KR0147690B1 - 복합 폴리에스테르필름 - Google Patents

복합 폴리에스테르필름

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KR0147690B1
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아키히코 나가하마
도시아키 우에다
마사아키 오노
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마에다 가쓰노스케
도오레 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명의 복합 폴리에스테르필름은 주층과 부층으로 구성되어 있고 부층을 구서하는 폴리에스테르의 용융비저항이 5×108Ω.cm 미만이고, 또한 주층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항보다도 낮을 뿐만 아니라 부층의 두께가 복합필름 전체두께의 1/200∼4/10이다.
본 발명의 복합 폴리에스테르필름은 정전인가캐스트성 및 일안정성에 우수한 효과를 나타낸다.

Description

[발명의 명칭]
복합 폴리에스텔필름
[기술분야]
본 발명은 복합 폴리에스테르필름에 관한다.
더욱 상세하게는 정전인가캐스트성(靜電印加cast性) 및 일안정성이 우수한 폴리에스테르필름에 관한다.
[배경기술]
폴리에틸렌 텔레프탈레이트 등의 폴리에스테르는 역학특성, 내열성, 내후성(耐候性)내 전기절연성에서 뛰어나고 있다.
따라서, 폴리에스테르는 필름, 그밖의 성형품으로 널리 사용되고 있다.
폴리에스테르필름은 좋은 제막(製膜)생산성, 균일한 두께, 뛰어난 투명성을 갖는 것이 요구되고 있다.
통상, 폴리에스테르필름은 용융압출한 시트형상의 폴리에스테르를 회전냉각드럼 등으로 급냉하여서 제조한다.
그러나 시트형상 폴리에스테르는 냉각드럼 표면에 밀착이 잘 되지 않으므로 균일한 필름을 얻기가 어렵다.
예전부터 시트형상 폴리에스테르의 밀착성 향상을 위하여 여러방법이 제안되고 있었다.
예컨데, 압출구금(口金)과 냉각체표면과의 사이에 전극을 설치하여, 미처 굳지않은 시트형상물에 고전압을 인가하여, 시트형상물을 냉각체 표면에 밀착시키는 방법(이하, 정전인가캐스트법이라고 함.)이 제안되어 있었다.(특공소 37-6142호 공보 등).
그러나 이 정전인가캐스트법일지라도 제막속도를 높이면, 시트형상물과 냉각체 표면과의 밀착성이 떨어지는 문제가 있었다.
이 문제를 해결하기 위하여, 폴리에스테르에 금속화합물을 첨가하여, 폴리에스테르의 비저항을 떨어뜨리는 방법이 제안되었다.(특개소 53-34894호 공보, 특개소 57-190040호 공보 등).
그러나 이와같이 금속화합물을 함유시킨 필름은, 두께는 균일하지만 일안정성이 떨어진다.
이 일안정성의 저하에 의해 겔(gel)상태의 이물질이나 금속화학물로 인한 거칠고 굵은 입자가 생성한다.
이 거칠고 굵은 입자의 존재로 인해 인신 후의 필름표면에 피시아이(fisheye)가 증가한다고 하는 문제가 발생하였다.
또 콘덴서용 재료로 사용하는 때에는 이 굵고 거친 입자로 인해 절인파괴 전압이 떨어지는 문제점도 있었다.
한편 필름에 이활(易滑)성을 부여하기 위하여 폴리에스테르에 불활성 무기입자를 함유시키는 방법이 여러차례 제안되고 있다.
이들 방법으로는 정전인가캐스트성이 만족치 않을 뿐 아니라, 필름표면돌기의 균일성이 만족하지 못했다. (특개소는 59-171623호 공보 등).
본 발명자들은, 폴리에스테르필름의 정전인가캐스트성은 회전냉각체와 접하는 용융 폴리에스테르시트의 표면근방에 존재하는 금속량이 지배적인 것을 발견하고, 예의 검토한 결과, 상기 문제점을 단번에 해결하는 본 발명에 도달하였다.
본 발명의 목적은 우수한 정전인가캐스트성 및 일안정성을 동시에 만족하는, 주층과 부층으로 구성된, 복합 폴리에스테르필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 두께의 균일성, 투명성이 우수할 뿐 아니라, 겔형상 이물질의 생성으로 인한 피시아이가 적은, 복합 폴리에스테르필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 부층을 구성하는 폴리에스테르에 불활성입자를 특정량 보유하여, 평탄성에서 우수하며, 적당한 이활성이 있는, 복합 폴리에스테르필름을 제공하는 것에 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 부층을 구성하는 폴리에스테르에 불활성입자를 다량으로 함유시켰을 경우, 필름 표면에 균일한 돌기를 많이 보유하고, 그 결과 이활성과 전자변환특성의 뛰어난 복합 폴리에스테르필름을 제공함에 있다.
[발명의 개시]
본 발명의 목적은, 다음의구성에의해 달성된다.
주층과 부층으로 구성되어 있는 복합필름에 있어서, 부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항이 5 108Ω.cm미만이고, 또한 부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항이 주층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항보다도 낮고, 그 위에 부층의 두께가 복합필름 전체 두께의 1/200∼4/10인 것을 특징으로 하는 복합 폴리에스테르필름.
