KR0178235B1 - Manufacturing method of optical path regulation apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 패드가 형성된 구동 기판의 상부에 멤브레인을 형성한다. 이때, 멤브레인에 인장응력을 유기한다. 다음, 멤브레인의 소정 부분에 개구를 형성하고 이 개구 내부에 플러그를 형성한다. 계속해서, 멤브레인의 상부표면에 하부전극, 변형부 및 상부전극을 순차적으로 형성하고 각각의 식각 마스크를 사용하여 구동기판이 노출되도록 식각하여 액츄에이터들을 분리한다. 그 다음, 상부전극의 표면과 액츄에이터들의 분리에 의한 측면들에 보호막을 형성하고 희생막을 제거하여 에어갭을 한정한다. 그리고, 보호막을 제거한다. 따라서, 본 발명은 멤브레인 상부에 형성된 상부 및 하부전극과 변형부에서 발생되는 압축응력을 멤브레인을 구성하는 질화실리콘의 조성을 변화하여 발생되는 인장응력으로 상쇄시켜 희생막 제거시 액츄에이터가 상방향으로 휘는 와핑현상을 방지할 수 있다.The present invention relates to a method for manufacturing an optical path control device, wherein a membrane is formed on an upper portion of a driving substrate on which a pad is formed. At this time, the tensile stress is induced on the membrane. Next, an opening is formed in a predetermined portion of the membrane and a plug is formed inside the opening. Subsequently, the lower electrodes, the deformable portions, and the upper electrodes are sequentially formed on the upper surface of the membrane, and the actuators are separated by etching to expose the driving substrate using respective etching masks. Next, a protective film is formed on the surface of the upper electrode and side surfaces by the separation of the actuators and the sacrificial film is removed to define the air gap. Then, the protective film is removed. Therefore, the present invention compensates the compressive stress generated at the upper and lower electrodes formed on the membrane and the deformable portion with the tensile stress generated by changing the composition of the silicon nitride constituting the membrane, and the actuator is warped upward when the sacrificial film is removed. The phenomenon can be prevented.
Description
제1도는 종래 기술에 따라 와핑이 발생된 광로 조절 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of an optical path control apparatus in which warping is generated according to the prior art.
제2도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도.2 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
51 : 구동기판 53 : 패드51: driving substrate 53: pad
55 : 희생막 57 : 멤브레인55: sacrificial film 57: membrane
58 : 개구 59 : 플러그58: opening 59: plug
61 : 하부전극 63 : 변형부61: lower electrode 63: deformation portion
65 : 상부전극 67 : 보호막65 upper electrode 67 protective film
69 : 에어갭69: air gap
본 발명은 투사형 화상 표시장치에 이용되는 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 희생막 제거시 멤브레인의 상부에 형성된 상부 및 하부전극과 변형부의 압축응력에 의해 액츄에이터가 상방향으로 휘는 화핑(warping) 현상을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing method of an optical path adjusting device used in a projection image display device. In particular, the present invention relates to a method of manufacturing an optical path adjusting device. It relates to a method for manufacturing an optical path control device that can prevent a warping phenomenon.
화상 표시장치는 표시방법에 따라, 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다.An image display apparatus is classified into a direct view type image display apparatus and a projection type image display apparatus according to a display method.
직시형 화상 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube) 등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다.The direct view type image display device includes a CRT (Cathode Ray Tube). The CRT image display device has good image quality but has a problem such as an increase in weight thickness and an expensive price as the screen is enlarged. have.
투사형 화상 표시장치는 대환면 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 'LCD'라 칭함) 등이 있는데, 이러한 대화면 LCD의 박형화가 가능하여 중량을 작게 할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 화소마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮다.Projection type image display apparatuses include a large crystal liquid crystal display (hereinafter referred to as an LCD), and such a large screen LCD can be thinned to reduce weight. However, such LCDs have a high loss of light due to the polarizing plate, and thin film transistors for driving the LCD are formed for each pixel, so that there is a limit in increasing the aperture ratio (light transmission area).
