KR0177245B1

KR0177245B1 - Method for fabricating an optical projection system

Info

Publication number: KR0177245B1
Application number: KR1019950052084A
Authority: KR
Inventors: 엄민식
Original assignee: 배순훈; 대우전자주식회사
Priority date: 1995-12-19
Filing date: 1995-12-19
Publication date: 1999-04-15
Also published as: KR970052561A

Abstract

본 발명은 광로 조절 장치에 관한 것으로서, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드를 갖는 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성하는 공정과, 성장 챔버 내의 고주파의 주파수를 변화시키면서 연속해서 증착하여 상기 노출된 구동기판의 패드의 상부에 하단에는 신장스트레스가 작용하고 위로 가면서 점차적으로 압축스트레스를 갖도록 하여 막이 아래쪽으로 휘는 힘을 갖는 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 소정 부분에 상기 패드가 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구 내에 플러그를 상기 패드와 전기적으로 연결되도록 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부의 소정 부분에 인접하는 액츄에이터들을 전기적으로 분리하는 전극분리영역을 한정하는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인과 감광막 패턴의 상부에 상기 플러그와 전기적으로 연결되도록 하부전극을 형성하고 상기 감광막 패턴 상부에 형성된 하부전극 물질을 상기 감광막 패턴과 동시에 제거하는 공정과, 상기 하부전극의 상부에 변형부와 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로부터 상기 멤브레인까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비한다. 따라서, 멤브레인의 스트레스에 의해 희생막을 제거하여 에어 갭을 한정할 때 액츄에이터가 상방향으로 휘는 현상을 방지할 수 있다.The present invention relates to an optical path control device, comprising: forming a sacrificial film to expose the pad on top of a driving substrate having transistors embedded in a matrix and having pads electrically connected to respective transistors on a surface thereof; Depositing continuously while varying the frequency of the film to form a membrane having a bending force of the film by extending the compressive stress at the lower end of the pad of the exposed driving substrate and gradually increasing the compressive stress at the bottom thereof; Forming an opening through which the pad is exposed in a predetermined portion of the membrane; forming a plug in the opening to be electrically connected to the pad; and electrically separating actuators adjacent to a predetermined portion of the upper portion of the membrane. Defining electrode separation area Forming a photoresist pattern, forming a lower electrode to be electrically connected to the plug on the membrane and the photoresist pattern, and simultaneously removing the lower electrode material formed on the photoresist pattern with the photoresist pattern; Forming a deformable portion and an upper electrode sequentially on the lower electrode, separating the actuator by etching the sacrificial layer to expose the sacrificial layer from the upper electrode to the membrane, and a protective film on the surface of the upper electrode and the side of the actuator And a step of removing the sacrificial film and the protective film. Therefore, it is possible to prevent the actuator from bending upward when the air gap is defined by removing the sacrificial film due to the stress of the membrane.

Description

광로 조절 장치의 제조방법Manufacturing method of optical path control device

제1도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도.1 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

41 : 구동기판 43 : 패드41: drive substrate 43: pad

45 : 희생막 47 : 멤브레인45: sacrificial film 47: membrane

48 : 개구 49 : 플러그48: opening 49: plug

51 : 하부전극 53 : 변형부51: lower electrode 53: deformation part

55 : 상부전극 57 : 보호막55 upper electrode 57 protective film

59 : 에어갭 60 : 액츄에이터59: air gap 60: actuator

61, 63 : 제1 및 제2 멤브레인61, 63: first and second membrane

본 발명은 투사형 화상 표시장치에 사용되는 광로 조절장치의 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 멤브레인의 스트레스를 완화시켜 스티킹(sticking)을 방지할 수 있는 광로조절장치의 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing an optical path adjusting device used in a projection type image display device, and more particularly, to a method of manufacturing an optical path adjusting device which can prevent sticking by relieving stress of a membrane.

일반적으로 표시장치는 표시 방법에 따라 직시형 화상 표시장치와 투사형 화상 표시장치로 구분된다.In general, a display device is classified into a direct view type image display device and a projection type image display device according to a display method.

