JP4976552B2 - 広帯域増幅装置 - Google Patents
広帯域増幅装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4976552B2 JP4976552B2 JP2010519857A JP2010519857A JP4976552B2 JP 4976552 B2 JP4976552 B2 JP 4976552B2 JP 2010519857 A JP2010519857 A JP 2010519857A JP 2010519857 A JP2010519857 A JP 2010519857A JP 4976552 B2 JP4976552 B2 JP 4976552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impedance
- amplifier
- opt
- line
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 40
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 7
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/04—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers
- H03F1/06—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in discharge-tube amplifiers to raise the efficiency of amplifying modulated radio frequency waves; to raise the efficiency of amplifiers acting also as modulators
- H03F1/07—Doherty-type amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21139—An impedance adaptation circuit being added at the output of a power amplifier stage
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
前記第1増幅器の出力端に連結されて前記第1増幅器のロードラインインピーダンスを調節することによって出力整合機能をする第1クォータウェーブトランスフォーマと、
前記第2増幅器の出力端に連結されて前記第2増幅器のロードラインインピーダンスを調節することによって出力整合機能をする第2クォータウェーブトランスフォーマと、前記第1クォータウェーブトランスフォーマと前記第2クォータウェーブトランスフォーマの後端に連結された出力整合回路とを含む。
前記第1増幅器の出力端に直列連結された第1インピーダンス調節ラインと、
前記第2増幅器の出力端に直列連結された第2インピーダンス調節ラインと、
前記第1インピーダンス調節ラインと前記第2インピーダンス調節ラインの出力側を並列連結した出力ラインと、
前記出力ライン上に位置してロードインピーダンスをRout//Rout’(ここで、
特性インピーダンスRoがRopt<Ro<Rout又はRopt>Ro>Routの条件を満たし、前記第1インピーダンス調節ライン上に位置して前記第1インピーダンス調節ラインの出力インピーダンスRoutをRoptに整合する第1クォータウェーブトランスフォーマと、
特性インピーダンスRo'がRopt'<Ro'<Rout'又はRopt'>Ro'>Routという条件を満たし、前記第2インピーダンス調節ライン上に位置して前記出力インピーダンスRout'をRopt'に整合する第2クォータウェーブトランスフォーマとを含み、
ここで、Roptは前記第1増幅器の最適電源インピーダンスであり、ここで、Ropt’は前記第2増幅器の最適電源インピーダンスを示す。
並列に連結した第1増幅器及び第2増幅器と、
前記第1増幅器の入力端に連結されて前記第1増幅器の入力インピーダンスを調節することによって入力整合機能をする第1クォータウェーブトランスフォーマと、
前記第2増幅器の入力端に連結されて前記第2増幅器のロードラインインピーダンスを調節することによって入力整合機能をする第2クォータウェーブトランスフォーマと、
前記第1クォータウェーブトランスフォーマと前記第2クォータウェーブトランスフォーマの前端に連結された入力整合回路とを含む。
並列連結した第1増幅器及び第2増幅器と、
前記第1増幅器の入力端に直列連結された第1インピーダンス調節ラインと、
前記第2増幅器の入力端に直列連結された第2インピーダンス調節ラインと、
前記第1インピーダンス調節ラインと前記第2インピーダンス調節ラインの入力側を並列連結した入力ラインと、
前記入力ライン上に位置して入力インピーダンスをRin//Rin'、(ここで、
特性インピーダンスRoがRin<Ri<Rin_opt又はRin>Ri>Rin_optの条件を満たし、前記第1インピーダンス調節ライン上に位置して前記第1インピーダンス調節ラインの入力インピーダンスRinをRin_optに整合する第1クォータウェーブトランスフォーマと、
特性インピーダンスRi'がRin'<Ri'<Rin_opt'又はRin'>Ri'>Rin_opt'の条件を満たし、前記第2インピーダンス調節ライン上に位置して前記第2インピーダンス調節ラインの入力インピーダンスRin'をRin_opt'に整合する第2クォータウェーブトランスフォーマを含み、
ここで、Rin_optは前記第1増幅器の最適入力インピーダンスであり、ここで、Rin_opt’は前記第2増幅器の最適入力インピーダンスを示す。
Claims (15)
- 広帯域電力増幅装置であって、
並列連結した第1増幅器及び第2増幅器と、