따라서, 미합중국 Aura사에 의해 액츄에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror Arrays : 이하 'AMA'라 칭함)를 이용한 투사형 화상 표시장치가 개방되었다. AMA를 이용한 투사형 화상 표시장치는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 광을 액츄에이터들로 이루어진 광로 조절 장치의 구동에 의해 광로를 변경시킨다. 즉, 액츄에이터들에 실장되어 이 액츄에이터들이 개별적으로 구동되는 것에 의해 기울어지는 거울들에 각각 반사시켜 광로(light path)를 변경시키는 것에 의해 광의 양을 조절하여 화면으로 투사시킨다. 그러므로, 화면에 화상이 나타나게 된다. 상기에서, 액츄에이터는 압전 또는 전왜세라믹으로 이루어진 변형부가 인가되는 전압에 의해 전계가 발생되어 변형되는 것을 이용하여 거울을 기울게 한다. AMA는 구동방식에 따라 1차원 AMA와 2차원 AMA로 구별된다. 1차원 AMA는 거울들이 M×1 어레이로 배열되고 2차원 AMA는 거울들이 M×N 어레이로 배열되고 있다. 따라서, 1차원 AMA를 이용한 투사형 화상표시장치는 주사거울을 이용하여 M×1개의 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형 화상표시장치는 M×N개의 광속들을 투사시켜 화상을 나타내게 된다.Therefore, the projection type image display device using Actuated Mirror Arrays (hereinafter referred to as 'AMA') was opened by Aura, United States. A projection type image display apparatus using AMA separates white light emitted from a light source into red, green and blue light, and then changes the light path by driving an optical path adjusting device made of actuators. That is, the actuators are mounted on the actuators, and the actuators are individually driven to reflect the inclined mirrors, thereby changing the light path, thereby controlling the amount of light to project onto the screen. Therefore, the image appears on the screen. In the above, the actuator tilts the mirror by using an electric field generated and deformed by a voltage to which a deformable part made of piezoelectric or electrostrictive ceramic is applied. AMA is classified into one-dimensional AMA and two-dimensional AMA according to the driving method. The one-dimensional AMA has mirrors arranged in an M × 1 array and the two-dimensional AMA has mirrors arranged in an M × N array. Therefore, the projection type image display apparatus using the one-dimensional AMA pre-scans the M × 1 beams using the scanning mirror, and the projection type image display apparatus using the two-dimensional AMA displays the image by projecting the M × N luminous fluxes.
또한, 액츄에이터는 변형부의 형태에 따라 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다. 상기 벌크형은 다층 세라믹을 얇게 잘라 내부에 금속전극이 형성된 세라믹웨이퍼(ceramic wafer)를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(sawing) 등으로 가공하고 거울을 실장한다. 그러나, 벌크형 액츄에이터는 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 긴 공정시간이 필요하며, 또한, 변형부의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다. 따라서, 반도체 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형 액츄에이터가 개발되었다.In addition, the actuator is classified into a bulk type and a thin film type according to the shape of the deformable portion. The bulk type thinly cuts a multilayer ceramic, mounts a ceramic wafer having a metal electrode therein on a driving substrate, processes it by sawing, and mounts a mirror. However, bulk actuators require a long process time because the actuators must be separated by sawing, and there is a problem that the response speed of the deformation part is slow. Therefore, a thin-film actuator that can be manufactured using a semiconductor process has been developed.
제1도는 종래 기술에 따라 와핑이 발생된 광로 조절 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an optical path control apparatus in which warping is generated according to the prior art.
광로 조절 장치(30)는 구동기판(10)과 이 구동기판(10)과 일측면이 접촉되고 타측이 에어갭(28)에 의해 소정거리 이격되어 형셩된 액츄에이터(20)를 포함한다.The optical path control device 30 includes a driving substrate 10, and an actuator 20 in which one side of the driving substrate 10 is in contact with the other and the other side of the optical path adjusting apparatus 30 is spaced apart by a predetermined distance by the air gap 28.