본 발명의 복합필름을 구성하는 폴리에스테르로는, 예컨데 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리에틸렌 -2, 6-나프탈레이트, 폴리에틸렌-1,2-비스(2-클로르 페녹시) 에탄-4, 4'-디카르복시레이트 등의 호모폴리머, 에틸렌 텔레프탈레이트를 주로 반복단위로 하는 코폴리에스테르, 에틸렌-2, 6-나프탈레이트를 주로 반복단위로 하는 코폴리에스테르 등을 예로 들 수 있다. 코폴리에스테르는 공중합성분인 다른 디카르본산성분 및 글리콜성분의 양이 20몰 %이하이면 바람직하다.
이 코폴리에스테르의 공중합성분으로는, 다음과 같은 산성분과 디올성분으로 구성된다.
산 성분으로는 이소프탈산 등의 방향족 디카르본산, 아디핀 등의 지방족 디카르본산, 옥시안식향산 등의 옥시카르본산 등이다.
디올성분으로는 에틸렌글리콜 외에 프로필렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 네오펜칠글리콜, 1,4-시클로핵산디메타놀 등을 예기할 수 있다.
본 발명의 복합 폴리에스테르필름을 구성하는 주층과 부층은 동일한 폴리에스테르로 구성되어도 좋고, 다른 폴리에스테르로 구성되어도 좋다.
또 어느 폴리에스테르가 주층이라도 좋다.
본 발명에 있어서의 폴리에스테르의 용융비저항이란 다음과 같이하여 측정한 값이다.
즉, 제1도에 표시하는 용융비저항 측정장치를 사용하여 측정한다.
한싸의 전국(6)을 삽입한 용기에 피측정물질인 폴리에스테르(5)를 넣는다.
이 용기를 가열체(4)안에 담근다.
폴리에스테르(5)를 N2가스 분위기에서 280℃로 용융 저류하여 직류고전압 발생장치로부터 전압을 인가한다.
이때의 전류계(2) 및 전압계(3)의 지시값 및 전극면적 전극간 거리에 의해 다음식에 따라 용융비저항을 구한다.
ρ:용융비저항(Ω·cm)
V:인가전압(V)
S:전극의 면적(cm2)
I:측정전류
D:전극간 거리
본 발명의 복합 폴리에스테르필름의 부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항은 5×108Ω.cm 미만, 바람직하게는 3×108Ω.cm미만, 특히 바람직하게는 1×108Ω.cm미만이다.
부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항이 5×108Ω.cm이상이라면 정전인가캐스트성이 저하하여 필름표면에파동(이하 인가얼룩이라고 함.)이 발생하기 쉬워져서, 결과적으로 제막생산성이 떨어진다.
또 부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항이, 1×107Ω.cm이면,일안정성의 점에서 바람직하다.
이 부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항은, 0.5×108∼2.0×108Ω.cm이면 자기기록(磁氣記錄)매체용 특히증착용 또는 메탈(metal)용 베이스필름(이하 베이스필름A라고 약칭한다.)으로 가장 적합하다.
또,0.1×108∼1.0×108Ω.cm이면 자기기록매체용 또는 콘덴서용 베이스필름(이하 베이스필름 B라고 약칭한다.)으로 적합하다.
또한 주층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항은 구성하는 폴리에스테르보다도 높으면 좋지만, 바람직하기는 5×108Ω.cm이상, 특히 바람직하기로는 1×109Ω .cm이면, 복합필름의 일안정성이 개량되어 피시아이가 적기 때문에, 가장 적당하다.
베이스필름(B)에는 5.0×109Ω.cm미만이 가장 적당하다.
폴리에스테르의 용융저항은 폴리에스테르의 제조단계에서 첨가되는 금속화합물의 종류, 존재상태, 및 양에 따라 지배된다.
일반적으로는, 인화합물 등에 의해 불활성화 되어있지 않는 용융상태의 금속량이 많을수록, 또 금속화합물이 폴리에스테르 중에 입자로서 석출(析出)하지 않을수록 용융비저항이 낮아지는 경향이 있다.
다음에 용융비저항과 금속의 관계를 에스테르교환반응에 의해 얻어지는 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET)의 경우를 예로하여 설명한다.
에스테르 교환반응은 통상, 알칼리 금속화합물, 알칼리토류 금속화합물, 아인화합물, 및 망간화합물 등을 반응촉대로 사용하고, 또 실질적으로 반응이 종료한 단계에서 인화합물을 첨가한다.
여기에서 반응촉대로 사용된 금속화합물은 인화합물에 의해 일부가 불활성화 된다.
이렇게하여 얻어진 반응물은, 다시 안티몬화합물, 티탄화합물, 게르마늄화합물 등의 중축합반응촉매가 있는 상태에서 중축합반응시켜 PET를 얻는다.
통상 이와같은 과정을 거쳐서 PET를 제조하지만, 용융비저항에 영향을 주는 것을 주로 알칼리금속화합물, 알칼리토류금속화합물, 아연화합물, 망간화합물 및 인화합물이다.
이들 금속화합물이나 인화합물은 폴리에스테르에 불용성인 입자의 생성이나, 일안정성의 저하를 유발하기 쉽다.
용융비저항은 폴리에스테르106g당 함유되는 알칼리토류 금속화합물, 아연화합물, 및 망간화합물의 몰수M, 알칼리 금속화합물의 몰수A, 및 인화합물의 몰수P로 한 경우에 다음 식의 값과 관련이 있다.
