JPWO2020126145A5

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Publication number: JPWO2020126145A5
Application number: JP2021534356A
Authority: JP
Publication date: 2022-10-12
Anticipated expiration: 2039-10-07

Claims

集積回路を有する物品の製作においてパラジウム活性化層の基材への堆積の前に使用する水性アルカリ前処理溶液であって、
- 一般式(I)による少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸又はその塩
[RCH₂-(RCH)_n-COO^-]_m M^m+ (I)
(式中、nは2～4の整数であり、mは1又は2であり、
Rは、独立してH又はOHであり、但し少なくとも1つのRがOHであることを条件とし、
mが1のM^m+は、水素、アンモニウム又はアルカリ金属であり;又はmが2のM^m+はアルカリ土類金属である)
- 少なくとも1種のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、
- 少なくとも1種のスルホン化脂肪酸又はその塩
を含み、
前記少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸又はその塩の濃度が、200～400mg/Lであり、
前記少なくとも1種のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルの濃度が、0.4～1.2mg/Lであり、
前記少なくとも1種のスルホン化脂肪酸の濃度が、4～12mg/Lである、水性アルカリ前処理溶液。 An aqueous alkaline pretreatment solution for use prior to deposition of a palladium activation layer onto a substrate in the fabrication of articles having integrated circuits, comprising:
- at least one hydroxycarboxylic acid according to general formula (I) or a salt thereof
[RCH2-(RCH) _n ^- _COO- ] _mMm ⁺ (I)
(Wherein, n is an integer of 2 to 4, m is 1 or 2,
R is independently H or OH, provided that at least one R is OH;
M ^m+ where m is 1 is hydrogen, ammonium or an alkali metal; or M ^m+ where m is 2 is an alkaline earth metal)
- at least one polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester,
- contains at least one sulfonated fatty acid or salt thereof ,
the concentration of the at least one hydroxycarboxylic acid or salt thereof is 200 to 400 mg/L;
the concentration of the at least one polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester is 0.4 to 1.2 mg/L;
An aqueous alkaline pretreatment solution , wherein the concentration of said at least one sulfonated fatty acid is between 4 and 12 mg/L .

前記少なくとも1種のヒドロキシカルボン酸又はその塩の濃度が、260～370mg/L、好ましくは280～350mg/Lである、請求項1に記載の水性アルカリ前処理溶液。 Aqueous alkaline pretreatment solution according to claim 1, wherein the concentration of said at least one hydroxycarboxylic acid or salt thereof is between 260 and 370 mg/L , preferably between 280 and 350 mg/L.

前記少なくとも1種のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルの濃度が、0.6～0.9mg/Lである、請求項1に記載の水性アルカリ前処理溶液。 The aqueous alkaline pretreatment solution according to claim 1 , wherein the concentration of said at least one polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester is 0.6-0.9 mg/L.

前記スルホン化脂肪酸が、不飽和の分岐又は非分枝C16～C20脂肪酸又はその混合物からなる群から選択される、請求項1から3のいずれか一項に記載の水性アルカリ前処理溶液。 An aqueous alkaline pretreatment solution according to any one of claims 1 to 3, wherein said sulfonated fatty acids are selected from the group consisting of unsaturated branched or unbranched C16-C20 fatty acids or mixtures thereof.

前記少なくとも1種のスルホン化脂肪酸の濃度が、5～10mg/L、好ましくは6～9mg/Lである、請求項1に記載の水性アルカリ前処理溶液。 The aqueous alkaline pretreatment solution according to claim 1, wherein the concentration of said at least one sulfonated fatty acid is 5-10 mg/L , preferably 6-9 mg/L.

8～12、好ましくは9.5～11.5のpHを有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の水性アルカリ前処理溶液。 An aqueous alkaline pretreatment solution according to any one of claims 1 to 5, having a pH of 8-12, preferably 9.5-11.5.