前記第1増幅器の出力端に直列連結された第1インピーダンス調節ラインと、
前記第2増幅器の出力端に直列連結された第2インピーダンス調節ラインと、
前記第1インピーダンス調節ラインと前記第2インピーダンス調節ラインの出力側を並列連結した出力ラインと、
前記出力ライン上に位置してロードインピーダンスをRout//Rout’(ここで、
特性インピーダンスRoがRopt<Ro<Rout又はRopt>Ro>Routの条件を満たし、前記第1インピーダンス調節ライン上に位置して前記第1インピーダンス調節ラインの出力インピーダンスRoutをRoptに整合する第1クォータウェーブトランスフォーマと、
特性インピーダンスRo'がRopt'<Ro'<Rout'又はRopt'>Ro'>Routという条件を満たし、前記第2インピーダンス調節ライン上に位置して前記出力インピーダンスRout'をRopt'に整合する第2クォータウェーブトランスフォーマとを含み、
ここで、Roptは前記第1増幅器の最適電源インピーダンスであり、ここで、Ropt’は前記第2増幅器の最適電源インピーダンスを示す広帯域電力増幅装置。 - 前記第1増幅器はキャリア増幅器を含み、前記第2増幅器はピーク増幅器を含み、並列に連結した前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器はドハティ動作が起こるようにし、
前記ピーク増幅器と前記第2クォータウェーブトランスフォーマとの間に連結されたオフセットラインを更に含むことを特徴とする請求項1に記載の広帯域電力増幅装置。 - それぞれの前記第1クォータウェーブトランスフォーマ及び前記第2クォータウェーブトランスフォーマは、マイクロストリップライン又はインダクタ-キャパシタ回路を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の広帯域電力増幅装置。
- 前記インダクタ-キャパシタ回路は、π-ネットワーク又はT-ネットワークを含むことを特徴とする請求項3に記載の広帯域電力増幅装置。
- 前記インダクタ-キャパシタ回路の1つ又はそれ以上のインダクタは、マイクロストリップライン又はボンドワイヤインダクタを含むことを特徴とする請求項3に記載の広帯域電力増幅装置。
- 広帯域電力増幅装置であって、
並列連結した第1増幅器及び第2増幅器と、
前記第1増幅器の入力端に直列連結された第1インピーダンス調節ラインと、
前記第2増幅器の入力端に直列連結された第2インピーダンス調節ラインと、
前記第1インピーダンス調節ラインと前記第2インピーダンス調節ラインの入力側を並列連結した入力ラインと、
前記入力ライン上に位置して入力インピーダンスをRin//Rin'、(ここで、
特性インピーダンスR i がRin<Ri<Rin_opt又はRin>Ri>Rin_optの条件を満たし、前記第1インピーダンス調節ライン上に位置して前記第1インピーダンス調節ラインの入力インピーダンスRinをRin_optに整合する第1クォータウェーブトランスフォーマと、
特性インピーダンスRi'がRin'<Ri'<Rin_opt'又はRin'>Ri'>Rin_opt'の条件を満たし、前記第2インピーダンス調節ライン上に位置して前記第2インピーダンス調節ラインの入力インピーダンスRin'をRin_opt'に整合する第2クォータウェーブトランスフォーマを含み、
ここで、Rin_optは前記第1増幅器の最適入力インピーダンスであり、ここで、Rin_opt’は前記第2増幅器の最適入力インピーダンスを示す広帯域電力増幅装置。 - 前記第1増幅器はキャリア増幅器を含み、前記第2増幅器はピーク増幅器を含み、並列に連結した前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅器はドハティ動作が起こるようにし、
前記第1クォータウェーブトランスフォーマと前記キャリア増幅器との間位置と前記第2クォータウェーブトランスフォーマと前記ピーク増幅器との間位置のうち何れかの間位置又は全ての間位置に連結されて前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅期間の遅延を補償する遅延補償回路を更に含むことを特徴とする請求項6に記載の広帯域電力増幅装置。 - それぞれの前記第1及び前記第2クォータウェーブトランスフォーマは、マイクロストリップライン又はインダクタL-キャパシタC回路を含むことを特徴とする請求項6又は7に記載の広帯域電力増幅装置。
- 前記インダクタ-キャパシタ回路は、π-ネットワーク又はT-ネットワークを含むことを特徴とする請求項8に記載の広帯域電力増幅装置。
- 前記インダクタ-キャパシタの1つ又はそれ以上のインダクタはマイクロストリップライン又はボンドワイヤインダクタを含むことを特徴とする請求項8に記載の広帯域電力増幅装置。
- 前記第1増幅器の入力端に直列連結された第3インピーダンス調節ラインと、
前記第2増幅器の入力端に直列連結された第4インピーダンス調節ラインと、
前記第3インピーダンス調節ラインと前記第4インピーダンス調節ラインの入力側を並列連結した入力ラインと、
前記入力ライン上に位置して入力インピーダンスをRin//Rin'、(ここで、
特性インピーダンスRiがRin<Ri<Rin_opt又はRin>Ri>Rin_optの条件を満たし、前記第3インピーダンス調節ライン上に位置して前記第3インピーダンス調節ラインの入力インピーダンスRinをRin_optに整合する第3クォータウェーブトランスフォーマと、
特性インピーダンスRi'がRin'<Ri'<Rin_opt'又はRin'>Ri'>Rin_opt'の条件を満たし、前記第4インピーダンス調節ライン上に位置して前記第4インピーダンス調節ラインの入力インピーダンスRin'をRin_opt'に整合する第4クォータウェーブトランスフォーマを含み、
ここで、Rin_optは前記第1増幅器の最適入力インピーダンスであり、ここで、Rin_opt’は前記第2増幅器の最適入力インピーダンスを示す請求項1乃至5のいずれかに記載の広帯域電力増幅装置。 - 前記第3クォータウェーブトランスフォーマと前記キャリア増幅器との間位置と前記第4クォータウェーブトランスフォーマと前記ピーク増幅器との間位置のうち何れかの間位置又は全ての間位置に連結されて前記キャリア増幅器と前記ピーク増幅期間の遅延を補償する遅延補償回路を更に含むことを特徴とする請求項11に記載の広帯域電力増幅装置。
- それぞれの前記第3及び前記第4クォータウェーブトランスフォーマは、マイクロストリップライン又はインダクタL-キャパシタC回路を含むことを特徴とする請求項11又は12に記載の広帯域電力増幅装置。
- 前記インダクタ-キャパシタ回路は、π-ネットワーク又はT-ネットワークを含むことを特徴とする請求項13に記載の広帯域電力増幅装置。
- 前記インダクタ-キャパシタの1つ又はそれ以上のインダクタはマイクロストリップライン又はボンドワイヤインダクタを含むことを特徴とする請求項13に記載の広帯域電力増幅装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2007-0078658 | 2007-08-06 | ||
KR1020070078658A KR100862056B1 (ko) | 2007-08-06 | 2007-08-06 | 광대역 전력 증폭 장치 |
PCT/KR2008/004518 WO2009020325A2 (en) | 2007-08-06 | 2008-08-04 | Broadband power amplifier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010536224A JP2010536224A (ja) | 2010-11-25 |
JP4976552B2 true JP4976552B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=40152863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010519857A Active JP4976552B2 (ja) | 2007-08-06 | 2008-08-04 | 広帯域増幅装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8198938B2 (ja) |
EP (1) | EP2188890A4 (ja) |
JP (1) | JP4976552B2 (ja) |
KR (1) | KR100862056B1 (ja) |
CN (1) | CN101785180B (ja) |
TW (1) | TWI483543B (ja) |
WO (1) | WO2009020325A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8536950B2 (en) * | 2009-08-03 | 2013-09-17 | Qualcomm Incorporated | Multi-stage impedance matching |
US8102205B2 (en) | 2009-08-04 | 2012-01-24 | Qualcomm, Incorporated | Amplifier module with multiple operating modes |
JP5316295B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-10-16 | 富士通株式会社 | ドハティ増幅器 |
US8416023B2 (en) * | 2010-06-08 | 2013-04-09 | Nxp B.V. | System and method for compensating for changes in an output impedance of a power amplifier |
JP2012029239A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | ドハティ増幅器 |
JP5655655B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2015-01-21 | 富士通株式会社 | ドハティ増幅装置 |
JP2013038560A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | D-Clue Technologies Co Ltd | 高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を搭載した通信機能を有する電子機器 |
KR20130093996A (ko) * | 2012-02-15 | 2013-08-23 | 한국전자통신연구원 | 임피던스 매칭회로, 전력 증폭 회로 및 가변 캐패시터의 제조방법 |
JP5586653B2 (ja) * | 2012-05-02 | 2014-09-10 | 株式会社東芝 | ドハティ回路 |
CN102931927B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-07-15 | 昆山美博通讯科技有限公司 | 一种功率放大模组的阻抗匹配方法 |
JP5913442B2 (ja) * | 2014-06-18 | 2016-04-27 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | ドハティ増幅器 |
WO2016038426A1 (en) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Broadband doherty power amplifier |
CN104362991A (zh) * | 2014-11-24 | 2015-02-18 | 成都联宇创新科技有限公司 | 一种宽带功率放大器电路 |
US10116266B2 (en) * | 2015-01-09 | 2018-10-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Doherty amplifier |
US10608594B2 (en) * | 2016-05-18 | 2020-03-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Doherty amplifier |
US9667199B1 (en) * | 2016-06-09 | 2017-05-30 | Nxp Usa, Inc. | Doherty amplifiers with minimum phase output networks |
US9948246B1 (en) * | 2016-10-18 | 2018-04-17 | Mitsubishi Electric Research Laboratories, Inc. | Impedance flattening network for high efficiency wideband doherty power amplifier |
KR102581317B1 (ko) * | 2018-12-24 | 2023-09-22 | 삼성전자 주식회사 | 복수개의 안테나 어레이를 포함하는 전자 장치 |
US20220360231A1 (en) * | 2019-02-13 | 2022-11-10 | Nec Corporation | Doherty power amplifier |
DE112019007283T5 (de) * | 2019-06-07 | 2022-02-03 | Mitsubishi Electric Corporation | Doherty-verstärker |
WO2024111667A1 (ja) * | 2022-11-25 | 2024-05-30 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅回路 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5420541A (en) * | 1993-06-04 | 1995-05-30 | Raytheon Company | Microwave doherty amplifier |
US5568086A (en) * | 1995-05-25 | 1996-10-22 | Motorola, Inc. | Linear power amplifier for high efficiency multi-carrier performance |
US6069525A (en) | 1997-04-17 | 2000-05-30 | Qualcomm Incorporated | Dual-mode amplifier with high efficiency and high linearity |
US6285251B1 (en) * | 1998-04-02 | 2001-09-04 | Ericsson Inc. | Amplification systems and methods using fixed and modulated power supply voltages and buck-boost control |
US6317002B1 (en) * | 2000-06-27 | 2001-11-13 | International Business Machines Corporation | Circuit for efficiently producing low-power radio frequency signals |
KR100546491B1 (ko) * | 2001-03-21 | 2006-01-26 | 학교법인 포항공과대학교 | 초고주파 도허티 증폭기의 출력 정합 장치 |
US7078976B2 (en) * | 2002-08-19 | 2006-07-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | High power Doherty amplifier |
KR20050031663A (ko) * | 2003-09-30 | 2005-04-06 | 광운대학교 산학협력단 | 도허티 전력 증폭 장치 |
JP4248367B2 (ja) * | 2003-10-21 | 2009-04-02 | 島田理化工業株式会社 | 電力合成形高効率増幅器 |
US7135931B2 (en) * | 2004-07-29 | 2006-11-14 | Agere Systems Inc. | Negative conductance power amplifier |
US7148746B2 (en) * | 2004-10-26 | 2006-12-12 | Andrew Corporation | High efficiency amplifier |
JP2006166141A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドハティ増幅器 |
KR20060077818A (ko) * | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 학교법인 포항공과대학교 | 비대칭 전력 구동을 이용한 전력 증폭 장치 |
JP4793807B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-10-12 | 株式会社日立国際電気 | 増幅器 |
JP2006333060A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Renesas Technology Corp | 高周波電力増幅及びそれを用いた無線通信装置 |
JP2006339981A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | ドハティ増幅器 |
US7649412B2 (en) * | 2005-08-01 | 2010-01-19 | Mitsubishi Electric Corporation | High efficiency amplifier |
-
2007
- 2007-08-06 KR KR1020070078658A patent/KR100862056B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-08-04 WO PCT/KR2008/004518 patent/WO2009020325A2/en active Application Filing
- 2008-08-04 CN CN2008801022797A patent/CN101785180B/zh active Active
- 2008-08-04 JP JP2010519857A patent/JP4976552B2/ja active Active
- 2008-08-04 EP EP20080793032 patent/EP2188890A4/en not_active Ceased
- 2008-08-05 TW TW097129633A patent/TWI483543B/zh active
-
2010
- 2010-02-04 US US12/656,603 patent/US8198938B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009020325A2 (en) | 2009-02-12 |
WO2009020325A3 (en) | 2009-04-02 |
JP2010536224A (ja) | 2010-11-25 |
KR100862056B1 (ko) | 2008-10-14 |
US20100141338A1 (en) | 2010-06-10 |
EP2188890A4 (en) | 2010-12-29 |
TWI483543B (zh) | 2015-05-01 |
CN101785180B (zh) | 2012-12-19 |
EP2188890A2 (en) | 2010-05-26 |
US8198938B2 (en) | 2012-06-12 |
TW200917647A (en) | 2009-04-16 |
CN101785180A (zh) | 2010-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4976552B2 (ja) | 広帯域増幅装置 | |
US9667199B1 (en) | Doherty amplifiers with minimum phase output networks | |
CN101467346B (zh) | 杜赫功率放大器 | |
US8581665B2 (en) | Doherty amplifier | |
CN111416578B (zh) | 基于低Q输出网络的宽带集成Doherty功率放大器 | |
US10862434B1 (en) | Asymmetric Doherty amplifier with complex combining load matching circuit | |
US10868500B1 (en) | Doherty amplifier with complex combining load matching circuit | |
CN110808716A (zh) | 一种Doherty射频功率放大器及其输出匹配网络结构 | |
JP7112821B2 (ja) | 高周波増幅器 | |
JP2009182635A (ja) | ドハティ増幅器 | |
US8279010B2 (en) | Radio frequency power amplifier | |
CN110417357B (zh) | 一种紧凑型集成多赫蒂放大器 | |
US8174323B2 (en) | High frequency amplifier | |
US7928815B2 (en) | Amplifier | |
US11522497B2 (en) | Doherty amplifier incorporating output matching network with integrated passive devices | |
JP5913442B2 (ja) | ドハティ増幅器 | |
US20180254747A1 (en) | Doherty amplifier | |
WO2013021961A1 (ja) | 高周波電力増幅装置及びその高周波電力増幅装置を搭載した通信機能を有する電子機器 | |
WO2023115382A1 (zh) | 多赫蒂放大器及其输出网络、多赫蒂放大器的设计方法 | |
CN116827280A (zh) | 一种功率放大器电路 | |
CN118337156A (zh) | 多赫蒂射频功率放大器 | |
CN118337155A (zh) | 多赫蒂射频功率放大器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120313 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120412 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4976552 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |