JPWO2020116068A1 - Transfer material, resin pattern manufacturing method, circuit wiring manufacturing method, and touch panel manufacturing method - Google Patents

Transfer material, resin pattern manufacturing method, circuit wiring manufacturing method, and touch panel manufacturing method Download PDF

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Abstract

厚さが７μｍ〜１８μｍの仮支持体と、化学増幅ポジ型感光性樹脂層と、を有し、上記仮支持体は、少なくとも、上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する転写材料、及びその応用を提供する。 It has a temporary support having a thickness of 7 μm to 18 μm and a chemically amplified positive photosensitive resin layer, and the temporary support is at least on the side where the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided. Provided are a transfer material having irregularities on the opposite surface, and an application thereof.

Description

本開示は、転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及びタッチパネルの製造方法に関する。 The present disclosure relates to a transfer material, a resin pattern manufacturing method, a circuit wiring manufacturing method, and a touch panel manufacturing method.

タッチパネル等における回路配線の形成に利用されるフォトリソグラフィにおいて、工程数の低減、感光層の厚みの均一化等の理由から、感光性の転写材料を用いることが検討されている。感光性の転写材料としては、通常、仮支持体と、感光層と、を有する転写材料が用いられる。感光層は、現像後に露光された部分が残るネガ型と、現像後に露光されなかった部分が残るポジ型とに大別される。転写材料を用いるフォトリソグラフィでは、基板上に設けられた転写材料の感光層を、例えばマスク（「フォトマスク」ともいう。以下同じ。）を介してパターン状に露光（以下、「パターン露光」という。）し、次いで現像することで、所望のパターンを形成することができる。 In photolithography used for forming circuit wiring in a touch panel or the like, the use of a photosensitive transfer material has been studied for the reasons of reducing the number of steps and making the thickness of the photosensitive layer uniform. As the photosensitive transfer material, a transfer material having a temporary support and a photosensitive layer is usually used. The photosensitive layer is roughly classified into a negative type in which an exposed portion remains after development and a positive type in which an unexposed portion remains after development. In photolithography using a transfer material, the photosensitive layer of the transfer material provided on the substrate is exposed in a pattern through, for example, a mask (also referred to as “photomask”; the same applies hereinafter) (hereinafter, referred to as “pattern exposure”). A desired pattern can be formed by then developing.

フォトリソグラフィに利用可能な転写材料として、例えば、特開２０１０−７２５８９号公報には、厚み１２μｍ以上４０μｍ以下の仮支持体上に、直接又は中間層のみを介して、１１０℃における溶融粘度が１００００Ｐａ・ｓ以上３００００Ｐａ・ｓ以下である感光性樹脂層を有する感光性転写材料が開示されている。 As a transfer material that can be used for photolithography, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-72589 states that the melt viscosity at 110 ° C. is 10,000 Pa on a temporary support having a thickness of 12 μm or more and 40 μm or less, either directly or through an intermediate layer only. A photosensitive transfer material having a photosensitive resin layer of s or more and 30,000 Pa · s or less is disclosed.

また、特開２０１７−７８８５２号公報には、仮支持体上にレジスト層を有するポジ型ドライフィルムレジストであり、上記仮支持体の全光線ヘイズが０．３％以下であるドライフィルムレジストが開示されている。 Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-78852 discloses a positive type dry film resist having a resist layer on a temporary support, and the total light haze of the temporary support is 0.3% or less. Has been done.

転写材料を用いるフォトリソグラフィにおいては、露光の際に用いるマスクの汚染防止等のために、露光前に仮支持体を転写材料から剥離せず、仮支持体を介して感光層を露光することがある。一方、仮支持体を介して感光層を露光すると、仮支持体に起因する光の拡散により、得られるパターンの直線性が低下するという問題が起こり得る。このため、例えば特開２０１７−７８８５２号公報では、低ヘイズの仮支持体を用いることで、仮支持体における光拡散を低減している。 In photolithography using a transfer material, in order to prevent contamination of the mask used during exposure, it is possible to expose the photosensitive layer through the temporary support without peeling the temporary support from the transfer material before exposure. be. On the other hand, when the photosensitive layer is exposed through the temporary support, there may be a problem that the linearity of the obtained pattern is lowered due to the diffusion of light caused by the temporary support. Therefore, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2017-78852, light diffusion in the temporary support is reduced by using a temporary support having a low haze.

しかしながら、回路配線の微細化及び高精細化が進むにつれて、仮支持体を介して感光層を露光する場合、露光後から次工程（例えば、現像）までの静置時間の経過につれて、得られるパターンの線幅が設計値よりも細くなるという問題（「Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｄｅｌａｙ」と称される。以下、「ＰＥＤ」という。）が起こることがある。ＰＥＤは、種々の感光層の中でも化学増幅ポジ型の感光層を、仮支持体を介して露光する場合において顕著となる傾向にある。露光された化学増幅ポジ型の感光層では、露光によって生じる酸が感光層の極性変化を連鎖的に引き起こすと考えられている。このため、化学増幅ポジ型の感光層は、露光後から次工程までの静置時間の影響を特に受けやすいと考えられる。この結果、回路配線寸法がＰＥＤに依存して大きく変化し、寸法ばらつきが生じるおそれがある。回路配線の高精細化に伴い、ＰＥＤの対策技術としてより効果の高い技術が求められている。 However, as the circuit wiring becomes finer and higher in definition, when the photosensitive layer is exposed via the temporary support, the pattern obtained is obtained as the standing time elapses from the exposure to the next step (for example, development). The problem that the line width of is narrower than the design value (referred to as "Post Exposure Delay", hereinafter referred to as "PED") may occur. Among various photosensitive layers, PED tends to be remarkable when a chemically amplified positive photosensitive layer is exposed via a temporary support. In the exposed chemically amplified positive photosensitive layer, it is considered that the acid generated by the exposure causes the polarity change of the photosensitive layer in a chain reaction. Therefore, it is considered that the chemically amplified positive photosensitive layer is particularly susceptible to the influence of the standing time from the exposure to the next step. As a result, the circuit wiring size changes greatly depending on the PED, and there is a possibility that dimensional variation may occur. With the increase in definition of circuit wiring, more effective technology is required as a countermeasure technology for PED.

本開示は、上記の事情に鑑みてなされたものである。
本開示の一態様は、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減し得る転写材料を提供することを目的とする。
本開示の他の一態様は、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量が低減された樹脂パターンの製造方法を提供することを目的とする。
本開示の他の一態様は、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量が低減された回路配線の製造方法を提供することを目的とする。
本開示の他の一態様は、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量が低減されたタッチパネルの製造方法を提供することを目的とする。This disclosure has been made in view of the above circumstances.
One aspect of the present disclosure is to provide a transfer material capable of reducing the amount of change in the line width of a pattern with the lapse of standing time after exposure.
Another aspect of the present disclosure is to provide a method for producing a resin pattern in which the amount of change in the line width of the pattern with the passage of the standing time after exposure is reduced.
Another aspect of the present disclosure is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a circuit wiring in which the amount of change in the line width of a pattern with the passage of a standing time after exposure is reduced.
Another aspect of the present disclosure is to provide a method for manufacturing a touch panel in which the amount of change in the line width of a pattern with the passage of a standing time after exposure is reduced.

上記課題を解決するための手段には、以下の態様が含まれる。
＜１＞ 厚さが７μｍ〜１８μｍの仮支持体と、化学増幅ポジ型感光性樹脂層と、を有し、上記仮支持体は、少なくとも、上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する転写材料。
＜２＞ 上記仮支持体が粒子を含み、かつ、上記仮支持体のヘイズ値が０．５０％以下である＜１＞に記載の転写材料。
＜３＞ 上記仮支持体が、上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面にのみ凹凸を有する＜１＞又は＜２＞に記載の転写材料。
＜４＞ 上記仮支持体と上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層との間に、上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層に接して設けられた、水溶性樹脂を含有する中間層を有する＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の転写材料。
＜５＞ 上記中間層の厚さが、０．１μｍ〜３．０μｍである＜４＞に記載の転写材料。
＜６＞ 上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体と、酸発生剤と、を含有する＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の転写材料。
＜７＞ 上記酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体が、式Ａ１で表される構成単位、式Ａ２で表される構成単位及び式Ａ３で表される構成単位からなる群より選択される少なくとも１種の構成単位を含む重合体である＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の転写材料。Means for solving the above problems include the following aspects.
<1> A temporary support having a thickness of 7 μm to 18 μm and a chemically amplified positive photosensitive resin layer are provided, and the temporary support is provided with at least the chemically amplified positive photosensitive resin layer. A transfer material with irregularities on the surface opposite to the side.
<2> The transfer material according to <1>, wherein the temporary support contains particles and the haze value of the temporary support is 0.50% or less.
<3> The transfer material according to <1> or <2>, wherein the temporary support has irregularities only on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided.
<4> An intermediate layer containing a water-soluble resin provided in contact with the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided between the temporary support and the chemically amplified positive photosensitive resin layer <1. > The transfer material according to any one of <3>.
<5> The transfer material according to <4>, wherein the thickness of the intermediate layer is 0.1 μm to 3.0 μm.
<6> The chemically amplified positive photosensitive resin layer contains a polymer containing a structural unit having a group in which an acid group is protected by an acid-degradable group, and an acid generator, <1> to <5. > The transfer material according to any one of.
<7> The polymer containing a structural unit having a group in which the acid group is protected by an acid-degradable group is represented by a structural unit represented by the formula A1, a structural unit represented by the formula A2, and a structural unit represented by the formula A3. The transfer material according to any one of <1> to <6>, which is a polymer containing at least one structural unit selected from the group consisting of structural units.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

式Ａ１中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ１１及びＲ１２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ１３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ１４は、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ１は、単結合又は二価の連結基を表し、Ｒ１５は、置換基を表し、ｎは、０〜４の整数を表す。
式Ａ２中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ２１及びＲ２２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ２３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ２１又はＲ２２と、Ｒ２３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ２４は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基又はシクロアルキル基を表し、ｍは、０〜３の整数を表す。
式Ａ３中、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ３３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３４は、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ０は、単結合又は二価の連結基を表す。
＜８＞ 基板と＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の転写材料とを、上記基板及び上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程と、上記貼り合わせる工程後の上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、上記仮支持体を介してパターン露光する工程と、上記パターン露光する工程後の上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターンを形成する工程と、を含む樹脂パターンの製造方法。
＜９＞ 導電層を有する基板と＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の転写材料とを、上記基板及び上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程と、上記貼り合わせる工程後の上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、上記仮支持体を介してパターン露光する工程と、上記パターン露光する工程後の上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターンを形成する工程と、上記樹脂パターンが形成されていない領域において露出する上記導電層をエッチングする工程と、上記エッチングする工程後の上記樹脂パターンを除去する工程と、を含む回路配線の製造方法。
＜１０＞ 導電層を有する基板と＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の転写材料とを、上記基板及び上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程と、上記貼り合わせる工程後の上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、上記仮支持体を介してパターン露光する工程と、上記パターン露光する工程後の上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターンを形成する工程と、上記樹脂パターンが形成されていない領域において露出する上記導電層をエッチングする工程と、上記エッチングする工程後の上記樹脂パターンを除去する工程と、を含むタッチパネルの製造方法。In formula A1, R 11 and R 12 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 11 and R 12 is an alkyl group or an aryl group, and R 13 is Representing an alkyl or aryl group, R 11 or R 12 and R 13 may be linked to form a cyclic ether, where R 14 represents a hydrogen atom or methyl group and X 1 is a single bond or It represents a divalent linking group, R 15 represents a substituent and n represents an integer from 0 to 4.
In formula A2, R 21 and R 22 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 21 and R 22 is an alkyl group or an aryl group, and R 23 is Representing an alkyl group or an aryl group, R 21 or R 22 and R 23 may be linked to form a cyclic ether, and R 24 may independently form a hydroxy group, a halogen atom, an alkyl group, or an alkoxy. It represents a group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyalkyl group, an arylcarbonyl group, an aryloxycarbonyl group or a cycloalkyl group, and m represents an integer of 0 to 3.
In formula A3, R 31 and R 32 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 31 and R 32 is an alkyl group or an aryl group, and R 33 is Representing an alkyl or aryl group, R 31 or R 32 and R 33 may be linked to form a cyclic ether, where R 34 represents a hydrogen atom or methyl group and X 0 is a single bond or Represents a divalent linking group.
<8> A step of bringing the substrate and the transfer material according to any one of <1> to <7> into contact with each other and bonding the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the substrate and the transfer material. The step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the bonding step via the temporary support and the step of pattern exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer after the pattern exposure step are performed. A method for manufacturing a resin pattern, including a step of developing and forming a resin pattern.
<9> A substrate having a conductive layer and the transfer material according to any one of <1> to <7> are attached by contacting the substrate and the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material. The step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the step of bonding and the step of bonding via the temporary support, and the step of pattern-exposing the chemical-amplified positive photosensitive resin layer after the step of pattern exposure. A step of developing the sex resin layer to form a resin pattern, a step of etching the conductive layer exposed in a region where the resin pattern is not formed, and a step of removing the resin pattern after the etching step. A method of manufacturing circuit wiring, including.
<10> A substrate having a conductive layer and the transfer material according to any one of <1> to <7> are attached by contacting the substrate and the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material. The step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the step of bonding and the step of bonding via the temporary support, and the step of pattern-exposing the chemical-amplified positive photosensitive resin layer after the step of pattern exposure. A step of developing the sex resin layer to form a resin pattern, a step of etching the conductive layer exposed in a region where the resin pattern is not formed, and a step of removing the resin pattern after the etching step. A method for manufacturing a touch panel including ,.

本開示の一態様によれば、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減し得る転写材料を提供することができる。
本開示の他の一態様によれば、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量が低減された樹脂パターンの製造方法を提供することができる。
本開示の他の一態様によれば、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量が低減された回路配線の製造方法を提供することができる。
本開示の他の一態様によれば、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量が低減されたタッチパネルの製造方法を提供することができる。According to one aspect of the present disclosure, it is possible to provide a transfer material capable of reducing the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure.
According to another aspect of the present disclosure, it is possible to provide a method for producing a resin pattern in which the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure is reduced.
According to another aspect of the present disclosure, it is possible to provide a method for manufacturing a circuit wiring in which the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure is reduced.
According to another aspect of the present disclosure, it is possible to provide a method for manufacturing a touch panel in which the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure is reduced.

図１は、本開示に係る転写材料の層構成の一例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing an example of the layer structure of the transfer material according to the present disclosure. 図２は、本開示に係る樹脂パターンの製造方法及び回路配線の製造方法の一例を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing an example of a method for manufacturing a resin pattern and a method for manufacturing a circuit wiring according to the present disclosure. 図３は、パターンＡを示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing the pattern A.

以下、本開示の実施形態について詳細に説明する。なお、本開示は、以下の実施形態に何ら制限されず、本開示の目的の範囲内において、適宜変更を加えて実施することができる。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described in detail. The present disclosure is not limited to the following embodiments, and can be carried out with appropriate modifications within the scope of the purpose of the present disclosure.

本開示において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。本開示に段階的に記載されている数値範囲において、ある数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示に記載されている数値範囲において、ある数値範囲で記載された上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
本開示において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル及びメタクリルの双方、又は、いずれか一方を意味し、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート及びメタクリレートの双方、又は、いずれか一方を意味する。
本開示において、組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する複数の物質の合計量を意味する。
本開示において、「工程」との用語には、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であっても工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本開示における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有しないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
本開示において、「質量％」と「重量％」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。
本開示において、２以上の好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。
本開示において、化学構造式は、水素原子を省略した簡略構造式で記載する場合もある。In the present disclosure, the numerical range represented by using "~" means a range including the numerical values before and after "~" as the lower limit value and the upper limit value. In the numerical range described stepwise in the present disclosure, the upper limit value or the lower limit value described in a certain numerical range may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of another numerical range described stepwise. Further, in the numerical range described in the present disclosure, the upper limit value or the lower limit value described in a certain numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
In the present disclosure, "(meth) acrylic" means both acrylic and methacrylic, or either one, and "(meth) acrylate" means both acrylate and methacrylate, or either one. do.
In the present disclosure, the amount of each component in the composition means the total amount of the plurality of substances present in the composition when a plurality of substances corresponding to each component are present in the composition, unless otherwise specified. ..
In the present disclosure, the term "process" is included in the term "process" as long as the intended purpose of the process is achieved, not only in an independent process but also in cases where it cannot be clearly distinguished from other processes. ..
In the notation of a group (atomic group) in the present disclosure, the notation that does not describe substitution or non-substitution includes those having no substituent as well as those having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).
In the present disclosure, "% by mass" and "% by weight" are synonymous, and "parts by mass" and "parts by weight" are synonymous.
In the present disclosure, a combination of two or more preferred embodiments is a more preferred embodiment.
In the present disclosure, the chemical structural formula may be described by a simplified structural formula in which a hydrogen atom is omitted.

＜転写材料＞
本開示に係る転写材料は、厚さが７μｍ〜１８μｍの仮支持体と、化学増幅ポジ型感光性樹脂層（以下、「感光性樹脂層」ということがある。）と、を有し、上記仮支持体は、少なくとも、上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する。<Transfer material>
The transfer material according to the present disclosure has a temporary support having a thickness of 7 μm to 18 μm and a chemically amplified positive photosensitive resin layer (hereinafter, may be referred to as “photosensitive resin layer”). The temporary support has at least irregularities on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided.

本開示に係る転写材料は、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減することができる。本開示に係る転写材料が上記効果を奏する理由は明らかではないものの、以下のように推察される。
ＰＥＤは、パターンの設計寸法よりも広い領域で不可避的に形成される化学増幅ポジ型感光性樹脂層の露光部（以下、「不可避的露光部」という。）において、露光後の静置時間の経過に伴い、酸の拡散及び酸触媒反応が進行することによって生じると考えられる。仮支持体を介して感光性樹脂層をパターン露光すると、光源から照射された光は、仮支持体を通過して感光性樹脂層に到達する。また、例えばマスクを用いて感光性樹脂層をパターン露光する場合においては、マスクと感光性樹脂層との間には仮支持体の厚さに相当する間隔があくことになる。このため、仮支持体を介して感光性樹脂層を露光する場合においては、仮支持体に起因する光の拡散、回折等によって不可避的露光部が形成されやすい。不可避的露光部では酸の拡散及び酸触媒反応が進行するため、露光後の静置時間の経過に伴い、感光性樹脂層の極性変化が指数関数的に起こり得る。よって、感光層として化学増幅ポジ型感光性樹脂層を用いる場合、不可避的露光部の形成によってＰＥＤが引き起こされやすいと考えられる。
特開２０１０−７２５８９号公報及び特開２０１７−７８８５２号公報に記載された従来の技術では、仮支持体の厚さとＰＥＤとの関係については検討されていないため、不可避的露光部の形成を根本的に回避することは困難と考えられる。
一方、本開示に係る転写材料は、厚さが７μｍ〜１８μｍの仮支持体と、化学増幅ポジ型感光性樹脂層と、を有するため、マスクと感光性樹脂層との距離が小さくなり、仮支持体を介して感光性樹脂層を露光する場合であっても不可避的露光部の形成を抑えることができる。このため、本開示に係る転写材料は、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減することができると考えられる。また、本開示に係る転写材料は、少なくとも、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する仮支持体を有することで、仮支持体の表面の滑り性が向上する。そのため、マスクと仮支持体の表面を接触した状態で互いを滑らせてマスクアライメントを行うことが可能となり、マスクと仮支持体の表面を接触させて露光する、いわゆる、コンタクト露光に適している。コンタクト露光は、マスクと感光性樹脂層との距離をより小さくできるので、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減することができる。The transfer material according to the present disclosure can reduce the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure. Although the reason why the transfer material according to the present disclosure exerts the above effect is not clear, it is presumed as follows.
The PED is used for the standing time after exposure in the exposed portion of the chemically amplified positive photosensitive resin layer (hereinafter referred to as “unavoidable exposed portion”) that is inevitably formed in a region wider than the design dimension of the pattern. It is considered that this is caused by the diffusion of acid and the progress of acid-catalyzed reaction with the lapse of time. When the photosensitive resin layer is pattern-exposed via the temporary support, the light emitted from the light source passes through the temporary support and reaches the photosensitive resin layer. Further, for example, when the photosensitive resin layer is pattern-exposed using a mask, there is an interval corresponding to the thickness of the temporary support between the mask and the photosensitive resin layer. Therefore, when the photosensitive resin layer is exposed through the temporary support, an unavoidable exposed portion is likely to be formed due to the diffusion and diffraction of light caused by the temporary support. Since the acid diffusion and the acid catalytic reaction proceed in the unavoidable exposed portion, the polarity of the photosensitive resin layer may change exponentially with the lapse of the standing time after the exposure. Therefore, when a chemically amplified positive photosensitive resin layer is used as the photosensitive layer, it is considered that PED is likely to be caused by the formation of the unavoidable exposed portion.
In the conventional techniques described in JP-A-2010-72589 and JP-A-2017-78852, the relationship between the thickness of the temporary support and PED has not been investigated, so the formation of an unavoidable exposed portion is fundamental. It is considered difficult to avoid it.
On the other hand, since the transfer material according to the present disclosure has a temporary support having a thickness of 7 μm to 18 μm and a chemically amplified positive photosensitive resin layer, the distance between the mask and the photosensitive resin layer becomes small, and the temporary support is temporarily provided. Even when the photosensitive resin layer is exposed via the support, the formation of an unavoidable exposed portion can be suppressed. Therefore, it is considered that the transfer material according to the present disclosure can reduce the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure. Further, the transfer material according to the present disclosure has at least a temporary support having irregularities on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided, so that the surface of the temporary support slides. Improves sex. Therefore, it is possible to perform mask alignment by sliding each other in a state where the mask and the surface of the temporary support are in contact with each other, and it is suitable for so-called contact exposure in which the surface of the mask and the temporary support are brought into contact with each other for exposure. .. In contact exposure, the distance between the mask and the photosensitive resin layer can be made smaller, so that the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure can be reduced.

以下、本開示に係る転写材料の実施形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the transfer material according to the present disclosure will be described in detail.

本開示に係る転写材料の一例について、図面を参照しながら説明する。図１は、本開示に係る転写材料の層構成の一例を概略的に示している。例えば図１に示される転写材料１００は、仮支持体１２と、化学増幅ポジ型感光性樹脂層１４と、保護フィルム１６と、を有する。化学増幅ポジ型感光性樹脂層１４は、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を有する重合体と、光酸発生剤と、を含有することが好ましい。 An example of the transfer material according to the present disclosure will be described with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows an example of the layer structure of the transfer material according to the present disclosure. For example, the transfer material 100 shown in FIG. 1 has a temporary support 12, a chemically amplified positive photosensitive resin layer 14, and a protective film 16. The chemically amplified positive photosensitive resin layer 14 preferably contains a polymer having a structural unit having a group in which an acid group is protected by an acid-degradable group, and a photoacid generator.

［仮支持体］
本開示に係る転写材料は、厚さが７μｍ〜１８μｍの仮支持体を有する。また、本開示における仮支持体は、少なくとも、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する。本開示に係る転写材料は、厚さが７μｍ〜１８μｍであり、少なくとも、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する仮支持体を有することで、仮支持体を介して化学増幅ポジ型感光性樹脂層を露光する場合における不可避的露光部の形成を抑えることができるため、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量（以下、単に「線幅変化量」ということがある。）を低減することができる。[Temporary support]
The transfer material according to the present disclosure has a temporary support having a thickness of 7 μm to 18 μm. Further, the temporary support in the present disclosure has at least irregularities on the surface on the side opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided. The transfer material according to the present disclosure has a thickness of 7 μm to 18 μm, and has at least a temporary support having irregularities on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided. Since the formation of an unavoidable exposed portion when the chemically amplified positive photosensitive resin layer is exposed via the temporary support can be suppressed, the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after the exposure ( Hereinafter, it may be simply referred to as “line width change amount”).

仮支持体の厚さは、１８μｍ以下であり、１６μｍ以下であることが好ましく、１４μｍ以下であることがより好ましく、１２μｍ以下であることがさらに好ましい。仮支持体の厚さの上限値を上記数値範囲に調節することで、線幅変化量を低減することができる。 The thickness of the temporary support is 18 μm or less, preferably 16 μm or less, more preferably 14 μm or less, and further preferably 12 μm or less. By adjusting the upper limit of the thickness of the temporary support within the above numerical range, the amount of change in line width can be reduced.

仮支持体の厚さは、７μｍ以上であり、８μｍ以上であることが好ましい。仮支持体の厚さの下限値を上記数値範囲に調節することで、仮支持体の取扱性を向上することができる。 The thickness of the temporary support is 7 μm or more, preferably 8 μm or more. By adjusting the lower limit of the thickness of the temporary support within the above numerical range, the handleability of the temporary support can be improved.

仮支持体の厚さは、以下の方法により測定することができる。
仮支持体の厚さ方向の断面観察像において、無作為に選択した１０箇所で測定される仮支持体の厚さの算術平均値を求め、得られる値を仮支持体の厚さとする。仮支持体の厚さ方向の断面観察像は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）又はレーザー顕微鏡を用いて得ることができる。The thickness of the temporary support can be measured by the following method.
In the cross-sectional observation image in the thickness direction of the temporary support, the arithmetic mean value of the thickness of the temporary support measured at 10 randomly selected points is obtained, and the obtained value is defined as the thickness of the temporary support. A cross-sectional observation image of the temporary support in the thickness direction can be obtained by using a scanning electron microscope (SEM) or a laser microscope.

仮支持体は、少なくとも、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する。仮支持体は、線幅変化量の低減の観点から、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面にのみ凹凸を有することが好ましい。本開示において、「表面に凹凸を有する」とは、具体的に、表面粗さＲａが０．００２μｍ以上であることを意味する。 The temporary support has at least irregularities on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided. From the viewpoint of reducing the amount of change in line width, the temporary support preferably has irregularities only on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided. In the present disclosure, "having irregularities on the surface" specifically means that the surface roughness Ra is 0.002 μm or more.

凹凸を有する側の仮支持体の表面粗さＲａは、線幅変化量の低減の観点から、０．００５μｍ〜１μｍであることが好ましく、０．０１μｍ〜１μｍであることがより好ましく、０．０４μｍ〜０．５μｍであることがさらに好ましい。凹凸を有する側の仮支持体の表面粗さＲａは、露光における光散乱抑制の観点から、０．５μｍ以下であることが好ましい。 The surface roughness Ra of the temporary support on the uneven side is preferably 0.005 μm to 1 μm, more preferably 0.01 μm to 1 μm, from the viewpoint of reducing the amount of change in line width. It is more preferably 04 μm to 0.5 μm. The surface roughness Ra of the temporary support on the side having irregularities is preferably 0.5 μm or less from the viewpoint of suppressing light scattering during exposure.

仮支持体の表面粗さＲａは、以下の方法によって測定することができる。
仮支持体の測定面について、３次元光学プロファイラー（Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ７３００、Ｚｙｇｏ社製）を用いて、以下の条件にて、仮支持体の表面プロファイルを得る。なお、測定及び解析ソフトには、ＭｅｔｒｏＰｒｏ ｖｅｒ８．３．２のＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎを用いる。次に、上記解析ソフト（ＭｅｔｒｏＰｒｏ ｖｅｒ８．３．２−Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ）にてＳｕｒｆａｃｅ Ｍａｐ画面を表示し、Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍａｐ画面中でヒストグラムデータを得る。得られたヒストグラムデータから、算術平均粗さを算出し、得られる値を表面粗さＲａとする。The surface roughness Ra of the temporary support can be measured by the following method.
For the measurement surface of the temporary support, a three-dimensional optical profiler (New View7300, manufactured by Zygo) is used to obtain a surface profile of the temporary support under the following conditions. As the measurement and analysis software, Microscope Application of MetroPro ver 8.3.2 is used. Next, the Surface Map screen is displayed with the above analysis software (MeroPro ver8.3-2-Microscope Application), and histogram data is obtained in the Surface Map screen. Arithmetic mean roughness is calculated from the obtained histogram data, and the obtained value is defined as surface roughness Ra.

（測定条件）
対物レンズ：５０倍
Ｚｏｏｍ：０．５倍
測定領域：１．００ｍｍ×１．００ｍｍ
（解析条件）
Ｒｅｍｏｖｅｄ：ｐｌａｎｅ
Ｆｉｌｔｅｒ：ｏｆｆ
ＦｉｌｔｅｒＴｙｐｅ：ａｖｅｒａｇｅ
Ｒｅｍｏｖｅ ｓｐｉｋｅｓ：ｏｎ
Ｓｐｉｋｅ Ｈｅｉｇｈｔ（ｘＲＭＳ）：７．５(Measurement condition)
Objective lens: 50x Zoom: 0.5x Measurement area: 1.00mm x 1.00mm
(Analysis conditions)
Removed: plane
Filter: off
FilterType: average
Remove spikes: on
Spike Height (xRMS): 7.5

仮支持体としては、例えば、ガラス基材、樹脂フィルム等が挙げられる。上記の中でも、仮支持体としては、強度、可撓性等の観点から、樹脂フィルムが好ましい。また、仮支持体が複層構造を有する場合、上記したガラス基材、樹脂フィルム等を基材として用いてもよい。 Examples of the temporary support include a glass base material, a resin film, and the like. Among the above, as the temporary support, a resin film is preferable from the viewpoint of strength, flexibility and the like. When the temporary support has a multi-layer structure, the above-mentioned glass base material, resin film, or the like may be used as the base material.

樹脂フィルムに含有される樹脂としては、例えば、シクロオレフィンポリマー、ポリエチレンテレフタレート、トリ酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリカーボネート等が挙げられる。上記の中でも、樹脂フィルムに含有される樹脂としては、光学特性、耐溶剤性、及び耐熱性の観点から、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。 Examples of the resin contained in the resin film include cycloolefin polymer, polyethylene terephthalate, cellulose triacetate, polystyrene, polycarbonate and the like. Among the above, polyethylene terephthalate is preferable as the resin contained in the resin film from the viewpoint of optical properties, solvent resistance, and heat resistance.

樹脂フィルムとしては、シクロオレフィンポリマーフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、トリ酢酸セルロースフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム等が挙げられる。上記の中でも、樹脂フィルムは、光学特性、耐溶剤性、及び耐熱性の観点から、ポリエチレンテレフタレートフィルムであることが好ましい。 Examples of the resin film include a cycloolefin polymer film, a polyethylene terephthalate film, a cellulose triacetate film, a polystyrene film, and a polycarbonate film. Among the above, the resin film is preferably a polyethylene terephthalate film from the viewpoint of optical properties, solvent resistance, and heat resistance.

樹脂フィルムの市販品としては、例えば、ルミラー（登録商標。以下同じ。）１２ＱＳ６２、ルミラー１６ＱＳ６２（いずれも東レ株式会社製）等が挙げられる。 Examples of commercially available resin films include Lumirror (registered trademark; the same applies hereinafter) 12QS62 and Lumirror 16QS62 (both manufactured by Toray Industries, Inc.).

仮支持体は、粒子を含むことが好ましい。仮支持体が粒子を含むことで、仮支持体の表面に凹凸を形成することができるため、本開示に係る転写材料は高解像化可能なコンタクト露光に適する。仮支持体に含まれる粒子としては、例えば、有機粒子、無機粒子等が挙げられる。
ここで言う「粒子を含む」とは、例えば、仮支持体中に粒子が分散した状態であってもよく、また、仮支持体上に粒子を含む層を別途形成し、仮支持体と一体化した膜として扱えるようにした状態であってもよく、さらに、これらの組み合わせであってもよい。これらの実施形態は、仮支持体の材質、厚さなどの他の要求特性によって選ぶことが可能である。The temporary support preferably contains particles. Since the temporary support contains particles, irregularities can be formed on the surface of the temporary support, and therefore, the transfer material according to the present disclosure is suitable for contact exposure capable of high resolution. Examples of the particles contained in the temporary support include organic particles and inorganic particles.
The term "containing particles" as used herein means, for example, that the particles may be dispersed in the temporary support, or a layer containing the particles is separately formed on the temporary support and integrated with the temporary support. It may be in a state where it can be treated as a modified film, or it may be a combination thereof. These embodiments can be selected according to other required characteristics such as the material and thickness of the temporary support.

有機粒子としては、例えば、アクリル樹脂粒子、ポリエステル粒子、ポリウレタン粒子、ポリカーボネート粒子、ポリオレフィン粒子、ポリスチレン粒子等の有機樹脂粒子などが挙げられる。 Examples of the organic particles include organic resin particles such as acrylic resin particles, polyester particles, polyurethane particles, polycarbonate particles, polyolefin particles, and polystyrene particles.

無機粒子としては、例えば、酸化ケイ素（シリカ）粒子、酸化チタン（チタニア）粒子、酸化ジルコニウム（ジルコニア）粒子、酸化マグネシウム（マグネシア）粒子、酸化アルミニウム（アルミナ）粒子等が挙げられる。 Examples of the inorganic particles include silicon oxide (silica) particles, titanium oxide (titania) particles, zirconium oxide (zirconia) particles, magnesium oxide (magnesia) particles, aluminum oxide (alumina) particles and the like.

上記の中でも、仮支持体に含まれる粒子は、光学特性の観点から、無機粒子であることが好ましく、酸化ケイ素（シリカ）粒子であることがより好ましい。 Among the above, the particles contained in the temporary support are preferably inorganic particles, more preferably silicon oxide (silica) particles, from the viewpoint of optical properties.

仮支持体のヘイズ値は、線幅変化量の低減の観点から、０．５０％以下であることが好ましく、０．４５％以下であることがより好ましく、０．３５％以下であることが特に好ましい。仮支持体のヘイズ値の下限は、制限されない。仮支持体のヘイズ値は、例えば、０％以上の範囲で適宜決定すればよい。仮支持体のヘイズ値は、ヘイズメーターを用い、ＪＩＳ Ｋ７１３６：２０００に準ずる方法により測定することができる。 The haze value of the temporary support is preferably 0.50% or less, more preferably 0.45% or less, and more preferably 0.35% or less, from the viewpoint of reducing the amount of change in line width. Especially preferable. The lower limit of the haze value of the temporary support is not limited. The haze value of the temporary support may be appropriately determined in the range of 0% or more, for example. The haze value of the temporary support can be measured by a method according to JIS K7136: 2000 using a haze meter.

上記の中でも、仮支持体としては、粒子を含み、かつ、ヘイズ値が０．５０％以下である仮支持体が好ましい。粒子を含み、かつ、ヘイズ値が０．５０％以下である仮支持体を用いることで、仮支持体の表面に凹凸を形成でき、また、粒子を含む仮支持体における光拡散を低減することができるため、線幅変化量を低減することができる。 Among the above, as the temporary support, a temporary support containing particles and having a haze value of 0.50% or less is preferable. By using a temporary support containing particles and having a haze value of 0.50% or less, irregularities can be formed on the surface of the temporary support, and light diffusion in the temporary support containing particles can be reduced. Therefore, the amount of change in line width can be reduced.

仮支持体は、１層のみからなる単層構造であってもよく、２層以上を含む複層構造であってもよい。また、仮支持体は、基材と、上記基材の少なくとも一方の表面上に上記粒子を含む層と、を含んでいてもよい。基材としては、例えば、既述のガラス基材、樹脂フィルム等を適用することができる。 The temporary support may have a single-layer structure consisting of only one layer, or may have a multi-layer structure including two or more layers. Further, the temporary support may include a base material and a layer containing the particles on at least one surface of the base material. As the base material, for example, the above-mentioned glass base material, resin film, or the like can be applied.

仮支持体の製造方法としては、制限されず、公知の製造方法を適宜適用することができる。仮支持体が樹脂フィルムである場合、例えば、押出成形等の公知の製造方法によって樹脂フィルムを製造することができる。また、必要に応じて、延伸（例えば、２軸延伸）等によって仮支持体の厚さを調節してもよい。 The method for producing the temporary support is not limited, and a known production method can be appropriately applied. When the temporary support is a resin film, the resin film can be produced by a known production method such as extrusion molding. Further, if necessary, the thickness of the temporary support may be adjusted by stretching (for example, biaxial stretching) or the like.

［化学増幅ポジ型感光性樹脂層］
本開示に係る転写材料は、化学増幅ポジ型感光性樹脂層を有する。本開示に係る転写材料は、化学増幅ポジ型感光性樹脂層を有することで、露光における感度を向上させることができる。[Chemically amplified positive photosensitive resin layer]
The transfer material according to the present disclosure has a chemically amplified positive photosensitive resin layer. The transfer material according to the present disclosure can improve the sensitivity in exposure by having a chemically amplified positive photosensitive resin layer.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層としては、制限されず、公知の化学増幅ポジ型感光性樹脂層を適用することができる。化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、感度、解像度及び除去性の観点から、酸分解性樹脂を含有することが好ましく、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体と、光酸発生剤と、を含有することがより好ましい。酸分解性樹脂としては、酸との作用によって分子構造の一部が分解し得る樹脂であれば制限されず、例えば、後述する酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体等が挙げられる。 The chemically amplified positive photosensitive resin layer is not limited, and a known chemically amplified positive photosensitive resin layer can be applied. The chemically amplified positive photosensitive resin layer preferably contains an acid-degradable resin from the viewpoint of sensitivity, resolution and removability, and contains a heavy component having a group in which the acid group is protected by the acid-degradable group. It is more preferable to contain a coalescence and a photoacid generator. The acid-decomposable resin is not limited as long as it is a resin capable of partially decomposing a part of its molecular structure by action with an acid. Examples include polymers containing.

後述するオニウム塩、オキシムスルホネート化合物等の光酸発生剤を用いる場合、活性放射線（活性光線ともいう。）に感応して生成される酸は、上記重合体中の酸基が酸分解性基で保護された基における脱保護反応において触媒として作用する。１個の光量子の作用で生成した酸が多数の脱保護反応に寄与するため、量子収率は１を超え、例えば、１０の数乗のような大きい値となり、いわゆる化学増幅の結果として、高感度が得られる。一方、活性放射線に感応する光酸発生剤としてキノンジアジド化合物を用いる場合、逐次型光化学反応によりカルボキシ基を生成するが、その量子収率は必ず１以下であり、化学増幅型には該当しない。 When a photoacid generator such as an onium salt or an oxime sulfonate compound, which will be described later, is used, the acid group generated in response to active radiation (also referred to as active light) is an acid-degradable group in the polymer. It acts as a catalyst in the deprotection reaction at the protected group. Since the acid produced by the action of one photon contributes to many deprotection reactions, the quantum yield exceeds 1, which is a large value such as the power of 10, which is high as a result of so-called chemical amplification. Sensitivity is obtained. On the other hand, when a quinonediazide compound is used as a photoacid generator that is sensitive to active radiation, a carboxy group is generated by a sequential photochemical reaction, but the quantum yield is always 1 or less, and it does not correspond to the chemically amplified type.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体に加え、後述する他の重合体を含有していてもよい。本開示においては、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体、及び他の重合体をあわせて「重合体成分」という。 The chemically amplified positive photosensitive resin layer may contain other polymers described later in addition to the polymer containing a structural unit having a group in which the acid group is protected by an acid-degradable group. In the present disclosure, a polymer containing a structural unit having a group in which an acid group is protected by an acid-degradable group and other polymers are collectively referred to as a "polymer component".

〔酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を有する重合体：重合体Ａ〕
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位（以下、「構成単位Ａ」ということがある。）を含む重合体（以下、「重合体Ａ」ということがある。）を含有することが好ましい。構成単位Ａにおける酸基が酸分解性基で保護された基は、露光により生じる酸の作用によって酸基に変換される。このため、露光された化学増幅ポジ型感光性樹脂層の現像液への溶解性が増大する。[Polymer having a structural unit in which the acid group has a group protected by an acid-degradable group: Polymer A]
The chemically amplified positive photosensitive resin layer contains a polymer (hereinafter, "polymer") containing a structural unit having a group in which an acid group is protected by an acid-degradable group (hereinafter, may be referred to as "constituent unit A"). It may be referred to as "A"). A group in which the acid group in the structural unit A is protected by an acid-degradable group is converted into an acid group by the action of an acid generated by exposure. Therefore, the solubility of the exposed chemically amplified positive photosensitive resin layer in the developing solution is increased.

重合体Ａは、付加重合型の樹脂であることが好ましく、（メタ）アクリル酸又はそのエステルに由来する構成単位を含む重合体であることがより好ましい。重合体Ａは、（メタ）アクリル酸又はそのエステルに由来する構成単位以外の構成単位（例えば、スチレンに由来する構成単位、ビニル化合物に由来する構成単位等）を含んでいてもよい。 The polymer A is preferably an addition polymerization type resin, and more preferably a polymer containing a structural unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof. The polymer A may contain a structural unit other than the structural unit derived from (meth) acrylic acid or an ester thereof (for example, a structural unit derived from styrene, a structural unit derived from a vinyl compound, etc.).

（酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位：構成単位Ａ）
重合体Ａは、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含有する。(Constituent unit having an acid group protected by an acid-degradable group: Constituent unit A)
Polymer A contains a structural unit in which the acid group has a group protected by an acid-degradable group.

本開示において、「酸基が酸分解性基で保護された基」とは、酸基が酸分解性基で保護された構造を有する基をいう。酸基が酸分解性基で保護された基は、酸の作用によって酸基に変換され得る。 In the present disclosure, the "group in which an acid group is protected by an acid-degradable group" means a group having a structure in which an acid group is protected by an acid-degradable group. A group whose acid group is protected by an acid-degradable group can be converted into an acid group by the action of an acid.

本開示において、「酸基」とは、ｐＫａが１２以下のプロトン解離性基をいう。酸基としては、カルボキシ基、フェノール性ヒドロキシ基等の公知の酸基を適用することができる。酸基は、カルボキシ基、又はフェノール性ヒドロキシ基であることが好ましい。 In the present disclosure, the "acid group" refers to a proton dissociative group having a pKa of 12 or less. As the acid group, a known acid group such as a carboxy group or a phenolic hydroxy group can be applied. The acid group is preferably a carboxy group or a phenolic hydroxy group.

酸分解性基としては、制限されず、公知の酸分解性基を適用することができる。酸分解性基としては、例えば、酸基をアセタールの形で保護できる酸分解性基（例えば、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、エトキシエチル基）、酸基をエステルの形で保護できる酸分解性基（例えば、ｔｅｒｔ−ブチル基）等が挙げられる。 The acid-degradable group is not limited, and a known acid-degradable group can be applied. Examples of the acid-degradable group include an acid-degradable group capable of protecting an acid group in the form of an acetal (for example, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, an ethoxyethyl group), and an acid decomposition capable of protecting an acid group in the form of an ester. Examples include a sex group (for example, a tert-butyl group).

酸基が酸分解性基で保護された基としては、酸により比較的分解し易い基（例えば、後述する式Ａ３で表される構成単位に含まれるエステル基、テトラヒドロピラニルエステル基、テトラヒドロフラニルエステル基等のアセタール系官能基）、酸により比較的分解し難い基（例えば、ｔｅｒｔ−ブチルエステル基等の第三級アルキルエステル基、ｔｅｒｔ−ブチルカーボネート基等の第三級アルキルカーボネート基）等を用いることができる。 Examples of the group in which the acid group is protected by an acid-degradable group include a group that is relatively easily decomposed by an acid (for example, an ester group, a tetrahydropyranyl ester group, and a tetrahydrofuranyl ester contained in a structural unit represented by the formula A3 described later). Acetal-based functional groups such as groups), groups that are relatively difficult to decompose with an acid (for example, tertiary alkyl ester groups such as tert-butyl ester groups, tertiary alkyl carbonate groups such as tert-butyl carbonate groups), etc. Can be used.

上記の中でも、酸基が酸分解性基で保護された基は、カルボキシ基又はフェノール性ヒドロキシ基がアセタールの形で保護された構造を有する基であることが好ましい。 Among the above, the group in which the acid group is protected by an acid-degradable group is preferably a group having a structure in which a carboxy group or a phenolic hydroxy group is protected in the form of acetal.

構成単位Ａは、感度及び解像度の観点から、式Ａ１で表される構成単位、式Ａ２で表される構成単位及び式Ａ３で表される構成単位からなる群より選択される少なくとも１種の構成単位であることが好ましく、式Ａ１で表される構成単位、及び式Ａ３で表される構成単位からなる群より選択される少なくとも１種の構成単位であることがより好ましく、後述する式Ａ１−２で表される構成単位、及び後述する式Ａ３−３で表される構成単位からなる群より選択される少なくとも１種の構成単位であることが特に好ましい。式Ａ１で表される構成単位及び式Ａ２で表される構成単位は、フェノール性ヒドロキシ基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位である。式Ａ３で表される構成単位は、カルボキシ基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位である。 The structural unit A is at least one type of configuration selected from the group consisting of the structural unit represented by the formula A1, the structural unit represented by the formula A2, and the structural unit represented by the formula A3 from the viewpoint of sensitivity and resolution. It is preferably a unit, and more preferably at least one structural unit selected from the group consisting of the structural unit represented by the formula A1 and the structural unit represented by the formula A3. It is particularly preferable that the structural unit is at least one selected from the group consisting of the structural unit represented by 2 and the structural unit represented by the formula A3-3 described later. The structural unit represented by the formula A1 and the structural unit represented by the formula A2 are structural units having a group in which a phenolic hydroxy group is protected by an acid-degradable group. The structural unit represented by the formula A3 is a structural unit having a group in which the carboxy group is protected by an acid-degradable group.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

式Ａ１中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ１１及びＲ１２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ１３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ１４は、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ１は、単結合又は二価の連結基を表し、Ｒ１５は、置換基を表し、ｎは、０〜４の整数を表す。In formula A1, R 11 and R 12 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 11 and R 12 is an alkyl group or an aryl group, and R 13 is Representing an alkyl or aryl group, R 11 or R 12 and R 13 may be linked to form a cyclic ether, where R 14 represents a hydrogen atom or methyl group and X 1 is a single bond or It represents a divalent linking group, R 15 represents a substituent and n represents an integer from 0 to 4.

式Ａ２中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ２１及びＲ２２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ２３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ２１又はＲ２２と、Ｒ２３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ２４は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基又はシクロアルキル基を表し、ｍは、０〜３の整数を表す。In formula A2, R 21 and R 22 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 21 and R 22 is an alkyl group or an aryl group, and R 23 is Representing an alkyl group or an aryl group, R 21 or R 22 and R 23 may be linked to form a cyclic ether, and R 24 may independently form a hydroxy group, a halogen atom, an alkyl group, or an alkoxy. It represents a group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyalkyl group, an arylcarbonyl group, an aryloxycarbonyl group or a cycloalkyl group, and m represents an integer of 0 to 3.

式Ａ３中、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ３３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３４は、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ０は、単結合又は二価の連結基を表す。In formula A3, R 31 and R 32 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 31 and R 32 is an alkyl group or an aryl group, and R 33 is Representing an alkyl or aryl group, R 31 or R 32 and R 33 may be linked to form a cyclic ether, where R 34 represents a hydrogen atom or methyl group and X 0 is a single bond or Represents a divalent linking group.

−式Ａ１で表される構成単位の好ましい態様−
式Ａ１中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ１１及びＲ１２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基である。アルキル基は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましい。アリール基は、フェニル基であることが好ましい。上記の中でも、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましい。-Preferable embodiment of the structural unit represented by the formula A1-
In formula A1, R 11 and R 12 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 11 and R 12 is an alkyl group or an aryl group. The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The aryl group is preferably a phenyl group. Among the above, it is preferable that R 11 and R 12 are independently hydrogen atoms or alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms.

式Ａ１中、Ｒ１３は、炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のアルキル基がより好ましい。In the formula A1, R 13 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

式Ａ１中、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３におけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。In formula A1, the alkyl and aryl groups in R 11 , R 12 and R 13 may have substituents.

式Ａ１中、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。環状エーテルの環員数は、５又は６であることが好ましく、５であることがより好ましい。In formula A1, it is preferable that R 11 or R 12 and R 13 are linked to form a cyclic ether. The number of ring members of the cyclic ether is preferably 5 or 6, and more preferably 5.

式Ａ１中、Ｘ１は、単結合、アルキレン基、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲＮ−、−Ｏ−又はこれらの組み合わせであることが好ましく、単結合であることがより好ましい。アルキレン基は、直鎖状でも分岐を有していても環状構造を有していてもよく、置換基を有していてもよい。アルキレン基の炭素数は１〜１０であることが好ましく、１〜４であることがより好ましい。Ｘ１が−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−を含む場合、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−に含まれる炭素原子と、Ｒ１４が結合した炭素原子とが直接結合する態様が好ましい。Ｘ１が−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲＮ−を含む場合、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲＮ−に含まれる炭素原子と、Ｒ１４が結合した炭素原子とが直接結合する態様が好ましい。ＲＮは、アルキル基又は水素原子を表し、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。In the formula A1, X 1 is preferably a single bond, an alkylene group, -C (= O) O-, -C (= O) NR N- , -O- or a combination thereof, and is a single bond. Is more preferable. The alkylene group may have a linear structure, a branched structure, a cyclic structure, or a substituent. The alkylene group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms. When X 1 contains -C (= O) O-, it is preferable that the carbon atom contained in -C (= O) O- and the carbon atom to which R 14 is bonded are directly bonded. When containing, -C (= O) NR N - - X 1 is -C (= O) NR N and carbon atoms contained in a mode in which the carbon atom to which R 14 is bonded is directly bonded is preferable. R N represents an alkyl group or a hydrogen atom, preferably an alkyl group or a hydrogen atom having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably a hydrogen atom.

式Ａ１中、Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３を含む基と、Ｘ１とは、酸保護基の立体障害の観点から、互いにパラ位で結合することが好ましい。すなわち、式Ａ１で表される構成単位は、下記式Ａ１−１で表される構成単位であることが好ましい。式Ａ１−１におけるＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｘ１、及びｎは、それぞれ、式Ａ１におけるＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｘ１、及びｎと同義である。In the formula A1, the group containing R 11 , R 12 and R 13 and X 1 are preferably bonded to each other at the para position from the viewpoint of steric hindrance of the acid protecting group. That is, the structural unit represented by the formula A1 is preferably the structural unit represented by the following formula A1-1. R 11 in the formula A1-1, R 12, R 13, R 14, R 15, X 1, and n, respectively, R 11 in the formula A1, R 12, R 13, R 14, R 15, X 1, And n are synonymous.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

式Ａ１中、Ｒ１５は、アルキル基又はハロゲン原子であることが好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜４であることがより好ましい。In the formula A1, R 15 is preferably an alkyl group or a halogen atom. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 4.

式Ａ１中、ｎは、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。 In the formula A1, n is preferably 0 or 1, more preferably 0.

式Ａ１中、Ｒ１４は、重合体Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）をより低くし得るという観点から、水素原子であることが好ましい。
より具体的には、重合体Ａに含まれる構成単位Ａの全含有量に対し、式Ａ１におけるＲ１４が水素原子である構成単位の含有量は、２０質量％以上であることが好ましい。
なお、構成単位Ａ中の、式Ａ１におけるＲ１４が水素原子である構成単位の含有量は、１３Ｃ−核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。In the formula A1, R 14 is preferably a hydrogen atom from the viewpoint that the glass transition temperature (Tg) of the polymer A can be lowered.
More specifically, the content of the structural unit in which R 14 is a hydrogen atom in the formula A1 is preferably 20% by mass or more with respect to the total content of the structural unit A contained in the polymer A.
The content of the structural unit in which R 14 in the formula A1 is a hydrogen atom in the structural unit A is confirmed by the intensity ratio of the peak intensity calculated by a conventional method from 13 C-nuclear magnetic resonance spectrum (NMR) measurement. can do.

式Ａ１で表される構成単位の中でも、パターン形状の変形抑制の観点から、下記式Ａ１−２で表される構成単位がより好ましい。 Among the structural units represented by the formula A1, the structural unit represented by the following formula A1-2 is more preferable from the viewpoint of suppressing deformation of the pattern shape.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

式Ａ１−２中、ＲＢ４は、水素原子又はメチル基を表し、ＲＢ５〜ＲＢ１１は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ＲＢ１２は、置換基を表し、ｎは、０〜４の整数を表す。In the formula A1-2, R B4 represents a hydrogen atom or a methyl group, R B5 to R B11 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, R B12 is a substituted group Represents, and n represents an integer of 0 to 4.

式Ａ１−２中、ＲＢ４は、水素原子であることが好ましい。
式Ａ１−２中、ＲＢ５〜ＲＢ１１は、水素原子であることが好ましい。
式Ａ１−２、ＲＢ１２は、アルキル基又はハロゲン原子であるが好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０であることが好ましく、１〜４であることがより好ましい。
式Ａ１−２中、ｎは、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。In formula A1-2, R B4 is preferably a hydrogen atom.
In the formula A1-2, R B5 to R B11 is preferably a hydrogen atom.
Wherein A1-2, R B12 is an alkyl group or a halogen atom. The number of carbon atoms of the alkyl group is preferably 1 to 10, and more preferably 1 to 4.
In formula A1-2, n is preferably 0 or 1, more preferably 0.

式Ａ１−２中、ＲＢ５〜ＲＢ１１を含む基と、ＲＢ４が結合した炭素原子とは、酸保護基の立体障害の観点から、互いにパラ位で結合することが好ましい。In the formula A1-2, a group containing R B5 to R B11, and the carbon atom to which R B4 is bonded, in view of the steric hindrance of the acid protecting group, it is preferably bonded at para positions.

式Ａ１で表される構成単位の好ましい具体例として、下記の構成単位が例示できる。なお、下記の構成単位におけるＲＢ４は、水素原子又はメチル基を表す。The following structural units can be exemplified as preferable specific examples of the structural units represented by the formula A1. Incidentally, R B4 in the structural unit of the following represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

−式Ａ２で表される構成単位の好ましい態様−
式Ａ２中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ２１及びＲ２２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基である。アルキル基は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましい。アリール基は、フェニル基であることが好ましい。上記の中でも、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましく、少なくとも一方が水素原子であることがより好ましい。-Preferable embodiment of the structural unit represented by the formula A2-
In formula A2, R 21 and R 22 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 21 and R 22 is an alkyl group or an aryl group. The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The aryl group is preferably a phenyl group. Among the above, R 21 and R 22 are preferably independent hydrogen atoms or alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, and more preferably at least one of them is a hydrogen atom.

式Ａ２中、Ｒ２３は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜６のアルキル基であることがより好ましい。In the formula A2, R 23 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

式Ａ２中、Ｒ２１、Ｒ２２及びＲ２３におけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。In the formula A2, the alkyl group and the aryl group in R 21 , R 22 and R 23 may have a substituent.

式Ａ２中、Ｒ２４は、それぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基であることが好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることがより好ましい。Ｒ２４は、Ｒ２４と同様の基によりさらに置換されていてもよい。In the formula A2, R 24 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, respectively. .. R 24 may be further substituted with a group similar to R 24.

式Ａ２中、ｍは、１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。 In the formula A2, m is preferably 1 or 2, and more preferably 1.

式Ａ２で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記の構成単位が例示できる。 The following structural units can be exemplified as preferable specific examples of the structural units represented by the formula A2.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

−式Ａ３で表される構成単位の好ましい態様−
式Ａ３中、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基である。アルキル基は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましい。アリール基は、フェニル基であることが好ましい。上記の中でも、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。-Preferable embodiment of the structural unit represented by the formula A3-
In formula A3, R 31 and R 32 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 31 and R 32 is an alkyl group or an aryl group. The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. The aryl group is preferably a phenyl group. Among the above, R 31 and R 32 are preferably hydrogen atoms or alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, respectively.

式Ａ３中、Ｒ３３は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜６のアルキル基であることがより好ましい。In the formula A3, R 33 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

Ｒ３１〜Ｒ３３におけるアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。The alkyl group and aryl group in R 31 to R 33 may have a substituent.

式Ａ３中、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成することが好ましい。環状エーテルの環員数は、５又は６であることが好ましく、５であることがより好ましい。In formula A3, it is preferable that R 31 or R 32 and R 33 are linked to form a cyclic ether. The number of ring members of the cyclic ether is preferably 5 or 6, and more preferably 5.

式Ａ３中、Ｘ０は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。アリーレン基は、置換基を有していてもよい。In formula A3, X 0 is preferably a single bond or an arylene group, and more preferably a single bond. The arylene group may have a substituent.

式Ａ３中、Ｒ３４は、重合体Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）をより低くし得るという観点から、水素原子であることが好ましい。
より具体的には、重合体Ａに含まれる式Ａ３で表される構成単位の全含有量に対し、式Ａ３におけるＲ３４が水素原子である構成単位の含有量は、２０質量％以上であることが好ましい。
なお、式Ａ３で表される構成単位中の、式Ａ３におけるＲ３４が水素原子である構成単位の含有量は、１３Ｃ−核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。In the formula A3, R 34, from the viewpoint of capable of a glass transition temperature of the polymer A (Tg) lower, is preferably a hydrogen atom.
More specifically, the content of the structural unit in which R 34 is a hydrogen atom in the formula A3 is 20% by mass or more with respect to the total content of the structural unit represented by the formula A3 contained in the polymer A. Is preferable.
The content of the structural unit in which R 34 is a hydrogen atom in the structural unit represented by the formula A3 is the peak intensity calculated by a conventional method from the 13 C-nuclear magnetic resonance spectrum (NMR) measurement. It can be confirmed by the strength ratio of.

式Ａ３で表される構成単位の中でも、パターン形成時の感度をさらに高める観点から、下記式Ａ３−３で表される構成単位がより好ましい。 Among the structural units represented by the formula A3, the structural unit represented by the following formula A3-3 is more preferable from the viewpoint of further increasing the sensitivity at the time of pattern formation.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

式Ａ３−３中、Ｒ３４は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ３５〜Ｒ４１は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。In formula A3-3, R 34 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 35 to R 41 independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

式Ａ３−３中、Ｒ３４は、水素原子であることが好ましい。
式Ａ３−３中、Ｒ３５〜Ｒ４１は、水素原子であることが好ましい。In the formula A3-3, R 34 is preferably a hydrogen atom.
In formula A3-3, R 35 to R 41 are preferably hydrogen atoms.

式Ａ３で表される構成単位の好ましい具体例としては、下記の構成単位が例示できる。なお、下記の構成単位におけるＲ３４は、水素原子又はメチル基を表す。The following structural units can be exemplified as preferable specific examples of the structural units represented by the formula A3. In addition, R 34 in the following constitutional unit represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

重合体Ａに含まれる構成単位Ａは、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The structural unit A contained in the polymer A may be used alone or in combination of two or more.

重合体Ａ中の構成単位Ａの含有量は、重合体Ａの全質量に対して、１５質量％以上であることが好ましく、１５質量％〜９０質量％であることがより好ましく、１５質量％〜７０質量％であることが特に好ましい。
重合体Ａ中の構成単位Ａの含有量は、１３Ｃ−ＮＭＲ測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。The content of the structural unit A in the polymer A is preferably 15% by mass or more, more preferably 15% by mass to 90% by mass, and 15% by mass with respect to the total mass of the polymer A. It is particularly preferably ~ 70% by mass.
The content of the structural unit A in the polymer A can be confirmed by the intensity ratio of the peak intensity calculated by a conventional method from 13 C-NMR measurement.

（酸基を有する構成単位：構成単位Ｂ）
重合体Ａは、酸基を有する構成単位（以下、「構成単位Ｂ」ということがある。）を含有することが好ましい。重合体Ａが構成単位Ｂを含有することで、パターン形成時の感度が良好となり、パターン露光後の現像工程においてアルカリ性の現像液に溶けやすくなり、現像時間の短縮化を図ることができる。(Constituent unit having an acid group: Constituent unit B)
The polymer A preferably contains a structural unit having an acid group (hereinafter, may be referred to as “constituent unit B”). When the polymer A contains the structural unit B, the sensitivity at the time of pattern formation is improved, the polymer A is easily dissolved in an alkaline developer in the developing process after pattern exposure, and the developing time can be shortened.

構成単位Ｂにおける酸基は、ｐＫａが１２以下のプロトン解離性基である。感度向上の観点から、酸基のｐＫａは、１０以下であることが好ましく、６以下であることがより好ましい。また、酸基のｐＫａは、−５以上であることが好ましい。 The acid group in the structural unit B is a proton dissociative group having a pKa of 12 or less. From the viewpoint of improving sensitivity, the pKa of the acid group is preferably 10 or less, and more preferably 6 or less. Further, the pKa of the acid group is preferably −5 or more.

構成単位Ｂにおける酸基としては、例えば、カルボキシ基、スルホンアミド基、ホスホン酸基、スルホン酸基、フェノール性ヒドロキシ基、スルホニルイミド基等が挙げられる。上記の中でも、酸基は、カルボキシ基及びフェノール性ヒドロキシ基よりなる群から選ばれる少なくとも１種の酸基であることが好ましい。 Examples of the acid group in the structural unit B include a carboxy group, a sulfonamide group, a phosphonic acid group, a sulfonic acid group, a phenolic hydroxy group, a sulfonylimide group and the like. Among the above, the acid group is preferably at least one acid group selected from the group consisting of a carboxy group and a phenolic hydroxy group.

重合体Ａへの構成単位Ｂの導入は、酸基を有するモノマーを共重合させる方法、又は酸無水物構造を有するモノマーを共重合させ、酸無水物を加水分解する方法によって行うことができる。酸基の一例であるカルボキシ基を有するモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、４−カルボキシスチレン等が挙げられる。酸基の一例であるフェノール性ヒドロキシ基を有するモノマーとしては、ｐ−ヒドロキシスチレン、４−ヒドロキシフェニルメタクリレート等が挙げられる。酸無水物構造を有するモノマーとしては、例えば、無水マレイン酸等が挙げられる。 The structural unit B can be introduced into the polymer A by a method of copolymerizing a monomer having an acid group or a method of copolymerizing a monomer having an acid anhydride structure and hydrolyzing the acid anhydride. Examples of the monomer having a carboxy group, which is an example of an acid group, include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, 4-carboxystyrene and the like. Examples of the monomer having a phenolic hydroxy group, which is an example of an acid group, include p-hydroxystyrene and 4-hydroxyphenylmethacrylate. Examples of the monomer having an acid anhydride structure include maleic anhydride and the like.

構成単位Ｂは、酸基を有するスチレン化合物に由来する構成単位、又は酸基を有するビニル化合物に由来する構成単位であることが好ましく、フェノール性ヒドロキシ基を有するスチレン化合物に由来する構成単位、又はカルボキシ基を有するビニル化合物に由来する構成単位であることがより好ましく、カルボキシ基を有するビニル化合物に由来する構成単位であることがさらに好ましく、（メタ）アクリル酸に由来する構成単位であることが特に好ましい。 The structural unit B is preferably a structural unit derived from a styrene compound having an acid group, or a structural unit derived from a vinyl compound having an acid group, and is a structural unit derived from a styrene compound having a phenolic hydroxy group, or a structural unit. It is more preferably a structural unit derived from a vinyl compound having a carboxy group, further preferably a structural unit derived from a vinyl compound having a carboxy group, and preferably a structural unit derived from (meth) acrylic acid. Especially preferable.

構成単位Ｂは、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The structural unit B may be used alone or in combination of two or more.

重合体Ａ中の構成単位Ｂの含有量は、重合体Ａの全質量に対し、０．１質量％〜２０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜１５質量％であることがより好ましく、１質量％〜１０質量％であることが特に好ましい。重合体Ａ中の構成単位Ｂの含有量を上記数値範囲に調整することで、パターン形成性がより良好となる。
重合体Ａ中の構成単位Ｂの含有量は、１３Ｃ−ＮＭＲ測定から常法により算出されるピーク強度の強度比により確認することができる。The content of the structural unit B in the polymer A is preferably 0.1% by mass to 20% by mass, and preferably 0.5% by mass to 15% by mass, based on the total mass of the polymer A. More preferably, it is 1% by mass to 10% by mass. By adjusting the content of the structural unit B in the polymer A within the above numerical range, the pattern forming property becomes better.
The content of the structural unit B in the polymer A can be confirmed by the intensity ratio of the peak intensity calculated by a conventional method from 13 C-NMR measurement.

（他の構成単位：構成単位Ｃ）
重合体Ａは、本開示に係る転写材料の効果を損なわない範囲において、既述の構成単位Ａ及び構成単位Ｂ以外に、他の構成単位（以下、「構成単位Ｃ」いうことがある。）を含有していてもよい。重合体Ａに含有される構成単位Ｃの種類及び含有量の少なくともいずれかを調整することで、重合体Ａの諸特性を調節することができる。特に、構成単位Ｃを適切に使用することで、重合体Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）を容易に調節することができる。(Other structural units: structural unit C)
In addition to the above-mentioned structural unit A and structural unit B, the polymer A may be other structural unit (hereinafter, may be referred to as “constituent unit C”) as long as the effect of the transfer material according to the present disclosure is not impaired. May be contained. Various characteristics of the polymer A can be adjusted by adjusting at least one of the type and the content of the structural unit C contained in the polymer A. In particular, the glass transition temperature (Tg) of the polymer A can be easily adjusted by appropriately using the structural unit C.

構成単位Ｃを形成するモノマーとしては、例えば、スチレン類、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸環状アルキルエステル、（メタ）アクリル酸アリールエステル、不飽和ジカルボン酸ジエステル、ビシクロ不飽和化合物、マレイミド化合物、不飽和芳香族化合物、共役ジエン系化合物、不飽和モノカルボン酸、不飽和ジカルボン酸、不飽和ジカルボン酸無水物、脂肪族環式骨格を有する不飽和化合物、その他の公知の不飽和化合物等を挙げることができる。 Examples of the monomer forming the structural unit C include styrenes, (meth) acrylic acid alkyl esters, (meth) acrylic acid cyclic alkyl esters, (meth) acrylic acid aryl esters, unsaturated dicarboxylic acid diesters, and bicyclounsaturated compounds. , Maleimide compounds, unsaturated aromatic compounds, conjugated diene compounds, unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acid anhydrides, unsaturated compounds with an aliphatic cyclic skeleton, and other known unsaturated Compounds and the like can be mentioned.

構成単位Ｃとしては、例えば、スチレン、ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、メチルスチレン、α−メチルスチレン、アセトキシスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、クロロスチレン、ビニル安息香酸メチル、ビニル安息香酸エチル、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、アクリロニトリル、エチレングリコールモノアセトアセテートモノ（メタ）アクリレート等に由来する構成単位を挙げることができる。その他、構成単位Ｃとしては、特開２００４−２６４６２３号公報の段落００２１〜段落００２４に記載の化合物に由来する構成単位を挙げることができる。 Examples of the constituent unit C include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, α-methylstyrene, acetoxystyrene, methoxystyrene, ethoxystyrene, chlorostyrene, methyl vinylbenzoate, ethyl vinylbenzoate, and (meth) acrylic acid. Methyl, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylate Examples thereof include structural units derived from benzyl, isobornyl (meth) acrylate, acrylonitrile, ethylene glycol monoacetate acetate mono (meth) acrylate and the like. In addition, as the structural unit C, a structural unit derived from the compound described in paragraphs 0021 to 0024 of JP2004-246623A can be mentioned.

構成単位Ｃは、転写材料の電気特性を向上させる観点から、芳香環を有する構成単位、又は脂肪族環式骨格を有する構成単位であることが好ましい。上記の構成単位を形成するモノマーとしては、例えば、スチレン、ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、メチルスチレン、α−メチルスチレン、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、及び、ベンジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記の中でも、構成単位Ｃは、シクロヘキシル（メタ）アクリレート由来の構成単位であることが好ましい。 The structural unit C is preferably a structural unit having an aromatic ring or a structural unit having an aliphatic cyclic skeleton from the viewpoint of improving the electrical properties of the transfer material. Examples of the monomer forming the above-mentioned structural unit include styrene, tert-butoxystyrene, methylstyrene, α-methylstyrene, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and , Benzyl (meth) acrylate and the like. Among the above, the structural unit C is preferably a structural unit derived from cyclohexyl (meth) acrylate.

構成単位Ｃは、密着性の観点から、（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。上記の中でも、構成単位Ｃは、密着性の観点から、炭素数４〜１２のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることがより好ましい。具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、及び（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシルが挙げられる。 The structural unit C is preferably a (meth) acrylic acid alkyl ester from the viewpoint of adhesion. Among the above, the structural unit C is more preferably a (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 4 to 12 carbon atoms from the viewpoint of adhesion. Specific examples thereof include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and 2-ethylhexyl (meth) acrylate.

重合体Ａは、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の現像液に対する溶解性及び物理物性を最適化する観点から、構成単位Ｃとして、上記構成単位Ｂにおける酸基のエステルを有する構成単位を含有することも好ましい。上記の中でも、重合体Ａは、構成単位Ｂとして、カルボキシ基を有する構成単位を含有し、さらに、カルボン酸エステル基を含む構成単位Ｃを分として含有することが好ましく、例えば、（メタ）アクリル酸由来の構成単位Ｂと、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル又は（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル由来の構成単位Ｃと、を含有することがより好ましい。 The polymer A contains, as the structural unit C, a structural unit having an ester of an acid group in the structural unit B from the viewpoint of optimizing the solubility and physical properties of the chemically amplified positive photosensitive resin layer in a developing solution. It is also preferable. Among the above, the polymer A preferably contains a structural unit having a carboxy group as the structural unit B, and further preferably contains a structural unit C containing a carboxylic acid ester group as a component, for example, (meth) acrylic. It is more preferable to contain a structural unit B derived from an acid and a structural unit C derived from cyclohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate or n-butyl (meth) acrylate.

構成単位Ｃは、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The structural unit C may be used alone or in combination of two or more.

重合体Ａ中の構成単位Ｃの含有量は、重合体Ａの全質量に対し、８０質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、６０質量％以下であることがさらに好ましく、５０質量％以下であることが特に好ましい。重合体Ａ中の構成単位Ｃの含有量は、重合体Ａを構成する全構成単位に対し、０質量％でもよいが、１質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。重合体Ａ中の構成単位Ｃの含有量を上記数値範囲とすることで、解像度及び密着性をより向上することができる。 The content of the structural unit C in the polymer A is preferably 80% by mass or less, more preferably 75% by mass or less, and more preferably 60% by mass or less, based on the total mass of the polymer A. Is more preferable, and 50% by mass or less is particularly preferable. The content of the structural unit C in the polymer A may be 0% by mass, preferably 1% by mass or more, and preferably 5% by mass or more, based on all the structural units constituting the polymer A. More preferred. By setting the content of the structural unit C in the polymer A within the above numerical range, the resolution and adhesion can be further improved.

以下、本開示における重合体Ａの好ましい例を挙げるが、本開示は以下の例示に限定されない。なお、下記例示化合物における構成単位の比率及び重量平均分子量は、好ましい物性を得るために適宜選択される。 Hereinafter, preferred examples of the polymer A in the present disclosure will be given, but the present disclosure is not limited to the following examples. The ratio of the structural units and the weight average molecular weight in the following exemplified compounds are appropriately selected in order to obtain preferable physical properties.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

Figure 2020116068
Figure 2020116068

重合体Ａは、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The polymer A may be used alone or in combination of two or more.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層中の重合体Ａの含有量は、基板に対して良好な密着性を発現させる観点から、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の全固形分に対し、５０質量％〜９９．９質量％であることが好ましく、７０質量％〜９８質量％であることがより好ましい。 The content of the polymer A in the chemically amplified positive photosensitive resin layer is 50% by mass with respect to the total solid content of the chemically amplified positive photosensitive resin layer from the viewpoint of exhibiting good adhesion to the substrate. It is preferably ~ 99.9% by mass, and more preferably 70% by mass to 98% by mass.

（重合体Ａのガラス転移温度：Ｔｇ）
重合体Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）は、転写性の観点及び後述する加熱工程における加熱温度を調整する観点から、９０℃以下であることが好ましく、２０℃〜６０℃であることがより好ましく、３０℃〜５０℃であることが特に好ましい。(Glass transition temperature of polymer A: Tg)
The glass transition temperature (Tg) of the polymer A is preferably 90 ° C. or lower, more preferably 20 ° C. to 60 ° C. from the viewpoint of transferability and adjusting the heating temperature in the heating step described later. , 30 ° C to 50 ° C is particularly preferable.

重合体Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）を上記数値範囲に調節する方法としては、例えば、ＦＯＸ式を指針にして、重合体Ａに含有される各構成単位の種類及び質量分率を調整する方法が挙げられる。ＦＯＸ式を用いることで、重合体Ａに含有される各構成単位の単独重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）及び各構成単位の質量分率より、重合体Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）を調節することができる。また、重合体Ａの重量平均分子量を調整することにより、重合体Ａのガラス転移温度（Ｔｇ）を調節することもできる。 As a method of adjusting the glass transition temperature (Tg) of the polymer A within the above numerical range, for example, a method of adjusting the type and mass fraction of each structural unit contained in the polymer A by using the FOX equation as a guideline. Can be mentioned. By using the FOX formula, the glass transition temperature (Tg) of the polymer A is adjusted from the glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of each structural unit contained in the polymer A and the mass fraction of each structural unit. can do. Further, the glass transition temperature (Tg) of the polymer A can be adjusted by adjusting the weight average molecular weight of the polymer A.

以下、ＦＯＸ式について、第１の構成単位及び第２の構成単位を含有する共重合体を例に説明する。
第１の構成単位の単独重合体のガラス転移温度をＴｇ１とし、共重合体に含有される第１の構成単位の質量分率をＷ１とし、第２の構成単位の単独重合体のガラス転移温度をＴｇ２とし、共重合体に含有される第２の構成単位の共重合体における質量分率をＷ２としたときに、第１の構成単位と第２の構成単位とを含む共重合体のＴｇ０（単位：Ｋ）は、以下の式にしたがって推定することが可能である。したがって、ＦＯＸ式を用いて、目的の重合体に含有される各構成単位の種類及び質量分率を調整することで、所望のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する重合体を得ることができる。
ＦＯＸ式：１／Ｔｇ０＝（Ｗ１／Ｔｇ１）＋（Ｗ２／Ｔｇ２）Hereinafter, the FOX formula will be described by taking a copolymer containing the first structural unit and the second structural unit as an example.
The glass transition temperature of the homopolymer of the first structural unit is Tg1, the mass fraction of the first structural unit contained in the copolymer is W1, and the glass transition temperature of the homopolymer of the second structural unit. Is Tg2, and when the mass fraction of the second constituent unit contained in the copolymer in the copolymer is W2, Tg0 of the copolymer containing the first constituent unit and the second constituent unit is taken as Tg0. (Unit: K) can be estimated according to the following formula. Therefore, a polymer having a desired glass transition temperature (Tg) can be obtained by adjusting the type and mass fraction of each structural unit contained in the target polymer using the FOX formula.
FOX formula: 1 / Tg0 = (W1 / Tg1) + (W2 / Tg2)

（重合体Ａの酸価）
重合体Ａの酸価は、解像性の観点から、０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇであることがより好ましい。(Acid value of polymer A)
From the viewpoint of resolution, the acid value of the polymer A is preferably 0 mgKOH / g to 200 mgKOH / g, and more preferably 0 mgKOH / g to 100 mgKOH / g.

重合体の酸価は、重合体１ｇあたりの酸性成分を中和するのに要する水酸化カリウムの質量を表したものである。具体的には、測定試料をテトラヒドロフラン及び水の混合溶媒（体積比：テトラヒドロフラン／水＝９／１）に溶解し、電位差滴定装置（商品名：ＡＴ−５１０、京都電子工業株式会社製）を用いて、得られた溶液を２５℃において、０．１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液で中和滴定する。滴定ｐＨ曲線の変曲点を滴定終点として、次式により酸価を算出する。
式：Ａ＝５６．１１×Ｖｓ×０．１×ｆ／ｗ
Ａ：酸価（ｍｇＫＯＨ／ｇ）
Ｖｓ：滴定に要した０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液の使用量（ｍＬ）
ｆ：０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液の力価
ｗ：測定試料の質量（ｇ）（固形分換算）The acid value of the polymer represents the mass of potassium hydroxide required to neutralize the acidic component per 1 g of the polymer. Specifically, the measurement sample is dissolved in a mixed solvent of tetrahydrofuran and water (volume ratio: tetrahydrofuran / water = 9/1), and a potential difference titrator (trade name: AT-510, manufactured by Kyoto Denshi Kogyo Co., Ltd.) is used. The obtained solution is neutralized and titrated with a 0.1 M aqueous sodium hydroxide solution at 25 ° C. The acid value is calculated by the following formula with the inflection point of the titration pH curve as the titration end point.
Formula: A = 56.11 × Vs × 0.1 × f / w
A: Acid value (mgKOH / g)
Vs: Amount of 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution required for titration (mL)
f: Titer of 0.1 mol / L sodium hydroxide aqueous solution w: Mass (g) of measurement sample (in terms of solid content)

（重合体Ａの分子量：Ｍｗ）
重合体Ａの分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量で、６０，０００以下であることが好ましい。重合体Ａの重量平均分子量が６０，０００以下であることで、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の溶融粘度を低く抑え、基板と貼り合わせる際において低温（例えば、１３０℃以下）での貼り合わせを実現することができる。(Molecular weight of polymer A: Mw)
The molecular weight of the polymer A is preferably 60,000 or less in terms of polystyrene-equivalent weight average molecular weight. When the weight average molecular weight of the polymer A is 60,000 or less, the melt viscosity of the chemically amplified positive photosensitive resin layer is suppressed to a low level, and the polymer A is bonded at a low temperature (for example, 130 ° C. or less) when bonded to the substrate. Can be realized.

重合体Ａの重量平均分子量は、２，０００〜６０，０００であることが好ましく、３，０００〜５０，０００であることがより好ましい。 The weight average molecular weight of the polymer A is preferably 2,000 to 60,000, more preferably 3,000 to 50,000.

重合体Ａの重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）によって測定することができ、測定装置としては、様々な市販の装置を用いることができる。
ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）による重量平均分子量の測定は、測定装置として、ＨＬＣ（登録商標）−８２２０ＧＰＣ（東ソー株式会社製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ（登録商標）Ｓｕｐｅｒ ＨＺＭ−Ｍ（４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ、東ソー株式会社製）、Ｓｕｐｅｒ ＨＺ４０００（４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ、東ソー株式会社製）、Ｓｕｐｅｒ ＨＺ３０００（４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ、東ソー株式会社製）、及びＳｕｐｅｒ ＨＺ２０００（４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ、東ソー株式会社製）をそれぞれ１本ずつ直列に連結したものを用い、溶離液として、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いることができる。
また、測定条件としては、試料濃度を０．２質量％、流速を０．３５ｍＬ／ｍｉｎ、サンプル注入量を１０μＬ、測定温度を４０℃とし、示差屈折率（ＲＩ）検出器を用いて行うことができる。
検量線は、東ソー株式会社製の「標準試料ＴＳＫ ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」及び「Ａ−１０００」の７サンプルのいずれかを用いて作成できる。The weight average molecular weight of the polymer A can be measured by GPC (gel permeation chromatography), and various commercially available devices can be used as the measuring device.
For the measurement of weight average molecular weight by gel permeation chromatography (GPC), HLC (registered trademark) -8220GPC (manufactured by Tosoh Corporation) was used as a measuring device, and TSKgel (registered trademark) Super HZM-M (4. 6 mm ID x 15 cm, manufactured by Tosoh Corporation, Super HZ4000 (4.6 mm ID x 15 cm, manufactured by Tosoh Corporation), Super HZ3000 (4.6 mm ID x 15 cm, manufactured by Tosoh Corporation), and Super HZ2000 (4.6 mm ID x 15 cm, manufactured by Tosoh Corporation). Each one (manufactured by Tosoh Corporation) is connected in series, and THF (tetrahydrofuran) can be used as the eluent.
The measurement conditions are a sample concentration of 0.2% by mass, a flow velocity of 0.35 mL / min, a sample injection amount of 10 μL, a measurement temperature of 40 ° C., and a differential refractive index (RI) detector. Can be done.
The calibration curve is "Standard sample TSK standard, polystyrene" manufactured by Tosoh Corporation: "F-40", "F-20", "F-4", "F-1", "A-5000", "A". It can be prepared using any of 7 samples of "-2500" and "A-1000".

重合体Ａの数平均分子量と重量平均分子量との比（分散度）は、１．０〜５．０であることが好ましく、１．０５〜３．５であることがより好ましい。 The ratio (dispersity) of the number average molecular weight of the polymer A to the weight average molecular weight is preferably 1.0 to 5.0, and more preferably 1.0 to 3.5.

（重合体Ａの製造方法）
重合体Ａの製造方法（合成法）は特に限定されないが、一例を挙げると、構成単位Ａを形成するための重合性モノマー、構成単位Ｂを形成するための重合性モノマー、更に必要に応じて、構成単位Ｃを形成するための重合性モノマーを、有機溶剤中、重合開始剤を用いて重合することにより合成することができる。また、いわゆる高分子反応で重合体Ａを合成することもできる。(Method for producing polymer A)
The method for producing the polymer A (synthesis method) is not particularly limited, but for example, a polymerizable monomer for forming the constituent unit A, a polymerizable monomer for forming the constituent unit B, and if necessary, a polymerizable monomer. , The polymerizable monomer for forming the structural unit C can be synthesized by polymerizing in an organic solvent with a polymerization initiator. Further, the polymer A can also be synthesized by a so-called polymer reaction.

〔他の重合体〕
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、重合体Ａに加え、本開示に係る転写材料の効果を損なわない範囲において、酸分解性基で保護された酸基を有する構成単位を含まない重合体（以下、「他の重合体」と称する場合がある。）をさらに含有していてもよい。[Other polymers]
The chemically amplified positive photosensitive resin layer is a polymer that does not contain a structural unit having an acid group protected by an acid-degradable group in addition to the polymer A as long as the effect of the transfer material according to the present disclosure is not impaired. Hereinafter, it may be referred to as “another polymer”).

他の重合体として、例えば、ポリヒドロキシスチレン等が挙げられる。ポリヒドロキシスチレンとしては、例えば、ＳＭＡ １０００Ｐ、ＳＭＡ ２０００Ｐ、ＳＭＡ ３０００Ｐ、ＳＭＡ １４４０Ｆ、ＳＭＡ １７３５２Ｐ、ＳＭＡ ２６２５Ｐ、及びＳＭＡ ３８４０Ｆ（以上、サートマー社製）、ＡＲＵＦＯＮ ＵＣ−３０００、ＡＲＵＦＯＮ ＵＣ−３５１０、ＡＲＵＦＯＮ ＵＣ−３９００、ＡＲＵＦＯＮ ＵＣ−３９１０、ＡＲＵＦＯＮ ＵＣ−３９２０、及びＡＲＵＦＯＮ ＵＣ−３０８０（以上、東亞合成株式会社製）、並びにＪｏｎｃｒｙｌ ６９０、Ｊｏｎｃｒｙｌ ６７８、Ｊｏｎｃｒｙｌ ６７、及びＪｏｎｃｒｙｌ ５８６（以上、ＢＡＳＦ社製）等の市販品を用いることもできる。 Examples of other polymers include polyhydroxystyrene and the like. Examples of polyhydroxystyrene include SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, and SMA 3840F (all manufactured by Sartmer), ARUFON UC-3000, ARUFON UC-3510, ARUFON UC- 3900, ARUFON UC-3910, ARUFON UC-3920, ARUFON UC-3080 (all manufactured by Toagosei Co., Ltd.), and Jonclyl 690, Jonclyl 678, Jonclyl 67, and Jonclyl 586 (all manufactured by BASF). Goods can also be used.

他の重合体は、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The other polymers may be used alone or in combination of two or more.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層が他の重合体を含む場合、化学増幅ポジ型感光性樹脂層中の他の重合体の含有量は、重合体成分の全質量に対して、５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以下であることがより好ましく、２０質量％以下であることが特に好ましい。 When the chemically amplified positive photosensitive resin layer contains other polymers, the content of the other polymer in the chemically amplified positive photosensitive resin layer is 50% by mass or less with respect to the total mass of the polymer components. It is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less.

〔光酸発生剤〕
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、感度及び解像度の観点から、光酸発生剤を含むことが好ましい。光酸発生剤は、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、及び荷電粒子線等の放射線が照射されることによって酸を発生することができる化合物である。[Photoacid generator]
The chemically amplified positive photosensitive resin layer preferably contains a photoacid generator from the viewpoint of sensitivity and resolution. The photoacid generator is a compound capable of generating an acid by being irradiated with radiation such as ultraviolet rays, far ultraviolet rays, X-rays, and charged particle beams.

光酸発生剤としては、波長３００ｎｍ以上、好ましくは波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍの活性光線に感応し、酸を発生する化合物が好ましいが、その化学構造は制限されない。また、波長３００ｎｍ以上の活性光線に直接感応しない光酸発生剤についても、増感剤と併用することによって波長３００ｎｍ以上の活性光線に感応し、酸を発生する化合物であれば、増感剤と組み合わせて好ましく用いることができる。 As the photoacid generator, a compound that is sensitive to active light having a wavelength of 300 nm or more, preferably a wavelength of 300 nm to 450 nm and generates an acid is preferable, but its chemical structure is not limited. Further, a photoacid generator that is not directly sensitive to active light having a wavelength of 300 nm or more can be used as a sensitizer if it is a compound that is sensitive to active light having a wavelength of 300 nm or more and generates an acid when used in combination with a sensitizer. It can be preferably used in combination.

光酸発生剤は、ｐＫａが４以下の酸を発生する光酸発生剤であることが好ましく、ｐＫａが３以下の酸を発生する光酸発生剤であることがより好ましく、ｐＫａが２以下の酸を発生する光酸発生剤であるが特に好ましい。光酸発生剤から発生する酸のｐＫａの下限値は、制限されない。光酸発生剤から発生する酸のｐＫａは、例えば、−１０以上であることが好ましい。 The photoacid generator is preferably a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 4 or less, more preferably a photoacid generator that generates an acid with a pKa of 3 or less, and a pKa of 2 or less. A photoacid generator that generates an acid is particularly preferable. The lower limit of the pKa of the acid generated from the photoacid generator is not limited. The pKa of the acid generated from the photoacid generator is preferably -10 or more, for example.

光酸発生剤としては、例えば、イオン性光酸発生剤、非イオン性光酸発生剤等を挙げることができる。また、光酸発生剤としては、感度及び解像度の観点から、オニウム塩化合物及びオキシムスルホネート化合物よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含むことが好ましく、オキシムスルホネート化合物を含むことがより好ましい。 Examples of the photoacid generator include an ionic photoacid generator and a nonionic photoacid generator. Further, the photoacid generator preferably contains at least one compound selected from the group consisting of an onium salt compound and an oxime sulfonate compound, and more preferably contains an oxime sulfonate compound from the viewpoint of sensitivity and resolution. ..

イオン性光酸発生剤としては、例えば、ジアリールヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類等のオニウム塩化合物、第四級アンモニウム塩類などを挙げることができる。上記の中でも、イオン性光酸発生剤としては、オニウム塩化合物が好ましく、ジアリールヨードニウム塩類及びトリアリールスルホニウム塩類がより好ましい。 Examples of the ionic photoacid generator include onium salt compounds such as diaryliodonium salts and triarylsulfonium salts, and quaternary ammonium salts. Among the above, as the ionic photoacid generator, an onium salt compound is preferable, and diaryliodonium salts and triarylsulfonium salts are more preferable.

イオン性光酸発生剤としては、特開２０１４−８５６４３号公報の段落０１１４〜段落０１３３に記載のイオン性光酸発生剤も好ましく用いることができる。 As the ionic photoacid generator, the ionic photoacid generator described in paragraphs 0114 to 0133 of JP-A-2014-85643 can also be preferably used.

非イオン性光酸発生剤としては、例えば、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物等が挙げられる。上記の中でも、非イオン性光酸発生剤としては、感度、解像度及び密着性の観点から、オキシムスルホネート化合物が好ましい。トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、及びジアゾメタン誘導体の具体例としては、特開２０１１−２２１４９４号公報の段落００８３〜段落００８８に記載の化合物が挙げられる。 Examples of the nonionic photoacid generator include trichloromethyl-s-triazines, diazomethane compounds, imide sulfonate compounds, oxime sulfonate compounds and the like. Among the above, as the nonionic photoacid generator, an oxime sulfonate compound is preferable from the viewpoint of sensitivity, resolution and adhesion. Specific examples of the trichloromethyl-s-triazines and the diazomethane derivative include the compounds described in paragraphs 0083 to 0088 of JP2011-221494A.

オキシムスルホネート化合物、すなわち、オキシムスルホネート構造を有する化合物としては、下記式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート構造を有する化合物が好ましい。 As the oxime sulfonate compound, that is, the compound having an oxime sulfonate structure, a compound having an oxime sulfonate structure represented by the following formula (B1) is preferable.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

式（Ｂ１）中、Ｒ２１は、アルキル基又はアリール基を表し、＊は他の原子又は他の基との結合部位を表す。In formula (B1), R 21 represents an alkyl group or an aryl group, and * represents a binding site with another atom or another group.

式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート構造を有する化合物は、いずれの基も置換されてもよく、Ｒ２１におけるアルキル基は、直鎖状であっても、分岐構造を有していても、環構造を有していてもよい。許容される置換基は以下に説明する。Any group of the compound having an oxime sulfonate structure represented by the formula (B1) may be substituted, and the alkyl group at R 21 may be linear or have a branched structure. It may have a ring structure. Acceptable substituents are described below.

Ｒ２１におけるアルキル基としては、炭素数１〜１０の、直鎖状又は分岐状アルキル基が好ましい。Ｒ２１におけるアルキル基は、炭素数６〜１１のアリール基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、シクロアルキル基（例えば、７，７−ジメチル−２−オキソノルボルニル基等の有橋式脂環基を含む。好ましくはビシクロアルキル基等。）、又はハロゲン原子で置換されてもよい。As the alkyl group in R 21 , a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable. The alkyl group in R 21 is an aryl group having 6 to 11 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a cycloalkyl group (for example, a bridge-type fat such as 7,7-dimethyl-2-oxonorbornyl group). It may be substituted with a ring group, preferably a bicycloalkyl group or the like), or a halogen atom.

Ｒ２１におけるアリール基としては、炭素数６〜１８のアリール基が好ましく、フェニル基又はナフチル基がより好ましい。Ｒ２１におけるアリール基は、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基及びハロゲン原子よりなる群から選ばれた１つ以上の基で置換されてもよい。As the aryl group in R 21, an aryl group having 6 to 18 carbon atoms is preferable, and a phenyl group or a naphthyl group is more preferable. The aryl group in R 21 may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, alkoxy groups and halogen atoms.

式（Ｂ１）で表されるオキシムスルホネート構造を有する化合物は、特開２０１４−８５６４３号公報の段落００７８〜段落０１１１に記載のオキシムスルホネート化合物であることも好ましい。 The compound having an oxime sulfonate structure represented by the formula (B1) is also preferably the oxime sulfonate compound described in paragraphs 0078 to 0111 of JP-A-2014-85643.

光酸発生剤は、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The photoacid generator may be used alone or in combination of two or more.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層中の光酸発生剤の含有量は、感度及び解像度の観点から、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の全質量に対して、０．１質量％〜１０質量％であることが好ましく、０．５質量％〜５質量％であることがより好ましい。 The content of the photoacid generator in the chemically amplified positive photosensitive resin layer is 0.1% by mass to 10% by mass with respect to the total mass of the chemically amplified positive photosensitive resin layer from the viewpoint of sensitivity and resolution. It is preferably 0.5% by mass to 5% by mass, and more preferably 0.5% by mass to 5% by mass.

〔溶剤〕
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、溶剤を含有していてもよい。〔solvent〕
The chemically amplified positive photosensitive resin layer may contain a solvent.

溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、エステル類、ケトン類、アミド類、ラクトン類等が挙げられる。また、溶剤としては、特開２０１１−２２１４９４号公報の段落０１７４〜段落０１７８に記載の溶剤も挙げられ、これらの内容は本開示に組み込まれる。 Examples of the solvent include ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, and diethylene glycol dialkyl. Examples thereof include ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones and the like. Further, examples of the solvent include the solvents described in paragraphs 0174 to 0178 of JP2011-221494A, and these contents are incorporated in the present disclosure.

また、上記溶剤に、さらに必要に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナール、ベンジルアルコール、アニソール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等の溶剤を添加することもできる。 Further, in addition to the above solvent, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, isophorone, caproic acid, capric acid, 1-octanol, 1-nonal. , Benzyl alcohol, anisole, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, ethylene carbonate, propylene carbonate and the like can also be added.

溶剤は、沸点１３０℃以上１６０℃未満の溶剤、沸点１６０℃以上の溶剤、又は、これらの混合物であることが好ましい。 The solvent is preferably a solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher and lower than 160 ° C., a solvent having a boiling point of 160 ° C. or higher, or a mixture thereof.

沸点１３０℃以上１６０℃未満の溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（沸点１４６℃）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート（沸点１５８℃）、プロピレングリコールメチル−ｎ−ブチルエーテル（沸点１５５℃）、及び、プロピレングリコールメチル−ｎ−プロピルエーテル（沸点１３１℃）等が挙げられる。 Examples of the solvent having a boiling point of 130 ° C. or higher and lower than 160 ° C. include propylene glycol monomethyl ether acetate (boiling point 146 ° C.), propylene glycol monoethyl ether acetate (boiling point 158 ° C.), and propylene glycol methyl-n-butyl ether (boiling point 155 ° C.). And propylene glycol methyl-n-propyl ether (boiling point 131 ° C.) and the like can be mentioned.

沸点１６０℃以上の溶剤としては、例えば、３−エトキシプロピオン酸エチル（沸点１７０℃）、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル（沸点１７６℃）、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート（沸点１６０℃）、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（沸点２１３℃）、３−メトキシブチルエーテルアセテート（沸点１７１℃）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（沸点１８９℃）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（沸点１６２℃）、プロピレングリコールジアセテート（沸点１９０℃）、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（沸点２２０℃）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（沸点１７５℃）、１，３−ブチレングリコールジアセテート（沸点２３２℃）等が挙げられる。 Examples of the solvent having a boiling point of 160 ° C. or higher include ethyl 3-ethoxypropionate (boiling point 170 ° C.), diethylene glycol methyl ethyl ether (boiling point of 176 ° C.), propylene glycol monomethyl ether propionate (boiling point of 160 ° C.), and dipropylene glycol methyl. Ether acetate (boiling point 213 ° C), 3-methoxybutyl ether acetate (boiling point 171 ° C), diethylene glycol diethyl ether (boiling point 189 ° C), diethylene glycol dimethyl ether (boiling point 162 ° C), propylene glycol diacetate (boiling point 190 ° C), diethylene glycol monoethyl ether Examples thereof include acetate (boiling point 220 ° C.), dipropylene glycol dimethyl ether (boiling point 175 ° C.), and 1,3-butylene glycol diacetate (boiling point 232 ° C.).

また、溶剤の好ましい例としては、エステル類、エーテル類、ケトン類等が挙げられる。 Further, preferable examples of the solvent include esters, ethers, ketones and the like.

エステル類としては、例えば、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｔ−ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル等が挙げられる。 Examples of the esters include ethyl acetate, propyl acetate, isobutyl acetate, sec-butyl acetate, t-butyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate and the like.

エーテル類としては、例えば、ジイソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、１，３−ジオキソラン、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる。 Examples of ethers include diisopropyl ether, 1,4-dioxane, 1,2-dimethoxyethane, 1,3-dioxolane, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monoethyl ether and the like.

ケトン類としては、例えば、メチルｎ−ブチルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、メチルｎ−プロピルケトン、メチルイソプロピルケトン等が挙げられる。 Examples of the ketones include methyl n-butyl ketone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, diethyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl isopropyl ketone and the like.

また、溶剤としては、トルエン、アセトニトリル、イソプロパノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール等を用いることもできる。 Further, as the solvent, toluene, acetonitrile, isopropanol, 2-butanol, isobutyl alcohol and the like can also be used.

溶剤は、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The solvent may be used alone or in combination of two or more.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層中の溶剤の含有量は、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の全質量に対し、５質量％以下であることが好ましく、２質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下であることが特に好ましい。 The content of the solvent in the chemically amplified positive photosensitive resin layer is preferably 5% by mass or less, more preferably 2% by mass or less, based on the total mass of the chemically amplified positive photosensitive resin layer. It is particularly preferable that the content is 1% by mass or less.

〔他の添加剤〕
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、重合体Ａ及び光酸発生剤に加え、必要に応じて他の添加剤を含有することができる。[Other additives]
The chemically amplified positive photosensitive resin layer may contain other additives, if necessary, in addition to the polymer A and the photoacid generator.

（塩基性化合物）
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、塩基性化合物を含有することが好ましい。塩基性化合物としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、複素環式アミン、第四級アンモニウムヒドロキシド、カルボン酸の第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらの具体例としては、特開２０１１−２２１４９４号公報の段落０２０４〜段落０２０７に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本開示に組み込まれる。(Basic compound)
The chemically amplified positive photosensitive resin layer preferably contains a basic compound. Examples of the basic compound include aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, quaternary ammonium hydroxides, and quaternary ammonium salts of carboxylic acids. Specific examples of these include the compounds described in paragraphs 0204 to 0207 of JP2011-221494A, the contents of which are incorporated in the present disclosure.

脂肪族アミンとしては、例えば、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン等が挙げられる。 Examples of the aliphatic amine include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine, triethanolamine and dicyclohexylamine. , Dicyclohexylmethylamine and the like.

芳香族アミンとしては、例えば、アニリン、ベンジルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン等が挙げられる。 Examples of the aromatic amine include aniline, benzylamine, N, N-dimethylaniline, diphenylamine and the like.

複素環式アミンとしては、例えば、ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルベンズイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン、１，８−ジアザビシクロ［５．３．０］−７−ウンデセン、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ’−［２−（４−モルホリニル）エチル]チオ尿素、１，２，３−ベンゾトリアゾール等が挙げられる。 Examples of the heterocyclic amine include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, and the like. 4-Dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxyquinolin, pyrazine, Pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholin, 4-methylmorpholin, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonen, 1,8-diazabicyclo [5.3.0] -7 -Undecene, N-cyclohexyl-N'-[2- (4-morpholinyl) ethyl] thiourea, 1,2,3-benzotriazole and the like can be mentioned.

第四級アンモニウムヒドロキシドとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられる。 Examples of the quaternary ammonium hydroxide include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexylammonium hydroxide and the like.

カルボン酸の第四級アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウムアセテート、テトラメチルアンモニウムベンゾエート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムアセテート、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムベンゾエート等が挙げられる。 Examples of the quaternary ammonium salt of the carboxylic acid include tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, and tetra-n-butylammonium benzoate.

塩基性化合物は、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The basic compound may be used alone or in combination of two or more.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層中の塩基性化合物の含有量は、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の全質量に対して、０．００１質量％〜５質量％であることが好ましく、０．００５質量％〜３質量％であることがより好ましい。 The content of the basic compound in the chemically amplified positive photosensitive resin layer is preferably 0.001% by mass to 5% by mass, based on the total mass of the chemically amplified positive photosensitive resin layer. More preferably, it is 005% by mass to 3% by mass.

（界面活性剤）
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、厚さの均一性の観点から、界面活性剤を含有することが好ましい。(Surfactant)
The chemically amplified positive photosensitive resin layer preferably contains a surfactant from the viewpoint of thickness uniformity.

界面活性剤としては、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系（非イオン系）界面活性剤、及び両性界面活性剤のいずれも使用することができ、ノニオン系界面活性剤が好ましい。 As the surfactant, any of anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic (nonionic) surfactants, and amphoteric surfactants can be used, and nonionic surfactants are preferable. ..

ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類、シリコーン系、フッ素系界面活性剤等を挙げることができる。ノニオン系界面活性剤の具体例としては、例えば、国際公開第２０１８／１７９６４０号の段落０１２０に記載のノニオン系界面活性剤が挙げられる。 Examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkylphenyl ethers, polyoxyethylene glycol higher fatty acid diesters, silicone-based surfactants, and fluorine-based surfactants. can. Specific examples of the nonionic surfactant include the nonionic surfactant described in paragraph 0120 of International Publication No. 2018/179640.

ノニオン系界面活性剤の好ましい例としては、下記式Ｉ−１で表される構成単位ＳＡ及び構成単位ＳＢを含み、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶剤とした場合のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１０，０００である共重合体が挙げられる。 A preferable example of the nonionic surfactant is polystyrene measured by gel permeation chromatography containing the structural unit SA and the structural unit SB represented by the following formula I-1 and using tetrahydrofuran (THF) as a solvent. Examples thereof include copolymers having a converted weight average molecular weight (Mw) of 1,000 to 10,000.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

式Ｉ−１中、Ｒ４０１及びＲ４０３は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ４０２は、炭素数１〜４の直鎖アルキレン基を表し、Ｒ４０４は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｌは、炭素数３〜６のアルキレン基を表し、ｐ及びｑは、重合比を表す質量百分率であり、ｐは、１０質量％〜８０質量％の数値を表し、ｑは、２０質量％〜９０質量％の数値を表し、ｒは、１〜１８の整数を表し、ｓは、１〜１０の整数を表し、＊は、他の構造との結合部位を表す。In formula I-1, R 401 and R 403 independently represent a hydrogen atom or a methyl group, R 402 represents a linear alkylene group having 1 to 4 carbon atoms, and R 404 is a hydrogen atom or a hydrogen atom or Represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q are mass percentages representing a polymerization ratio, and p is 10% by mass to 80% by mass. Represents a numerical value, q represents a numerical value of 20% by mass to 90% by mass, r represents an integer of 1 to 18, s represents an integer of 1 to 10, and * represents a combination with other structures. Represents a part.

Ｌは、下記式Ｉ−２で表される分岐アルキレン基であることが好ましい。 L is preferably a branched alkylene group represented by the following formula I-2.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

式Ｉ−２におけるＲ４０５は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、相溶性と被塗布面に対する濡れ性の点で、炭素数１〜３のアルキル基が好ましく、炭素数２又は３のアルキル基がより好ましい。 R405 in the formula I-2 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable in terms of compatibility and wettability to the surface to be coated, and the alkyl group has 2 or 3 carbon atoms. Alkyl groups are more preferred.

式Ｉ−１中、ｐとｑとの和（ｐ＋ｑ）は、ｐ＋ｑ＝１００、すなわち、１００質量％であることが好ましい。 In the formula I-1, the sum (p + q) of p and q is preferably p + q = 100, that is, 100% by mass.

式Ｉ−１で表される構成単位ＳＡ及び構成単位ＳＢを含む共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，５００〜５，０００であることが好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the copolymer containing the structural unit SA and the structural unit SB represented by the formula I-1 is preferably 1,500 to 5,000.

界面活性剤としては、特許第４５０２７８４号公報の段落００１７、特開２００９−２３７３６２号公報の段落００６０〜段落００７１に記載の界面活性剤も用いることができる。 As the surfactant, the surfactants described in paragraphs 0017 of Japanese Patent No. 4502784 and paragraphs 0060 to 0071 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-237362 can also be used.

界面活性剤は、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The surfactant may be used alone or in combination of two or more.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層中の界面活性剤の含有量は、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の全質量に対して、１０質量％以下であることが好ましく、０．００１質量％〜１０質量％であることがより好ましく、０．０１質量％〜３質量％であることが特に好ましい。 The content of the surfactant in the chemically amplified positive photosensitive resin layer is preferably 10% by mass or less, preferably 0.001% by mass to 10% by mass, based on the total mass of the chemically amplified positive photosensitive resin layer. It is more preferably mass%, and particularly preferably 0.01 mass% to 3 mass%.

（可塑剤）
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、可塑性を改良する目的で、可塑剤を含有することができる。可塑剤としては、制限されず、公知の可塑剤を適用することができる。可塑剤としては、例えば、国際公開第２０１８／１７９６４０号の段落００９７〜段落０１０３に記載の可塑剤が挙げられる。(Plasticizer)
The chemically amplified positive photosensitive resin layer may contain a plasticizer for the purpose of improving plasticity. The plasticizer is not limited, and a known plasticizer can be applied. Examples of the plasticizer include the plasticizers described in paragraphs 097 to 0103 of International Publication No. 2018/179640.

（増感剤）
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、増感剤を含有することができる。増感剤としては、制限されず、公知の増感剤を適用することができる。増感剤としては、例えば、国際公開第２０１８／１７９６４０号の段落０１０４〜段落０１０７に記載の増感剤が挙げられる。(Sensitizer)
The chemically amplified positive photosensitive resin layer can contain a sensitizer. As the sensitizer, a known sensitizer can be applied without limitation. Examples of the sensitizer include the sensitizers described in paragraphs 0104 to 0107 of International Publication No. 2018/179640.

（ヘテロ環状化合物）
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、ヘテロ環状化合物を含有することができる。ヘテロ環状化合物としては、制限されず、公知のヘテロ環状化合物を適用することができる。ヘテロ環状化合物としては、例えば、国際公開第２０１８／１７９６４０号の段落０１１１〜段落０１１８に記載のヘテロ環状化合物が挙げられる。(Heterocyclic compound)
The chemically amplified positive photosensitive resin layer can contain a heterocyclic compound. The heterocyclic compound is not limited, and known heterocyclic compounds can be applied. Examples of the heterocyclic compound include the heterocyclic compound described in paragraphs 011 to 0118 of International Publication No. 2018/179640.

（アルコキシシラン化合物）
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、アルコキシシラン化合物を含有することができる。アルコキシシラン化合物としては、制限されず、公知のアルコキシシラン化合物を適用することができる。アルコキシシラン化合物としては、例えば、国際公開第２０１８／１７９６４０号の段落０１１９に記載のアルコキシシラン化合物が挙げられる。(Alkoxysilane compound)
The chemically amplified positive photosensitive resin layer can contain an alkoxysilane compound. The alkoxysilane compound is not limited, and a known alkoxysilane compound can be applied. Examples of the alkoxysilane compound include the alkoxysilane compound described in paragraph 0119 of International Publication No. 2018/179640.

（その他の成分）
化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、金属酸化物粒子、酸化防止剤、分散剤、酸増殖剤、現像促進剤、導電性繊維、着色剤、熱ラジカル重合開始剤、熱酸発生剤、紫外線吸収剤、増粘剤、架橋剤、有機又は無機の沈殿防止剤等の公知の添加剤をさらに含有していてもよい。その他の成分の好ましい態様については特開２０１４−８５６４３号公報の段落０１６５〜段落０１８４にそれぞれ記載があり、この公報の内容は本明細書に組み込まれる。(Other ingredients)
The chemically amplified positive photosensitive resin layer contains metal oxide particles, antioxidants, dispersants, acid growth agents, development accelerators, conductive fibers, colorants, thermal radical polymerization initiators, thermal acid generators, and ultraviolet absorption. It may further contain known additives such as agents, thickeners, cross-linking agents, organic or inorganic anti-precipitation agents. Preferred embodiments of the other components are described in paragraphs 0165 to 0184 of JP2014-85643, respectively, and the contents of this publication are incorporated in the present specification.

〔化学増幅ポジ型感光性樹脂層の厚さ〕
化学増幅ポジ型感光性樹脂層の厚さは、転写性、及び解像性の観点から、１μｍ〜１５μｍであることが好ましく、１μｍ〜１０μｍであることがより好ましく、１μｍ〜５μｍであることが特に好ましい。[Thickness of chemically amplified positive photosensitive resin layer]
The thickness of the chemically amplified positive photosensitive resin layer is preferably 1 μm to 15 μm, more preferably 1 μm to 10 μm, and 1 μm to 5 μm from the viewpoint of transferability and resolution. Especially preferable.

化学増幅ポジ型感光性樹脂層の厚さは、以下の方法によって測定することができる。
化学増幅ポジ型感光性樹脂層の厚さ方向の断面観察像において、無作為に選択した１０箇所で測定される化学増幅ポジ型感光性樹脂層の厚さの算術平均値を求め、得られる値を化学増幅ポジ型感光性樹脂層の厚さとする。化学増幅ポジ型感光性樹脂層の厚さ方向の断面観察像は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて得ることができる。The thickness of the chemically amplified positive photosensitive resin layer can be measured by the following method.
In the cross-sectional observation image of the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the thickness direction, the arithmetic mean value of the thickness of the chemically amplified positive photosensitive resin layer measured at 10 randomly selected points is obtained and obtained. Let be the thickness of the chemically amplified positive photosensitive resin layer. A cross-sectional observation image of the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the thickness direction can be obtained by using a scanning electron microscope (SEM).

〔化学増幅ポジ型感光性樹脂層の形成方法〕
化学増幅ポジ型感光性樹脂層の形成方法としては、例えば、ポジ型感光性樹脂組成物を基材（例えば、仮支持体）上に塗布し、次いで乾燥させる方法等が挙げられる。[Method of forming a chemically amplified positive photosensitive resin layer]
Examples of the method for forming the chemically amplified positive photosensitive resin layer include a method in which a positive photosensitive resin composition is applied onto a base material (for example, a temporary support) and then dried.

塗布方法としては、限定されず、例えば、スリット塗布、スピン塗布、カーテン塗布、インクジェット塗布等の公知の方法を適用することができる。
なお、仮支持体上に後述のその他の層を形成した上に、感光性樹脂層を塗布することもできる。The coating method is not limited, and for example, known methods such as slit coating, spin coating, curtain coating, and inkjet coating can be applied.
It is also possible to apply a photosensitive resin layer on the temporary support on which another layer described later is formed.

ポジ型感光性樹脂組成物の調製方法としては、例えば、上記成分及び溶剤を任意の割合で混合し、撹拌溶解する方法等が挙げられる。また、上記成分をそれぞれ予め溶剤に溶解させて溶液とした後、得られた各溶液を所定の割合で混合することによってポジ型感光性樹脂組成物を調製することもできる。溶剤としては、既述の溶剤を用いることができる。調製されたポジ型感光性樹脂組成物は、孔径０．２μｍのフィルター等を用いてろ過した後に用いることもできる。 Examples of the method for preparing the positive photosensitive resin composition include a method in which the above components and a solvent are mixed at an arbitrary ratio and dissolved by stirring. Further, a positive photosensitive resin composition can also be prepared by dissolving each of the above components in a solvent in advance to prepare a solution, and then mixing the obtained solutions in a predetermined ratio. As the solvent, the above-mentioned solvent can be used. The prepared positive photosensitive resin composition can also be used after being filtered using a filter having a pore size of 0.2 μm or the like.

ポジ型感光性樹脂組成物中の溶剤の含有量は、ポジ型感光性樹脂組成物中の全固形分１００質量部に対して、５０質量部〜１，９００質量部であることが好ましく、１００質量部〜９００質量部であることがより好ましい。 The content of the solvent in the positive photosensitive resin composition is preferably 50 parts by mass to 1,900 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total solid content in the positive photosensitive resin composition. It is more preferably parts by mass to 900 parts by mass.

［中間層］
本開示に係る転写材料は、仮支持体と化学増幅ポジ型感光性樹脂層との間に、水溶性樹脂を含有する中間層を有することが好ましい。水溶性樹脂を含有する中間層は、酸基が酸分解性基で保護された基の酸分解反応（すなわち、脱保護）によって生じる物質を吸収することができるため、化学増幅ポジ型感光性樹脂の可塑化を抑制し、この結果、酸の過剰な拡散を低減することができる。このため、水溶性樹脂を含有する中間層を有することで、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減することができ、また、パターンの直線性を向上させることもできる。[Middle layer]
The transfer material according to the present disclosure preferably has an intermediate layer containing a water-soluble resin between the temporary support and the chemically amplified positive photosensitive resin layer. Since the intermediate layer containing the water-soluble resin can absorb the substance generated by the acid decomposition reaction (that is, deprotection) of the group whose acid group is protected by the acid-degradable group, it is a chemically amplified positive photosensitive resin. The plasticization of the acid can be suppressed, and as a result, the excessive diffusion of the acid can be reduced. Therefore, by having an intermediate layer containing a water-soluble resin, it is possible to reduce the amount of change in the line width of the pattern with the passage of the standing time after exposure, and to improve the linearity of the pattern. You can also.

本開示において、「水溶性」とは、２５℃の水１００ｇに対して、１ｇ以上溶解する性質を意味する。 In the present disclosure, "water-soluble" means a property of dissolving 1 g or more in 100 g of water at 25 ° C.

（水溶性樹脂）
水溶性樹脂としては、例えばセルロース樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、アクリルアミド樹脂、ポリエチレンオキサイド樹脂、ゼラチン、ビニルエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、及びこれらの共重合体等が挙げられる。上記の中でも、水溶性樹脂は、セルロース樹脂であることが好ましく、ヒドロキシプロピルセルロース、及びヒドロキシプロピルメチルセルロースであることがより好ましく、ヒドロキシプロピルメチルセルロースであることが特に好ましい。(Water-soluble resin)
Examples of the water-soluble resin include cellulose resin, polyvinyl alcohol resin, polyvinylpyrrolidone resin, acrylamide resin, polyethylene oxide resin, gelatin, vinyl ether resin, polyamide resin, and copolymers thereof. Among the above, the water-soluble resin is preferably a cellulose resin, more preferably hydroxypropyl cellulose and hydroxypropyl methyl cellulose, and particularly preferably hydroxypropyl methyl cellulose.

水溶性樹脂は、１種単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。 The water-soluble resin may be used alone or in combination of two or more.

中間層中の水溶性樹脂の含有量は、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量の低減、及び密着性の観点から、中間層の全質量に対し、２０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましい。中間層中の水溶性樹脂の含有量の上限値は、制限されない。中間層中の水溶性樹脂の含有量は、中間層の全質量に対し、例えば、１００質量％以下であってもよく、９８質量％以下であってもよい。 The content of the water-soluble resin in the intermediate layer is 20% by mass with respect to the total mass of the intermediate layer from the viewpoint of reducing the amount of change in the line width of the pattern with the passage of the standing time after exposure and the adhesion. It is preferably 50% by mass or more, and more preferably 50% by mass or more. The upper limit of the content of the water-soluble resin in the intermediate layer is not limited. The content of the water-soluble resin in the intermediate layer may be, for example, 100% by mass or less, or 98% by mass or less, based on the total mass of the intermediate layer.

（界面活性剤）
中間層には、膜厚均一性の観点から界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系（非イオン系）界面活性剤、及び両性界面活性剤のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。中間層に含有される界面活性剤は、制限されず、中間層の組成等に応じて公知の界面活性剤から適宜選択することができる。(Surfactant)
The intermediate layer preferably contains a surfactant from the viewpoint of film thickness uniformity. As the surfactant, any of anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic (nonionic) surfactants, and amphoteric surfactants can be used, but the preferred surfactant is nonionic. It is a system surfactant. The surfactant contained in the intermediate layer is not limited, and can be appropriately selected from known surfactants depending on the composition of the intermediate layer and the like.

中間層の厚さは、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量の低減の観点から、０．１μｍ〜８μｍであることが好ましく、０．１μｍ〜５．０μｍであることがより好ましく、０．１μｍ〜３．０μｍであることがさらに好ましく、０．１μｍ〜２．０μｍであることが特に好ましい。 The thickness of the intermediate layer is preferably 0.1 μm to 8 μm, preferably 0.1 μm to 5.0 μm, from the viewpoint of reducing the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure. More preferably, it is more preferably 0.1 μm to 3.0 μm, and particularly preferably 0.1 μm to 2.0 μm.

中間層の厚さは、以下の方法によって測定することができる。
中間層の厚さ方向の断面観察像において、無作為に選択した１０箇所で測定される中間層の厚さの算術平均値を求め、得られる値を中間層の厚さとする。中間層の厚さ方向の断面観察像は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて得ることができる。The thickness of the intermediate layer can be measured by the following method.
In the cross-sectional observation image in the thickness direction of the intermediate layer, the arithmetic mean value of the thickness of the intermediate layer measured at 10 randomly selected points is obtained, and the obtained value is defined as the thickness of the intermediate layer. A cross-sectional observation image of the intermediate layer in the thickness direction can be obtained by using a scanning electron microscope (SEM).

中間層は、仮支持体と化学増幅ポジ型感光性樹脂層との間に設けられていればよく、仮支持体と化学増幅ポジ型感光性樹脂層との間に、化学増幅ポジ型感光性樹脂層に接して設けられていることが好ましい。化学増幅ポジ型感光性樹脂層に接して中間層が設けられることで、酸基が酸分解性基で保護された基の酸分解反応によって生じる物質を吸収し易くなるため、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量をより低減することができる。 The intermediate layer may be provided between the temporary support and the chemically amplified positive photosensitive resin layer, and between the temporary support and the chemically amplified positive photosensitive resin layer, the chemically amplified positive photosensitive resin layer may be provided. It is preferably provided in contact with the resin layer. By providing the intermediate layer in contact with the chemically amplified positive photosensitive resin layer, it becomes easier for the acid group to absorb the substance generated by the acid decomposition reaction of the group protected by the acid-degrading group, so that the substance is allowed to stand after exposure. The amount of change in the line width of the pattern with the passage of time can be further reduced.

中間層の形成方法としては、例えば、中間層用組成物を仮支持体上に塗布し、次いで乾燥させる方法等が挙げられる。塗布方法としては、上記「化学増幅ポジ型感光性樹脂層の形成方法」において説明した方法を適用することができる。 Examples of the method for forming the intermediate layer include a method in which the composition for the intermediate layer is applied onto the temporary support and then dried. As the coating method, the method described in the above-mentioned "Method for forming a chemically amplified positive photosensitive resin layer" can be applied.

中間層用組成物の調製方法としては、例えば、上記成分及び溶剤を任意の割合で混合し、撹拌溶解する方法等が挙げられる。また、上記成分をそれぞれ予め溶剤に溶解させて溶液とした後、得られた各溶液を所定の割合で混合することによって中間層用組成物を調製することもできる。溶剤としては、既述の溶剤を用いることができる。調製された中間層用組成物は、孔径０．２μｍのフィルター等を用いてろ過した後に用いることもできる。 Examples of the method for preparing the composition for the intermediate layer include a method in which the above components and a solvent are mixed at an arbitrary ratio and dissolved by stirring. Further, a composition for an intermediate layer can also be prepared by dissolving each of the above components in a solvent in advance to prepare a solution, and then mixing the obtained solutions at a predetermined ratio. As the solvent, the above-mentioned solvent can be used. The prepared composition for an intermediate layer can also be used after being filtered using a filter having a pore size of 0.2 μm or the like.

［他の層］
本開示に係る転写材料は、本開示の趣旨を逸脱しない限りにおいて、ポジ型感光性樹脂層及び中間層以外の層（以下、「他の層」ということがある。）を有していてもよい。他の層としては、例えば、密着層、保護フィルム、コントラストエンハンスメント層、熱可塑性樹脂層等が挙げられる。他の層としては、例えば、国際公開第２０１８／１７９６４０号の段落０１３１〜段落０１３４に記載の層が挙げられる。[Other layers]
The transfer material according to the present disclosure may have a layer other than the positive photosensitive resin layer and the intermediate layer (hereinafter, may be referred to as “another layer”) as long as it does not deviate from the purpose of the present disclosure. good. Examples of other layers include an adhesion layer, a protective film, a contrast enhancement layer, a thermoplastic resin layer, and the like. Other layers include, for example, the layers described in paragraphs 0131 to 0134 of WO 2018/179640.

＜樹脂パターンの製造方法＞
本開示に係る樹脂パターンの製造方法は、基板と上記転写材料とを、上記基板及び上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程（以下、「貼り合わせ工程」ということがある。）と、上記貼り合わせる工程後の上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、上記仮支持体を介してパターン露光する工程（以下、「露光工程」ということがある。）と、上記パターン露光する工程後の上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターンを形成する工程（以下、「現像工程」ということがある。）と、を含む。本開示に係る樹脂パターンの製造方法は、上記工程を含むため、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減することができる。<Manufacturing method of resin pattern>
The method for producing a resin pattern according to the present disclosure is a step of bringing a substrate and the transfer material into contact with each other and bonding the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the substrate and the transfer material (hereinafter, "bonding step"). The step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the bonding step via the temporary support (hereinafter, referred to as "exposure step"). ), And a step of developing the chemically amplified positive photosensitive resin layer after the step of exposing the pattern to form a resin pattern (hereinafter, may be referred to as a "development step"). Since the method for producing a resin pattern according to the present disclosure includes the above steps, it is possible to reduce the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure.

＜貼り合わせ工程＞
本開示に係る樹脂パターンの製造方法は、基板と上記転写材料とを、上記基板及び上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程を含む。<Lasting process>
The method for producing a resin pattern according to the present disclosure includes a step of bringing a substrate and the transfer material into contact with each other and bonding the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the substrate and the transfer material.

貼り合わせ工程の一例を、図２（ａ）に概略的に示す。例えば図２（ａ）に示される工程においては、基材２２、第１導電層２４、及び第２導電層２６を有する基板２０と、転写材料１００とを、基板２０及び転写材料１００における化学増幅ポジ型感光性樹脂層１４を接触させて、貼り合わせる。また、図１に示される転写材料１００のように、化学増幅ポジ型感光性樹脂層１４上に保護フィルム１６が設けられている場合は、転写材料１００から保護フィルム１６を除去した後、基板２０と転写材料１００とを貼り合わせる。なお、図２において同一の符号を用いて示す構成要素は、同一の構成要素であることを意味する。以下、図２において重複する構成要素、及び符号については、説明を省略することがある。 An example of the bonding process is schematically shown in FIG. 2 (a). For example, in the step shown in FIG. 2A, the substrate 20 having the base material 22, the first conductive layer 24, and the second conductive layer 26 and the transfer material 100 are chemically amplified in the substrate 20 and the transfer material 100. The positive photosensitive resin layer 14 is brought into contact with each other and bonded together. When the protective film 16 is provided on the chemically amplified positive photosensitive resin layer 14 as in the transfer material 100 shown in FIG. 1, the substrate 20 is removed after the protective film 16 is removed from the transfer material 100. And the transfer material 100 are bonded together. It should be noted that the components shown by using the same reference numerals in FIG. 2 mean that they are the same components. Hereinafter, description of overlapping components and reference numerals in FIG. 2 may be omitted.

基板と転写材料との貼り合わせには、ラミネーター、真空ラミネーター、より生産性を高めることができるオートカットラミネーター等の公知のラミネーターを用いることができる。基板と転写材料との貼り合わせは、転写材料を基板に重ね、ロール等によって加圧及び加熱することが好ましい。 A known laminator such as a laminator, a vacuum laminator, or an auto-cut laminator capable of further increasing productivity can be used for bonding the substrate and the transfer material. For bonding the substrate and the transfer material, it is preferable to stack the transfer material on the substrate and pressurize and heat it with a roll or the like.

［基板］
基板は、ガラス、シリコン、フィルム等の基材自体が基板であってもよく、ガラス、シリコン、フィルム等の基材上に、必要により導電層などの任意の層が設けられた基板であってもよい。基板が導電層をさらに有する場合、基板は、基材上に導電層を有することが好ましい。[substrate]
The substrate itself may be a substrate such as glass, silicon, or film, and is a substrate in which an arbitrary layer such as a conductive layer is provided on the substrate such as glass, silicon, or film, if necessary. May be good. When the substrate further has a conductive layer, the substrate preferably has a conductive layer on the substrate.

基材は、ガラス基材又はフィルム基材であることが好ましく、フィルム基材であることがより好ましく、樹脂フィルムであることが特に好ましい。 The base material is preferably a glass base material or a film base material, more preferably a film base material, and particularly preferably a resin film.

基材は、透明であることが好ましい。透明の基材としては、特開２０１０−８６６８４号公報、特開２０１０−１５２８０９号公報及び特開２０１０−２５７４９２号公報に用いられている材料を好ましく用いることができる。また、基材の屈折率は、１．５０〜１．５２であることが好ましい。 The base material is preferably transparent. As the transparent base material, the materials used in JP-A-2010-86684, JP-A-2010-152809 and JP-A-2010-257492 can be preferably used. The refractive index of the base material is preferably 1.50 to 1.52.

基材は、ガラス基材等の透光性基材で構成されていてもよく、コーニング社のゴリラガラスに代表される強化ガラス等を用いることができる。 The base material may be composed of a translucent base material such as a glass base material, and tempered glass or the like represented by Corning's gorilla glass can be used.

基材としてフィルム基材を用いる場合、光学的に歪みが小さい基材、及び透明度が高い基材を用いることがより好ましく、樹脂フィルムを用いることが特に好ましい。 When a film base material is used as the base material, it is more preferable to use a base material having a small optical strain and a base material having a high transparency, and it is particularly preferable to use a resin film.

樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、シクロオレフィンポリマー等が挙げられる。 Examples of the resin constituting the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, polycarbonate, triacetyl cellulose, cycloolefin polymer and the like.

導電層としては、例えば、金属層、導電性金属酸化物層等が挙げられる。ここで、「導電性」とは、体積抵抗率が１×１０６Ωｃｍ未満であることを意味する。体積抵抗率は、１×１０４Ωｃｍ未満であることが好ましい。Examples of the conductive layer include a metal layer and a conductive metal oxide layer. Here, "conductive" means that the volume resistivity is less than 1 × 10 6 Ωcm. The volume resistivity is preferably less than 1 × 10 4 Ωcm.

金属層を構成する金属としては、Ａｌ（アルミニウム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｃｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）等が挙げられる。金属層を構成する金属は、１種の金属元素からなる単体の金属であってもよく、２種以上の金属元素を含む金属であってもよく、少なくとも１種の金属元素を含む合金であってもよい。 Examples of the metal constituting the metal layer include Al (aluminum), Zn (zinc), Cu (copper), Fe (iron), Ni (nickel), Cr (chromium), Mo (molybdenum) and the like. The metal constituting the metal layer may be a single metal composed of one kind of metal element, a metal containing two or more kinds of metal elements, or an alloy containing at least one kind of metal element. You may.

導電性金属酸化物層を構成する導電性金属酸化物としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｉＯ２等が挙げられる。Examples of the conductive metal oxide constituting the conductive metal oxide layer include ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), SiO 2 and the like.

導電層は、導電性及び細線形成性の観点から、金属層及び導電性金属酸化物層からなる群より選択される少なくとも１種の層であることが好ましく、金属層であることがより好ましく、銅層であることが特に好ましい。 From the viewpoint of conductivity and fine wire forming property, the conductive layer is preferably at least one layer selected from the group consisting of a metal layer and a conductive metal oxide layer, and more preferably a metal layer. A copper layer is particularly preferable.

導電層は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。基板が２層以上の導電層を有する場合、基板は、異なる材質の導電層を有することが好ましい。 The conductive layer may be one layer or two or more layers. When the substrate has two or more conductive layers, the substrate preferably has conductive layers of different materials.

＜露光工程＞
本開示に係る樹脂パターンの製造方法は、上記貼り合わせる工程後の上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、上記仮支持体を介してパターン露光する工程を含む。<Exposure process>
The method for producing a resin pattern according to the present disclosure includes a step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the bonding step via the temporary support.

露光工程の一例を、図２（ｂ）に概略的に示す。例えば図２（ｂ）に示される工程においては、転写材料１００における化学増幅ポジ型感光性樹脂層１４を、仮支持体１２を介してパターン露光する。図２（ｂ）では、パターン露光する方法の一例として、第１導電層２４の上に配置された転写材料１００の上方に所定のパターンを有するマスク３０を配置し、その後、マスク３０を介して露光する。 An example of the exposure process is schematically shown in FIG. 2 (b). For example, in the step shown in FIG. 2B, the chemically amplified positive photosensitive resin layer 14 in the transfer material 100 is pattern-exposed via the temporary support 12. In FIG. 2B, as an example of the pattern exposure method, a mask 30 having a predetermined pattern is placed above the transfer material 100 arranged on the first conductive layer 24, and then the mask 30 is placed through the mask 30. To expose.

パターン露光の方法としては、マスクを介する露光、レーザー等を用いたデジタル露光等が挙げられる。 Examples of the pattern exposure method include exposure through a mask and digital exposure using a laser or the like.

露光の光源としては、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の露光された箇所が現像液に溶解し得る波長域の光（例えば、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ等）を照射できる公知の光源から適宜選択することができる。露光の光源の具体例としては、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ等が挙げられる。 The exposure light source may be appropriately selected from known light sources capable of irradiating light in a wavelength range (for example, 365 nm, 405 nm, etc.) in which the exposed portion of the chemically amplified positive photosensitive resin layer can be dissolved in a developing solution. can. Specific examples of the light source for exposure include an ultra-high pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, and the like.

露光量としては、５ｍＪ／ｃｍ２〜２００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１００ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましい。The exposure amount is preferably from 5mJ / cm 2 ~200mJ / cm 2 , more preferably 10mJ / cm 2 ~100mJ / cm 2 .

パターンの配置及びサイズは、制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、回路配線を有する入力装置を備えた表示装置（例えば、タッチパネル）等の製造の場合、表示装置の表示品質を高め、また、取り出し配線の占める面積をできるだけ小さくするという観点から、パターンの少なくとも一部（特にタッチパネルの電極パターン及び取り出し配線の部分）は１００μｍ以下の細線であることが好ましく、７０μｍ以下の細線であることがより好ましい。 The arrangement and size of the pattern are not limited and can be appropriately selected according to the purpose. For example, in the case of manufacturing a display device (for example, a touch panel) provided with an input device having circuit wiring, at least the pattern is at least from the viewpoint of improving the display quality of the display device and minimizing the area occupied by the take-out wiring. A part (particularly, the electrode pattern of the touch panel and the portion of the take-out wiring) is preferably a fine wire of 100 μm or less, and more preferably 70 μm or less.

＜現像工程＞
本開示に係る樹脂パターンの製造方法は、上記パターン露光する工程後の上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターンを形成する工程を含む。<Development process>
The method for producing a resin pattern according to the present disclosure includes a step of developing the chemically amplified positive photosensitive resin layer after the step of exposing the pattern to form a resin pattern.

現像工程の一例を、図２（ｃ）に概略的に示す。図２（ｃ）に示される工程においては、露光工程後の化学増幅ポジ型感光性樹脂層１４から仮支持体１２を剥離した後、露光工程後の化学増幅ポジ型感光性樹脂層１４を現像して第１樹脂パターン１４Ａを形成する。 An example of the developing process is schematically shown in FIG. 2 (c). In the step shown in FIG. 2C, the temporary support 12 is peeled off from the chemically amplified positive photosensitive resin layer 14 after the exposure step, and then the chemically amplified positive photosensitive resin layer 14 after the exposure step is developed. The first resin pattern 14A is formed.

パターン露光された化学増幅ポジ型感光性樹脂層の現像は、現像液を用いて行うことができる。現像液としては、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の露光部分を除去することができれば制限されず、例えば、特開平５−７２７２４号公報に記載の現像液等の公知の現像液を用いることができる。現像液は、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の露光部が溶解型の現像挙動をする現像液であることが好ましい。現像液は、例えば、ｐＫａが７〜１３の化合物を０．０５ｍｏｌ／Ｌ〜５ｍｏｌ／Ｌの濃度で含むアルカリ水溶液系の現像液であることが好ましい。現像液は、さらに、水と混和性を有する有機溶剤、界面活性剤等を含有してもよい。本開示において好適に用いられる現像液としては、例えば、国際公開第２０１５／０９３２７１号の段落０１９４に記載の現像液が挙げられる。 The pattern-exposed chemically amplified positive photosensitive resin layer can be developed using a developing solution. The developing solution is not limited as long as the exposed portion of the chemically amplified positive photosensitive resin layer can be removed, and for example, a known developing solution such as the developing solution described in JP-A-5-72724 can be used. can. The developer is preferably a developer in which the exposed portion of the chemically amplified positive photosensitive resin layer has a dissolution-type development behavior. The developer is preferably an alkaline aqueous solution-based developer containing, for example, a compound having a pKa of 7 to 13 at a concentration of 0.05 mol / L to 5 mol / L. The developer may further contain an organic solvent, a surfactant, etc. that are miscible with water. Examples of the developer preferably used in the present disclosure include the developer described in paragraph 0194 of International Publication No. 2015/093271.

現像方式としては、制限されず、例えば、パドル現像、シャワー現像、シャワー及びスピン現像、ディップ現像等が挙げられる。ここで、現像方式の一例としてシャワー現像について説明する。露光後の化学増幅ポジ型感光性樹脂層に現像液をシャワーにより吹き付けることにより、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の露光部分を除去することができる。また、現像の後に、洗浄剤等をシャワーにより吹き付け、ブラシ等で擦りながら、現像残渣を除去することが好ましい。現像液の液温度は、２０℃〜４０℃であることが好ましい。 The development method is not limited, and examples thereof include paddle development, shower development, shower and spin development, and dip development. Here, shower development will be described as an example of the development method. By spraying the developing solution on the chemically amplified positive photosensitive resin layer after exposure with a shower, the exposed portion of the chemically amplified positive photosensitive resin layer can be removed. Further, after the development, it is preferable to spray a cleaning agent or the like with a shower and rub with a brush or the like to remove the development residue. The liquid temperature of the developing solution is preferably 20 ° C to 40 ° C.

本開示に係る樹脂パターンの製造方法は、現像して得られる樹脂パターンを加熱処理するポストベーク工程を有していてもよい。 The method for producing a resin pattern according to the present disclosure may include a post-baking step of heat-treating the resin pattern obtained by development.

ポストベークの加熱は、８．１ｋＰａ〜１２１．６ｋＰａの環境下で行うことが好ましい。ポストベークの加熱は、１１４．６ｋＰａ以下の環境下で行うことがより好ましく、１０１．３ｋＰａ以下の環境下で行うことがより好ましい。 Post-baking is preferably heated in an environment of 8.1 kPa to 121.6 kPa. The post-bake heating is more preferably performed in an environment of 114.6 kPa or less, and more preferably performed in an environment of 101.3 kPa or less.

ポストベークの温度は、８０℃〜２５０℃であることが好ましく、１１０℃〜１７０℃であることがより好ましく、１３０℃〜１５０℃であることが特に好ましい。 The post-baking temperature is preferably 80 ° C. to 250 ° C., more preferably 110 ° C. to 170 ° C., and particularly preferably 130 ° C. to 150 ° C.

ポストベークの時間は、１分〜３０分であることが好ましく、２分〜１０分であることがより好ましく、２分〜４分であることが特に好ましい。 The post-baking time is preferably 1 minute to 30 minutes, more preferably 2 minutes to 10 minutes, and particularly preferably 2 minutes to 4 minutes.

ポストベークは、空気環境下で行っても、窒素置換環境下で行ってもよい。 Post-baking may be performed in an air environment or a nitrogen substitution environment.

本開示における露光工程、現像工程、及びその他の工程の例としては、特開２００６−２３６９６号公報の段落００３５〜段落００５１に記載の方法を本開示においても好適に用いることができる。 As an example of the exposure step, the developing step, and other steps in the present disclosure, the methods described in paragraphs 0035 to 0051 of JP-A-2006-23696 can be preferably used in the present disclosure.

＜回路配線の製造方法＞
本開示に係る回路配線の製造方法は、導電層を有する基板と上記転写材料とを、上記基板及び上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程（以下、「貼り合わせ工程」ということがある。）と、上記貼り合わせる工程後の上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、上記仮支持体を介してパターン露光する工程（以下、「露光工程」又は「第１露光工程」ということがある。）と、上記パターン露光する工程後の上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターン（以下、「第１樹脂パターン」ということがある。）を形成する工程（以下、「現像工程」又は「第１現像工程」ということがある。）と、上記樹脂パターンが形成されていない領域において露出する上記導電層をエッチングする工程（以下、「エッチング工程」又は「第１エッチング工程」ということがある。）と、上記エッチングする工程後の上記樹脂パターンを除去する工程（以下、「除去工程」ということがある。）と、を含む。本開示に係る回路配線の製造方法は、上記工程を含むため、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減することができる。<Manufacturing method of circuit wiring>
The method for manufacturing a circuit wiring according to the present disclosure is a step of bringing a substrate having a conductive layer and the transfer material into contact with each other and bonding the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the substrate and the transfer material (hereinafter, "" (Sometimes referred to as a "bonding step") and a step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the bonding step via the temporary support (hereinafter, "exposure step"). Alternatively, it may be referred to as a "first exposure step") and a resin pattern (hereinafter, referred to as a "first resin pattern") obtained by developing the chemically amplified positive photosensitive resin layer after the pattern exposure step. A step of forming (hereinafter, may be referred to as a “development step” or a “first development step”) and a step of etching the conductive layer exposed in a region where the resin pattern is not formed (hereinafter, referred to as “development step”). It includes a "etching step" or a "first etching step") and a step of removing the resin pattern after the etching step (hereinafter, may be referred to as a "removal step"). Since the circuit wiring manufacturing method according to the present disclosure includes the above steps, it is possible to reduce the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure.

本開示に係る回路配線の製造方法における、貼り合わせ工程、露光工程（第１露光工程）、及び現像工程（第１現像工程）の各工程の態様については、上述の「樹脂パターンの製造方法」の項において説明した各工程の態様を適用することができ、好ましい態様も同様である。 The mode of each step of the bonding step, the exposure step (first exposure step), and the development step (first development step) in the circuit wiring manufacturing method according to the present disclosure is described in the above-mentioned "resin pattern manufacturing method". The embodiment of each step described in the section of the above can be applied, and the same applies to the preferred embodiment.

複数の導電層を有する基板を用いる場合、複数の導電層のうち少なくとも一つの導電層は、導電性金属酸化物を含むことが好ましい。また、導電層としては、静電容量型タッチパネルに用いられる視認部のセンサーに相当する電極パターン又は周辺取り出し部の配線であることが好ましい。 When a substrate having a plurality of conductive layers is used, it is preferable that at least one of the plurality of conductive layers contains a conductive metal oxide. Further, as the conductive layer, it is preferable that the electrode pattern corresponds to the sensor of the visual recognition portion used in the capacitive touch panel or the wiring of the peripheral extraction portion.

複数の導電層を有する基板に対し、本開示に係る回路配線の製造方法を繰り返し適用することで、互いに異なるパターンを有する複数の導電層を含む回路配線を製造することができる。また、複数の導電層を有する基板を用いる場合、本開示に係る回路配線の製造方法は、エッチング工程（第１エッチング工程）の後に、後述の第２露光工程、第２現像工程、及び第２エッチング工程をさらに含むことで、互いに異なるパターンを有する複数の導電層を含む回路配線を製造することもできる。 By repeatedly applying the circuit wiring manufacturing method according to the present disclosure to a substrate having a plurality of conductive layers, it is possible to manufacture a circuit wiring including a plurality of conductive layers having different patterns from each other. When a substrate having a plurality of conductive layers is used, the circuit wiring manufacturing method according to the present disclosure includes an etching step (first etching step), followed by a second exposure step, a second development step, and a second development step, which will be described later. By further including the etching step, it is possible to manufacture a circuit wiring including a plurality of conductive layers having different patterns from each other.

［エッチング工程（第１エッチング工程）］
本開示に係る回路配線の製造方法は、上記樹脂パターンが形成されていない領域において露出する上記導電層をエッチングする工程を含む。[Etching process (first etching process)]
The method for manufacturing a circuit wiring according to the present disclosure includes a step of etching the exposed conductive layer in a region where the resin pattern is not formed.

エッチング工程の一例を、図２（ｄ）に概略的に示す。図２（ｄ）に示される工程においては、第１樹脂パターン１４Ａが形成されていない領域において露出する第１導電層２４、及び第２導電層２６をエッチングする。エッチングにより、第１樹脂パターン１４Ａと同じパターンを有する第１導電層２４Ａ及び第２導電層２６Ａが形成される。 An example of the etching process is schematically shown in FIG. 2 (d). In the step shown in FIG. 2D, the first conductive layer 24 and the second conductive layer 26 that are exposed in the region where the first resin pattern 14A is not formed are etched. By etching, the first conductive layer 24A and the second conductive layer 26A having the same pattern as the first resin pattern 14A are formed.

エッチング工程においては、樹脂パターンが形成されていない領域において露出する導電層を少なくともエッチングすることができればよく、樹脂パターンが形成されていない領域において露出する導電層と基材との間に設けられた他の導電層もエッチングしてもよい。 In the etching step, it is sufficient that at least the conductive layer exposed in the region where the resin pattern is not formed can be etched, and the conductive layer is provided between the conductive layer exposed in the region where the resin pattern is not formed and the base material. Other conductive layers may also be etched.

エッチングの方法としては、例えば、特開２０１０−１５２１５５号公報の段落００４８〜段落００５４等に記載の方法、公知のプラズマエッチング等のドライエッチングによる方法、エッチング液に浸漬するウェットエッチング法などの公知の方法を適用することができる。 As the etching method, for example, known methods such as those described in paragraphs 0048 to 0054 of JP2010-152155A, a known dry etching method such as plasma etching, and a wet etching method of immersing in an etching solution are known. The method can be applied.

ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、エッチングの対象に合わせて酸性タイプのエッチング液又はアルカリ性タイプのエッチング液を適宜選択すればよい。 As the etching solution used for wet etching, an acidic type etching solution or an alkaline type etching solution may be appropriately selected according to the etching target.

酸性タイプのエッチング液としては、例えば、塩酸、硫酸、フッ酸、リン酸等の酸性成分単独の水溶液、酸性成分と塩化第二鉄、フッ化アンモニウム、過マンガン酸カリウム等の塩との混合水溶液などが挙げられる。酸性成分は、複数の酸性成分を組み合わせた成分を使用してもよい。 Examples of the acidic type etching solution include an aqueous solution of an acidic component alone such as hydrochloric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, and phosphoric acid, and a mixed aqueous solution of an acidic component and a salt such as ferric chloride, ammonium fluoride, and potassium permanganate. And so on. As the acidic component, a component in which a plurality of acidic components are combined may be used.

アルカリ性タイプのエッチング液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、有機アミン、有機アミンの塩（例えば、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）等のアルカリ成分単独の水溶液、アルカリ成分と過マンガン酸カリウム等の塩との混合水溶液などが挙げられる。アルカリ成分は、複数のアルカリ成分を組み合わせた成分を使用してもよい。 Examples of the alkaline type etching solution include an aqueous solution of an alkaline component alone such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, an organic amine, and a salt of an organic amine (for example, tetramethylammonium hydroxide), an alkaline component and a permanganate. Examples thereof include a mixed aqueous solution with a salt such as potassium. As the alkaline component, a component in which a plurality of alkaline components are combined may be used.