集積回路を有する物品の製作においてパラジウム活性化層の基材への後続の堆積のために基材を前処理する方法であって、以下の順序で、
(i)少なくとも1つの導電性金属層表面及び少なくとも1つの非導電性表面を有する基材を用意する工程;
(ii)請求項1から6のいずれか一項に記載の水性アルカリ前処理溶液を用意する工程;
(iii)前記基材を前記水性前処理溶液と接触させることにより、前処理溶液で基材を処理する工程
を含む方法。 A method of pretreating a substrate for subsequent deposition of a palladium activation layer onto the substrate in the fabrication of an article having integrated circuits comprising, in the following order:
(i) providing a substrate having at least one conductive metal layer surface and at least one non-conductive surface;
(ii) providing an aqueous alkaline pretreatment solution according to any one of claims 1-6;
(iii) treating a substrate with a pretreatment solution by contacting said substrate with said aqueous pretreatment solution;

(iv)工程(iii)の前記基材をパラジウム活性化溶液で処理する工程であって、パラジウムイオン層を工程(iii)の処理された基材の表面に堆積させる工程を更に含む、請求項7に記載の方法。 The claim further comprising the step of (iv) treating the substrate of step (iii) with a palladium activating solution, depositing a layer of palladium ions on the surface of the treated substrate of step (iii). The method described in 7.

(v)工程(iv)の基材をパラジウム還元溶液で処理する工程であって、工程(iv)の堆積した前記パラジウムイオン層が金属パラジウム層に転換される工程を更に含む、請求項8に記載の方法。 9. The method of claim 8, further comprising (v) treating the substrate of step (iv) with a palladium reducing solution, wherein the deposited palladium ion layer of step (iv) is converted to a metallic palladium layer. described method.

前記少なくとも1つの導電性金属層表面が銅層面である、請求項7から9のいずれか一項に記載の方法。 10. A method according to any one of claims 7 to 9, wherein said at least one conductive metal layer surface is a copper layer surface.

前記パラジウムイオン層を、工程(iii)の処理された基材の前記少なくとも1つの非導電性表面に堆積させる、請求項8から10のいずれか一項に記載の方法。 11. A method according to any one of claims 8 to 10, wherein said palladium ion layer is deposited on said at least one non-conductive surface of the treated substrate of step (iii).

集積回路を有する物品の製作においてパラジウムイオン層の基材への後続の堆積のための、請求項1から6のいずれか一項に記載の水性前処理溶液の使用であって、パラジウムイオン層を形成する間のパラジウム粒子形成を最小限にするために、パラジウム活性化溶液を適用する前に前記水性前処理溶液を直接適用する、使用。 7. Use of an aqueous pretreatment solution according to any one of claims 1 to 6 for the subsequent deposition of a palladium ion layer onto a substrate in the fabrication of articles having integrated circuits, wherein the palladium ion layer is Use of applying said aqueous pretreatment solution directly prior to applying a palladium activation solution to minimize palladium particle formation during formation.

集積回路を有する物品の製作において金属層の後続の堆積のための、請求項1から6のいずれか一項に記載の水性前処理溶液又は請求項7から10に記載の方法の使用。 Use of an aqueous pretreatment solution according to any one of claims 1 to 6 or a method according to claims 7 to 10 for the subsequent deposition of metal layers in the fabrication of articles with integrated circuits.

集積回路を有する物品の製作において少なくとも1つの非導電性表面の少なくとも1つの凹状構造の金属化のための、請求項1から6のいずれか一項に記載の水性前処理溶液又は請求項7から10のいずれか一項に記載の方法の使用。 Aqueous pretreatment solution according to any one of claims 1 to 6 or from claim 7 for the metallization of at least one recessed structure of at least one non-conductive surface in the fabrication of articles with integrated circuits Use of the method according to any one of clause 10.

前記少なくとも1つの凹状構造が、ブラインドマイクロビア(BMV)、スルーホールビア(THV)、スルーガラスビア(TGV)、スルーシリコンビア(TSV)、ベリッドビア、及び前述のもののいずれかの混合物からなる群から選択される、請求項14に記載の使用。 wherein said at least one recessed structure is from the group consisting of blind microvias (BMV), through hole vias (THV), through glass vias (TGV), through silicon vias (TSV), buried vias, and mixtures of any of the foregoing. 15. Use according to claim 14, selected.