより、欠陥を無くするか軽減することがで
きることとなる。

実施例 以下本発明の一実施例の薄膜トランジスタアレイについ
て図面を参照しながら説明する。第１図は本発明の第１
の実施例における薄膜トランジスタアレイの平面構成図
を示すものである。第１図において９は信号線プリフジ
部で膜厚１０００人のＣｒで構成されている。信号線ブ
リッジ部は走査線との交差部に設けられ信号線２を中継
している。１０は走査線ブリッジ部で膜厚１０００人の
Ｃｒで構成されており、走査ｗＡ１とゲート電極７の接
続部の両側２箇所に設けている。ゲート電極はＣｒで膜
厚１０００人、走査線、信号線ドレイン電極５．ソース
電極６はＡＪで８０００人の膜厚で構成されている。８
は半導体膜および絶縁膜、４は絵素電極。

以上のように構成された薄膜トランジスタアレイについ
て、以下第１図〜第４図を用いてその欠陥修正方法につ
いて説明する。

まず第２図は第１図の斜視図、第３図はアレイをパネル
化したもので走査ｌ１）１）の中央部から長手方向に切
断した断面図、第４図は薄膜トランジスタアレイの等価
回路図を示すものであって、第３図においてアレイをパ
ネル化した場合に対向電極とのギャップは１０μｍ以下
と狭ギャップのため対向電極と各アレイの電極部との上
下ショートが生じた場合表示欠陥となる。又走査線と信
号線の交差部でのショートや、個々の薄膜トランジスタ
での電極間ショートが生じた場合も同様に表示欠陥とな
る。この欠陥を修正するには欠陥部分を走査線および信
号線から切り離すことにより実現できる。

第３図および第４図は対向電極１２と走査線１とで上下
ショート１４が生じた欠陥例である。これを修正するに
はブリッジ部１０ａと１０ｂをレーザ光線１５によって
切断することによって欠陥部を独立させることができる
。この際、走査線の両側から入力電圧を印加することに
より欠陥のない表示画像が得られる。同様に交差部での
ショートや薄膜トランジスタの欠陥も、走査線と信号線
を欠陥モードに応じて切断箇所を選択して切断すること
により修正できる。なお、薄膜トランジスタ欠陥の修正
÷は、ライン欠陥あるいは絵素欠陥で常時点灯が絵素欠
陥の常時不点灯に軽減されるが無欠陥とはならない、た
だし、１絵素２トランジスタ構成にすることにより無欠
陥にすることができる。

以上のように本実施例によれば、ｌ絵素に対して走査線
と信号線に１箇所以上のブリッジ部を設けることにより
、パネル化した状態でも容易に欠陥部を独立して走査線
および信号線より切り離すことができる。

以下本発明の第２の実施例の薄膜トランジスタアレイに
ついて図面を参照しながら説明する。

第５図は本発明の第２の実施例を示す薄膜トランジスタ
アレイの部分平面構成図である。第６図は等価回路図で
ある。

同図において、１は走査線、２は信号線、３は絶縁膜、
４は絵素電極、５はドレイン電橋、６はソース電極、８
は半導体膜および絶縁膜、９は信号線ブリッジ部、１０
は走査線ブリッジ部で、以上は第１図の構成と同様なも
のである。第１図の構成と異なるのはゲート電極７と走
査電極との接続部を２箇所有しその接続部の間にブリッ
ジ部を設けた点である。

上記のように構成された薄膜トランジスタアレイについ
て以下その修正方法について説明する。

第１図における第１の実施例では走査＆１）とゲート電
極７との接続部の両側にブリッジ部があり、そのブリッ
ジ部間で対向電極とのショートが生じた欠陥部を切り離
した場合、ゲート電圧が印加できなくなり絵素欠陥とな
る。第２の実施例においては第５図Ｂ点で対向電極との
シｅ−トが発生した場合でも、ゲート電極とブリッジ部
Ａ点を切断することにより両側給電でゲート電極に電圧
を印加することが可能となる。同様に０点で欠陥が発生
した時も切断箇所を選択することによりゲート電極に電
圧が印加できる状態で修正ができる。

