KR0156084B1 - 감광성 내식막 제거용 리무버 조성물 및 이를 사용하여 감광성 내식막을 제거하는 방법 - Google Patents

감광성 내식막 제거용 리무버 조성물 및 이를 사용하여 감광성 내식막을 제거하는 방법

Info

Publication number
KR0156084B1
KR0156084B1 KR1019950009867A KR19950009867A KR0156084B1 KR 0156084 B1 KR0156084 B1 KR 0156084B1 KR 1019950009867 A KR1019950009867 A KR 1019950009867A KR 19950009867 A KR19950009867 A KR 19950009867A KR 0156084 B1 KR0156084 B1 KR 0156084B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
remover
photoresist
butanol
composition
methoxy
Prior art date
Application number
KR1019950009867A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950029864A (ko
Inventor
다네아키 오쿠다
아라타 도요다
Original Assignee
가네코 쇼시
닛뽄덴키가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네코 쇼시, 닛뽄덴키가부시키가이샤 filed Critical 가네코 쇼시
Publication of KR950029864A publication Critical patent/KR950029864A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0156084B1 publication Critical patent/KR0156084B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D9/00—Chemical paint or ink removers
    • C09D9/005—Chemical paint or ink removers containing organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 4-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용매와 프로필렌 카보네이트를 포함하는 리무버 조성물을 사용하여 재료로부터 포토레지스트를 제거하고 디바이스에 잔류하는 리무버를 물로 세정함을 포함하여, 재료로부터 포토레지스트를 제거하는 방법을 제공한다.

