JP2731730B2 - フォトレジストの除去方法 - Google Patents
フォトレジストの除去方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般には回路パターン
のような様々な形状を有するデバイスの製造に関し、特
にフォトレジストの除去方法に関する。
のような様々な形状を有するデバイスの製造に関し、特
にフォトレジストの除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フォトレジストは、回路パターンのよう
な様々な形状を有するデバイスの製造において使われて
いる。一般に、フォトレジストは種々のよく知られてい
るテクニックによって施され、紫外線のような化学線を
用いてマスクを通して像が造られる。フォトレジスト
は、ポジ型にも、ネガ型にも作用する。ネガ型レジスト
の場合、化学線は、露光された領域を重合させる。フォ
トレジストの重合しない領域は、現像の際溶媒中で除去
される。ポジ型レジストの場合、正反対のことが起こ
り、露光された領域が現像後除去される。ワークピース
は、その後処理され、一般にワークピースはエッチング
されて、フォトレジストによって保護されていない表面
の部分を除去するか、叉は、加法メッキが施される。そ
の後、残ったフォトレジストは、一般に有機溶媒を使っ
て基板から取り除かれる。このような有機溶剤は、次第
に政府の規制の対象になりつつある。更に、除去用の溶
剤は、一般に処分するためにコストがかかり、使用中揮
発性溶媒を換気する予防措置を施さなければならない。
な様々な形状を有するデバイスの製造において使われて
いる。一般に、フォトレジストは種々のよく知られてい
るテクニックによって施され、紫外線のような化学線を
用いてマスクを通して像が造られる。フォトレジスト
は、ポジ型にも、ネガ型にも作用する。ネガ型レジスト
の場合、化学線は、露光された領域を重合させる。フォ
トレジストの重合しない領域は、現像の際溶媒中で除去
される。ポジ型レジストの場合、正反対のことが起こ
り、露光された領域が現像後除去される。ワークピース
は、その後処理され、一般にワークピースはエッチング
されて、フォトレジストによって保護されていない表面
の部分を除去するか、叉は、加法メッキが施される。そ
の後、残ったフォトレジストは、一般に有機溶媒を使っ
て基板から取り除かれる。このような有機溶剤は、次第
に政府の規制の対象になりつつある。更に、除去用の溶
剤は、一般に処分するためにコストがかかり、使用中揮
発性溶媒を換気する予防措置を施さなければならない。
【０００３】例えば、一般的ポリイソプレンのフォトレ
ジスト、これはネガ型レジストであるが、これを除去す
るために、ペルクロロエチレン、Ｏージクロロベンゼ
ン、フェノールおよびドデシルベンゼンスルホン酸を含
んでいる化学的除去剤(stripper)並びにキシレンおよび
イソプロパノールのような溶剤が使われている。これら
の溶剤は、処分するためにコストがかかり、ある種の条
件の下では、完全にフォトレジストを除去することがで
きない。フォトレジストを完全に除去する高価な処分費
用を必要とせず、従来の除去方法より環境にやさしい、
代わりの除去方法があることが望ましい。
ジスト、これはネガ型レジストであるが、これを除去す
るために、ペルクロロエチレン、Ｏージクロロベンゼ
ン、フェノールおよびドデシルベンゼンスルホン酸を含
んでいる化学的除去剤(stripper)並びにキシレンおよび
イソプロパノールのような溶剤が使われている。これら
の溶剤は、処分するためにコストがかかり、ある種の条
件の下では、完全にフォトレジストを除去することがで
きない。フォトレジストを完全に除去する高価な処分費
用を必要とせず、従来の除去方法より環境にやさしい、
代わりの除去方法があることが望ましい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、有機
溶剤を使用せずに、有機フォトレジストを完全に除去す
る方法を提供することである
溶剤を使用せずに、有機フォトレジストを完全に除去す
る方法を提供することである
【０００５】
【課題を解決するための手段】熱水素環境を使うことに
よって、有機溶剤なしで、有機フォトレジストが迅速
に、容易に、そして完全に除去されることが発見され
た。フォトレジストを有する基板は、水素環境コンベヤ
ー炉を利用して、そのような環境に露出させることが望
ましい。このプロセスはフォトレジストを揮発させ、炉
からのガスは燃やされて二酸化炭素と水になり、従っ
て、除去剤を処分する必要がなくなる。
よって、有機溶剤なしで、有機フォトレジストが迅速
に、容易に、そして完全に除去されることが発見され
た。フォトレジストを有する基板は、水素環境コンベヤ
ー炉を利用して、そのような環境に露出させることが望
ましい。このプロセスはフォトレジストを揮発させ、炉
からのガスは燃やされて二酸化炭素と水になり、従っ
て、除去剤を処分する必要がなくなる。
【０００６】
【実施例】本発明は、熱水素環境を使うことによって、
有機溶剤なしで有機フォトレジストを迅速に、容易に、
そして完全に取り除く方法を提供する。基板は、水素環
境コンベヤー炉を利用したこのような環境に露出させる
ことが望ましい。フォトレジストは揮発させられ、炉か
らのガスは燃やされて二酸化炭素と水になり、これによ
って、除去剤を処分する必要がなくなる。
有機溶剤なしで有機フォトレジストを迅速に、容易に、
