KR100192433B1 - 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조방법의 PR(Photo Resist)공정중 노광작업시에 정량적으로 포커스측정이 가능하도록 한 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것이다. 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정 패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD 값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 소자 제조공정시 정확한 측정을 할 수 있으므로 제조시간이 절약되며 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
제1도는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면.
본 발명은 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것으로서, 특히 반도체 소자 제조방법의 PR(Photo Resist)공정중 노광작업시에 정량적으로 포커스측정이 가능하도록 한 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하면 다음과 같다.
제1도는 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면으로써, 먼저 제1도(a)와 같이 웨이퍼상에 PR을 도포하고, 매트릭스(matrix)형태의 칩이 다수 구성되도록 함과 동시에 게이트라인이 정의되도록 정열(align)하여 레티클(Reticle)로 패터닝한 후, 일정한 노광 에너지를 투사하여 게이트전극이 형성될 소정부분을 제외한 불필요한 PR부분을 제거한다.
여기서, 상기 레티클은 마스크(Mask)이다.
이어, 게이트전극을 형성하고 제1도(b)와 같이 상기 공정으로 형성된 한 칩을 선택하여 임의의 게이트전극의 임계 치수(CD : Critical Dimonsions)를 정확히 측정한다.
그리고, 제1도 (c)와 같이 최적의 노광 포커스를 하기 위해 상기 측정된 CD값이 여러개의 에너지 커브중 그에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 포커스 포인터를 결정한다.
상술한 바와같은 종래 기술에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 게이트라인이 형성되도록 노광공정을 실시한 후 작업자가 최적의 포커스 포인터를 측정하기 때문에 시간 소요가 많으며, 작업자에 따라 포커스 포인터가 다르게 측정되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 반도체 소자 제조방법의 PR공정중 전공정에서 형성된 단차의 CD값 의해서 노광 작업시에 최적의 포커스 포인터 측정이 가능하도록 한 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정 패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하면 다음과 같다.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법을 설명하기 위한 도면으로써 게이트전극 형성의 이전 공정에서 웨이퍼상에 기억소자단위로 나누어지는 칩과 칩사이의 영역 즉, 칩이외의 영역에 단차를 미리 형성하여 단차가 있는 부분과 단차가 없는 부분에 동일한 패턴을 형성하면 현재의 포커스가 최적의 포커스에서 어느 정도 벗어나 있는지를 알 수 있다.
즉, 제2도(a)와 같이 현공정진행시 레티클(Reticle)상의 가장자리에 포커스 측정패턴으로 단차부와 비단차부에 동일한 모양을 만든다.
이어, 제2도(b)와 같이 노광하여 소정의 패턴을 형성시킨후 단차부와 비단차부의 CD값을 측정한다.
상기 CD값을 제2도(c)와 같이 포커스, CD값의 그래프에 대응하도록 옮겨 표기한다.
이때, 비단차부의 노광진행 포커스 값이고, 단차부의 포커스값을 상기 노광진행 포커스에서 단차를 뺀값이다.
그러면, 상기 제2도 (c)에 도시된 그래프의 두값이 만족되는 에너지 커브를 제1도(c)에 도시된 그래프에서 유측하여 상기 두값에 대응되는 에너지 커브를 찾아낸다.
그리하여, 상기 에너지 커브상에서 최적의 포커스 포인터를 결정하여 이 포커스 포인터에 맞게 이후 공정을 수행한다.
상술한 바와같은 본 발명에 따른 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법은 소자 제조공정시 정확한 측정을 할 수 있으므로 제조시간이 절약되며 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (2)
- 반도체 소자 형성공정에서 포커스 측정패턴으로 일측에 동일한 모양의 단차를 형성하는 제1단계와, 노광으로 소정패턴이 형성된 단차부와 비단차부의 CD값을 측정하여 좌표상에 포커스를 그래핑하는 제2단계와, 상기 좌표상에 그래핑된 두 CD값에 대응되는 에너지 커브를 선택하여 최적의 포커스 포인트를 결정하는 제3단계로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법.
- 제1항에 있어서, 상기 좌표는 포커스와 CD의 좌표임을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053251A KR970053251A (ko) | 1997-07-31 |
| KR100192433B1 true KR100192433B1 (ko) | 1999-06-15 |
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ID=19445113
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950058891A KR100192433B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 반도체 소자 제조시의 포커스 측정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100192433B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100732742B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포커스 모니터링 방법 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950058891A patent/KR100192433B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100732742B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포커스 모니터링 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| KR970053251A (ko) | 1997-07-31 |
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