Description

감광성 내식막 제거용 리무버 조성물 및 이를 사용하여 감광성 내식막을 제거하는 방법
본 발명은 주로 노볼락 수지로 이루어진 감광성 내식막을 기판으로부터 제거하는데 사용되는 액상 조성물, 및 감광성 내식막을 마스크로서 사용하여 반도체 집적회로 및 회로기판을 제조하는 공정에서 감광성 내식막을 제거하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 장치의 제조방법은 장치 표면에 감광성 내식막을 적용시킨 다음 레티클(reticle) 또는 광마스크를 통해 노출시켜 패턴화함으로써 후속 에칭 또는 이온 주입 공정을 위한 감광성 내식막 마스크를 형성시키는 연속 단계를 포함한다. 따라서, 감광성 내식막 마스크는 사용후 리무버(remover)를 사용하여 장치의 가공 표면으로부터 제거되어야만 한다.
장치로부터 사용된 감광성 내식막을 제거하는 통상적인 리무버는 산계 리무버와 유기계 리무버로 분류된다. 황산:과산화수소가 2:1인 피라나(piranha)는 산계 리무버의 대표적인 예이고, 페놀 함유 리무버는 유기계 리무버의 대표적인 예이다. 최근, 아미노에탄올을 포함하는 리무버가 유기계 리무버의 대표적인 예이다. 최근, 아미노에탄올을 포함하는 리무버가 유기계 리무버에 속하는 리무버로서 개발되었다. 이는 로라 피터스(Laura Peters)에 의해 문헌[참조: Semiconduotor international, February, pages 58 to 64, 1992]에 보고되어 있다.
그러나, 통상적인 리무버는 다음과 같은 몇가지 단점을 갖는다. 산계 리무버는 부식작용이 강하므로, 알루미늄 배선재와 접촉하는 경우에는 사용할 수 없다. 한편, 피라나 조성물인 황산과 과산화수소는 유독하다.
페놀 함유 리무버가 장치로부터 감광성 내식막을 제거하는 데 사용되는 경우, 페놀 함유 리무버는 수불용성이므로 감광성 내식막의 제거단계 직후에 정제수로 직접 세정할 수 없다. 따라서, 클로로플로로카본 또는 유기 클로라이드 용매를 사용하여 장치에 잔류하는 리무버를 세정하는 것이 필수적이다. 그 다음, 메틸 에틸 케톤 또는 이소프로필 알콜을 사용하여 사용된 클로로플로로카본 또는 유기 클로라이드 용매를 세정한 다음 최종적으로 정제수로 정제하는 것이 또한 필수적이다.
이 경우, 허용되는 농도에서 5ppm의 강한 독성을 보이는 페놀이 사용되고 오존층 파괴 뿐만 아니라 광화학적 산화를 유발하는 휘발성 유기 칼륨 화합물인 메틸에틸 케톤 과 이소프로필 알콜이 사용되어 외부로 방출되는 문제점이 있다. 또한, 휘발성 유기 칼륨 화합물의 인화점이 낮기 때문에, 휘발성 유기 칼륨 화합물의 사용할 때 심각한 화재의 위험이 있다. 한편, 메틸 에틸 케톤과 이소프로필 알콜의 인화점은 각각 -5.6℃와 13℃이다.
주로 아미노에탄올을 함유하는 리무버가 위에서 언급한 리무버로서 사용되기 위해 개발되었다. 그러나, 아미노에탄올을 함유하는 리무버는 허용되는 농도에서 페놀보다 3ppm 더 강한 독성을 나타낸다. 또한, 아미노에탄올은 수용액 속에서 강한 알칼리성을 나타내어, 장치 위에 형성된 알루미늄 배선재와 같은 금속에 대해 부식작용을 한다. 그러므로, 정제수를 사용하여 장치를 세정하기 전에, 다른 화학 물질을 사용하여 장치 위에 잔류하는, 아미노에탄올을 함유하는 리무버를 세정하는 것이 필수적이다.
따라서, 본 발명의 목적은 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하기 위한 신규한 리무버 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 페놀 또는 아미노에탄올을 함유하는 통상적인 리무버에 비하여 안정성이 우수한, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하기 위한 신규한 리무버 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 금속에 대한 부식작용이 없는, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하기 위한 신규한 리무버 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하는 신규한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 기판으로부터 감광성 내식막을 제거한 후에 기판에 잔류하는 리무버의 일부를 세정용 화학물질을 사용하지 않고 물로 용이하게 세정할 수 있는, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하는 신규한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 상기 목적과 기타 목적, 특징 및 장점은 다음의 설명으로부터 명백해질 것이다.
제1발명의 목적에 따라, 4-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용매와 프로필렌 카보네이트를 포함하는, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하기 위한 리무버 조성물이 제공된다.
제1발명에서, 조성물의 인화점은 70℃ 이상인 것이 바람직하다.
제1발명에서, 조성물은 프로필렌 카보네이트를 60 내지 99중량% 함유하는 것이 바람직하다.