以上のようにゲート電極と走査線との接続部を２箇所設
けその接続部間に走査線ブリッジ部を設けることにより
、対向電極とのシ茸−ト箇所が走査線のどの部分で発生
しても、薄膜トランジスタの機能を損なわず修正できる
。

以下本発明の第３め実施例の薄膜トランジスタアレイに
ついて図面を参照しなが゛ら説明する。

第７図は本発明の第３の実施例を示すｆｉｌ膜トランジ
スタアレイの部分平面構成図である。

同図において、１は走査線、１０はブリッジ部でゲート
電極あるいはソース電極と接続されている。

上記のように構成された薄膜トランジスタアレイについ
てその動作を説明する。

第２の実施例での修正方法と同様に欠陥箇所を切り離す
が、切断箇所Ａをブリッジ部とゲート電極あるいはソー
ス電極との接続部の右左片側を選択することによって第
２の実施例と同じ効果が得られる。

以上のように、走査線のブリッジ部とゲート電極あるい
はソース電極とが接続されており、接続部の両側のブリ
ッジ部に切断部分を設けたことによって切断箇所を少な
くして欠陥の修正ができる。

発明の効果 以上のように本発明は薄膜トランジスタアレイのｌ絵素
に対して走査線と信号線に１箇所以上のブリッジ部を設
けることにより、ライン抵抗を高くすることなく薄膜ト
ランジスタの欠陥による画像表示不良の軽減や、クロス
ショート、対向電極シッートによる不良を無くすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における薄膜トランジス
タの平面構成図、第２図は第１図の斜視図、第３図は薄
膜トランジスタアレイをパネル化した後、走査線中央部
から長手方向に切断した断固、第８図は従来のＩＩＩ）
ランジスタアレイの平面構成図である。 ｌ・・・・・・走査線、２・・・・・・信号線、３・・
・・・・絶縁膜、４・・・・・・絵素電極、５・・・・
・・ドレイン電極、６・・・・・・ソース電極、７・・
・・・・ゲート電極、８・・・・・・半導体膜および絶
縁膜、９・・・・・・信号線ブリッジ部、１０・・・・
・・走査線プリフジ部、１）・・・・・・基板、１２・
・・・・・対向電極、１３・・・・・・液晶。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名ｆ−−−之
ｉｔＩ！１（ クー一−４に９紫に 第１図　　　　　３−虻株Ｒ笈 ４−饋素實厭 ５−−リドレ斗ソ貢ジ理版 ６−、ノース　ゲ ７−−−プ°−ｋ１７ δ−−４　＊ｓｂｐ　ぴ＊　＊＊ｙ＋ｘδ　　　７ 第２図 １３−シ娼 派　　　　　　　　　　　　　　　　派転

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）アクティブマトリクス方式表示装置用薄膜トラン
   ジスタアレイであって、１絵素に対して走査線と信号線
   に１箇所以上のブリッジ部を設けたことを特徴とする薄
   膜トランジスタアレイ。
2. （２）走査線あるいは信号線のブリッジ部をレーザ光線
   によって切断できる出力が、走査線および信号線を切断
   できる出力より小さいことを特徴とする特許請求の範囲
   第（１）項記載の薄膜トランジスタアレイ。
3. （３）走査線あるいは信号線と薄膜トランジスタのゲー
   ト電極あるいはソース電極との接続部が１トランジスタ
   に対して２箇所有し、前記２箇所の接続部の間に走査線
   あるいは信号線のブリッジ部を設けたことを特徴とする
   特許請求の範囲第（１）項または第（２）項記載の薄膜
   トランジスタアレイ。
4. （４）走査線あるいは信号線のブリッジ部と薄膜トラン
   ジスタのゲート電極あるいはソース電極とが接続されて
   おり、前記接続部のブリッジ部両側に、切断部分を設け
   たことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項または第
   （２）項記載の薄膜トランジスタアレイ。