위 식에서 표시되는 수치가 높을수록 용융비저항이 낮은 폴리에스테르를 얻을수가 있다.
바꾸어 말하면, 위 식에서 표시되는 수치가 높을수록 정전인가 캐스트성이 개량된 폴리에스테르로 된다.
즉 부층을 구성하는 폴리에스테르는 바람직하게는
특히 바람직하게는
를 만족하면 정전인가캐스트성과 일안정성이 양호하게 된다.
본 발명에서 폴리에스테르의 용융비저항을 제어하는 금속화합물로서는 폴리에스테르의 제조단계에서 첨가되는 알칼리토류금속, 아연, 망간, 알칼리 금속화합물의 지방족 칼본산염, 할로겐화물 및 메틸레이트, 에틸레이트, 에틸렌글리콜레이트 알콜레이트 등의 글리콜가용성의 금속화합물을 들 수가 있다.
구체적으로는 초산망간, 초산마그네슘, 초산칼슘, 초산아연, 초산리듐, 초산칼륨, 초산나트륨, 프로피온산마그네슘, 프로피온산망간, 프로피온산칼륨, 프로피온산칼슘, 프로피온산아연, 염화마그네슘, 염화리륨, 취화망간, 수산화마그네슘, 수산화망간, 수산화칼슘, 수산화아연, 수산화리듐, 마그네슘글리콜레이트, 칼슘글리콜레이트, 리튬메틸레이트, 부틸칼륨, 등을 들 수가 있다.
또 이들의 2종 이상을 병용하여도 좋다.
특히 마그네슘화합물, 망간화합물, 및 알칼리금속화합물이 입자의 석출이나 일안정성의 저하를 억제하기 때문에 좋다.
이들 금속화학물은 에스테르 교환반응법의 경우, 촉매량을 에스테르 교환반응 전에 첨가하고, 에스테르 교환반응 후에 재차 첨가할 수도 있다.
에스테르화 반응법의 경우에 에스테르화 반응율이 90%이상, 바람직하게는 95%이상에 달한 후에 첨가하는 것이 좋다.
또 인화합물로는, 인산, 아인산, 및 그들의 에스테르로부터 선정된 적어도 1종류를 사용할 수가 있다.
구체적으로는 인산, 모노메틸 포스페이트, 디메틸포스페이트, 트리메틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 아인산, 아인산트리메틸, 아인산트리부틸 등을 들 수가 있다.
본 발명의 복합 폴리에스테르 필름의 부층을 구성하는 폴리에스테르 필름의 용융비저항은, 주층을 구성하는 폴리에스테르 필름의 용융비저항보다도 낮은 것이 필요하다.
반대의 경우, 정전인가캐스트성이 뒤떨어지기 때문에, 제막생산성이 저하하거나, 혹은 제막생산성을 향상시키면 인가얼룩이 발생하기쉬워지고, 두께가 불균일해지며 평탄성이 떨어지고, 투명성도 떨어지기 때문에 바람직하지 않다.
또 부층을 구성하는 폴리에스테르의 두께는, 복합필름 전체 두께의 1/200∼4/10일 필요가 있다.
부층의 두께가1/200미만인 경우, 정전인가캐스트성이 저하하고, 따라서 제막생산성의 저하나인가얼룩을 발생시킬 뿐 아니라, 균일하게 적층하는 일이 곤란하다.
한편, 부층의 두께가 4/10를 초과했을 경우에는 정전인가캐스트성은 개량되기는 하지만 열안정성이 저하하여, 겔형상물이 생성되기 쉽다.
베이스필름A의 경우, 바람직하게는 1/50∼3/10, 특히 바람직하게는 1/20∼1/10이다.
베이스필름(B)의 경우, 바람직하게는 1/200∼1/20, 특히 바람직하게는 1/200∼1/50이다.
본 발명의 복합필름의 두께는 특히 한정되지는 않지만 바람직하게는 0.5∼100㎛, 특히1∼80㎛이다.
본 발명의 복합필름을 구성하는, 부층은 주층의 한면만 적층되어 있어도, 양면에 적층되어 있어도 좋다.
복합필름을 캐스팅할 경우 캐스팅드럼의 드럼면과 복합필름의 부층이 맞당도록 하는 것이 바람직하다.
자기기록매체용으로는 부층이 한면이라도, 양면이라도 좋지만, 콘덴서용으로는 전기특성과의 관계로 부층는 한면인 편이 바람직하다.
본 발명의 복합폴리에스테르필름은, 부층을 구성하는 폴리에스테르에 불활성 입자를 함유시키면 이활성이 향상하므로 바람직하다.
이 불활성입자의 크기 및 함유량을 조정함으로서, 목적에 적합한 복합 폴리에스테르필름이 된다.
일반적으로는, 전자변환특성과 이활성이 상반되는 관계에 있기 때문에 용도에 따라서 불활성 자의 크기, 및 함유량을 조정하는 것이 좋다.
다음에 베이스필름A, 즉 자기기록 매체용 베이스필름, 특히 증착용 또는 메탈용 베이스필름에 적합한 복합 폴리에스테르 필름에 대하여 설명한다.
복합 폴리에스테르의 부층을 구성하는 폴리에스테르에, 바람직하게는 평균입자 지름 30mμ ∼2.0μ의 불활성입자를, 바람직하게는 0.001∼0.5중량%을 함유시키면 필름표면의 평탄성이 양호해지므로 바람직하다.