직시형 화상 표시장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT 화상 표시장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께가 증대되어 대화면을 구현하는데 한계가 있고 가격이 비싸지는 문제점이 있다.The direct view type image display device includes a CRT (Cathode Ray Tube), etc. The CRT image display device has a good image quality but has a problem in that a large screen is increased and weight and thickness are increased so that a large screen is limited and the price is high.

투사형 화상 표시장치는 액정표시장치 등이 있는데, 이는 박형화가 가능하여 중량을 감소시킬 수 있다. 그러나, 상기 액정표시장치는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 구동소자인 박막 트랜지스터가 화소마다 형성되어야 하므로 개구율을 증가시키는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮으며 시야각이 작은 문제점이 있다.Projection type image display apparatuses include liquid crystal display apparatuses, which can be thinned to reduce weight. However, the liquid crystal display device has a problem in that light loss due to the polarizing plate is large and a thin film transistor, which is a driving element, must be formed for each pixel, thereby limiting an increase in the aperture ratio.

따라서, 미합중국 Aura사이에 의해 새로운 광로조절장치인 액츄에이터 미러 어레이(Actuated Mirror Array : 이하, AMA라 칭함)에 의해 광로를 조절하여 화상을 표시할 수 있는 투사형 화상 표시장치가 개발되었다, 상기 AMA는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹색 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 색광을 액츄에이터들로 이루어진 광로조절장치의 구동에 의해 광로를 변경시킨다. 상기에서 액츄에이터들은 화상신호에 의해 개별적으로 구동되어 상부에 실장된 거울들을 경사지게 하므로 각각의 색광의 광로를 변경시키고 나이프 에지 등의 광량을 조절하는 장치에 의해 색광의 량을 조절하여 화면으로 투사시킨다. 상기 액츄에이터들은 압전 세라믹 또는 전왜 세라믹으로 형성되어 화상 신호로 인가되는 전압에 의해 발생되는 전계에 의해 변형되어 실장된 거울들을 경사지게 한다.Accordingly, a projection type image display device capable of displaying an image by controlling an optical path by an actuator mirror array (hereinafter referred to as AMA), which is a new optical path control device, was developed by Aura, USA. After separating the white light emitted by the red, green and blue light, the color light is changed by the drive of the optical path control device consisting of actuators. Since the actuators are individually driven by the image signal to incline the mirrors mounted on the upper part, the actuators change the light path of each color light and adjust the amount of color light by a device that adjusts the amount of light such as a knife edge to project onto the screen. The actuators are formed of piezoelectric ceramics or electrostrictive ceramics, and are inclined by an electric field generated by a voltage applied to an image signal to tilt the mounted mirrors.

상기 액츄에이터는 형태에 따라 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구별된다.The actuator is classified into a bulk type and a thin film type according to the shape.

상기 벌크형은 내부에 금속 전극들이 형성된 다층 세라믹을 상기 금속전극들과 수직되는 방향으로 얇게 자른 세라믹 웨이퍼를 구동기판에 실장한 후 쏘잉(sawing) 등으로 가공하고 각각의 액츄에이터들에 거울들을 실장한다. 상기 벌크형은 각각의 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하브로 공정 시간이 길며, 또한, 액츄에이터들의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다.The bulk type mounts a ceramic wafer thinly cut in a direction perpendicular to the metal electrodes on a driving substrate after processing a multilayer ceramic having metal electrodes formed therein on a driving substrate, and processes the same by sawing, and mounts mirrors on the respective actuators. The bulk type requires a long process time to separate each actuator by sawing, and also has a problem in that the response speed of the actuators is slow.

따라서, 상기 벌크형의 문제점을 해결하기 위해 반도체공정을 이용하여 제조가 가능하며, 응답 속도가 빠른 박막형의 액츄에이터가 대한민국의 대우전자에 의해 개발되었다.Accordingly, in order to solve the problem of the bulk type, a thin film type actuator capable of manufacturing using a semiconductor process and having a fast response speed was developed by Daewoo Electronics of Korea.

종래 방법에 따른 광로 조절 장치의 제조방법은 멤브레인을 질화실리콘 또는 탄화실리콘 등의 규화물을 스퍼터링, 또는, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 LPCVD(Low Pressure CVD) 방법으로 1 ~ 2㎛ 정도의 두께로 증착하여 형성한다.The method of manufacturing an optical path control apparatus according to the conventional method has a thickness of about 1 to 2 μm by sputtering a silicide such as silicon nitride or silicon carbide, or by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or low pressure CVD (LPCVD). It is formed by vapor deposition.

그러나, 상술한 종래의 광로 조절 장치의 제조방법은 멤브레인 형성시 스트레스에 의해 희생막을 제거하여 에어 갭을 한정할 때 액츄에이터가 구동기판에 접촉되는 스티킹현상이 발생되는 문제점이 있었다.However, the conventional manufacturing method of the optical path control apparatus described above has a problem in that a sticking phenomenon occurs in which the actuator contacts the driving substrate when the air gap is defined by removing the sacrificial film due to stress when forming the membrane.

따라서, 본 발명의 목적은 멤브레인의 스트레스를 완화시켜 스티킹을 방지할 수 있는 광로 조절 장치의 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing an optical path control device that can prevent the sticking by relieving the stress of the membrane.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 광로조절장치의 제조방법은 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드를 갖는 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성하는 공정과, 상기 노출된 구동기판과 패드의 상부에 신장스트레스와 압축스트레스를 선택적으로 갖는 제1 멤브레인과 제2 멤브레인을 성장 챔버 내의 고주파의 주파수를 변화시키면서 연속해서 증착하여 상기 신장 스트레스와 압축 스트레스가 상쇄되어 스트레스가 완화되는 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 소정 부분에 상기 패드가 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구 내에 플러그를 상기 패드와 전기적으로 연결되도록 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부의 소정 부분에 인접하는 액츄에이터들을 전기적으로 분리하는 전극분리영역을 한정하는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인과 감광막 패턴의 상부에 상기 플러그와 전기적으로 연결되도록 하부전극을 형성하고 상기 감광막 패턴 상부에 형성된 하부전극 물질을 상기 감광막 패턴과 동시에 제거하는 공정과, 상기 하부전극의 상부에 변형부와 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로부터 상기 멤브레인까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비한다.A method of manufacturing an optical path control apparatus according to the present invention for achieving the above object is to form a sacrificial film so that the pad is exposed on the top of the driving substrate having a pad in which the transistor is embedded in a matrix form and electrically connected to each transistor on the surface thereof. And the first and second membranes having selectively stretched and compressed stresses on the exposed driving substrate and the pad, are continuously deposited while varying the frequency of the high frequency in the growth chamber. Forming a membrane that cancels out to relieve stress; forming an opening through which the pad is exposed in a predetermined portion of the membrane; forming a plug in the opening to electrically connect the pad to the pad; Liquid adjacent to a predetermined part of the top of Forming a photoresist pattern defining an electrode isolation region for electrically separating the electrodes; forming a lower electrode on the membrane and the photoresist pattern to be electrically connected to the plug, and forming a lower electrode material formed on the photoresist pattern. Simultaneously removing the photoresist pattern, forming a deformable portion and an upper electrode sequentially on the lower electrode, and etching the sacrificial layer to expose the sacrificial layer from the upper electrode to the membrane; Forming a protective film on the surface of the upper electrode and on the side of the actuator; and removing the sacrificial film and the protective film.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도(a) 내지 (d)는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 공정도이다.1 (a) to (d) is a manufacturing process diagram of the optical path control apparatus according to the present invention.

제1도(a)를 참조하면, 표면에 트랜지스터들(도시되지 않음)이 매트릭스 형태로 내장되고, 이 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 패드(43)를 갖는 구동기판(41) 상부의 전 표면에 PSG(Phospho-Silicate Glass)등을 0.1 ∼ 2㎛ 정도의 두께로 증착하여 희생막(45)을 형성한다. 상기에서, 구동기판(41)은 유리나 알루미나 등의 절연물질, 또는, 실리콘등의 반도체기판으로 이루어진다. 그리고, 상기 희생막(45)을 통상의 포토리쏘그래피 방법에 의해 제거하여 패드(43)를 노출시킨다.Referring to FIG. 1A, transistors (not shown) are embedded in a matrix on a surface thereof, and PSG is formed on the entire surface of the driving substrate 41 having a pad 43 electrically connected to the transistors. A sacrificial film 45 is formed by depositing (Phospho-Silicate Glass) or the like to a thickness of about 0.1 to 2 μm. In the above, the driving substrate 41 is made of an insulating material such as glass or alumina, or a semiconductor substrate such as silicon. The sacrificial film 45 is removed by a conventional photolithography method to expose the pad 43.