そして完全に取り除く方法を提供する。基板は、水素環
境コンベヤー炉を利用したこのような環境に露出させる
ことが望ましい。フォトレジストは揮発させられ、炉か
らのガスは燃やされて二酸化炭素と水になり、これによ
って、除去剤を処分する必要がなくなる。
【０００７】ポリイソプレンを含んでいるフォトレジス
トのような有機フォトレジストは、その基板を熱水素環
境に露出させるることによって基板から取り除かれる。
熱水素環境は、イソプレノイド樹脂として同様に知られ
ているポリイソプレン、特に環化（cyclized）ポリイソ
プレン、および、DeForestによるMcGraw-Hill発行の「P
hotoresirt」（１９７５）の特に３１頁から３４頁に参
照されている他のフォトレジストを含むフォトレジスト
を取り除く。これらのフォトレジストは、特に本明細書
で参照されている。最も好ましくは、イソプレン・フォ
トレジストは、約６０，０００の重量平均分子量を有す
る。
トのような有機フォトレジストは、その基板を熱水素環
境に露出させるることによって基板から取り除かれる。
熱水素環境は、イソプレノイド樹脂として同様に知られ
ているポリイソプレン、特に環化（cyclized）ポリイソ
プレン、および、DeForestによるMcGraw-Hill発行の「P
hotoresirt」（１９７５）の特に３１頁から３４頁に参
照されている他のフォトレジストを含むフォトレジスト
を取り除く。これらのフォトレジストは、特に本明細書
で参照されている。最も好ましくは、イソプレン・フォ
トレジストは、約６０，０００の重量平均分子量を有す
る。
【０００８】フォトレジストは、金属被覆されたセラミ
ック基板および金属被覆されたセラミック・ポリイミド
基板を含む様々な基板から取り除かれる。水素環境は、
水素炉によって提供されるのが望ましい。適当な炉とし
て、リンドバーグ（Lindberg, a division of general
signal, Waterdown, Wisconsin, ）からの名称４７‐Ｍ
Ｔ-６４８２‐２０ＡＭＣ‐３６シリアル７６０１２
３、タイプ８３０のＡＣＢ９Ｄ２Ｅ９シリアル８３８９
６５およびタイプ８３０ Ａ１８Ｂｌ４ＤｌＥ６など、
並びにＢＴＵ（International North Sillerica, Massa
chusetts.）からのモデルＦＢＥ‐３が利用できる。適
当な炉の温度は、基板、フォトレジストおよび露出時間
に依存する。一般に、最低の温度は約３００゜Ｃであ
る。基板が金属被覆されたセラミック基板である場合、
好ましい温度範囲は約４３０゜Ｃから約５００゜Ｃであ
り、更に好ましくは、約４４５゜Ｃから約４７０゜Ｃで
ある。基板が金属被覆されたセラミック・ポリイミド基
板である場合、好ましい温度範囲は、約４３０゜Ｃから
約４８０゜Ｃであり、更に好ましくは、約４４５゜Ｃか
ら約４７０゜Ｃである。金属被覆されたセラミック・ポ
リイミド基板は、一般にポリイミドの層が２つのセラミ
ック基板上の金属被覆層の間にサンドイッチにされてい
るものを意味する。４３０゜Ｃより下の温度が使われて
もかまわないが、ワークピースを炉の中により長い時間
置く必要があるので、これは一般に経済的でない。従っ
て、ここで使われる「熱い」水素環境は、３００゜Ｃよ
り高い水素環境を意味する。
ック基板および金属被覆されたセラミック・ポリイミド
基板を含む様々な基板から取り除かれる。水素環境は、
水素炉によって提供されるのが望ましい。適当な炉とし
て、リンドバーグ（Lindberg, a division of general
signal, Waterdown, Wisconsin, ）からの名称４７‐Ｍ
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６５およびタイプ８３０ Ａ１８Ｂｌ４ＤｌＥ６など、
並びにＢＴＵ（International North Sillerica, Massa
chusetts.）からのモデルＦＢＥ‐３が利用できる。適
当な炉の温度は、基板、フォトレジストおよび露出時間
に依存する。一般に、最低の温度は約３００゜Ｃであ
る。基板が金属被覆されたセラミック基板である場合、
好ましい温度範囲は約４３０゜Ｃから約５００゜Ｃであ
り、更に好ましくは、約４４５゜Ｃから約４７０゜Ｃで
ある。基板が金属被覆されたセラミック・ポリイミド基
板である場合、好ましい温度範囲は、約４３０゜Ｃから
約４８０゜Ｃであり、更に好ましくは、約４４５゜Ｃか
ら約４７０゜Ｃである。金属被覆されたセラミック・ポ
リイミド基板は、一般にポリイミドの層が２つのセラミ
ック基板上の金属被覆層の間にサンドイッチにされてい
るものを意味する。４３０゜Ｃより下の温度が使われて
もかまわないが、ワークピースを炉の中により長い時間
置く必要があるので、これは一般に経済的でない。従っ
て、ここで使われる「熱い」水素環境は、３００゜Ｃよ
り高い水素環境を意味する。
【０００９】フォトレジストを取り除くのに必要な水素
環境への露出時間の長さは、フォトレジスト、その厚
さ、基板、炉、水素流量および温度によって異なる。ポ
リイソプレンのようなフォトレジストに対しては、４４
５゜Ｃ以上の温度において約１分ないし約４分の露出時
間が一般に適当である。４分以上の時間をかけてもかま
わないが、それは一般に経済的でない。より高い温度
で、１分未満の時間でもかまわないが、基板が金属被覆
されたセラミックであるならば、金属の酸化が起こり、
終了温度はおよそ１００゜Ｃを越える。同様に、基板が
露出した金属を含む場合、炉の内側の酸素含有量は、約
１０ｐｐｍを越えるべきでない。 例１：ロンドンケミカル・カンパニ（London Chemical
Company, Bensenville,Illinois）からＫＴＦＲの名称
で市販されている従来の環状ポリイソプレン・フォトレ
ジストが、金属被覆されたセラミックの基板上へ吹きつ
けられた。基板上の金属被覆は、クロムの層、銅の層お
よびクロムの別の層を有する。マスクを用いて、フォト
レジストは露光され、キシレンおよびｎーブチルアセテ
ートを使って現像された。過マンガン酸カリウム、塩化
第二鉄そして、過マンガン酸カリウム、そして次に、蓚
酸でクロムー銅ークロムをエッチングすることで、基板
は回路化された。
環境への露出時間の長さは、フォトレジスト、その厚
さ、基板、炉、水素流量および温度によって異なる。ポ
リイソプレンのようなフォトレジストに対しては、４４
５゜Ｃ以上の温度において約１分ないし約４分の露出時
間が一般に適当である。４分以上の時間をかけてもかま
わないが、それは一般に経済的でない。より高い温度
で、１分未満の時間でもかまわないが、基板が金属被覆
されたセラミックであるならば、金属の酸化が起こり、
終了温度はおよそ１００゜Ｃを越える。同様に、基板が
露出した金属を含む場合、炉の内側の酸素含有量は、約
１０ｐｐｍを越えるべきでない。 例１：ロンドンケミカル・カンパニ（London Chemical
Company, Bensenville,Illinois）からＫＴＦＲの名称
で市販されている従来の環状ポリイソプレン・フォトレ
ジストが、金属被覆されたセラミックの基板上へ吹きつ
けられた。基板上の金属被覆は、クロムの層、銅の層お
よびクロムの別の層を有する。マスクを用いて、フォト
レジストは露光され、キシレンおよびｎーブチルアセテ
ートを使って現像された。過マンガン酸カリウム、塩化
第二鉄そして、過マンガン酸カリウム、そして次に、蓚
酸でクロムー銅ークロムをエッチングすることで、基板
は回路化された。
【００１０】基板は、リンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒ
ｇ）のコンベヤー水素炉タイプ８３０ＡＣＢ９Ｄ２Ｅ９
を利用して、熱水素環境に露出された。コンベヤー速度
は、４７５ｍｍ（１８．７インチ）／分であった。酸素
レベルは約０．４ｐｐｍであり、水素流量は約９４．４
ＬＰＭ(liter per minute)（２００ＳＣＦＨ(StandardC
ubic feet per hour)）であった。時間温度特性を、図
１に示す。ピーク温度は、４５２゜Ｃ（４５０゜Ｃ−４
７０゜Ｃ）、終了温度が１００゜Ｃ未満であった。 例２：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ１００の名称でオリン・ハ
ント社 （Olin Hunt Co.）から市販されている従来の環
状ポリイソプレン・フォトレジストが、金属被覆された
セラミックの基板上へ吹きつけられた。基板上の金属被
覆は、クロムの層、銅の層およびクロムの層であった。
マスクを用いて、フォトレジストは露光され、そして次
に、キシレンおよびｎブチルアセテートを使って現像さ
れた。それから、基板上の金属被覆は、例１のようにエ
ッチングされ、回路パターンを形成した。
ｇ）のコンベヤー水素炉タイプ８３０ＡＣＢ９Ｄ２Ｅ９
を利用して、熱水素環境に露出された。コンベヤー速度
は、４７５ｍｍ（１８．７インチ）／分であった。酸素
レベルは約０．４ｐｐｍであり、水素流量は約９４．４
ＬＰＭ(liter per minute)（２００ＳＣＦＨ(StandardC
ubic feet per hour)）であった。時間温度特性を、図
１に示す。ピーク温度は、４５２゜Ｃ（４５０゜Ｃ−４
７０゜Ｃ）、終了温度が１００゜Ｃ未満であった。 例２：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ１００の名称でオリン・ハ
ント社 （Olin Hunt Co.）から市販されている従来の環
状ポリイソプレン・フォトレジストが、金属被覆された
セラミックの基板上へ吹きつけられた。基板上の金属被
覆は、クロムの層、銅の層およびクロムの層であった。
マスクを用いて、フォトレジストは露光され、そして次
に、キシレンおよびｎブチルアセテートを使って現像さ
れた。それから、基板上の金属被覆は、例１のようにエ
ッチングされ、回路パターンを形成した。
【００１１】基板は、リンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒ
ｇ）のコンベヤー水素炉タイプ４７‐ＭＴ‐６４８２-
２０ＡＭＣ‐３６中で、熱水素環境に露出された。コン
ベヤー速度は、２９２ｍｍ（１１．５インチ）／分であ
った。酸素レベルは、約０．４ｐｐｍ、湿度レベルは１
２ｐｐｍ、および水素流量は約９４．４ＬＰＭ（２００
ＳＣＦＨ）であった。
ｇ）のコンベヤー水素炉タイプ４７‐ＭＴ‐６４８２-
２０ＡＭＣ‐３６中で、熱水素環境に露出された。コン
ベヤー速度は、２９２ｍｍ（１１．５インチ）／分であ
った。酸素レベルは、約０．４ｐｐｍ、湿度レベルは１
２ｐｐｍ、および水素流量は約９４．４ＬＰＭ（２００
ＳＣＦＨ）であった。
【００１２】基板は、それから再びＷａｙｃｏａｔ Ｓ
Ｃ‐１００をふきつけられ、異なったマスクを用いて、
フォトレジストは露光され、上で述べたように現像され
た。金属被覆は、過マンガン酸カリウムおよび蓚酸によ
ってエッチングされ、よって金属層上にはんだ付け可能
な銅のランドを露出させた。それからフォトレジスト
は、先に述べたのと同じ条件を用いて、基板から取り除
かれた。時間温度特性を、図２に示す。 例３：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ１００の名称でオリン・ハ
ント社から市販されている従来の環状ポリイソプレン・
フォトレジストが、金属被覆されたセラミック・ポリイ
ミド基板の上に吹きつけられた。基板上の金属被覆は、
クロムの層、銅の層、クロムの層、ポリイミドの層およ
びクロムの別の層、銅の別の層およびクロムの別の層で
あった。マスクを用いて、フォトレジストは露光され、
そしてメチルクロロホルム及びトリフルオロトリクロロ
エタンを使って現像された。基板上の金属被覆は、例１
同様にしてエッチングされた。基板は、リンドバーグの
コンベヤー水素炉タイプ８３ＯＡ６Ｂ９Ｄ２Ｅ９中で、
熱水素環境に露出された。コンベヤー速度は、５２３ｍ
ｍ（２０．６インチ）／分であった。酸素レベルは約が
１．０ｐｐｍ、水素レベルは、約１０３．８ＬＰＭ（２
２０ＳＣＦＨ）であった。時間温度特性を、図３に示
す。 例４：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ１００の名称でオリン・ハ
ント社から市販されている従来の環状ポリイソプレン・
フォトレジストが、金属被覆されたセラミック・ポリイ
ミド基板上へ吹きつけられた。マスクを用いて、フォト
レジストは露光され、それからメチルクロロホルム及び
トリフルオロトリクロロエタンを使って現像された。基
板上の金属被覆は、例１同様にしてエッチングされた。
基板は、コンベヤー水素炉タイプ４７‐ＭＴ‐６４８２
‐２０ＡＭＣ‐３６中で、熱水素環境に露出された。コ
ンベヤー速度は、２９２ｍｍ（１１．５インチ）／分、
酸素レベルは、約３．１ｐｐｍ、水素流量は、約９９．
１ＬＰＭ（２１０ＳＣＦＨ）であった。時間温度特性を
図４に示す。 例５：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ‐１００の名称でオリン・
ハント社から市販されている従来の環状ポリイソプレン
・フォトレジストが、金属被覆されたセラミックの基板
上へ吹きつけられた。マスクを用いて、フォトレジスト
は露光され、そしてメチルクロロホルム及びトリフルオ
ロトリクロロエタンを使って現像された。基板上の金属
被覆は、例１同様にしてエッチングされた。
Ｃ‐１００をふきつけられ、異なったマスクを用いて、
フォトレジストは露光され、上で述べたように現像され
た。金属被覆は、過マンガン酸カリウムおよび蓚酸によ
ってエッチングされ、よって金属層上にはんだ付け可能
な銅のランドを露出させた。それからフォトレジスト
は、先に述べたのと同じ条件を用いて、基板から取り除
かれた。時間温度特性を、図２に示す。 例３：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ１００の名称でオリン・ハ
ント社から市販されている従来の環状ポリイソプレン・
フォトレジストが、金属被覆されたセラミック・ポリイ
ミド基板の上に吹きつけられた。基板上の金属被覆は、
クロムの層、銅の層、クロムの層、ポリイミドの層およ
びクロムの別の層、銅の別の層およびクロムの別の層で
あった。マスクを用いて、フォトレジストは露光され、
そしてメチルクロロホルム及びトリフルオロトリクロロ
エタンを使って現像された。基板上の金属被覆は、例１
同様にしてエッチングされた。基板は、リンドバーグの
コンベヤー水素炉タイプ８３ＯＡ６Ｂ９Ｄ２Ｅ９中で、
熱水素環境に露出された。コンベヤー速度は、５２３ｍ
ｍ（２０．６インチ）／分であった。酸素レベルは約が
１．０ｐｐｍ、水素レベルは、約１０３．８ＬＰＭ（２
２０ＳＣＦＨ）であった。時間温度特性を、図３に示
す。 例４：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ１００の名称でオリン・ハ
ント社から市販されている従来の環状ポリイソプレン・
フォトレジストが、金属被覆されたセラミック・ポリイ
ミド基板上へ吹きつけられた。マスクを用いて、フォト
レジストは露光され、それからメチルクロロホルム及び
トリフルオロトリクロロエタンを使って現像された。基
板上の金属被覆は、例１同様にしてエッチングされた。
基板は、コンベヤー水素炉タイプ４７‐ＭＴ‐６４８２
‐２０ＡＭＣ‐３６中で、熱水素環境に露出された。コ
ンベヤー速度は、２９２ｍｍ（１１．５インチ）／分、
酸素レベルは、約３．１ｐｐｍ、水素流量は、約９９．
１ＬＰＭ（２１０ＳＣＦＨ）であった。時間温度特性を
図４に示す。 例５：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ‐１００の名称でオリン・
ハント社から市販されている従来の環状ポリイソプレン
・フォトレジストが、金属被覆されたセラミックの基板
上へ吹きつけられた。マスクを用いて、フォトレジスト
は露光され、そしてメチルクロロホルム及びトリフルオ
ロトリクロロエタンを使って現像された。基板上の金属
被覆は、例１同様にしてエッチングされた。
【００１３】基板は、コンベヤー水素炉タイプＢＴＵ
ＦＢＥ‐３中で、熱水素環境に露出された。コンベヤー
速度は、２５４ｍｍ（１０．０インチ）／分であった。
酸素レベルは約１．０ｐｐｍ、水素レベルは、約１２０
ＬＰＭであった。時間温度特性を図５に示す。 例６：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ‐１００の名称でオリン・
ハント社から市販されている従来の環状ポリイソプレン
・フォトレジストが、金属被覆されたセラミックの基板
上へ吹きつけられた。マスクを用いて、フォトレジスト
は露光され、そしてキシレンおよびｎ-ブチルアセテー
トを使って現像された。基板上の金属被覆は、例１同様
にしてエッチングされた。
ＦＢＥ‐３中で、熱水素環境に露出された。コンベヤー
速度は、２５４ｍｍ（１０．０インチ）／分であった。
酸素レベルは約１．０ｐｐｍ、水素レベルは、約１２０
ＬＰＭであった。時間温度特性を図５に示す。 例６：ＷａｙＣｏａｔ ＳＣ‐１００の名称でオリン・
ハント社から市販されている従来の環状ポリイソプレン
・フォトレジストが、金属被覆されたセラミックの基板
上へ吹きつけられた。マスクを用いて、フォトレジスト
は露光され、そしてキシレンおよびｎ-ブチルアセテー
トを使って現像された。基板上の金属被覆は、例１同様
にしてエッチングされた。
【００１４】基板は、コンベヤー水素炉タイプ４７‐Ｍ
Ｔ‐６４８２-２０ＡＭＣ‐３６中で、熱水素環境に露
出された。コンベヤー速度は、２３ｍｍ（０．９イン
チ）／分であった。酸素レベルは、約３．１ｐｐｍ、水
素レベルは、約９９．１ＬＰＭ（２１０ＳＣＦＨ）であ
った。時間温度特性を図６に示す。 例７：ＫＴＦＲの名称でロンドンケミカル・カンパニ
（Bensenville, Illinois,）から市販されている従来の
環状ポリイソプレン・フォトレジストが、金属被覆がク
ロムの層、銅の層から成る金属被覆されたセラミックの
基板上へ吹きつけられた。第２のクロム層は、他の例と
違ってこの場合はない。マスクを用いて、フォトレジス
トは露光され、そしてメチルクロロホルム及びトリフル
オロトリクロロエタンを使って現像された。過マンガン
酸カリウムにおける第１エッチングは実行されなかった
ことを除いて例１同様にして、基板上の金属被覆はエッ
チングされた。
Ｔ‐６４８２-２０ＡＭＣ‐３６中で、熱水素環境に露
出された。コンベヤー速度は、２３ｍｍ（０．９イン
チ）／分であった。酸素レベルは、約３．１ｐｐｍ、水
素レベルは、約９９．１ＬＰＭ（２１０ＳＣＦＨ）であ
った。時間温度特性を図６に示す。 例７：ＫＴＦＲの名称でロンドンケミカル・カンパニ
（Bensenville, Illinois,）から市販されている従来の
環状ポリイソプレン・フォトレジストが、金属被覆がク
ロムの層、銅の層から成る金属被覆されたセラミックの
基板上へ吹きつけられた。第２のクロム層は、他の例と
違ってこの場合はない。マスクを用いて、フォトレジス
トは露光され、そしてメチルクロロホルム及びトリフル
オロトリクロロエタンを使って現像された。過マンガン
酸カリウムにおける第１エッチングは実行されなかった
ことを除いて例１同様にして、基板上の金属被覆はエッ
チングされた。
【００１５】基板は、コンベヤー水素炉タイプ４７‐Ｍ
Ｔ‐６４８２-２０ＡＭＣ‐３６中で、熱水素環境に露
出された。コンベヤー速度は、２９２ｍｍ（１１．５イ
ンチ）／分であった。酸素レベルは、約３．１ｐｐｍ、
水素レベルは、約９９．１ＬＰＭ（２１０ＳＣＦＨ）で
あった。時間温度特性を、図２に示す。 評価：上述の例の基板を炉に通した後に、それらは走査
電子顕微鏡によって評価された。フォトレジストは、実
質的に基板から完全に除去された。マイクロプローブ
は、有機物質の痕跡を見いださなかった。また、紫外線
に露光されたとき、フォトレジストは螢光を発するの
で、ワークピースは紫外線の下で観察された。フォトレ
ジストは、検出されなかった。
Ｔ‐６４８２-２０ＡＭＣ‐３６中で、熱水素環境に露
出された。コンベヤー速度は、２９２ｍｍ（１１．５イ
ンチ）／分であった。酸素レベルは、約３．１ｐｐｍ、
水素レベルは、約９９．１ＬＰＭ（２１０ＳＣＦＨ）で
あった。時間温度特性を、図２に示す。 評価：上述の例の基板を炉に通した後に、それらは走査
電子顕微鏡によって評価された。フォトレジストは、実
質的に基板から完全に除去された。マイクロプローブ
は、有機物質の痕跡を見いださなかった。また、紫外線
に露光されたとき、フォトレジストは螢光を発するの
で、ワークピースは紫外線の下で観察された。フォトレ
ジストは、検出されなかった。
【００１６】フォトレジストを取り除く方法を記述した
が、この方法は、一般に有機物被覆、特にポリイソプレ
ン・コーティングを取り除くのにも使うことができる。
本発明の特定の実施例を示して、説明したが、本発明は
特許請求の範囲において定義された本発明の範囲からそ
れることなく、種々に応用及び修正ができるものであ
る。
が、この方法は、一般に有機物被覆、特にポリイソプレ
ン・コーティングを取り除くのにも使うことができる。
本発明の特定の実施例を示して、説明したが、本発明は
特許請求の範囲において定義された本発明の範囲からそ
れることなく、種々に応用及び修正ができるものであ
る。
【００１７】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１） ａ． フォトレジストで被覆された基板を用意
し、ｂ． 上記基板を熱水素環境に十分な時間露出させ
てフォトレジストを除去する、ステップを含むフォトレ
ジストの除去方法。 （２） 上記フォトレジストが、ポリイソプレンである
上記（１）に記載のフォトレジストの除去方法。 （３） 上記フォトレジストが、環状ポリイソプレンで
ある上記（２）に記載のフォトレジストの除去方法。 （４） 上記フォトレジストが、約６０，０００の平均
分子量を有する上記（３）に記載のフォトレジストの除
去方法。 （５） 上記基板が金属被覆されたセラミックの基板で
ある上記（１）に記載のフォトレジストの除去方法。 （６） 上記基板上の金属被覆が、クロムを含む上記
（５）に記載のフォトレジトの除去方法。 （７） 上記基板上の金属被覆が、銅を含む上記（５）
に記載のフォトレジストの除去方法。 （８） 上記基板が、金属被覆されたセラミック・ポリ
イミド基板である上記（１）に記載のフォトレジストの
除去方法。 （９） 上記基板上の金属被覆が、クロムを含む上記
（８）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１０） 上記基板上の金属被覆が、銅を含む上記
（８）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１１） 水素環境が、水素炉によって提供される上記
（１）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１２） 上記フォトレジストが、約６０，０００の平
均分子量を有する環状ポリイソプレンであり、上記基板
が、金属被覆されたセラミック基板である上記（１）に
記載のフォトレジストの除去方法。 （１３） 上記基板の金属被覆が、クロムを含む上記
（１２）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１４） 上記基板上の金属被覆が、銅を含む上記（１
２）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１５） 上記フォトレジストが、約６０、０００の平
均分子量を有する環状ポリイソプレンであり、上記基板
が、金属被覆されたセラミック・ポリイミド基板である
上記（１）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１６） 上記金属被覆が、クロムを含む上記（１５）
に記載のフォトレジストの除去方法。 （１７） 上記基板上の金属被覆が、銅を含む上記（１
５）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１８） ａ． 有機物被覆を施された基板を用意し、
ｂ． 上記基板を熱水素環境に露出させて有機物被覆を
除去する、ステップを含む有機物被覆を除去する方法。
の事項を開示する。 （１） ａ． フォトレジストで被覆された基板を用意
し、ｂ． 上記基板を熱水素環境に十分な時間露出させ
てフォトレジストを除去する、ステップを含むフォトレ
ジストの除去方法。 （２） 上記フォトレジストが、ポリイソプレンである
上記（１）に記載のフォトレジストの除去方法。 （３） 上記フォトレジストが、環状ポリイソプレンで
ある上記（２）に記載のフォトレジストの除去方法。 （４） 上記フォトレジストが、約６０，０００の平均
分子量を有する上記（３）に記載のフォトレジストの除
去方法。 （５） 上記基板が金属被覆されたセラミックの基板で
ある上記（１）に記載のフォトレジストの除去方法。 （６） 上記基板上の金属被覆が、クロムを含む上記
（５）に記載のフォトレジトの除去方法。 （７） 上記基板上の金属被覆が、銅を含む上記（５）
に記載のフォトレジストの除去方法。 （８） 上記基板が、金属被覆されたセラミック・ポリ
イミド基板である上記（１）に記載のフォトレジストの
除去方法。 （９） 上記基板上の金属被覆が、クロムを含む上記
（８）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１０） 上記基板上の金属被覆が、銅を含む上記
（８）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１１） 水素環境が、水素炉によって提供される上記
（１）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１２） 上記フォトレジストが、約６０，０００の平
均分子量を有する環状ポリイソプレンであり、上記基板
が、金属被覆されたセラミック基板である上記（１）に
記載のフォトレジストの除去方法。 （１３） 上記基板の金属被覆が、クロムを含む上記
（１２）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１４） 上記基板上の金属被覆が、銅を含む上記（１
２）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１５） 上記フォトレジストが、約６０、０００の平
均分子量を有する環状ポリイソプレンであり、上記基板
が、金属被覆されたセラミック・ポリイミド基板である
上記（１）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１６） 上記金属被覆が、クロムを含む上記（１５）
に記載のフォトレジストの除去方法。 （１７） 上記基板上の金属被覆が、銅を含む上記（１
５）に記載のフォトレジストの除去方法。 （１８） ａ． 有機物被覆を施された基板を用意し、
ｂ． 上記基板を熱水素環境に露出させて有機物被覆を
除去する、ステップを含む有機物被覆を除去する方法。
【００１８】
【発明の効果】本発明により、有機フォトレジストを除
去する際に、有機溶剤を使用せず、水素環境コンベヤー
炉を利用して、完全にフォトレジストを除去する方法が
提供された。多量の有機溶剤を使用しないことで、その
処分コストを必要とせず、かつ、従来の方法より環境に
やさしい方法となった。
去する際に、有機溶剤を使用せず、水素環境コンベヤー
炉を利用して、完全にフォトレジストを除去する方法が
提供された。多量の有機溶剤を使用しないことで、その
処分コストを必要とせず、かつ、従来の方法より環境に
やさしい方法となった。
【図１】金属被覆されたセラミックの基板からポリイソ
プレン・フォトレジストを取り除くために使われたリン
ドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の８３ＯＡ６Ｂ９Ｄ２Ｅ
９水素炉の時間‐温度特性を示す図である。
プレン・フォトレジストを取り除くために使われたリン
ドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の８３ＯＡ６Ｂ９Ｄ２Ｅ
９水素炉の時間‐温度特性を示す図である。
【図２】金属被覆されたセラミック・ポリイミド基板か
らポリイソプレン・フォトレジストを取り除くために使
われたリンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の４７‐ＭＴ
６４８２‐２０ＡＭＣ‐３Ｃ水素炉の時間‐温度特性を
示す図である。
らポリイソプレン・フォトレジストを取り除くために使
われたリンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の４７‐ＭＴ
６４８２‐２０ＡＭＣ‐３Ｃ水素炉の時間‐温度特性を
示す図である。
【図３】金属被覆されたセラミック・ポリイミド基板か
らポリイソプレン・フォトレジストを取り除くために使
われたリンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の８３０Ａ６
Ｂ９Ｄ２Ｅ９水素炉の時間‐温度特性を示す図である。
らポリイソプレン・フォトレジストを取り除くために使
われたリンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の８３０Ａ６
Ｂ９Ｄ２Ｅ９水素炉の時間‐温度特性を示す図である。
【図４】金属被覆されたセラミック・ポリイミド基板か
らポリイソプレン・フォトレジストを取り除くために使
われたリンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の４７‐ＭＴ
６４８２‐２０ＡＭＣ‐３Ｃ水素炉の時間‐温度特性を
示す図である。
らポリイソプレン・フォトレジストを取り除くために使
われたリンドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の４７‐ＭＴ
６４８２‐２０ＡＭＣ‐３Ｃ水素炉の時間‐温度特性を
示す図である。
【図５】金属被覆されたセラミックの基板からポリイソ
プレン・フォトレジストを取り除くために使われたＢＴ
Ｕ ＦＢＥ３水素炉の時間‐温度特性を示す図である。
プレン・フォトレジストを取り除くために使われたＢＴ
Ｕ ＦＢＥ３水素炉の時間‐温度特性を示す図である。
【図６】金属被覆されたセラミックの基板からポリイソ
プレン・フォトレジストを取り除くために使われたリン
ドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の４７‐ＭＴ６４８２‐
２０ＡＭＣ‐３Ｃ水素炉の時間‐温度特性を示す図であ
る。
プレン・フォトレジストを取り除くために使われたリン
ドバーグ（Ｌｉｎｄｂｅｒｇ）の４７‐ＭＴ６４８２‐
２０ＡＭＣ‐３Ｃ水素炉の時間‐温度特性を示す図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェームス・リチャード・マレイ アメリカ合衆国13827ニューヨーク州オ ウゴ、ストロング・ロード 92 (72)発明者 デービッド・ウィリアム・シッセンステ イン、ジュニア アメリカ合衆国13760ニューヨーク州エ ンドウェル、アルフレッド・ドライブ 519 (56)参考文献 特開 昭63−273321（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−160229（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−225427（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−302821（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−90153（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−49425（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−140368（ＪＰ，Ａ) 米国特許4340456（ＵＳ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 フォトレジストで被覆された基板を用意
するステップと、 基板を熱水素環境に十分な時間露出させてフォトレジス
トを除去するステップと、 を含むフォトレジストの除去方法。 - 【請求項２】 上記フォトレジストを除去するステップ
が、基板を３００℃以上の水素ガス雰囲気中に露出させ
ることを含む請求項１に記載のフォトレジストの除去方
法。 - 【請求項３】 水素環境が、熱水素炉によって提供され
ることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストの
除去方法。 - 【請求項４】 上記フォトレジストが、ポリイソプレン
である請求項１に記載のフォトレジストの除去方法。 - 【請求項５】 上記フォトレジストが、環状ポリイソプ
レンである請求項４に記載のフォトレジストの除去方
法。 - 【請求項６】 上記基板が金属被覆されたセラミック基
板、または金属被覆されたセラミック・ポリイミド基板
である請求項１に記載のフォトレジストの除去方法。 - 【請求項７】 上記金属被覆がクロム、または銅を含む
ことを特徴とする請求項６に記載のフォトレジトの除去
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17251193A | 1993-12-22 | 1993-12-22 | |
| US172511 | 1993-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07199485A JPH07199485A (ja) | 1995-08-04 |
| JP2731730B2 true JP2731730B2 (ja) | 1998-03-25 |
Family
ID=22628014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6236131A Expired - Lifetime JP2731730B2 (ja) | 1993-12-22 | 1994-09-30 | フォトレジストの除去方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5691117A (ja) |
| EP (1) | EP0660189A3 (ja) |
| JP (1) | JP2731730B2 (ja) |
| KR (1) | KR0149209B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900351A (en) * | 1995-01-17 | 1999-05-04 | International Business Machines Corporation | Method for stripping photoresist |
| US6379576B2 (en) | 1997-11-17 | 2002-04-30 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers |
| US6180534B1 (en) * | 1997-12-18 | 2001-01-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Borderless vias without degradation of HSQ gap fill layers |
| US6103680A (en) * | 1998-12-31 | 2000-08-15 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition and method for removing photoresist and/or plasma etching residues |
| US20050022839A1 (en) * | 1999-10-20 | 2005-02-03 | Savas Stephen E. | Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing |
| US6805139B1 (en) | 1999-10-20 | 2004-10-19 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing |
| EP1501916B1 (en) * | 2002-04-25 | 2009-06-17 | FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. | Non-corrosive cleaning compositions for removing etch residues |
| TWI235455B (en) * | 2003-05-21 | 2005-07-01 | Semiconductor Leading Edge Tec | Method for manufacturing semiconductor device |
| US20070186953A1 (en) * | 2004-07-12 | 2007-08-16 | Savas Stephen E | Systems and Methods for Photoresist Strip and Residue Treatment in Integrated Circuit Manufacturing |
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