이 경우에 부층측 폴리에스테르의 두께는, 필름전체두께의 1/200∼4/10, 바람직하게는 1/50∼3/10, 보다 바람직하게는 1/20∼2/10이다.
또한 이경우에, 부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항은 5×108Ω.cm미만이지만, 0.5×108∼2.0×108Ω.cm이면 더욱 좋다.
주층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항은 부층을 구성하는 폴리에스테르보다도 높으면 좋고, 5×108∼2.0×108Ω.cm이면 더욱 좋다.
주층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항은 부층을 구성하는 폴리에스테르보다도 높으면 좋고, 5×108Ω.cm이상, 특히 10×108Ω,cm이상이면 열안정성이 개량되어 더욱 좋다.
부층에 함유시키는 불활성입자의 평균입자지름은 30mμ∼2.0μ이면 되지만, 더욱 50mμ∼1.0μ , 특히 50∼500mμ 이면 좋다.
불활성입자의 함유량은 바람직하게는 0.001∼0.5 중량%, 특히 바람직하게는 0.01∼0.2중량%이다.
이 경우의 복합 폴리에스테르 필름은 정전인가캐스트성이 우수하므로 제막생산성도 개량되고, 또 필름 두께의 균일성도 우수하다.
또, 이 경우의 복합폴리에스테르필름은 겔형상 이물질로 인한 피시아이의 생성을 억제할 수 있다.
다음에 베이스필름B, 즉 자기기록 대체용, 또는 콘덴서용 베이스필름에 적합한 복합 폴리에스테르필름에 대하여 설명한다.
복합 폴리에스테르의 부층을 구성하는 폴리에스테르에, 바람직하게로는 평균입자 지름 30mμ∼1.0μ, 특히 바람직하게는 100∼600mμ의 불활성입자를, 바람직하게는 1.0∼20중량%, 특히 바람직하게는 5∼15중량% 함유시키면, 이활성과 전자변환특성의 밸런스가 양호하다.
부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항은 5×108Ω.cm미만이지만, 바람직하게는 0.1×108∼1.0×108Ω.cm이다.
이 경우에 주층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항은, 부층을 구성하는 폴리에스테르보다도 높으면 좋지만, 5.0×109Ω.cm미만의 경우에 특히 효과가 나타난다.
이와 같이 용융비저항이 낮고, 미세한 입자를 고농도로 함유시킨 폴리에스테르를 부층으로하여 주층 폴리에스테르에 엷게 적층함으로서 균일한 높이의 돌기를 다수 생성되게 할 수가 있다.
그 결과 이활성, 전자변환특성이 개량된 필름을 생산성좋게 제조할 수 가 있다.
또한, 이와같이하여 얻어진 복합필름은 열안정성이 개량되어 있기 때문에, 겔형상 이물질의 생성을 억제할 수가 있다.
본 발명의 복합 폴리에스테르필름에 함유시킬 수 있는 불활성입자로는, 예컨데 TiO2, Al2O3, SiO2, ZnO, MgO, CaCO3, CaSO4, BaSO4, 테트라클로로에틸렌, 폴리스틸렌 등을 열거할 수있고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다.
불활성입자의 형상으로는 진구(眞求)에 가장 가까운 형상을 보유한 불활성입자가 필름 표면상태의 균일성을 유지하기 위하여 바람직하다.
이와같은 구(求)형상의 불활성입자로는, 콜로이드실리카로 대표되는 SiO2나 가교폴리스틸렌, 디비닐벤젠게 가교고분자 TiO2등이 특히 바람직하다.
본 발명에 있어서 이활성을 개량하기 위하여 주층을 구성하는 폴리에스테르에 불활성입자를 함유시켜도 좋지만, 불활성입자의 함유량이나 평균입자지름은 부층을 구성하는 폴리에스테르의 범위를 넘지않는 것이 바람직하다.
본 발명의 복합 폴리에스테르필름은, 예컨데 다음과 같은 방법으로 제조할 수가 있다.
용융비저항이 5×108Ω.cm미만의 폴리에스테르(a)와 그 폴리에스테르(a)보다 용융비저항이 높은 폴리에스테르(b)를, 그 폴리에스테르(a)로 구성되는 층의 두께가 전체 두께의 1/200∼4/10가 되도록 복합하여 용융압출한 복합미연신시트를, 회전냉각체에 정전기적으로 밀착시켜 급냉고화(急冷固化)시키는 방법, 또는 상기한 수학식(1)을 만족하는 양의 인화합물, 알칼리금속화합물 및 마그네슘화합물, 망간화합물, 아연화합물 및 칼슘화합물로부터 선정된 적어도 1종류의 금속화합물을 포함하는 폴리에스테르(i)와, 그 폴리에스테르(i)보다 [M+(A/2)-P]의 양이 적은 폴리에스테르(ii)를, 폴리에스테르(i)로 구성되는 층의 두께가 전체두께의 1/200∼4/10가 되도록 복합하여용융압출한 복합 미연신시트를, 회전냉각체에 정전기적으로 밀착시켜 급냉고화시키는 방법이다. 구체적으로는 주층이 되는 폴리에스테르 및 부층이 되는 폴리에스테르를 용융압출하여, 복합 미연신시트를 얻는다.
이 미연신시트를 회전냉각체로 급냉한다.
폴리에스테르시트와 회전냉각체와의 밀착성을 높이기 위해서 정전인가캐스트법을 사용한다.
이때, 부층쪽의 폴리에스테르를 회전냉각체에 접촉시키는 방법이 밀착성의 개량효과가 크다.
또, 이 방법에 의하면, 부층쪽 폴리에스테르에 함유시키는 금속 함유량을 억제할 수 있으므로, 전기특성, 필름표면의 평탄성, 및 필름의 열안정성 등의 면에서 보다 바람직하다.
[도면의 간단한 설명]
제1도는 폴리에스테르의 용융비저항을 측정하는 장치의 개략도이다.
[발명을 실시하기위한 최량의 형태]
이하 실시예를 들어서 본 발명을 상술한다.
실시예중의 부라는 것은 중량부이고, 또 각 특성의 측정법은 다음과 같다.
[극한점도]
O -클로로페놀을 용매로하여 25℃로 측정했다.
[인화점]
페네트로미터로 측정하여 sp(℃)값으로 표시했다.
(금속원소(M,A), 인원소(P), 및 무기입자의 정량) 공지의 방법으로 측정하였다.
즉, 금속원소 및 무기입자는 폴리에스테르를 습식회화(濕式灰化)한 후, 원자흡광법에 의해 각각의 금속량 및 무기입자를 정량했다. 인원소는 폴리에스테르를 산화분해하여 중화한 후 인-몰리브덴산 블루비색법으로 정량했다.
[적층필름의 두께]
미리,금속과 인의 함유량을 기존의 폴리에스테르의 함유량을 기준으로하여 만들고, 2차이온질량분석장치(SIMS)를 사용하여 금속원소 (M+), 인원소(P+), 및 탄소원소(C+)의 농도비 (M+/C+),(P+/C+)를 구한다.
이어서, 부층측 폴리에스테르표층에서 필름의깊이방향으로 농도비 (M+/C+), (P+/C+)를 구한다.
구해진 농도비에 의하여, 각각의 깊이의 금속원소나 인원소의 농도를 알 수가 있다.
측정깊이는 필름 전체 두께의 50%까지를 측정하였다.
이와같이 하여 측정한 농도비의 차 (M+/C+)-(P+/C+)는, 필름표층에서는 높은 값을 표시하지만, 주층으로접근함에 따라 급격히 저하하고, 그 후 일정한 값으로 안정화 한다.
이 2개의 변곡점을 직선으로 연결하고, 그 1/2의 값으로부터 부층측 표층까지의 거리를 적층두께로 하였다.
[열안정성]
폴리에스테르를 300℃로 N2가스분위기에서 용융하고, 용융개시후 8분 및 68분 시점의 극한점도를 측정하여 △IV로 표시하였다.
△IV가 작을수록 열안정성이 우수하다.
[폴리머중 불활성입자의 평균입자지름]
평균입자지름은, 입자의 전자현미경 사진에 의해 측정한 50체적%의 점에 해당하는 입자등가구직경에 의해 구했다.
등가구직경이란, 입자와 체적이 같은 구의 직경이다.
[정전인가캐스트성]
용융압출한 필름의 상부에 설치한 전극과 회전냉각체 사이에 6KV의 직류전압을 인가하여, 캐스트속도를 조금씩 상승시키고, 인가얼룩이 발생했을 때의 캐스트속도(m/min)를 판정하여 다음 기준에 따라서 판정하였다.
2급 이상을 합격으로 하였다.
[절연파괴전압]
교류내압시험기를 사용하여, JIS-C-2318에 준하여 측정하였다.
[필름의 피시아이]
2측원심필름을 100배의 편광현미경을 사용하여, 폴리머중의 이물질에 의한 높이 0.25 이상의 어목(魚目)형상으로 연신된 결점의 존재개소를 측정하여, 다음과 같이 순위를 정하였다.
1,2급을 합격으로 하였다.
[참고예 1(폴리머 1의 제조)]
에스테르화반응관에 250℃로 용융저류한, 텔레프탈산에 대한 에틸렌글리콜의 몰비가 1.15의 2-(B-히드록시에틸)텔레프탈레이트 및 그 저중합체에 텔레프탈산 86.5부, 에틸렌 글리콜 31.7부(몰비1.15)를 혼연(混練)하여 얻은 슬러리를, 3.5시간에 걸쳐서 연속적으로 공급하여, 250℃로 에스테르화반응을 행하여 생성되는 물을, 정재탑의 위로부터 유출시켰다.
슬러리공급이 종료된 후, 1.5시간 에스테르화반응를 계속하여 실질적으로 반응을 완결시켰다.
반응율은 98.3%이었다.
이어서, 얻어진 반응혼합물 104.8부(PET100부 상당)를 층측합반응관으로 옮긴 후, 트리메틸포스페이트 0.013부와 에틸렌글리콜 0.5부의 용액을 첨가하였다.
이어서, 이산화게르마늄 0.015부를 테트라에틸암모늄히드록사이드 0.015부에 용해에, 에틸렌글리콜 0.5부로 휘석한 용액을 첨가한 후, 통상적인 방법으로 3.0시간 중합반응을하여 극한점도 0.612의 폴리마 I을 얻었다.
폴리마I중의 인량은 25ppm(p=0.81mol/10 g),sp는 255.3℃이었다.
[참고예 2(폴리머 II의 제조)]
텔레프탈산디메틸 99.8부, 에틸렌글리콜 70부에 초산마그네슘0.04부(M=1.86mol/10 g),초산리튬 0.005부(A=0.5mol/10 g),삼산화안티몬0.02부를 첨가한후, 145∼230℃까지 3.5시간동안 서서히 온도를 올리고, 메타놀을 유출시켜,에스테르교환반응을 완결시켰다.
그반응생성물에 트리메틸포스페이트 0.010부와 에틸렌글리콜 0.5부의 용액을 첨가한 후 평균입자지름 180mμ의 가교폴리스티렌을 0.2부 첨가하였다.
이어서 중축합관으로 옮겨 통상적인 방법으로 3.0시간중축합반응을 행하여 폴리머 II를 얻었다.
얻어진 폴리머II의 극한정도는 0.608, 인의 함유량은 20ppm(p=0.65mol/10 g), sp는 260.8, 평균입자지름은 180mμ이었다.
[참고예 3(폴리머 III의제조)]
텔레프탈산디메틸 90부, 에틸렌글리콜 57부, 초산망간 0.056부(2.29mol/10 g)삼산화안티몬 0.02부를,첨가한 후 145∼235℃까지 3.5시간에 걸쳐서 서서히온도를 올리고, 메타놀을 유출시켜 에스테르교환반응을 완결시켰다.
그 반응생성물에 인산0.01부와 에틸렌글리콜 0.1부의 용액을 첨가하였다.
이어서 나트륨을 0.11중량부를 포함하는 평균입자지름 300mμ의 콜로이드실리카 10부와 에틸렌글리콜 100부로 이루어지는 슬러리를 30분에 걸쳐서 연속적으로 공급하여, 과잉 글리콜을 유출시켰다.
그 후, 중축합반응관에 그 반응물을 옮겨서 통상적인 방법으로 3.0시간 중축합하여 폴리머 III을 얻었다.
얻어진 폴리머 III의 국한점도는 0.591, 인의 함유량은 25ppm (p=0.81mol/1 0 g),sp는 262.0C, 평균입자지름은 10mμ이었다.
[참고예 4(폴리머 IV의 제조)]
텔레프탈산디메틸 99.8부, 에틸렌글리콜 70부에 초산마그네슘 0.1부, 초산리튬 0.1부(A=9.8mol/10 g),이산화게르마늄 0.015부와 테트타에틸암모늄히드록사이드 0.015부의 용액을 첨가한 후, 145∼235℃까지 3.5시간에 걸쳐서 서서히 온도를 올려 메타놀을 유출시켜에스테르교환반응을 완결시겼다.
그 반응생성물에 초산마그네슘 0.7부 (M합계=37.29mol/10 g)와 에틸렌글리콜 3.5부의 슬러리를 첨가하고, 10분후, 트리메틸포스페이트 0.25부와 에틸렌글리콜 3.5부의 용액을 첨가하고, 계속하여 평균입자지름 180mμ 의 콜로이드실리카를 0.2중량% 첨가한 후, 과잉에틸렌글리콜을 유출시켰다.
그 후, 중축합반응관으로 그 반응물을 옮겨 통상의 방법으로 3.0시간 중축합하여 폴리머IV의 국한점도는 0.603, 인의 함유량은 420ppm(p = 13.56 mol/10 g), SP는 256.5c, 평균입자지름 180mμ이었다.
[참고예 5(폴리머-V의 제조)]
참고예2에서, 첨가한 180mμ이 가교폴리스틸렌 대신에 500mμ의 콜로이드실리카를 5.2부 첨가한 외에는, 실시예2와 완전히 똑같이하여 폴리머 V를 얻었다.
[참고예6(폴리머VI의 제조)]
2.6-나프탈렌디카르본산디메틸 92부와 에틸렌글리콜 50부에 초산마그네슘 0.06부(M=2.8mol/10 g), 초산리튬0.01부 (A=0.98mol/10 g) 삼산화안티몬 0.01부를 촉대로 첨가하고, 170∼240℃까지 3.5시간에 걸쳐서 서서히 온도를 올려서 메타놀을 유출시켜 에스테르교환반응을 완결시겼다.
그 반응생성물에트리메틸포스페이트 0.015부와 에틸렌글리콜 0.5부의 용액을 첨가하였다.
이어서 알칼리금속을 함유하지 않는 평균입자지름 300mμ의 콜로이드실리카 8부와 에틸렌글리콜 80부로 이루어지는 슬러리를 30분에 걸쳐서 공급한 후, 과잉에틸렌글리콜을 유출시겼다.
그리고, 중축합관으로 옮겨서 통상의 방법으로 2.5시간 중축합하여 폴리머-VI를 얻었다.
얻어진 폴리머 VI의 극한점도는 0.597, 인의 함유량은 30ppm(p=0.97mol/10 g), SP는 273.5℃, 평균입자지름은 300mμ이었다.
참고예1∼6의 폴리머특성을 표3에 표시하였다.
[실시예1 ]
참고예1에서 얻은 폴리머 1을 160℃로 3시간 건조한 후 300℃로 용융하였다. (폴리머 A).
또, 참고예1의 폴리머1 95부와 참고예4의 폴리머IV 5부를 혼합하고, 꼭같이 하여 건조한 후 다른 용융압출기로 300℃로 용융하였다.(폴리머B ).
상기 2종류의 용융 폴리머를 (die)로 유도하여, 폴리머A를 주층, 폴리머B를 부층으로 하여 그 틀속에서 적층시켜, 두께 150μ(부층두께비=1/10)의 용융복합시트를 얻었다.
용융복합시트를 회전냉각드럼으로 냉각할 때에, 폴리머B를 회전냉각드럼에 접촉시켜 폴리머A의 위에 설치한 와이어전극으로부터 6KV의 직류전압을 인가하였다.
그후 세로방향으로 3.5배, 가로방향으로 3.5배 연신한 후, 210℃에서 15초간 열고정(熱固定)하여, 두께 12 의 이축연신필름을 얻었다.
복합필름의 주층 및 부층을 구성하는 폴리머의 조성 및 불용성입자의 종류, 평균지름, 함유량은 표4에 표시하였다.
정전인가캐스트성 및 얻어진 필름의 특성을 표5에 표시하였다.
[실시예2∼9, 비교예1∼3]
주층과 부층의 두께비, 주층을 구성하는 폴리머A의 혼합조성, 및 부층을 구성하는 폴리머B의 혼합조성을 표4 및 표5에 표시하듯이, 각각 변경한 것외에 실시예1과 꼭같이하여 2축연신필름을 얻었다.
표3에 표시한 바와같이 부층두께비가 본 발명의 범위에 만족하지 않을 경우 (비교예1)에는, 정전인가캐스트성이 좋지않을 뿐만 아니라, 적층얼룩이 있는 필름이였었다.
또, 본 발명의 범위를 초과했을 경우(비교예2)에는 얻어진 필름의 절연파괴전압이 저하하거나, 피시아이가 증가하거나, 또는, 열안정성이 좋지않은 결과이였었다.
또한, 부층을 구성하는 폴리머B의 용융비저항이 본 발명에서 규정한 이상이였을 경우(비교예3)는 정전인가캐스트성이 좋지않고, 인가얼룩이 다수 발생하였다.
[실시예10, 비교예4, 5]
실시예1에서, 주층을 구성하는 폴리머에 참고예1의 폴리머1, 부층을 구성하는 폴리머에 참고예5의 폴리머V를 사용한 것 외에는 실시예8과 꼭같이하여, 표4 및 표5에 표시한 바와같은 이축연신필름을 얻었다.
정전인가캐스트성필름의 피시아이는 모두 양호하였다.
한편, 참고예1에서 얻은 폴리머만으로 단층제막하여, 두께12m 로 2축연신한 필름은 정전인가캐스트성이 나쁘고 인가얼룩이 많이 발생했기 때문에, 제품필름을 얻을 수가 없었다.(비교예4).
또 참고예5에서 얻은 폴리머 만으로 단층제막하여, 두께12m 로 이축연신한 필름은 열안정성이 나쁘고, 피시아이가 많이 발생하였다.(비교예5)
[실시예11]
주층을 구성하는 폴리머에 참고예1의 폴리머1, 부층을 구성하는 폴리머에 참고예6의 폴리머VI를, 주층의 양면에 각각 1/100씩 적층(합계부층두께비=1/50)한 외에는 실시예1과 꼭같이 하여, 2축연신필름을 얻었다.
정전인가캐스트성은 2급, 피시아이는 1급, △IV는 0.062이며, 정전인가캐스트성, 필름특성 모두 양호한 결과였다.
[실시예12 ]
주층을 참고예1에서 얻은 폴리머I과 참고예4에서 얻은 폴리머IV를 98:2(중량비)로 혼합한 폴리머로 구성하고, 부층을 참고예3으로 얻은 폴리머III으로 구성하도록 하며 기기에 주층의 양면에 부층폴리머를 각각 필름 전체 두께의 1/100이 되도록 적층한 것 외에는 실시예1과 꼭같이하여 2축연신필름을 얻었다.
정전인가캐스트성은 2급, 피시아이는 2급, △IV는 0.065이고, 정전인가캐스트성, 필름특성, 모두 좋은 결과를 얻었다.
[산업상의이용분야]
본 발명의복합 폴리에스테르필름은 용융비저항이 다른 폴리에스테르의 복합체이므로 다음의 효과가 나타난다.
전체적으로 금속량은 소량임에도 불구하고 표면에서의 용융비저항이 낮기 때문에 정전인가캐스성이 극히 양호하다.
또 본 발명의 복합 폴리에스테르필름은 용융비저항이 낮은 부층이 얇기 때문에, 전체적으로 금속량이 소량으로 되고 안정성이 양호하다.
또 본 발명의 복합 폴리에스테르필름은, 부층에 불활성입자를 특정량 함유하는 경우, 평탄성에서 우수하고, 또한 적당한 이활성을 갖게 된다.
또한 본 발명의 폴리에스테르필름은, 부층에 다량의 불활성입자를 함유할 경우, 복합필름 표층에만 불활성입자가 다량으로 분포하기 때문에 돌기의 높이가 균일하고, 이활성도 뛰어나서, 자기기록 매체용 필름으로서 전자변환 특성이 우수하다.
본 발명의 복합 폴리에스텔르필름의 용도는 자기기록매체용, 증착베이스용, 메탈베이스용 등 여러종류에 이른다.
콘덴서로 사용할 경우 내절연파괴전압에도 우수하다.