제1도(b)를 참조하면, 상기 구동기판(41)과 희생막(45)의 상부에 질화실리콘 또는 탄화실리콘 등의 규화물을 PECVD 방법으로 0.1 ∼ 2㎛ 정도의 두께로 증착하여 멤브레인(47)을 형성한다.Referring to FIG. 1B, a silicide such as silicon nitride or silicon carbide is deposited on the driving substrate 41 and the sacrificial layer 45 to a thickness of about 0.1 to 2 μm by PECVD to form a membrane 47. ).

상기에서, 멤브레인(47)은 각각 0.5 ∼ 1㎛ 정도의 두께를 갖는 제1 멤브레인(61)과 제2 멤브레인(63)으로 이루어지는데, 상기 제1 제2 멤브레인(61)(63)은 멤브레인(47) 형성시 챔버 내의 고주파의 주파수를 변화시키면서 연속해서 증착시키므로 형성된다. 즉, 제1 멤브레인(61)은 2000 ∼ 10000 KHz 정도의 고주파 상태에서 증착하여 신장 스트레스(tensile stress)가 걸리도록 하고, 제2 멤브레인(63)은 10 ∼ 1000 KHz 정도의 고주파 상태에서 증착하여 압축 스트레스(compressive stress)가 걸리도록 한다. 그러므로, 상기 제1 멤브레인(61)의 신장 스트레스와 제2 멤브레인(63)으 압축 스트레스가 서로 상쇄되어 멤브레인(47)의 스트레스가 완화된다.In the above, the membrane 47 is composed of a first membrane 61 and a second membrane 63 each having a thickness of about 0.5 to 1 μm, wherein the first second membrane 61 and 63 are formed of a membrane ( 47) It is formed by continuously depositing while changing the frequency of the high frequency in the chamber during formation. That is, the first membrane 61 is deposited at a high frequency state of about 2000 to 10000 KHz to exert a tensile stress, and the second membrane 63 is deposited at a high frequency state of about 10 to 1000 KHz and compressed. Make sure you are under stress. Therefore, the stretching stress of the first membrane 61 and the compressive stress of the second membrane 63 cancel each other, thereby alleviating the stress of the membrane 47.

상기에서, 제1 멤브레인(61)을 10 ∼ 1000 KHz 정도의 고주파 상태에서 증착하여 압축 스트레스가 걸리도록 증착하고, 제2 멤브레인(63)을 2000 ∼ 10000 KHz 정도의 고주파 상태에서 증착하여 신장 스트레스가 걸리도록 증착하여 멤브레인(47)의 스트레스를 완화시킬 수도 있다.In the above, the first membrane 61 is deposited in a high frequency state of about 10 to 1000 KHz to be subjected to compressive stress, and the second membrane 63 is deposited in a high frequency state of about 2000 to 10000 KHz, so that the stretch stress is increased. May be deposited to relieve stress in the membrane 47.

즉, 상기 멤브레인의 하단에는 인장 응력이 작용하도록 하는 반면에 상기 멤브레인의 하단부터 점차 주파수를 낮게 유지한 상태로 상단으로 증착시킴으로서 상기 멤브레인의 상단에는 압축 응력이 작용하도록 하며 이에 의해서 상기 멤브레인은 상이한 응력 상태를 갖는 복수개의 층으로 구성되며 그 결과 상기 멤브레인은 전체적으로 하향으로 휘는 힘을 갖게 되어서 캔틸레버 구조는 전체적으로 평행한 상태로 유지된다.In other words, the tensile stress is applied to the lower end of the membrane while the frequency is gradually lowered from the lower end of the membrane to the upper end by depositing the compressive stress on the upper end of the membrane, whereby the membrane is subjected to different stresses. It is composed of a plurality of layers having a state so that the membrane has a downward downward force as a whole, so that the cantilever structure remains in a totally parallel state.