구동기판(10)은 표면에 트랜지스터(도시되지 않음)가 매트릭스(matrix) 형태로 내장되고, 이 트랜지스터와 전기적으로 연결된 패드(pad:21)가 있다.The driving substrate 10 includes a pad (21) in which a transistor (not shown) is embedded in a matrix on the surface thereof and electrically connected to the transistor.
액츄에이터(20)는 멤브레인(22), 개구(23), 플러그(24), 하부전극(25), 변형부(26), 상부전극(27) 및 보호막(29)를 포함한다.The actuator 20 includes a membrane 22, an opening 23, a plug 24, a lower electrode 25, a deformable portion 26, an upper electrode 27, and a protective layer 29.
멤브레인(22)은 일측이 패드(21) 주변의 구동기판(10)과 접촉되고 타측이 구동기판(10)과 에어갭(28)에 의해 이격되어 형성된다.The membrane 22 is formed so that one side is in contact with the driving substrate 10 around the pad 21 and the other side is spaced apart by the driving substrate 10 and the air gap 28.
그리고, 플러그(24)는 패드(21)의 상부표면에 형성된 멤브레인(22)의 소정 부분에 형성된 개구(23)의 내부를 채우며 형성된다.The plug 24 is formed by filling the inside of the opening 23 formed in a predetermined portion of the membrane 22 formed on the upper surface of the pad 21.
하부전극(25)은 멤브레인(22)의 상부표면에 플러그(24)와 전기적으로 연결되도록 형성된다. 그러므로, 하부전극(25)은 플러그(24)를 통하여 패드(21)와 전기적으로 연결된다. 또한, 하부전극(25)의 상부에 변형부(26) 및 상부전극(27)이 순차적으로 형성된다.The lower electrode 25 is formed to be electrically connected to the plug 24 on the upper surface of the membrane 22. Therefore, the lower electrode 25 is electrically connected to the pad 21 through the plug 24. In addition, the deformation part 26 and the upper electrode 27 are sequentially formed on the lower electrode 25.
상술한 구조의 광로 조절 장치(30)는 구동기판(10)의 동일한 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드(21)와 플러그(24)를 통해 하부전극(25)에 동일한 화상신호가 인가되고, 상부전극(27)은 반사막으로 사용된다. 그러므로, 하부전극(25)과 상부전극(27) 사이에 개재되어 있는 변형부(26)에 전계가 발생되어 변형부(26)가 전계와 수직 방향으로 수축하게 되어 액츄에이터(20)가 휘어져 경사진다.In the optical path adjusting device 30 having the above-described structure, the same image signal is applied to the lower electrode 25 through the pad 21 and the plug 24 electrically connected to the same transistor of the driving substrate 10, and the upper electrode ( 27 is used as a reflecting film. Therefore, an electric field is generated in the deformable portion 26 interposed between the lower electrode 25 and the upper electrode 27 so that the deformable portion 26 contracts in a direction perpendicular to the electric field so that the actuator 20 is bent and inclined. .
그러나, 종래의 광로 조절 장치는 희생막을 제거하는 공정에서 멤브레인 상부에 형성되는 상부 및 하부전극과 변형부의 압축응력으로 인하여 액츄에이터가 상방향으로 휘는 와핑현상이 발생하는 문제점이 있었다.However, the conventional optical path control apparatus has a problem in that an actuator is warped upward due to the compressive stress of the upper and lower electrodes formed on the membrane and the deformation portion in the process of removing the sacrificial film.
따라서, 본 발명의 목적은 희생막을 제거하는 공정에서 액츄에이터가 상방향으로 휘는 와핑현상을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조방법으로 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical path control apparatus that can prevent the warping phenomenon of the actuator bending upward in the process of removing the sacrificial film.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여 질화실리콘으로 형성된 멤브레인(57)을 구비한 광로 조절 장치에 있어서, 상기 멤브레인을 형성하는 질화실리콘의 규소(Si)와 질소(N)의 조성비를 0.75:1~3:1로 형성함을 특징으로 한다.The present invention provides an optical path control device having a membrane 57 formed of silicon nitride to achieve the above object, wherein the composition ratio of silicon (Si) and nitrogen (N) of the silicon nitride forming the membrane is 0.75: 1 to It is characterized by forming 3: 1.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제2도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도이다.2 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the present invention.
제2도(a)를 참조하면, 구동기판(51)은 표면에 트랜지스터(도시되지 않음)가 매트릭스 형태로 내장되고, 이 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드(53)를 갖는다. 또한, 구동기판(51)은 유리 또는 알루미나(Al2O3) 등의 절연물질이나 실리콘등의 반도체로 이루어진다. 그리고, 구동기판(51)의 상부표면에 1~2㎛ 두께로 희생막(55)을 형성한다. 상기에서 희생막(55)을 PSG(Phospho-Sillicate Glass)로 형성한다. 또한, 패드(53)의 주변의 희생막(55)을 제거하여 구동기판(51)을 노출시킨다.Referring to FIG. 2A, the driving substrate 51 has a pad (not shown) embedded in a matrix on a surface thereof and has a pad 53 electrically connected to the transistor. The driving substrate 51 is made of an insulating material such as glass or alumina (Al 2 O 3 ), or a semiconductor such as silicon. The sacrificial film 55 is formed on the upper surface of the driving substrate 51 to have a thickness of 1 to 2 μm. The sacrificial film 55 is formed of PSG (Phospho-Sillicate Glass). In addition, the sacrificial layer 55 around the pad 53 is removed to expose the driving substrate 51.
제2도(b)를 참조하면, 저압 화학 기상 증착법(LPCVD : Low Pressure Chemi cal Vapor Deposition) 등의 기법을 사용해서 구동기판(51) 및 희생막(55)의 상부표면에 질화실리콘을 0.2~2㎛ 두께로 적층하여 멤브레인(57)을 형성한다. 이때, 멤브레인(57)을 구성하는 질화실리콘은 SiCl2H2와 NH3를 0.1~100Torr의 압력범위 내에서 소정의 온도, 예를 들면 700~900℃의 온도에서 반응시켜 만든다. 그리고, 멤브레인(57)을 형성하는 질화실리콘의 조성을 변화시키기 위하여 SiCl2H2와 NH3의 양을 변화하여 질화실리콘의 Si와 N의 조성을 0.75:1~3:1로 한다. 그 결과, 멤브레인(57)에는 인장응력(tensile stress)이 유기되고, 그 유기된 인장응력에 의해서 멤브레인(57) 상부에 형성되는 다른 막들의 압축응력은 상쇄된다. 그 다음, 반응성 이온 식각에 의해 패드(53)가 노출되도록 멤브레인(57)의 소정 부분을 제거하여 개구(58)를 형성하고, 이 개구(58) 내부에 전기 전동성이 좋은 금속을 채워 패드(53)들과 전기적으로 연결되는 플러그(59)를 형성한다. 계속해서 멤브레인(57)의 상부에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등을 진공증착 또는 스퍼터링 등에 의해 500~2000Å 두께로 증착하여 플러그(59)와 전기적으로 연결하는 하부전극(61)을 형성한다. 그러므로, 패드(53)와 하부전극(61)은 플러그(59)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.Referring to FIG. 2 (b), silicon nitride is formed on the upper surface of the driving substrate 51 and the sacrificial film 55 by using a technique such as low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The membrane 57 is formed by laminating at a thickness of 2 μm. At this time, the silicon nitride constituting the membrane 57 is made by reacting SiCl 2 H 2 and NH 3 at a predetermined temperature, for example, 700 to 900 ° C. within a pressure range of 0.1 to 100 Torr. Then, in order to change the composition of the silicon nitride forming the membrane 57, the amount of SiCl 2 H 2 and NH 3 is changed to make the composition of Si and N of silicon nitride 0.75: 1 to 3: 1. As a result, tensile stress is induced in the membrane 57, and the compressive stress of other films formed on the membrane 57 is canceled out by the induced tensile stress. Then, a predetermined portion of the membrane 57 is removed to form the opening 58 so that the pad 53 is exposed by reactive ion etching, and the pad 53 is filled with a metal having good electrical conductivity in the opening 58. ) To form a plug 59 that is electrically connected. Subsequently, platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti) or the like is deposited on the membrane 57 to a thickness of 500 to 2000 μs by vacuum deposition or sputtering, and the lower electrode 61 is electrically connected to the plug 59. ). Therefore, the pad 53 and the lower electrode 61 are electrically connected to each other by the plug 59.
제2도(c)를 참조하면, 하부전극(61)의 표면에 변형부(63)를 스퍼터링으로 형성한다. 변형부(63)는 BaTiO3, PZT(Pb(Zr, Ti)O3) 또는 PLZT((Pb, La) (Zr, Ti)O3) 등의 압전세라믹이나, 또는, PMN(Pb(Mg, Nb)O3) 등의 전왜세라믹을 스핀코팅(spin coating) 또는 스프레이 코팅(spray coating)으로 0.2~2㎛ 두께로 도포하여 형성한다. 이때, 변형부(63)는 얇게 형성되므로 별도의 분극을 하지 않고도 구동시 인가되는 화상신호에 의해 분극된다. 계속해서, 변형부(63)의 상부에 상부전극(65)을 형성한다. 상부전극(65)은 전기 전도도 및 반사특성이 좋은 금속인 알루미늄이 스퍼터링 또는 진공증착 방법으로 500~2000Å 두께로 증착되어 형성된다. 그리고, 상부전극(65), 변형부(63), 하부전극(61) 및 멤브레인(57)을 반응성 이온 식각으로 소정 부분을 제거하여 액츄에이터(70)들을 분리한다. 이때, 상부전극(65), 변형부(63), 하부전극(61) 및 멤브레인(57)은 각각의 식각 마스크가 필요하게 된다. 그리고, 상술한 구조의 전표면에 포토레지스트를 도포한 후 노광 및 현상하여 보호막(67)을 형성한다. 보호막(67)은 상부전극(65)의 표면과 액츄에이터(70)들을 분리할 때 생성되는 측면들에 형성된다.Referring to FIG. 2C, the deformation part 63 is formed on the surface of the lower electrode 61 by sputtering. The deformation part 63 is a piezoelectric ceramic such as BaTiO 3 , PZT (Pb (Zr, Ti) O 3 ) or PLZT ((Pb, La) (Zr, Ti) O 3 ), or PMN (Pb (Mg, Nb) O 3 ) is formed by applying a total distortion ceramic, such as spin coating (spray coating) or spray coating (spray coating) to a thickness of 0.2 ~ 2㎛. At this time, since the deformable portion 63 is formed thin, it is polarized by an image signal applied during driving without additional polarization. Subsequently, the upper electrode 65 is formed on the deformable portion 63. The upper electrode 65 is formed by depositing aluminum, which is a metal having good electrical conductivity and reflective properties, to a thickness of 500 to 2000 kPa by a sputtering or vacuum deposition method. The actuators 70 are separated by removing a predetermined portion of the upper electrode 65, the deformable portion 63, the lower electrode 61, and the membrane 57 by reactive ion etching. In this case, each of the upper electrode 65, the deformable part 63, the lower electrode 61, and the membrane 57 requires an etching mask. Then, the photoresist is applied to the entire surface of the structure described above, followed by exposure and development to form the protective film 67. The passivation layer 67 is formed on the surface of the upper electrode 65 and the side surfaces generated when the actuators 70 are separated.
제2도(d)를 참조하면, 희생막(55)을 불산 등의 식각용액으로 제거한다. 이때, 멤브레인(57)의 상부에 형성된 상부 및 하부전극(65)(61)과 변형부(63)에 압축응력이 발생하고 이 압축응력은 멤브레인(57)에 유기된 인장응력에 의해 상쇄된다. 보호막(67)은 희생막(55)을 습식식각으로 제거할 때 상부전극(65)의 표면과 액츄에이터(70)의 측면이 식각용액에 의해 식각되는 것을 방지한다. 그 다음, 보호막(67)은 산소플라즈마에 의한 건식 식각방법으로 제거한다.Referring to FIG. 2 (d), the sacrificial film 55 is removed with an etching solution such as hydrofluoric acid. At this time, compressive stress is generated in the upper and lower electrodes 65 and 61 and the deformable portion 63 formed on the membrane 57, and the compressive stress is canceled by the tensile stress induced in the membrane 57. The protective layer 67 prevents the surface of the upper electrode 65 and the side surface of the actuator 70 from being etched by the etching solution when the sacrificial layer 55 is removed by wet etching. Next, the protective film 67 is removed by a dry etching method by oxygen plasma.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조방법은 패드가 형성된 구동기판의 상부에 일측이 구동기판과 접촉되고 타측이 에어갭에 의해 소정거리 이격된 멤브레인을 형성한다. 이때, 멤브레인을 구성하는 질화실리콘의 Si와 N의 조성을 0.75:1~3:1로 하여 인장응력을 유기한다. 다음, 멤브레인의 소정부분에 패드가 노출되도록 개구를 형성하고 이 개구 내부에 플러그를 형성한다. 계속해서, 멤브레인의 상부표면에 하부전극, 변형부 및 상부전극을 순차적으로 형성하고 각각의 식각 마스크를 사용하여 구동기판이 노출되도록 식각하여 액츄에이터들을 분리한다. 그 다음, 상부전극의 표면과 액츄에이터들의 분리에 의한 측면들에 보호막을 형성하고 희생막을 제거하여 에어갭을 한정한다. 그리고, 보호막을 제거한다.As described above, the method for manufacturing the optical path control apparatus according to the present invention forms a membrane in which one side is in contact with the driving substrate and the other side is spaced a predetermined distance by an air gap on the top of the driving substrate on which the pad is formed. At this time, the tensile stress is induced by setting the composition of Si and N of silicon nitride constituting the membrane to 0.75: 1 to 3: 1. Next, an opening is formed to expose the pad to a predetermined portion of the membrane, and a plug is formed inside the opening. Subsequently, the lower electrodes, the deformable portions, and the upper electrodes are sequentially formed on the upper surface of the membrane, and the actuators are separated by etching to expose the driving substrate using respective etching masks. Next, a protective film is formed on the surface of the upper electrode and side surfaces by the separation of the actuators and the sacrificial film is removed to define the air gap. Then, the protective film is removed.
따라서, 본 발명은 멤브레인 상부에 형성된 상부 및 하부전극과 변형부에서 발생되는 압축응력을 멤브레인을 구성하는 질화실리콘의 조성을 변화하여 유기된 인장응력으로 상쇄시켜 희생막 제거시 액츄에이터가 상방향으로 휘는 와핑현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, in the present invention, the compressive stress generated in the upper and lower electrodes formed on the membrane and the deformation part is changed by the composition of the silicon nitride constituting the membrane to be offset by the induced tensile stress, so that the actuator is warped upward when removing the sacrificial film. There is an effect that can prevent the phenomenon.
Claims (3)
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| GB9617567A GB2304918B (en) | 1995-08-30 | 1996-08-21 | Method for manufacturing a thin film actuated mirror having a stable elastic member |
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Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950027516A KR0178235B1 (en) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | Manufacturing method of optical path regulation apparatus |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950027516A KR0178235B1 (en) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | Manufacturing method of optical path regulation apparatus |
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1995
- 1995-08-30 KR KR1019950027516A patent/KR0178235B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970014278A (en) | 1997-03-29 |
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