특히 박막콘덴서로서는 유용하다.

Claims (15)

  1. 주층과 부층으로 구성되어 있는 복합필름에 있어서, 부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항이 5×108Ω·cm미만이고, 또 부층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항이 주층을 구성하는 폴리에스테르의 용융비저항보다 낮을 뿐만 아니라 부층의 두께가 복합필름 전체 두께의 1/200∼4/10인 것을 특징으로 하는 복합 폴리에스테르필름.
  2. 주층과 부층으로 구성되어 있는 복합필름에 있어서, 부층은 하기 수학식(I)을 만족하는 양의 인화합물, 알카리금속화합물 및 마그네슘화합물, 망간화합물, 아연화합물 및 칼슘화합물에서 선택된 1종 이상의 금속화합물을 함유하는 폴리에스테르로 구성되며,
    (M:폴리에스테르 106g당 항유되는 마그네슘화합물, 망간화합물, 아연화합물 및 칼슘화합물의 총 몰수, A:폴리에스테르 106g당 함유되는 알카리금속화합물의 몰수, P:폴리에스테르 106g당 함유되는 인화합물의 몰수) 또, 부층을 구성하는 폴리에스테르에 함유되는 [M+(A/2)-P]의 양이 주층을 구성하는 폴리에스테르에 함유되는 [M+(A/2)-P]의 양보다 많을 뿐만 아니라 부층의 두께가 복합필름 전체 두께의 복합필름 전체 두께의 1/200∼4/10인 것을 특징으로 하는 복합 폴리에스테르필름.
  3. 제1항에 있어서, 부층을 구성하는 폴리에스테르에, 평균입자경 30μm∼2.0μ 의 불활성 입자를 0.001∼0.5중량% 함유시키는 복합 폴리에스테르필름.
  4. 제1항에 있어서, 부층을 구성하는 폴리에스테르에, 평균입자경 30μm∼1.0μ 의 불활성 입자를 1.0∼20중량% 함유시키는 복합 폴리에스테르필름.
  5. 제3항 또는 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기한 불활성 입자가 실질적으로 구형상인 복합 폴리에스테르필름.
  6. 제5항에 있어서, 상기한 불활성 입자가 콜로이드 실리카, 가교폴리스티렌, 디비닐벤젠계 가교고분자 및 산화티탄으로 이루어지는 군중에서 선택된 1종 이상인 복합 폴리에스테르필름.
  7. 제3항에 있어서, 상기한 불활성 입자가 2종 이상의 불활성 입자를 포함하고 있는 복합 폴리에스테르필름.
  8. 제7항에 있어서, 상기한 2종 이상의 불활성 입자가 TiO2, Al2O3, SiO2, ZnO, MgO, CaCO3, CaSO4, BaSO4, 테트라플로로에틸렌, 폴리스티렌, 콜로이드실리카, 가교폴리스티렌 및 디비닐벤젠계 가교고분자로 이루어지는 군에서 선택된 복합 폴리에스테르필름.
  9. 제1항에 있어서, 부층의 두께가 복합 필름 전체 두께의 1/200이상 0.5/10미만인 복합 폴리에스테르필름.
  10. 제9항에 있어서, 부층의 두께가 복합 필름 전체 두께의 1/200∼0.3/10인 복합 폴리에스테르필름.
  11. 용융비저항이 5 108Ω·cm미만의 폴리에스테르(a)와 그 폴리에스테르(a)보다 용융비저항이 높은 폴리에스테르(b)를, 그 폴리에스테르(a)로 구성되는 층의 두께가 전체 두께의 1/200∼4/10이 되도록 복합하고, 용융압출한 복합미연신 시이트를 회전냉각체에 정전기적으로 밀착시켜서, 급냉고화시키는 것을 특징으로 하는 복합 폴리에스테르필름의 제조법.
  12. 하기 일반식(I)을 만족하는 양의 인화합물, 알카리금속화합물 및 마그네슘화합간화합물, 아연화합물 및 칼슘화합물에서 선택된 1종 이상의 금속화합물을 포함하는 폴리에스테르(i)와 그 폴리에스테르(i)보다 [M+(A/2)-P]의 양이 적은 폴리에스테르(ii)를, 폴리에스테르(i)로 구성되는 층의 두께가 전체 두께의 1/200∼4/10이 되도록 복합하고, 용융압출한 복합미연신 시이트를 회전냉각체에 정전기적으로 밀착시켜서 급냉고화시키는 것을 특징으로 하는 복합 폴리에스테르필름의 제조법.
    (M:폴리에스테르 106g당 함유되는 마그네슘화합물, 망간화합물, 아연화합물 및 칼슘화합물의 총 몰수, A:폴리에스테르 106g당 함유되는 알카리금속화합물의 몰수, P:폴리에스테르 106g당 함유되는 인화합물의 몰수)
  13. 제11항에 있어서, 복합미연신 시이트를 구성하는 부층측의 폴리에스테르를 회전냉각체에 밀착시키는 것을 특징으로 하는 복합 폴리에스테르필름의 제조법.
  14. 제11항에 있어서, 부층의 두께가 복합필름 전체 두께의 1/200이상 0.5/10미만인 복합 폴리에스테르필름의 제조법.
  15. 제14항에 있어서, 부층의 두께가 복합필름 전체 두께의 1/200∼3/10인 복합 폴리에스테르필름의 제조법.
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