KR0134169Y1 - 마스크 패턴 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 장치 제조공정에 사용되는 마스크 패턴에 관한 것으로써, 근접한 모난부위 간이 노광 디파인(Define) 가능치수 이하의 폭을 갖는 연결선패턴에 의해 연결된 것을 특징으로 하여, 패턴의 모난부위가 회절 및 산란된 빛의 영향을 받아 이그러짐 또는 라운딩과 같이 패턴 변형이 일어나는 것을 최대한 방지할 수 있으므로써, 패턴의 해상도를 향상시키게 되어 고집적 반도체 장치에 적합한 것이다.

Description

마스크 패턴

제1도는 종래의 일반적인 마스크 패턴의 일부와 그에 노광 전사된 패턴을 개략적으로 도시한 도면.

제2도는 종래의 오피씨 마스크 패턴의 일부와 그에 노광 전사된 패턴을 개략적으로 도시한 도면.

제3도는 본 고안의 마스크 패턴을 설명하기 위해 도시한 도면으로써, 좌측은 본 고안의 마스크 패턴의 일부를 개략적으로 도시한 도면이고, 우측은 본 고안의 마스크 패턴에 의해 노광 전사된 패턴을 개략적으로 도시한 도면.

본 고안은 반도체 장치 제조공정에 사용되는 마스크 패턴에 관한 것으로써, 특히 해상도(Resolution)가 향상되도록 한 노광 마스크 패턴에 관한 것이다.

반도체 장치는 그 집적도가 초고속으로 향상되어 왔다. 집적도가 향상됨에 따라 반도체 집적회로는 미세치수를 갖게 되었고, 그에 따른 정밀가공 기술이 필요하게 되었다. 정밀가공 기술중에서 회로도형을 만드는 마스크 패턴의 제작은 그 중요성이 강조되고 있으며, 특히 포토리소그래피(Photolithography) 단계를 통하여 웨이퍼에 전사(轉寫)된 회로도형 패턴의 해상도는 미세치수 소자 정밀가공의 관건이다. 따라서, 노광 공정을 통해 포토레지스트막에 회로도형 패턴을 전사할 때 빛의 회절 및 산란 현상을 감안한 이른바 오피씨(OPC : Optical Proximity Correction) 패턴으로 불리우는 마스크 패턴이 제안되고 있다.

제1도 및 제2도는 종래의 마스크 패턴을 설명하기 위해 도시한 도면이다.

제1도는 종래의 일반적인 마스크 패턴의 일부와 그에 노광 전사된 패턴을 개략적으로 도시한 도면이다.

제2도는 종래의 오피씨 마스크 패턴의 일부와 그에 노광 전사된 패턴을 개략적으로 도시한 도면이다.

제1도의 좌측에 도시한, 회로도형의 형태를 그대로 갖고 있는 종래의 일반적인 마스크 패턴은 노광 공정시 회절되고 간섭된 빛이 패턴의 모난부위(A)의 양측에서 마스크 패턴 아래까지 조사되어, 제1도의 우측에 도시한 바와 같이, 전사된 패턴의 모난부위(A')는 라운딩(Rounding) 또는 이그러짐이 지게 된다. 따라서 원하는 패턴을 얻는데 어려움이 있었다.

이러한 종래의 일반적인 마스크패턴의 문제를 개선하고자 하는, 제2도에 도시한, 오피씨(OPC : Optical Proximity Correction) 패턴이 제안되었다.

종래의 오피씨 마스크 패턴은, 제2도 (a)의 좌측에 도시한 바와 같이, 세리프(Serif) 형태라 하여 패턴의 모난부위에 작은 사각 형태의 모양 덧붙인 패턴(B)(이하, '덧패턴'이라 칭함)을 붙여, 제2도 (a)의 우측에 도시한 바와 같이 빛의 간섭 및 회절 현상에 의한 전사된 패턴이 모난부위(B')에서 이그러지거나 라운딩지지 않고 원하는 패턴을 얻고자 한 것이다.

그러나 이러한 종래의 오피씨 마스크 패턴은, 제2도의 (b)의 좌측에 도시한 바와 같이, 고집적에 따른 조밀 패턴에서는 모난부위에 덧패턴(C)을 형성하는데 무리가 따른다. 즉, 패턴 간의 간격이 좁을 경우 모난부위에 형성된 덧패턴(C)이 인접한 상호간 연결되어, 제2도 (b)의 우측에 도시한 바와 같이, 도면에서 (C')로 지시한 부위와 같이 이상부위가 전사된 패턴에 잔류하는 등과 같이 원하는 패턴과 다른 형태의 패턴이 디파인(Define) 되게 된다.

이에 본 고안은 상술한 종래의 마스크 패턴들의 문제점을 개선하기 위해 안출된 것으로써, 빛의 회절 및 간섭 현상에 의해 모난부위에서 패턴이 변형되는 것을 방지하고 또한 조밀한 패턴을 갖는 고집적 회로 제조에 적당한 마스크 패턴을 제공하는 목적이 있다.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 고안의 마스크 패턴은, 패턴의 모난부위 사이가, 노광 디파인 가능치수 이하의 폭을 갖는 연결선 패턴에 의해 연결된 것을 특징으로 한다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 마스크 패턴을 상세히 설명한다.

제3도는 본 고안의 마스크 패턴을 설명하기 위해 도시한 도면으로써, 좌측에 마스크 패턴의 일부를 개략적으로 도시하였고, 우측에 본 고안의 마스크 패턴에 의해 노광 전사된 패턴을 개략적으로 도시하였다.

제3도의 좌측에 도시한 바와 같이 본 고안의 마스크 패턴은, 근접한 모난부위 간을 연결하는, 노광 디파인(Define) 가능치수 예로써 0.5㎛ 정도 이하의 폭을 갖는 연결선패턴(D)을 포함하고 있다. 여기서, 노광 디파인 가능치수는 포토공정의 장비에서 디파인 한계 사이즈를 말한다.

이와 같이 회로도형 형성된 패턴의 모난부위 간을 연결하는 연결선패턴(D)을 형성하면, 제3도의 우측에 도시한 바와 같이, 노광 시 모난부위가 회절되거나 산란된 빛에 의해 영향 받는 것을 억제하게 되고, 상술한 연결 선패턴을 노광 디파인 가능치수 이하로 하기 때문에 연결선패턴은 단지 모난부위가 회절 및 산란된 빛의 영향을 받는 것을 방지하고 그 자체는 전사되지 않고 제4도의 우측에 도시하고 도면부호(D')로 지시한 부위와 같이 회로도형 패턴의 형태가 그대로 전사되게 된다. 또한, 종래의 오피씨 패턴과 같이 모난부위마다 일일이 사각형 모양의 덧패턴(제2도에서 'B'로 지시한 부분)을 형성하므로써 조밀한 패턴에 적용이 어려운 것과는 달리, 본 고안의 마스크 패턴은 근접한 모난부위 간을 연결선패턴으로 연결하는 형태이므로 그 제작도 용이하다. 이때, 연결선패턴의 선폭은 디파인하고자 하는 패턴의 10% 내지 20% 정도가 적당하다.

상술한 바와 같이, 본 고안의 마스크 패턴은 패턴의 모난부위가 회절 및 산란된 빛의 영향을 받아 이그러짐 또는 라운딩과 같이 패턴 변형이 일어나는 것을 최대한 방지할 수 있으므로써, 패턴의 해상도를 향상시키게 되어 고집적 반도체 장치에 적합하다.

Claims (1)

1. 모난 부위들을 가지는 다수의 패턴들을 가지는 마스크 패턴에 있어서, 패턴의 모난부위 사이가, 노광 디파인 가능치수 이하의 폭을 갖는 연결선 패턴에 의해 연결된 것을 특징으로 하는 마스크 패턴.