제1도(c)를 참조하면, 상기 멤브레인(47)의 소정 부분을 상기 패드(43)가 노출되도록 제거하여 개구(48)를 형성한 후, 이 개구(48)의 내부에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti)등의 전도성금속을 채워 패드(43)와 전기적으로 연결되는 플러그(49)를 형성한다. 그리고, 멤브레인(47)의 상부 표면의 하부전극(51), 변형부(53) 및 상부 전극(55)을 순차적으로 형성한다. 상기 하부전극(51)은 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti)등을 스퍼터링 또는 진공증착 등의 방법으로 0.1 ∼ 2㎛ 정도의 두께로 증착하여 상기 플러그(49)와 전기적으로 연결되게 형성된다. 상기 변형부(53)는 BaTiO_3,PZT(Pb(Zr, Ti)O₃)또는 PLZT (Pb, La)(Zr, Ti)O₃)등의 압전세라믹, 또는, PMN(Pb(Mg, Nb)O₃)등의 전왜세라믹을 0.1 ∼ 2㎛ 정도의 두께로 형성한다. 이 때, 변형부(53)가 얇게 형성되므로 별도의 분극을 하지 않고도 구동시 화상신호에 의해 분극된다. 그리고, 상부전극(55)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)등의 전기적 특성 및 반사특성이 양호한 금속을 0.1 ∼ 2㎛ 정도의 두께로 스퍼터링 또는 진공 증착하여 형성한다. 그리고, 상기 상부전극(55), 변형부(53), 하부전극(51) 및 멤브레인(47)을 순차적으로 식각하여 액츄에이터(60)를 한정한다. 계속해서, 상부 전극(55)의 표면과 액츄에이터(60)들의 분리에 의해 생긴 측면들에 포토레지스트를 도포하고 노광 및 현상하여 보호막(57)을 형성한다.Referring to FIG. 1C, a predetermined portion of the membrane 47 is removed to expose the pad 43 to form an opening 48, and then platinum Pt is formed inside the opening 48. Alternatively, a plug 49 may be electrically connected to the pad 43 by filling a conductive metal such as platinum / titanium (Pt / Ti). The lower electrode 51, the deformable portion 53, and the upper electrode 55 on the upper surface of the membrane 47 are sequentially formed. The lower electrode 51 is deposited to have a thickness of about 0.1 to 2 μm by a method such as sputtering or vacuum deposition of platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti) to be electrically connected to the plug 49. Is formed. The deformation part 53 is a piezoelectric ceramic such as BaTiO _3, PZT (Pb (Zr, Ti) O ₃ ) or PLZT (Pb, La) (Zr, Ti) O ₃ ), or PMN (Pb (Mg, Nb). A total distortion ceramic such as) O ₃ ) is formed to a thickness of about 0.1 to 2 μm. At this time, since the deformation part 53 is formed thin, it is polarized by the image signal at the time of driving, without performing additional polarization. The upper electrode 55 is formed by sputtering or vacuum depositing a metal having good electrical and reflective properties such as aluminum (Al) or silver (Ag) to a thickness of about 0.1 to 2 μm. In addition, the upper electrode 55, the deformable portion 53, the lower electrode 51 and the membrane 47 are sequentially etched to define the actuator 60. Subsequently, photoresist is applied, exposed and developed on the surface of the upper electrode 55 and the side surfaces caused by the separation of the actuators 60 to form the protective film 57.

제1도(d)를 참조하면, 상기 희생막(45)을 불산 등의 식각용액으로 제거하여 에어갭(59)을 한정한다. 그리고, 상기 탈이온수로 세정하여 상기 희생막(45)을 제거하고 남은 식각용액을 제거한 후 건조한다. 그리고, 상기 보호막(57)을 산소 플라즈마에 의한 건식 식각 방법으로 제거한다.Referring to FIG. 1 (d), the sacrificial film 45 is removed with an etching solution such as hydrofluoric acid to define the air gap 59. The sacrificial layer 45 is removed by washing with deionized water, and the remaining etching solution is removed, followed by drying. In addition, the protective layer 57 is removed by a dry etching method using an oxygen plasma.

상술한 바와 같이 본 발명은 멤브레인 형성시 챔버내의 고주파의 주파수를 변화시키면서 신장 스트레스를 갖는 제1 멤브레인과 압축 스트레스를 갖는 제2 멤브레인를 연속하여 형성하므로 상기 신장 스트레스와 압축 스트레스가 서로 상쇄되도록 하여 멤브레인 전체의 스트레스를 완화시킨다.As described above, the present invention continuously forms the first membrane having elongation stress and the second membrane having compressive stress while changing the frequency of the high frequency in the chamber when forming the membrane so that the stretch stress and the compressive stress cancel each other so that the whole membrane Relieves stress.

즉, 멤브레인의 하단에는 인장 응력이 작용하도록 하고 상단으로 적층될수록 압축 응력이 작용하도록 하여서 멤브레인이 전체적으로 아래쪽으로 휘는 힘을 갖도록 하여 캔틸레버 구조가 위로 휘는 것을 방지시킨다.That is, the tensile stress is applied to the lower end of the membrane and the compressive stress is applied as the uppermost layer is stacked to prevent the cantilever structure from bent upward by having the overall bending force of the membrane.

따라서, 본 발명은 멤브레인의 스트레스에 의해 희생막을 제거하여 에어 갭을 한정할 때 액츄에이터가 구동기판에 접촉되는 스티킹 현상을 방지할 수 있는 잇점이 있다.Therefore, the present invention has the advantage of preventing the sticking phenomenon that the actuator is in contact with the driving substrate when the air gap is defined by removing the sacrificial film by the stress of the membrane.

Claims

트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 표면에 각각의 트랜지스터에 전기적으로 연결된 패드를 갖는 구동기판의 상부에 상기 패드가 노출되도록 희생막을 형성하는 공정과, 성장 챔버 내의 고주파의 주파수를 연속적으로 변화시키면서 멤브레인을 형성시키고 상기 멤브레인의 하단에는 신장 스트레스가 작용하고 상기 하단부터 상단으로 증착될수록 압축 스트레스가 작용하도록 하여 전체적으로 아래쪽으로 휘는 힘을 갖는 멤브레인 형성 공정과, 상기 멤브레인의 소정 부분에 상기 패드가 노출시키는 개구를 형성하는 공정과, 상기 개구 내에 플러그를 상기 패드와 전기적으로 연결되도록 형성하는 공정과, 상기 멤브레인의 상부의 소정 부분에 인접하는 액츄에이터들을 전기적으로 분리하는 전극분리영역을 한정하는 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인과 감광막 패턴의 상부에 상기 플러그와 전기적으로 연결되도록 하부전극을 형성하고 상기 감광막 패턴 상부에 형성된 하부전극 물질을 상기 감광막 패턴과 동시에 제거하는 공정과, 상기 하부전극 상부에 변형부와 상부전극을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 상부전극으로부터 상기 멤브레인까지 상기 희생막이 노출되도록 식각하여 액츄에이터를 분리하는 공정과, 상기 상부전극의 표면 및 액츄에이터의 측면에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 희생막과 상기 보호막을 제거하는 공정을 구비하는 광로조절장치의 제조방법.Forming a sacrificial film so that the pad is exposed on top of a driving substrate having transistors embedded in a matrix and having pads electrically connected to respective transistors on a surface thereof, and forming a membrane while continuously changing a frequency of a high frequency in a growth chamber. And a membrane forming process having a bending force as a whole as the extension stress is applied to the lower end of the membrane and the compressive stress is applied as it is deposited from the lower part to the upper part, and an opening for exposing the pad to a predetermined portion of the membrane is formed. Forming a photosensitive film pattern defining an electrode isolation region for electrically separating actuators adjacent to a predetermined portion of an upper portion of the membrane; and forming a plug in the opening to electrically connect the plug to the pad. And forming a lower electrode on the membrane and the photoresist pattern to be electrically connected to the plug and simultaneously removing the lower electrode material formed on the photoresist pattern with the photoresist pattern. Forming an upper electrode sequentially, separating the actuator by etching the sacrificial layer from the upper electrode to the membrane, and forming a protective layer on the surface of the upper electrode and the side of the actuator; And a process for removing the film and the protective film.

제1항에 있어서, 상기 희생막을 PSG(Phospho-Silicate Glass)로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the sacrificial layer is formed of PSG (Phospho-Silicate Glass).

제2항에 있어서, 상기 희생막을 0.1 ∼ 2㎛ 두께로 증착하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 2, wherein the sacrificial layer is deposited to a thickness of 0.1 to 2 μm.

제1항에 있어서, 상기 멤브레인을 질화실리콘 또는 탄화실리콘의 규화물로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the membrane is formed of a silicon nitride or a silicide of silicon carbide.

제4항에 있어서, 상기 멤브레인을 PECVD 방법으로 0.1 ∼ 2㎛ 두께로 증착하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 4, wherein the membrane is deposited to a thickness of 0.1 to 2 μm by PECVD.

제5항에 있어서, 상기 멤브레인을 2000 ∼ 10000 KHz 정도의 고주파 상태에서 증착하여 신장 스트레스가 걸리도록 증착하고, 제2 멤브레인을 10 ∼ 1000 KHz 정도의 고주파 상태에서 압축 스트레스가 걸리도록 증착하는 광로조절장치의 제조방법.The optical path control according to claim 5, wherein the membrane is deposited at a high frequency of about 2000 to 10000 KHz and subjected to stretching stress, and the optical path control for depositing a second membrane to be subjected to compressive stress at a high frequency of about 10 to 1000 KHz. Method of manufacturing the device.

제5항에 있어서, 상기 멤브레인을 10 ∼ 1000 KHz 정도의 고주파 상태에서 압축 스트레스가 걸리도록 증착하고, 제2 멤브레인을 2000 ∼ 1000 KHz 정도의 고주파 상태에서 신장 스트레스가 걸리도록 증착하는 광로조절장치의 제조방법.The optical path control apparatus according to claim 5, wherein the membrane is deposited under compressive stress at a high frequency of about 10 to 1000 KHz, and the second membrane is deposited under stretch stress at a high frequency of about 2000 to 1000 KHz. Manufacturing method.

제1항에 있어서, 상기 하부전극을 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti)으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the lower electrode is formed of platinum (Pt) or platinum / titanium (Pt / Ti).

제8항에 있어서, 상기 하부전극을 스퍼터링 또는 진공증착으로 500 ∼ 2000Å의 두께로 증착하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 8, wherein the lower electrode is deposited to a thickness of 500 to 2000 kPa by sputtering or vacuum deposition.

제1항에 있어서, 상기 변형부를 BaTiO₃, PZT(Pb(Zr, Ti)O₃)또는 PLZT (Pb, La)(Zr, Ti)O₃)의 압전세라믹으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the deformable part is formed of a piezoelectric ceramic of BaTiO ₃ , PZT (Pb (Zr, Ti) O ₃ ) or PLZT (Pb, La) (Zr, Ti) O ₃ ). .

제1항에 있어서, 상기 변형부를 PMN(Pb(Mg, Nb)O₃)등의 전왜세라믹으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of manufacturing an optical path control device according to claim 1, wherein the deformable part is formed of a total distortion ceramic such as PMN (Pb (Mg, Nb) O ₃ ).

제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 변형부를 0.1 ∼ 2㎛ 두께로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The manufacturing method of the optical path control apparatus of Claim 10 or 11 which forms the said deformation | transformation part in thickness of 0.1-2 micrometers.

제12항에 있어서, 상기 변형부를 스퍼터링하여 형성하는 광로조절장치의 제조방법.13. The method of claim 12, wherein the deforming part is formed by sputtering.

제12항에 있어서, 상기 변형부를 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅하여 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 12, wherein the deformation part is formed by spin coating or spray coating.

제1항에 있어서, 상기 상부전극을 전기적 특성 및 반사특성이 양호한 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)으로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the upper electrode is formed of aluminum (Al) or silver (Ag) having good electrical and reflective properties.

제15항에 있어서, 상기 상부전극을 스퍼터링 또는 진공증착으로 500 ∼ 2000Å의 두께로 형성하는 광로조절장치의 제조방법.16. The method of claim 15, wherein the upper electrode is formed to a thickness of 500 to 2000 kPa by sputtering or vacuum deposition.