제2발명의 목적에 따라, 4-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용매와 프로필렌 카보네이트를 포함하는 리무버 조성물을 사용하여 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하는 단계 및 물을 사용하여 기판에 잔류하는 리무버를 세정하는 단계를 포함하여, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하는 방법이 제공된다.
제2발명에서, 조성물의 인화점은 70℃ 이상인 것이 바람직하다.
제2발명에서, 조성물은 프로필렌 카보네이트를 60 내지 99중량% 함유하는 것이 바람직하다.
제2발명에서, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하는 단계를 수행하는 경우, 조성물의 온도를 증가시키는 것이 바람직하다.
제2발명에서, 조성물의 온도를 조성물의 인화점 미만으로 증가시키는 것이 바람직하다.
제2발명에서, 조성물의 온도를 불활성 대기하에서 조성물의 인화점 이상으로 증가시키는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 양태를 다음에 기술할 것이다.
리무버 조성물은 4-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올 또는 4-메톡시-1-부탄올과 3-메톡시-1-부탄올과의 혼합물 및 프로필렌 카보네이트로부터 제조된 용매를 포함한다. 리무버에 포함된 용매는 4-메톡시-1-부탄올과 3-메톡시-1-부탄올 각각의 비율이 용매의 0 내지 100중량% 범위에서 변할 수 있는 혼합물일 수 있다.
용매의 인화점의 범위는 일반적으로 60 내지 70℃이다(Tag close). 프로필렌 카보네이트를 용매에 서서히 가하는 경우, 용매의 인화점은 완만하게 상승한다. 프로필렌 카보네이트 비율이 리무버의 60중량%를 초과하는 경우, 리무버의 인화점은 갑자기 상당히 선형적으로 상승하여 프로필렌 카보네이트의 인화점은 138℃에 근접한다(Cleveland open).
감광성 내식막의 제거시, 온도가 일정하다고 가정하면, 제거작용은 리무버 조성물 속의 용매의 비율이 증가함에 따라 효과적으로 된다.
한편, 감광성 내식막 제거시 온도가 상승하는 경우, 제거작용은 위에서 기술한 바와 같은 리무버 조성물 속의 용매의 비율이 증가되는 경우에 비해 보다 효과적으로 된다.
따라서, 리무버의 인화점이 70℃ 이상이 되도록 하기 위해서 프로필렌 카보네이트를 60 내지 99중량% 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 리무버의 인화점이 100℃ 이상이 되도록 하기 위해서 프로필렌 카보네이트를 80 내지 99중량% 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
제거할 감광성 내식막은 제조공정 중의 이온 주입과 에칭과 같은 가공의 이력(processed hysteresis)으로 영향을 받는다. 따라서, 감광성 내식막과 리무버 조성물을 제거하기 위한 온도는 감광성 내식막의 실제 상태를 기준으로 하여 주의깊게 설정되어야 한다. 예를 들면, 감광성 내식막의 표면이 이 표면에 주입되는 이온 농도가 증가함에 따라 탄화 및 경화되어, 일반적으로 감광성 내식막의 경화된 표면층이 산소 플라스마 방법과 같은 건식 에칭에 의해 미리 제거되도록 한다. 감광성 내식막의 경화된 표면층이 제거되면, 감광성 내식막을 유효하게 제거하기 위한 온도는 70℃ 미만일 수 있다. 반대로, 감광성 내식막의 경화된 표면층이 감광성 내식막에 잔류하는 경우, 유효한 제거작용은 70℃ 이상에서 수득할 수 있다.
이어서, 반도체 웨이퍼 등과 같은 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하기 위한 방법을 다음에 기술할 것이다.
본 발명의 방법은 리무버를 사용하여 제품으로부터 감광성 내식막을 제거하고 감광성 내식막을 제거한 직후 정제수를 사용하여 제품에 잔류하는 리무버를 세정하는 단계를 포함한다. 이러한 방법은 다음 실시예와 비교실시예를 참조하여 구체적으로 기술한다.
[실시예 1]
실시예 1에서 사용할 리무버 조성물은 4-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올 또는 4-메톡시-1-부탄올과 3-메톡시-1-부탄올과의 혼합물과 프로필렌 카보네이트로부터 제조된 용매를 포함한다. 장치에 대한 제1 세척욕은 리무버를 사용하여 감광성 내식막을 제거하는데 사용된다. 제2 욕은 정제수를 사용하여 반도체 장치로부터 사용된 리무버를 세정하는 데 사용된다. 제3 욕은 정제수를 사용하여 반도체 장치로부터 리무버를 최종적으로 세정하는 데 사용된다.
장치 상의 감광성 내식막을, 리무버를 함유하는 세척액으로 충전시킨 제1 욕에 침지시켜 장치로부터 감광성 내식막을 제거한다. 감광성 내식막을 미리 제거한 반도체 장치를 정제수로 충전시킨 제2 욕에 침지시키고, 정제수로 사용된 리무버를 세정하거나 장치에 잔류하는 사용된 리무버를 제거한다. 이어서, 반도체 장치를 정제수로 충전시킨 제3 욕에 침지시켜 정제수로 세정된 리무버 중의 여전히 잔류하는 부분을 추가로 세정하여 리무버를 완전히 제거한다.
[실시예 2]
실시예 2의 샘플로서 실리콘 웨이퍼를 제조한다. 샘플 웨이퍼에 있어서, 옥시니트라이드 막을 절연막으로 웨이퍼 위에 형성시킨 후, 시판중인 상품명 OFPR-800 형태의 노볼락(제조원: Tokyo Oka)을 함유하는 포지티브형 감광성 내식막을 스핀 피복법으로 옥시니트라이드 막 위에 적용시킨다. 웨이퍼를 90℃에서 30분동안 예비 베이킹하고 패턴화한다. 그 다음, 웨이퍼를 정제수로 세정하고 135℃에서 30분 동안 다시 베이킹한다. 이어서, 관통 구멍을 형성시키기 위한 건식 에칭법을 사용함으로써 절연막을 제거하여 샘플 웨이퍼를 수득한다.
프로필렌 카보네이트를 포함하고 4-메톡시-1-부탄올을 리무버의 25중량%의 양으로 포함하는 리무버로 충전시킨 제1 욕에 샘플 웨이퍼를 침지시키고, 리무버의 온도를 90℃까지 상승시킨 다음, 웨이퍼를 제1 욕 속에서 10분 동안 진탕시킨다. 결과적으로, 감광성 내식막을 세척하여 웨이퍼로부터 제거한다. 그 다음, 웨이퍼를 정제수로 충전시킨 제2 욕에 침지시켜 5분 동안 웨이퍼에 잔류하는 리무버를 세정한다. 감광성 내식막은 웨이퍼로부터 완전히 제거되고 관통 구멍이 샘플 웨이퍼에 만족스럽게 형성되는 것으로 관찰된다. 추가로, 리무버의 인화점은 93℃이다(Cleveland open).
[실시예 3]
샘플로서 실리콘 웨이퍼를 제조한다. 규소 알루미늄 합금 막을 스퍼터링 방법을 사용하여 웨이퍼 위에 형성시킨다. 위의 실시예 2의 방법과 동일한 방법으로 감광성 내식막을 스핀 피복법을 사용하여 규소 알루미늄 합금 막 위에 적용시킨다. 웨이퍼를 90℃에서 30분 동안 예비 베이킹하고 패턴화한다. 그 다음, 웨이퍼를 정제수로 세정하고, 다시 135℃에서 30분 동안 베이킹한다. 그 다음, 건식 에칭법을 사용하여 규소 알루미늄 합금 막을 제거하여 샘플 웨이퍼를 수득한다. 또한, 위의 공정으로 인해 표면이 경화되므로 감광성 내식막의 표면을 산소 플라스마 방법으로 제거한다.
샘플 웨이퍼를 프로필렌 카보네이트를 포함하고 4-메톡시-1-부탄올을 리무버의 15중량%의 양으로 포함하는 리무버로 충전시킨 제1욕에 침지시키고, 리무버의 온도를 100℃로 상승시켜 웨이퍼를 제1 욕에서 5분 동안 진탕시킨다. 결과적으로 감광성 내식막이 세척되어 웨이퍼로부터 제거된다. 그 다음, 웨이퍼를 정제수로 충전시킨 제2욕에 침지시켜 웨이퍼에 잔류하는 리무버를 5분 동안 세정한다. 감광성 내식막은 웨이퍼로부터 완전히 제거되고 샘플 웨이퍼 위에 알루미늄 배선재가 만족스럽게 형성된다.
추가로, 제3의 양태에 있어서, 리무버의 인화점은 110℃(Cleveland open)이고, 리무버 조성물로서 3-메톡시-1-부탄올을 사용하는 경우, 4-메톡시-1-부탄올을 사용하는 경우와 거의 동일한 효과가 수득된다.
[비교실시예 1]
비교실시예 1에서, 페놀을 함유하는 리무버로 충전된 리무버 욕, 스트립 세정액 욕, 스트립 세정액을 세정하기 위한 제1 및 제2 세정 욕 및 제3 세정 욕을 사용한다.
페놀을 함유하는 리무버는 장치로부터 감광성 내식막을 제거하는 데 사용되며 클로로플로로카본과 메틸클로로포름은 감광성 내식막을 제거한 후에 스트립 세정액으로서 사용된다. 그러나, 이들 액체는 수불용성이기 때문에 샘플 웨이퍼는 메틸 에틸 케톤 또는 이소프로필 알콜을 사용하여 스트립 세정액을 세정하기 위한 제1 및 제2 세정 욕에 침지시킨다. 그 다음, 웨이퍼를 정제수로 세정하기 위해 제3 욕에 침지시킨다.
위에서 기술한 바와 같이, 본 발명에 따라서, 리무버는 감광성 내식막을 제거하는 단계를 종료시킨 후에 물로 직접 세정할 수 있다. 따라서, 감광성 내식막을 제거하기 위한 간단한 방법이 수득되며, 세정을 위한 특정 화학물질을 사용하지 않기 때문에, 폐기 액체의 양과 환경에 대한 부담을 줄일 수 있다. 즉, 본 발명의 리무버는 장치로부터 감광성 내식막을 제거하는 데 사용하며, 감광성 내식막을 제거하는 방법은 2단계, 예를 들면, 감광성 내식막 제거단계와 리무버 세정단계만을 포함하도록 한다.
또한, 본 발명의 리무버를 구성하는 4-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올 및 프로필렌 카보네이트는 페놀과 아미노에탄올에 비해 독성이 약하기 때문에 본 발명의 방법은 안전하게 수행할 수 있다. 위에서 기술한 조성물을 포함하는 리무버는 금속에 대한 부식 작용이 없기 때문에, 리무버에 노출되는 금속 배선재를 갖는 웨이퍼에 대해 감광성 내식막을 제거하는 단계에 사용할 수 있다. 따라서, 본 발명의 리무버 및 감광성 내식막을 제거하는 방법은 감광성 내식막을 사용하여 패턴화하는 장치에 채택될 수 있다.
또한, 본 발명에 따라서, 리무버의 온도를 70℃ 이상으로 증가시키는 경우, 장치로부터 감광성 내식막을 제거하는 효과가 매우 우수할 수 있다. 또한, 제품으로부터 감광성 내식막을 제거하는 단계를 질소, 아르곤 및 이산화탄소와 같은 불활성 대기하에서 수행하는 경우, 이러한 단계는 본 발명의 리무버의 인화점 이상의 온도에서 수행할 수 있기 때문에 장치로부터 감광성 내식막을 제거하는 추가의 우수한 효과가 나타난다.
본 발명에 대한 변형은 본 발명이 관련되는 분야의 숙련가들에게는 명백하다는 것을 의심할 여지가 없지만, 예시용으로 나타내고 기술한 양태는 본 발명을 제한하려는 것이 아님을 이해해야 한다. 따라서, 본 발명의 특허청구의 범위는 본 발명의 취지와 범주 내에 포함되는 본 발명의 모든 변형을 포함하는 것이다.

Claims (6)

  1. 4-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용매 1 내지 40중량%와 프로필렌 카보네이트 60 내지 99중량%를 포함하는, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하기 위한 리무버 조성물(remover composition).
  2. 제1항에 있어서, 인화점이 70 내지 110℃인 리무버 조성물.
  3. 4-메톡시-1-부탄올, 3-메톡시-1-부탄올 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 용매 1 내지 40중량%와 프로필렌 카보네이트 60 내지 99중량%를 포함하는 리무버 조성물을 사용하여 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하는 단계 및 기판에 잔류하는 리무버를 물로 세정하는 단계를 포함하여, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 조성물의 인화점이 70 내지 110℃인 방법.
  5. 제3항에 있어서, 기판으로부터 감광성 내식막을 제거하는 단계를 수행할 때, 조성물의 온도가 상승되는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 조성물의 온도가 90 내지 100℃로 상승되는 방법.
KR1019950009867A 1994-04-26 1995-04-26 감광성 내식막 제거용 리무버 조성물 및 이를 사용하여 감광성 내식막을 제거하는 방법 KR0156084B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP94-088577 1994-04-26
JP6088577A JP2679618B2 (ja) 1994-04-26 1994-04-26 剥離液組成物および剥離洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950029864A KR950029864A (ko) 1995-11-24
KR0156084B1 true KR0156084B1 (ko) 1998-11-16

Family

ID=13946712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950009867A KR0156084B1 (ko) 1994-04-26 1995-04-26 감광성 내식막 제거용 리무버 조성물 및 이를 사용하여 감광성 내식막을 제거하는 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5544776A (ko)
JP (1) JP2679618B2 (ko)
KR (1) KR0156084B1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6416676B1 (en) * 1995-05-24 2002-07-09 National Semiconductor Corporation Deionized water degasification for semiconductor fabrication
US5965465A (en) * 1997-09-18 1999-10-12 International Business Machines Corporation Etching of silicon nitride
US6150282A (en) * 1997-11-13 2000-11-21 International Business Machines Corporation Selective removal of etching residues
US6033996A (en) * 1997-11-13 2000-03-07 International Business Machines Corporation Process for removing etching residues, etching mask and silicon nitride and/or silicon dioxide
US6200891B1 (en) 1998-08-13 2001-03-13 International Business Machines Corporation Removal of dielectric oxides
US6117796A (en) * 1998-08-13 2000-09-12 International Business Machines Corporation Removal of silicon oxide
WO2002003143A2 (en) * 2000-06-29 2002-01-10 Huntsman Petrochemical Corporation Alkylene carbonate-based photoresist stripping compositions
US20040018407A1 (en) * 2002-07-25 2004-01-29 Frano Barbir Electrochemical cell stack design
US8614053B2 (en) * 2009-03-27 2013-12-24 Eastman Chemical Company Processess and compositions for removing substances from substrates
US8444768B2 (en) * 2009-03-27 2013-05-21 Eastman Chemical Company Compositions and methods for removing organic substances
KR102629621B1 (ko) * 2018-12-26 2024-01-25 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 노즐 세정액 조성물

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4078102A (en) * 1976-10-29 1978-03-07 International Business Machines Corporation Process for stripping resist layers from substrates
JPS6052423B2 (ja) * 1979-04-11 1985-11-19 株式会社トクヤマ 剥離剤
JPH0763578B2 (ja) * 1992-08-04 1995-07-12 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 環状アルキレンカーボネートの洗気による削減方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR950029864A (ko) 1995-11-24
JP2679618B2 (ja) 1997-11-19
US5544776A (en) 1996-08-13
JPH07295239A (ja) 1995-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5091103A (en) Photoresist stripper
EP1097405B1 (en) Composition for stripping photoresist and organic materials from substrate surfaces
US3988256A (en) Photoresist stripper rinse
US8231733B2 (en) Aqueous stripping and cleaning composition
JP2527268B2 (ja) レジスト用剥離剤組成物
US4824762A (en) Method for rinse treatment of a substrate
KR0156084B1 (ko) 감광성 내식막 제거용 리무버 조성물 및 이를 사용하여 감광성 내식막을 제거하는 방법
EP0103808A1 (en) Stripping compositions and methods of stripping resists
EP0253675A1 (en) Stabilized choline base solutions
JPH07146563A (ja) ホトレジスト剥離方法
US4426311A (en) Methylene chloride-methane sulfonic acid stripping compositions and methods for using same
KR100594815B1 (ko) 포토레지스트 린스용 씬너 및 이를 이용한 포토레지스트막의 처리 방법
JP2731730B2 (ja) フォトレジストの除去方法
US4971715A (en) Phenolic-free stripping composition and use thereof
US6225030B1 (en) Post-ashing treating method for substrates
JP3095296B2 (ja) レジスト剥離方法、これを用いた薄膜回路素子の製造方法、および、レジスト剥離液
CN115951567A (zh) 一种金属低蚀刻率光刻胶剥离液组合物及其应用
EP0058214B1 (en) Method for increasing the resistance of a solid material surface against etching
EP0224843B1 (en) Method for developing negative photoresists
JPS616827A (ja) フオトレジストのストリツパー
US4886727A (en) Method for developing negative photoresists
JPH0627684A (ja) リソグラフィー用リンス液及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2613755B2 (ja) 基板の処理方法
JPH10260537A (ja) レジスト剥離液
JPH11511269A (ja) ストリッピング組成剤

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060711

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee