JPWO2020202674A1 - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020202674A1 JPWO2020202674A1 JP2021511112A JP2021511112A JPWO2020202674A1 JP WO2020202674 A1 JPWO2020202674 A1 JP WO2020202674A1 JP 2021511112 A JP2021511112 A JP 2021511112A JP 2021511112 A JP2021511112 A JP 2021511112A JP WO2020202674 A1 JPWO2020202674 A1 JP WO2020202674A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission line
- amplifier
- matching circuit
- output terminal
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 324
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 66
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 32
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 50
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 44
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
図6は、実施の形態1に係る高周波増幅器30の回路図である。高周波増幅器30は、所定の周波数帯(例えば中心周波数が4.5GHzの周波数帯)の第一信号及び第二信号を増幅して出力端子22から信号を出力するドハティ増幅器であって、第一アンプの一例であるキャリアアンプ11、第二アンプの一例であるピークアンプ12、第一整合回路33、第二整合回路36、第一伝送線路40、第二伝送線路39、第三伝送線路21、出力端子22、第一入力端子23及び第二入力端子24を備える。第一整合回路33は、直列インダクタ34と一端が接地された並列インダクタ35とから構成されている。第二整合回路36は、直列インダクタ37と一端が接地された並列インダクタ38とから構成されている。
図11は、実施の形態2に係る高周波増幅器50の回路図である。図6で示した実施の形態1に係る高周波増幅器30との違いを中心に説明する。同図に示す高周波増幅器50では、図6に示す並列インダクタ35に代えて一端が接地された第四伝送線路55を備え、同様に並列インダクタ38に代えて一端が接地された第五伝送線路58を備えている。第四伝送線路55および第五伝送線路58については、周波数4.5GHzおいて、それぞれ線路長を1/15波長に設定すれば所望の特性を得ることができる。また、同図に示す高周波増幅器50では、図6に示す直列インダクタ34および37に代えて、それぞれ、等価なインピーダンス変換を有する第八伝送線路54および第九伝送線路57が使用されている。なお、第四伝送線路55、第五伝送線路58、第八伝送線路54および第九伝送線路57は、本実施の形態では、いずれも、マイクロストリップラインまたはストリップラインである。
図12は、実施の形態3に係る高周波増幅器60の回路図である。一般に、図6で示した高周波増幅器30を順ドハティ増幅器、図12で示す高周波増幅器60を逆ドハティ増幅器と区別することがある。高周波増幅器30との違いを中心に説明する。同図において、第一伝送線路40と第一整合回路33との接続箇所を端子Yとする。第三伝送線路21は端子Yと出力端子22との間に接続される。第二伝送線路39は、キャリアアンプ11の入力側に接続され、第一伝送線路40による位相回転を補償するために第一伝送線路40と同じ電気長に設定される。
図13は、実施の形態4に係る高周波増幅器70の回路図である。高周波増幅器70では、第四伝送線路55および第五伝送線路58が、それぞれ電源端子75および電源端子76に接続されている。電源端子75と第四伝送線路55との間に一端が接地されたグランド用の第一キャパシタ72が接続されている。また、電源端子76と第五伝送線路58との間に一端が接地されたグランド用の第二キャパシタ74が接続されている。これにより、第四伝送線路55および第五伝送線路58は、一端が高周波的に接地されるので、高周波増幅器70においても、実施の形態1に係る高周波増幅器30と同様の特性を得ることが出来る。このように、第四伝送線路55および第五伝送線路58をインピーダンスマッチングと電源からの電力供給の両方の目的に使用することにより、回路の小型化を図ることが出来る。
図14は、実施の形態5に係る高周波増幅器77の回路図である。図13で示した実施の形態4に係る高周波増幅器70との違いは、高周波増幅器77では、第四伝送線路55と第一キャパシタ72との接続点である点Sと電源端子75との間に第一電源用インダクタ78が接続されていることである。実施の形態4に係る高周波増幅器70では、第四伝送線路55の長さはインピーダンスマッチングを優先して選定するため、第四伝送線路55の長さが短い場合、高周波信号が電源端子75から電源側に漏れることが問題となる。本実施の形態では、図14に示すように、第一電源用インダクタ78を使用することにより高周波信号の漏洩を防止することが出来る。同様に、第五伝送線路58と第二キャパシタ74との接続点である点S’と電源端子76との間に第二電源用インダクタ79が接続されている。第二電源用インダクタ79を使用することにより高周波信号の電源側への漏洩を防止することが出来る。
本開示に至る経緯について、図15で示す、実施の形態1〜5に係る高周波増幅器における負荷インピーダンスの領域を示すスミスチャートを用いて説明する。ここでは、実施の形態1を参照して説明する。図6で示す高周波増幅器30では、第一整合回路33および第二整合回路36に、それぞれ一端が接地された並列インダクタ35および38を用いることが特徴である。このような第一整合回路33および第二整合回路36を用いることが出来るのは、キャリアアンプ11およびピークアンプ12の負荷インピーダンスが、図15に示すように、R=50Ωの点と短絡の点との中点を中心とし、R=50Ωの点と短絡の点とを通る円(つまり、R=50Ωを通る等アドミッタンス円)の内部を除くマッチング可能領域(斜線領域)にある場合に限られる。これまで高出力用途を中心に研究されてきたドハティ増幅器においては、扱うトランジスタのサイズが大きいためアンプの負荷が上記円の内部にあり、高周波増幅器30が備えるような第一整合回路33および第二整合回路36を用いることが出来なかった。
図16は、実施の形態6に係る高周波増幅器80のレイアウト図である。本実施の形態に係る高周波増幅器80は、図14に示す実施の形態5に係る高周波増幅器77と同じ回路を備える。よって、図16は、図14に示す実施の形態5に係る高周波増幅器77の回路図について、基板80a上の具体的なレイアウトを示したものに相当する。
図17は、実施の形態7に係る高周波増幅器90のレイアウト図である。本実施の形態に係る高周波増幅器90は、図14に示す実施の形態5に係る高周波増幅器77と同じ回路を備える。よって、図17は、図14に示す実施の形態5に係る高周波増幅器77の回路図について、基板90a上の具体的なレイアウトを示したものに相当する。
図18は、実施の形態8に係るキャリアアンプ用の半導体チップ101のレイアウト図(図18の(a))、およびピークアンプ用の半導体チップ102のレイアウト図(図18の(b))である。図18の(a)に示すキャリアアンプ用の半導体チップ101には、増幅用FETだけでなく、線路PQと、第一キャパシタ105が形成されている。また、半導体チップ101と外部伝送線路の接続点である点Q、第一キャパシタ105の一端である上部電極106、及び他端である下部電極107にはバンプが形成されている。同様に、図18の(b)に示すピークアンプ用の半導体チップ102には、増幅用FETだけでなく、線路P’Q’と、第二キャパシタ108が形成されている。また、半導体チップ102と外部伝送線路の接続点である点Q’、第二キャパシタ108の一端である上部電極109、及び他端である下部電極110にはバンプが形成されている。
12、92 ピークアンプ
21 第三伝送線路
22 出力端子
23 第一入力端子
24 第二入力端子
30、50、60、70、77、80、90、100 高周波増幅器
33、53 第一整合回路
34、37 直列インダクタ
35、38 並列インダクタ
36、56 第二整合回路
39 第二伝送線路
40 第一伝送線路
54 第八伝送線路
55 第四伝送線路
57 第九伝送線路
58 第五伝送線路
72、95、105 第一キャパシタ
74、96、108 第二キャパシタ
75、76 電源端子
78 第一電源用インダクタ
79 第二電源用インダクタ
80a、90a、100a 基板
80b、80c、90b、90c、101、102 半導体チップ
82、84 部品キャパシタ
97 第一ボンディングワイヤー
98 第二ボンディングワイヤー
106、109 上部電極
107、110 下部電極
線路CD 第七伝送線路
線路C’D’ 第八伝送線路
Claims (17)
- 所定の周波数帯の第一信号及び第二信号を増幅して出力端子から信号を出力する高周波増幅器であって、
前記第一信号を増幅する第一アンプと、
前記第二信号を増幅する第二アンプと、
前記第一アンプの出力端子に接続された第一整合回路と、
前記第二アンプの出力端子に接続された第二整合回路と、
前記第一整合回路の出力端子と前記第二整合回路の出力端子との間に接続された前記所定の周波数帯の中心周波数の1/4波長未満の電気長を有する第一伝送線路と、
前記第一アンプおよび前記第二アンプの一方の入力端子に接続された前記所定の周波数帯の中心周波数の1/4波長未満の電気長を有する第二伝送線路と、
前記第一伝送線路の一端と前記出力端子との間に接続された前記所定の周波数帯の中心周波数の1/4波長の電気長を有する第三伝送線路とを備え、
前記第一アンプおよび前記第二アンプの他方の出力端子に接続された前記第一整合回路または前記第二整合回路による位相回転は、前記第一伝送線路による位相回転と逆向きである
高周波増幅器。 - 前記第一アンプは、キャリアアンプであり、
前記第二アンプは、ピークアンプである
請求項1記載の高周波増幅器。 - 前記第一整合回路および前記第二整合回路は、それぞれ、一端が接地された第四伝送線路および第五伝送線路を有する
請求項1または2記載の高周波増幅器。 - 前記第四伝送線路および前記第五伝送線路の少なくとも一方は、インダクタにより構成されている
請求項3記載の高周波増幅器。 - 前記第一整合回路および前記第二整合回路のそれぞれは、直列インダクタを有する
請求項1〜4のいずれか1項に記載の高周波増幅器。 - 前記第一アンプおよび前記第二アンプの他方の出力端子に接続された前記第一整合回路または前記第二整合回路は、前記第一伝送線路による、前記第一アンプの出力端子から出力側を見たインピーダンスまたは前記第二アンプの出力端子から出力側を見たインピーダンスの周波数依存性である分散を低減する
請求項1〜5のいずれか1項に記載の高周波増幅器。 - 前記第一アンプおよび前記第二アンプの他方の出力端子に接続された前記第一整合回路または前記第二整合回路による位相回転量と前記第一伝送線路による位相回転量との和は、90°未満である
請求項1〜6のいずれか1項に記載の高周波増幅器。 - 前記第四伝送線路および前記第五伝送線路の少なくとも一方は、インピーダンス変換の用途の他に電源からの電力供給の用途にも使用される
請求項3または4記載の高周波増幅器。 - 前記第一アンプの出力端子から出力側を見たインピーダンスおよび前記第二アンプの出力端子から出力側を見たインピーダンスの少なくとも一方は、スミスチャート上のR=50Ωを通る等アドミタンス円の外側にある
請求項1〜8のいずれか1項に記載の高周波増幅器。 - 前記第一アンプおよび前記第二アンプは、GaNを用いたFETを有し、前記FETの高周波の最大出力は、30W以下である
請求項1〜9のいずれか1項に記載の高周波増幅器。 - アレーアンテナを用いて高周波信号を出力する無線基地局装置に使用される
請求項1〜10のいずれか1項に記載の高周波増幅器。 - さらに、
前記第四伝送線路の一端を接地するための第一キャパシタであって、前記第四伝送線路の前記一端と基準電位との間に接続された第一キャパシタと、
前記第五伝送線路の一端を接地するための第二キャパシタであって、前記第五伝送線路の前記一端と基準電位との間に接続された第二キャパシタとを備える
請求項3または4記載の高周波増幅器。 - さらに、
前記第四伝送線路と前記第一キャパシタとの接続点と電源との間に接続された第一電源用インダクタと、
前記第五伝送線路と前記第二キャパシタとの接続点と電源との間に接続された第二電源用インダクタとを備える
請求項12記載の高周波増幅器。 - 前記第一電源用インダクタは、第六伝送線路を含み、
前記第二電源用インダクタは、第七伝送線路を含む
請求項13記載の高周波増幅器。 - 所定の周波数帯の第一信号及び第二信号を増幅して出力端子から信号を出力する高周波増幅器であって、
基板と、
前記基板上に実装された一又は二の半導体チップと、
前記半導体チップに形成され前記第一信号を増幅する第一アンプと、
前記半導体チップに形成され前記第二信号を増幅する第二アンプと、
前記半導体チップに形成され前記第一アンプの出力端子に一端が接続された第八伝送線路と、
前記半導体チップに形成され前記第二アンプの出力端子に一端が接続された第九伝送線路と、
前記半導体チップに形成された第一キャパシタと、
前記半導体チップに形成された第二キャパシタと、
前記基板上に形成され前記第八伝送線路の他端に一端が接続された第四伝送線路と、
前記基板上に形成され前記第九伝送線路の他端に一端が接続された第五伝送線路と、
前記基板上に形成され前記第四伝送線路の一端と前記第五伝送線路の一端との間に接続された前記所定の周波数帯の中心周波数の1/4波長未満の電気長を有する第一伝送線路と、
前記第一アンプまたは前記第二アンプのいずれかの入力端子に接続された前記所定の周波数帯の中心周波数の1/4波長未満の電気長を有する第二伝送線路と、
前記第一伝送線路の一端と前記出力端子との間に接続された前記所定の周波数帯の中心周波数の1/4波長の電気長を有する第三伝送線路とを備え、
前記第四伝送線路の他端と前記第一キャパシタとは、接続され、
前記第五伝送線路の他端と前記第二キャパシタとは、接続されている
高周波増幅器。 - 前記第四伝送線路の前記他端と前記第一キャパシタとは、第一ボンディングワイヤーで接続され、
前記第五伝送線路の前記他端と前記第二キャパシタとは、第二ボンディングワイヤーで接続されている
請求項15記載の高周波増幅器。 - 前記半導体チップは、平面視で前記半導体チップの少なくとも一部が前記第四伝送線路の前記他端と重なる領域に形成された第一導体、および、平面視で前記半導体チップの少なくとも一部が前記第五伝送線路の前記他端と重なる領域に形成された第二導体を有し、
前記第四伝送線路の前記他端と前記第一キャパシタとは、前記第一導体を介して接続され、
前記第五伝送線路の前記他端と前記第二キャパシタとは、前記第二導体を介して接続されている
請求項15記載の高周波増幅器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962827637P | 2019-04-01 | 2019-04-01 | |
US62/827,637 | 2019-04-01 | ||
PCT/JP2019/050729 WO2020202674A1 (ja) | 2019-04-01 | 2019-12-25 | 高周波増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020202674A1 true JPWO2020202674A1 (ja) | 2021-11-04 |
JP7112821B2 JP7112821B2 (ja) | 2022-08-04 |
Family
ID=72667467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021511112A Active JP7112821B2 (ja) | 2019-04-01 | 2019-12-25 | 高周波増幅器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220021344A1 (ja) |
JP (1) | JP7112821B2 (ja) |
CN (1) | CN113632372A (ja) |
WO (1) | WO2020202674A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114651394A (zh) * | 2019-11-21 | 2022-06-21 | 三菱电机株式会社 | 多赫蒂放大器 |
US11398798B2 (en) * | 2020-03-02 | 2022-07-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Doherty power amplifiers with coupled line combiners |
EP4325720A1 (en) * | 2021-12-22 | 2024-02-21 | Suzhou Watech Electronics Co., Ltd. | Doherty amplifier and output network thereof and design method for doherty amplifier |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002344255A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
JP2008199625A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Postech Academy-Industry Foundation | ハーモニック制御回路を用いた高効率ドハティ電力増幅器 |
JP2013110660A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 電力増幅器 |
JP2016063291A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 三菱電機株式会社 | 広帯域増幅器 |
US20160173039A1 (en) * | 2014-12-16 | 2016-06-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Amplifiers with a short phase path, packaged rf devices for use therein, and methods of manufacture thereof |
JP2017501662A (ja) * | 2014-01-06 | 2017-01-12 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | Doherty電力増幅器、通信デバイス、およびシステム |
JPWO2016203512A1 (ja) * | 2015-06-15 | 2018-03-01 | 株式会社日立国際電気 | 電力増幅器及び無線送信器 |
JPWO2017145258A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2018-03-01 | 三菱電機株式会社 | 負荷変調増幅器 |
US20180331871A1 (en) * | 2017-05-15 | 2018-11-15 | Nxp Usa, Inc. | Composite signal processing in a cellular communication system |
JPWO2018138763A1 (ja) * | 2017-01-24 | 2019-02-07 | 三菱電機株式会社 | ドハティ増幅器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006157900A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-06-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 増幅器 |
JP4757530B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-08-24 | 三菱電機株式会社 | 高周波増幅器 |
US8611834B2 (en) * | 2010-11-01 | 2013-12-17 | Cree, Inc. | Matching network for transmission circuitry |
US10752665B2 (en) | 2014-02-27 | 2020-08-25 | Ucl Business Ltd | April variants |
JP2016203512A (ja) | 2015-04-23 | 2016-12-08 | 株式会社小糸製作所 | 成形用金型、成形品及び成形品の成形方法 |
JP2018138763A (ja) | 2017-02-24 | 2018-09-06 | 株式会社荏原製作所 | ポンプ |
-
2019
- 2019-12-25 WO PCT/JP2019/050729 patent/WO2020202674A1/ja active Application Filing
- 2019-12-25 CN CN201980094771.2A patent/CN113632372A/zh active Pending
- 2019-12-25 JP JP2021511112A patent/JP7112821B2/ja active Active
-
2021
- 2021-09-28 US US17/488,240 patent/US20220021344A1/en active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002344255A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波電力増幅器 |
JP2008199625A (ja) * | 2007-02-14 | 2008-08-28 | Postech Academy-Industry Foundation | ハーモニック制御回路を用いた高効率ドハティ電力増幅器 |
JP2013110660A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 電力増幅器 |
JP2017501662A (ja) * | 2014-01-06 | 2017-01-12 | ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド | Doherty電力増幅器、通信デバイス、およびシステム |
JP2016063291A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 三菱電機株式会社 | 広帯域増幅器 |
US20160173039A1 (en) * | 2014-12-16 | 2016-06-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Amplifiers with a short phase path, packaged rf devices for use therein, and methods of manufacture thereof |
JPWO2016203512A1 (ja) * | 2015-06-15 | 2018-03-01 | 株式会社日立国際電気 | 電力増幅器及び無線送信器 |
JPWO2017145258A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2018-03-01 | 三菱電機株式会社 | 負荷変調増幅器 |
JPWO2018138763A1 (ja) * | 2017-01-24 | 2019-02-07 | 三菱電機株式会社 | ドハティ増幅器 |
US20180331871A1 (en) * | 2017-05-15 | 2018-11-15 | Nxp Usa, Inc. | Composite signal processing in a cellular communication system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220021344A1 (en) | 2022-01-20 |
WO2020202674A1 (ja) | 2020-10-08 |
CN113632372A (zh) | 2021-11-09 |
JP7112821B2 (ja) | 2022-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10673386B2 (en) | Wideband power amplifiers with harmonic traps | |
US11515842B2 (en) | Doherty power amplifiers and devices with low voltage driver stage in carrier-path and high voltage driver stage in peaking-path | |
US20220021344A1 (en) | High-frequency amplifier | |
US7511575B2 (en) | High-frequency power amplifier | |
US8581665B2 (en) | Doherty amplifier | |
JP4976552B2 (ja) | 広帯域増幅装置 | |
EP2458730B1 (en) | Radiofrequency amplifier | |
US10594273B2 (en) | Power amplifier module | |
US10862434B1 (en) | Asymmetric Doherty amplifier with complex combining load matching circuit | |
CN112928999A (zh) | 一种放大器及其制造方法 | |
CN112953415A (zh) | 宽带功率晶体管装置和具有输出t型匹配和谐波终止电路的放大器以及其制造方法 | |
CN112751535A (zh) | 具有输入侧分数谐波谐振器电路的rf放大器 | |
US11705870B2 (en) | Integrally-formed splitter for multiple-path power amplifiers and methods of manufacture thereof | |
CN111181496A (zh) | 具有复组合负载匹配电路的多尔蒂放大器 | |
US10177714B1 (en) | Multiple-resonator circuits and devices | |
US10862440B2 (en) | High-frequency amplifier | |
US20240154575A1 (en) | High frequency amplifier | |
JP5239905B2 (ja) | 高周波増幅器 | |
US10326409B2 (en) | Inter-stage network for radio frequency amplifier | |
CN111989861A (zh) | 高频功率放大器 | |
US11114396B2 (en) | Reduced-length bond pads for broadband power amplifiers | |
JP5800360B2 (ja) | ドハティ増幅器 | |
Jeong et al. | Quasi-MMIC high power amplifier with silicon IPD matching network | |
WO2021100176A1 (ja) | ドハティ増幅器 | |
JP2008236354A (ja) | 増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210728 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210728 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220308 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220419 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220722 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7112821 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |