KR0167269B1 - 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조를 위한 포토 리소그래프 공정에서 최소 선폭 측정 및 패턴 정렬 상태의 측정을 위한 측정용 패턴에 관한 것으로, 외곽의 전 공정 생성 패턴의 안에 현 공정 생성 패턴(11)을 삽입하고, 그 현 공정 생성 패턴(12)의 안에 최소 선폭을 측정할 수 있는 바(13)를 삽입하여, 패턴 정렬 상태의 측정과 최소 선폭 측정을 동시에 실시하도록 한 것으로, 작업 시간의 단축으로 반도체 소자의 생산성을 향상시키며, 또한 기존의 동일 면적에 2개의 패턴을 형성하여 마스크 디자인시 공간을 줄이도록 한 것이다.

Description

반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴

제1도는 종래 기술에 의한 패턴 정렬 상태의 측정용 패턴을 보인 평면도.

제2도는 종래 기술에 의한 최소 선폭 측정용 패턴을 보인 평면도.

제3도는 본 발명에 의한 최소 선폭 측정 및 패턴 정렬 상태의 측정을 위한 측정용 패턴을 보인 평면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 전 공정 생성 패턴 12 : 현 공정 생성 패턴

13 : 바

본 발명은 반도체 소자의 제조를 위한 포토 리소그래프 공정에서 최소 선폭 측정 및 패턴 정렬 상태의 측정을 위한 측정용 패턴에 관한 것으로, 특히 최소 선폭 측정 및 패턴 정렬 상태의 측정을 동시에 수행할 수 있도록 한 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정 중에서 포토 공정 후에는 패턴의 정렬 상태를 측정하여야 하며, 패턴이 계속 남아 있는 박막 공정에서의 패턴 형성 후에는 최소 선폭을 측정하여야 한다.

종래의 기술에 의하면, 패턴 정렬 상태의 측정과 최소 선폭 측정을 각각 다른 측정 장비에서 다른 패턴을 측정하도록 되어 있다. 즉, 노광장치에 장착되어 패턴 형성될 부분을 나타내는 마스크 상에 측정 가능한 패턴을 삽입하여 측정하게 된다.

제1도는 패턴 정렬 상태를 측정하기 위한 오토 버니어(AUTO VERNIER)를 나타낸 것으로, 전(前) 공정에서 만들어진 외곽 패턴(1) 내에 현(現) 공정에서 생성된 패턴(2)이 들어가게 된다. 이 패턴의 높이 차이를 레이저 빔(laser beam)으로 스캔(scan)하여 발생하는 시그널(signal)로서 x, y 간의 거리의 중심을 구하여 전 공정 패턴(1)의 중심과 현 공정 패턴(2)의 중심 차이가 현 공정에서의 정렬 상태를 나타낸다.

제2도는 마스크내에 최소 선폭과 같은 사이즈(size)의 바(bar)(3)를 삽입하여 포토 공정 후, 생성된 바(3)의 높이 차이를 전자빔으로 조사하여 나오는 2차 전자를 디텍드(detact)하여 시그널로 바(3)의 폭을 측정한다. 그러나, 상기한 바와 같은 종래 기술에 있어서는, 포토 공정 후, 패턴 정렬 상태의 측정과 최소 선폭 측정을 각각 다른 측정 장비에서 실시하여야 하므로, 작업시간이 연장되어 반도체 소자의 생산성이 저하되는 단점이 있었으며, 또한 마스크 디자인(mask design)시, 2개의 측정 패턴을 넣어야 하므로 공간이 그만큼 늘어나게 되는 등의 여러 문제점이 있었다.

본 발명의 주 목적은 패턴 정렬 상태의 측정과 최소 선폭 측정을 동시에 실시하여, 작업시간을 단축시킴으로써 반도체 소자의 생산성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 기존의 동일 면적에 2개의 패턴을 형성하여 마스크 디자인시 공간을 줄일 수 있도록 한 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴을 제공함에 있다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 외곽의 전 공정 생성패턴의 안에 현 공정 생성 패턴을 삽입하고, 그 현 공정 생성 패턴의 안에 최소 선폭을 측정할 수 있는 바를 삽입하여 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴이 제공된다.

이하, 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴을 첨부 도면에 도시한 실시예에 따라서 설명하면 다음과 같다.

제3도는 본 발명에 의한 최소 선폭 측정 및 패턴 정렬 상태의 측정을 위한 측정용 패턴을 보인 평면도이다.

이에 도시한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조를 위하여 마스크 안에 삽입될 측정용 패턴은, 외곽의 전 공정 생성 패턴(11)의 안에 현 공정 생성 패턴(12)을 삽입하고, 그 현 공정 생성 패턴(12)의 안에 최소 선폭을 측정할 수 있는 바(13)를 삽입하여 구성한 것이다.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴에 의하면, 외곽의 전 공정 생성 패턴(11)의 안에 현 공정 생성 패턴(12)이 삽입되어 있고, 그 현 공정 생성 패턴(12)의 안에 최소 선폭을 측정할 수 있는 바(13)가 삽입되어 있으므로, 먼저 전 공정 생성 패턴(11)의 단차를 레이저 빔으로 스캔하여 발생하는 시그널을 잡고, 현 공정 생성 패턴(12)의 단차를 레이저 빔으로 스캔하여 나온 시그널로 중심(center) 좌표를 구해 그 차이로 x, y의 정렬 상태를 구하고, 현 공정 생성 패턴(12)의 안에 만들어진 최소 선폭의 바(13)를 상기와 동일한 방식에 의하여 폭을 구하면, 패턴 정렬 상태의 측정 및 최소 선폭 측정을 동시에 수행하게 되는 것이다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴은, 외곽의 전 공정 생성 패턴의 안에 현 공정 생성 패턴을 삽입하고, 그 현 공정 생성 패턴의 안에 최소 선폭을 측정할 수 있는 바를 삽입하여, 패턴 정렬 상태의 측정과 최소 선폭 측정을 동시에 실시하도록 한 것으로, 작업 시간의 단축으로 반도체 소자의 생산성을 향상시키며, 또한 기존의 면적에 2개의 패턴을 형성하여 마스크 디자인시 공간을 줄이는 등의 효과가 있다.

Claims (1)

1. 외곽의 전 공정 생성 패턴의 안에 현 공정 생성 패턴(11)을 삽입하고, 그 현 공정 생성 패턴(12)의 안에 최소 선폭을 측정할 수 있는 바(13)를 삽입하여 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조를 위한 측정용 패턴.