エッチング液の温度は特に限定されないが、４５℃以下であることが好ましい。本開示においてエッチングマスク（エッチングパターン）として使用される樹脂パターンは、４５℃以下の温度域におけるエッチング液に対して特に優れた耐性を発揮することが好ましい。したがって、エッチング工程中に化学増幅ポジ型感光性樹脂層の剥離がされることが防止され、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の存在しない部分が選択的にエッチングされることになる。 The temperature of the etching solution is not particularly limited, but is preferably 45 ° C. or lower. The resin pattern used as the etching mask (etching pattern) in the present disclosure preferably exhibits particularly excellent resistance to an etching solution in a temperature range of 45 ° C. or lower. Therefore, the peeling of the chemically amplified positive photosensitive resin layer is prevented during the etching step, and the portion where the chemically amplified positive photosensitive resin layer does not exist is selectively etched.

エッチング工程後、工程ラインの汚染を防ぐために、必要に応じて洗浄工程及び乾燥工程を行ってもよい。 After the etching step, a cleaning step and a drying step may be performed as necessary to prevent contamination of the process line.

洗浄工程で用いる洗浄液としては、例えば、純水、又は、純水に溶解可能な有機溶剤若しくは界面活性剤を混合させた水溶液を用いることができる。 As the cleaning liquid used in the cleaning step, for example, pure water or an aqueous solution obtained by mixing an organic solvent or a surfactant that is soluble in pure water can be used.

純水に溶解可能な有機溶剤（以下、「水溶性の有機溶剤」ということがある。）の沸点は、溶剤の揮発性の観点から、５０℃〜２５０℃であるものが好ましく、５５℃〜２００℃であることがより好ましく、６０℃〜１５０℃であることが特に好ましい。 The boiling point of an organic solvent that can be dissolved in pure water (hereinafter, may be referred to as "water-soluble organic solvent") is preferably 50 ° C. to 250 ° C., preferably 55 ° C. to 250 ° C. from the viewpoint of solvent volatility. It is more preferably 200 ° C., and particularly preferably 60 ° C. to 150 ° C.

水溶性の有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール等のアルコール類、２−アセトキシ−２−フェニルエタノール、３−メトキシ−３−メチルエタノール、３−メトキシ−３−メチルブタノール、２−ブトキシエトキシエタノール等のアルコキシアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル類、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、１，３−ジオキソランなどが挙げられる。
上記の中でも、水溶性の有機溶剤としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、３−メトキシ−３−メチルブタノール、２−アセトキシ−２−フェニルエタノール、テトラヒドロフラン、及びジメチルスルホキシドが好ましい。Examples of the water-soluble organic solvent include alcohols such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol and ethylene glycol, 2-acetoxy-2-phenylethanol, 3-methoxy-3-methylethanol and 3-methoxy-3-methyl. Alkoxy alcohols such as butanol and 2-butoxyethoxyethanol, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, glycol ethers such as propylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether and ethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, acetonitrile, dimethylacetamide and dimethylformamide, Examples thereof include N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide and 1,3-dioxolane.
Among the above, as the water-soluble organic solvent, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, 3-methoxy-3-methylbutanol, 2-acetoxy-2-phenylethanol, tetrahydrofuran, and dimethylsulfoxide are preferable.

水溶液中の水溶性の有機溶剤の含有量は、水溶液の全質量に対して、０．０１質量％〜９５質量％であることが好ましく、０．０１質量％〜２０質量％であることがより好ましく、０．０１質量％〜１０質量％であることがさらに好ましく、０．０１質量％〜５質量％が特に好ましい。 The content of the water-soluble organic solvent in the aqueous solution is preferably 0.01% by mass to 95% by mass, more preferably 0.01% by mass to 20% by mass, based on the total mass of the aqueous solution. It is more preferably 0.01% by mass to 10% by mass, and particularly preferably 0.01% by mass to 5% by mass.

洗浄工程の洗浄時間は、制限されず、例えば、１０秒〜３００秒間であることが好ましい。 The cleaning time in the cleaning step is not limited, and is preferably, for example, 10 seconds to 300 seconds.

乾燥工程においては、例えばエアブローを使用し、エアブロー圧（好ましくは０．１ｋｇ／ｃｍ２〜５ｋｇ／ｃｍ２程度）を適宜調整して乾燥を行えばよい。In the drying step, for example using air blow, air blow pressure (preferably 0.1kg / cm 2 ~5kg / cm 2 or so) may be performed to adjust to dry appropriately.

＜第２露光工程＞
本開示に係る回路配線の製造方法は、上記エッチングする工程（第１エッチング工程）後の樹脂パターン（第１樹脂パターン）を上記樹脂パターン（第１樹脂パターン）とは異なるパターンでパターン露光する工程（以下、「第２露光工程」ということがある。）を含んでいてもよい。<Second exposure process>
The circuit wiring manufacturing method according to the present disclosure is a step of pattern-exposing a resin pattern (first resin pattern) after the etching step (first etching step) with a pattern different from the resin pattern (first resin pattern). (Hereinafter, it may be referred to as “second exposure step”).

第２露光工程の一例を、図２（ｅ）に概略的に示す。例えば図２（ｅ）に示される工程においては、第１露光工程で用いたマスク３０とはパターンが異なるマスク４０を用いて、第１エッチング工程後の第１樹脂パターン１４Ａを第１樹脂パターン１４Ａとは異なるパターンでパターン露光する。 An example of the second exposure step is schematically shown in FIG. 2 (e). For example, in the step shown in FIG. 2E, a mask 40 having a pattern different from that of the mask 30 used in the first exposure step is used, and the first resin pattern 14A after the first etching step is changed to the first resin pattern 14A. Pattern exposure is performed with a pattern different from that of.

第２露光工程においては、例えば、エッチング工程（第１エッチング工程）後の導電層上に残存する樹脂パターン（第１樹脂パターン）のうち、後述する第２現像工程において除去される導電層上に残存する樹脂パターン（第１樹脂パターン）を露光する。 In the second exposure step, for example, among the resin patterns (first resin patterns) remaining on the conductive layer after the etching step (first etching step), on the conductive layer removed in the second developing step described later. The remaining resin pattern (first resin pattern) is exposed.

第２露光工程におけるパターン露光は、第１露光工程で用いたマスクとはパターンが異なるマスクを用いること以外は第１露光工程におけるパターン露光と同じ方法を適用することができる。 For the pattern exposure in the second exposure step, the same method as the pattern exposure in the first exposure step can be applied except that a mask having a pattern different from that used in the first exposure step is used.

＜第２現像工程＞
本開示に係る回路配線の製造方法は、上記パターン露光する工程（第２露光工程）後の上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して、上記樹脂パターン（第１樹脂パターン）とはパターンの異なる樹脂パターン（以下、「第２樹脂パターン」ということがある。）を形成する工程を含んでいてもよい。第２の現像工程により、樹脂パターン（第１樹脂パターン）のうち第２露光工程において露光された部分が除去される。<Second development process>
In the method for manufacturing a circuit wiring according to the present disclosure, the chemically amplified positive photosensitive resin layer after the pattern exposure step (second exposure step) is developed, and the pattern is different from the resin pattern (first resin pattern). It may include a step of forming a different resin pattern (hereinafter, may be referred to as “second resin pattern”). In the second developing step, the portion of the resin pattern (first resin pattern) exposed in the second exposure step is removed.

第２現像工程の一例を、図２（ｆ）に概略的に示す。例えば図２（ｆ）に示される工程においては、第２露光工程後の第１樹脂パターン１４Ａを現像して第２樹脂パターン１４Ｂを形成する。 An example of the second developing step is schematically shown in FIG. 2 (f). For example, in the step shown in FIG. 2 (f), the first resin pattern 14A after the second exposure step is developed to form the second resin pattern 14B.

第２現像工程における現像は、第１現像工程における現像と同じ方法を適用することができる。 The same method as the development in the first development step can be applied to the development in the second development step.

＜第２エッチング工程＞
本開示に係る回路配線の製造方法は、上記樹脂パターン（第２樹脂パターン）が形成されていない領域において露出する上記導電層をエッチングする工程（以下、「第２エッチング工程」ということがある。）を含んでいてもよい。第２エッチング工程により、樹脂パターン（第２樹脂パターン）が形成されていない領域において露出する導電層を除去することができる。<Second etching process>
The method for manufacturing a circuit wiring according to the present disclosure may be referred to as a step of etching the exposed conductive layer in a region where the resin pattern (second resin pattern) is not formed (hereinafter, "second etching step"). ) May be included. By the second etching step, the exposed conductive layer can be removed in the region where the resin pattern (second resin pattern) is not formed.

第２エッチング工程の一例を、図２（ｇ）に概略的に示す。例えば図２（ｇ）において、第２樹脂パターン１４Ｂが形成されていない領域において露出する第１導電層２４Ａをエッチングする。第２エッチング工程後、互いに異なるパターンを有する導電層２４Ｂ及び２６Ａを含む回路配線が形成される。 An example of the second etching step is schematically shown in FIG. 2 (g). For example, in FIG. 2 (g), the first conductive layer 24A exposed in the region where the second resin pattern 14B is not formed is etched. After the second etching step, a circuit wiring including conductive layers 24B and 26A having different patterns is formed.

第２エッチング工程におけるエッチングは、エッチングにより除去すべき導電層に応じたエッチング液を選択すること以外は第１エッチング工程におけるエッチングと同じ方法を適用することができる。 For the etching in the second etching step, the same method as the etching in the first etching step can be applied except that the etching solution is selected according to the conductive layer to be removed by etching.

第２エッチング工程では、所望のパターンに応じて、第１エッチング工程よりも少ない導電層を選択的にエッチングすることが好ましい。例えば、図２に示すように、第１パターン１４Ａが形成されていない領域において露出する第１導電層２４Ａのみを選択的にエッチングするエッチング液を用いてエッチングを行うことで、第１導電層２４Ｂを第２導電層２６Ａのパターンとは異なるパターンにすることができる。 In the second etching step, it is preferable to selectively etch a less conductive layer than in the first etching step according to a desired pattern. For example, as shown in FIG. 2, the first conductive layer 24B is etched by using an etching solution that selectively etches only the first conductive layer 24A exposed in the region where the first pattern 14A is not formed. Can be a pattern different from the pattern of the second conductive layer 26A.

＜全面露光工程＞
本開示に係る回路配線の製造方法は、エッチング工程後、除去工程の前に、上記導電層上に形成される化学増幅ポジ型感光性樹脂層を全面露光する工程（以下、「全面露光工程」ということがある。）を含んでいてもよい。除去工程の前に全面露光工程を設けることで、除去工程における化学増幅ポジ型感光性樹脂層の除去性を向上することができる。<Full exposure process>
The circuit wiring manufacturing method according to the present disclosure is a step of fully exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer formed on the conductive layer after the etching step and before the removing step (hereinafter, "full exposure step"). It may include.). By providing the entire surface exposure step before the removing step, the removing property of the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the removing step can be improved.

本開示において、「化学増幅ポジ型感光性樹脂層を全面露光する」とは、導電層上に形成される化学増幅ポジ型感光性樹脂層の全てを露光すればよく、化学増幅ポジ型感光性樹脂層のない部分については、露光してもしなくともよいが、簡便性の観点から、例えば、基板のうち、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側の面の全面を露光することが好ましい。 In the present disclosure, "exposing the entire surface of the chemically amplified positive photosensitive resin layer" means that all of the chemically amplified positive photosensitive resin layer formed on the conductive layer may be exposed, and the chemically amplified positive photosensitive resin layer may be exposed. The portion without the resin layer may or may not be exposed, but from the viewpoint of convenience, for example, the entire surface of the substrate on the side where the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided is exposed. Is preferable.

なお、光酸発生剤の反応速度を高める観点及び余分な水分を除去する観点から、全面露光前、全面露光中又はその両方において基板を加熱する工程が含まれていてもよい。加熱装置としては特に制限はなく、公知の加熱装置を用いることができる。具体的には、ＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｒａｙ）ヒーター、温風エア乾燥、ホットブロワー、コンベクションオーブン等を用いることができる。 From the viewpoint of increasing the reaction rate of the photoacid generator and removing excess water, a step of heating the substrate before, during, or both of the full exposure may be included. The heating device is not particularly limited, and a known heating device can be used. Specifically, an IR (Infrared Ray) heater, warm air air drying, a hot blower, a convection oven and the like can be used.

また、本開示に係る回路配線の製造方法は、全面露光工程の後に、上記現像されたポジ型感光性樹脂層をマスクとして用い、導電層をエッチングする工程を含まないことが好ましい。 Further, the method for manufacturing the circuit wiring according to the present disclosure preferably does not include a step of etching the conductive layer using the developed positive photosensitive resin layer as a mask after the entire exposure step.

＜加熱工程＞
本開示に係る回路配線の製造方法は、上記全面露光工程中、全面露光工程後、又はその両方、かつ、後述する除去工程の前に、上記全面露光された化学増幅ポジ型感光性樹脂層を加熱する工程（以下、「加熱工程」ということがある。）を含んでいてもよい。加熱工程を含むことにより、発生する酸と化学増幅ポジ型感光性樹脂層との反応速度を向上することができ、結果、除去性能を向上することができる。<Heating process>
In the method for manufacturing a circuit wiring according to the present disclosure, the fully exposed chemically amplified positive photosensitive resin layer is subjected to the above-mentioned full-scale exposure step, after the full-face exposure step, or both, and before the removal step described later. It may include a step of heating (hereinafter, may be referred to as a “heating step”). By including the heating step, the reaction rate between the generated acid and the chemically amplified positive photosensitive resin layer can be improved, and as a result, the removal performance can be improved.

［除去工程］
本開示に係る回路配線の製造方法は、上記エッチングする工程後の上記樹脂パターンを除去する工程を含む。[Removal process]
The method for manufacturing a circuit wiring according to the present disclosure includes a step of removing the resin pattern after the etching step.

除去工程における除去には、例えば、化学増幅ポジ型感光性樹脂層の除去液への溶解及び分散が含まれる。 Removal in the removal step includes, for example, dissolution and dispersion of the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the removing liquid.

除去工程の一例を、図２（ｈ）に概略的に示す。図２（ｈ）に示される工程においては、第２エッチング工程後、第１導電層２４Ｂ上の一部に残存する第２樹脂パターン１４Ｂを除去する。 An example of the removal step is schematically shown in FIG. 2 (h). In the step shown in FIG. 2H, after the second etching step, the second resin pattern 14B remaining on a part of the first conductive layer 24B is removed.

樹脂パターンを除去する方法としては、例えば、薬品処理により樹脂パターンを除去する方法が挙げられ、除去液により樹脂パターンを除去する方法が好ましい。樹脂パターンを除去する方法の具体例としては、好ましくは３０℃〜８０℃、より好ましくは５０℃〜８０℃にて撹拌中の除去液に、樹脂パターンを有する基板を１分〜３０分間浸漬する方法が挙げられる。 Examples of the method for removing the resin pattern include a method for removing the resin pattern by chemical treatment, and a method for removing the resin pattern with a removing liquid is preferable. As a specific example of the method for removing the resin pattern, the substrate having the resin pattern is immersed in the removing liquid being stirred at preferably 30 ° C. to 80 ° C., more preferably 50 ° C. to 80 ° C. for 1 minute to 30 minutes. The method can be mentioned.

除去工程において、除去性の観点から、水を３０質量％以上含有する除去液を用いることが好ましく、水を５０質量％以上含有する除去液を用いることがより好ましく、水を７０質量％以上含有する除去液を用いることが更に好ましい。 In the removal step, from the viewpoint of removability, it is preferable to use a removal liquid containing 30% by mass or more of water, more preferably to use a removal liquid containing 50% by mass or more of water, and 70% by mass or more of water. It is more preferable to use a removing liquid to be used.

除去液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ成分、又は、第１級アミン化合物、第２級アミン化合物、第３級アミン化合物、第４級アンモニウム塩化合物等の有機アルカリ成分を含有するものであることが好ましい。上記の中でも、除去液は、除去性の観点から、有機アルカリ成分を含有する除去液であることが好ましく、アミン化合物を含有する除去液であることが特に好ましい。 Examples of the removing liquid include inorganic alkaline components such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, or organic alkalis such as primary amine compounds, secondary amine compounds, tertiary amine compounds, and quaternary ammonium salt compounds. It preferably contains a component. Among the above, the removing liquid is preferably a removing liquid containing an organic alkali component, and particularly preferably a removing liquid containing an amine compound, from the viewpoint of removability.

アルカリ成分の含有量は、塩基性の強さ、溶解性等の点から、適宜選択すればよいが、除去性の観点から、除去液の全質量に対し、０．０１質量％〜２０質量％であることが好ましく、０．１質量％〜１０質量％であることがより好ましい。 The content of the alkaline component may be appropriately selected from the viewpoint of basic strength, solubility, etc., but from the viewpoint of removability, 0.01% by mass to 20% by mass with respect to the total mass of the removal solution. It is preferably 0.1% by mass to 10% by mass, and more preferably 0.1% by mass to 10% by mass.

除去液は、除去性の観点から、界面活性剤を含有することが好ましい。界面活性剤としては、公知の界面活性剤を用いることができる。界面活性剤の含有量は、除去性の観点から、除去液の全質量に対し、０．１質量％〜１０質量％であることが好ましい。 The removing liquid preferably contains a surfactant from the viewpoint of removability. As the surfactant, a known surfactant can be used. The content of the surfactant is preferably 0.1% by mass to 10% by mass with respect to the total mass of the removing liquid from the viewpoint of removability.

除去液は、水溶性有機溶剤を含有することが好ましい。水溶性有機溶剤としては、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン等が好ましく挙げられる。 The removing liquid preferably contains a water-soluble organic solvent. Preferred examples of the water-soluble organic solvent include dimethyl sulfoxide and N-methylpyrrolidone.

除去工程は、除去液を使用し、スプレー法、シャワー法、パドル法等により除去する方法が好ましく挙げられる。 As the removing step, a method of using a removing liquid and removing by a spray method, a shower method, a paddle method or the like is preferable.

＜ロールツーロール方式＞
本開示に係る回路配線の製造方法は、ロールツーロール方式により行われることが好ましい。ロールツーロール方式とは、少なくとも１つの工程（好ましくは、全ての工程、又は加熱工程以外の全ての工程）を、基板を搬送しながら行う方式をいう。基板の搬送は、基板を巻き出す工程、及び基板を巻き取る工程を組み合わせることで行うことができる。基板を巻き出す方法、及び基板を巻き取る方法としては、制限されず、ロールツーロール方式において公知の方法から適宜選択することができる。<Roll-to-roll method>
The circuit wiring manufacturing method according to the present disclosure is preferably performed by a roll-to-roll method. The roll-to-roll method refers to a method in which at least one step (preferably all steps or all steps other than the heating step) is performed while transporting the substrate. The transfer of the substrate can be performed by combining the step of unwinding the substrate and the step of winding the substrate. The method of unwinding the substrate and the method of winding the substrate are not limited, and can be appropriately selected from the methods known in the roll-to-roll method.

＜タッチパネルの製造方法＞
本開示に係るタッチパネルの製造方法は、導電層を有する基板と上記転写材料とを、上記基板及び上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程（貼り合わせ工程）と、上記貼り合わせる工程後の上記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、上記仮支持体を介してパターン露光する工程（露光工程（第１露光工程））と、上記パターン露光する工程後の上記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターン（第１樹脂パターン）を形成する工程（現像工程（第１現像工程））と、上記樹脂パターンが形成されていない領域において露出する上記導電層をエッチングする工程（エッチング工程（第１エッチング工程））と、上記エッチングする工程後の上記樹脂パターンを除去する工程（除去工程）と、を含む。本開示に係るタッチパネルの製造方法は、上記工程を含むため、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量を低減することができる。<Manufacturing method of touch panel>
The method for manufacturing a touch panel according to the present disclosure is a step of bringing a substrate having a conductive layer and the transfer material into contact with each other and bonding the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the substrate and the transfer material (bonding step). A step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the bonding step via the temporary support (exposure step (first exposure step)) and a step of pattern-exposing the pattern. Later, a step of developing the chemically amplified positive photosensitive resin layer to form a resin pattern (first resin pattern) (development step (first development step)) and exposure in a region where the resin pattern is not formed. A step of etching the conductive layer (etching step (first etching step)) and a step of removing the resin pattern after the etching step (removal step) are included. Since the touch panel manufacturing method according to the present disclosure includes the above steps, it is possible to reduce the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure.

本開示に係るタッチパネルの製造方法における、貼り合わせ工程、露光工程（第１露光工程）、現像工程（第１現像工程）、エッチング工程（第１エッチング工程）、及び除去工程の各工程の態様については、上述の「回路配線の製造方法」の項において説明した各工程の態様を適用することができ、好ましい態様も同様である。また、本開示に係るタッチパネルの製造方法は、上述の「回路配線の製造方法」の項において説明した第２露光工程、第２現像工程、第２エッチング工程、全面露光工程、加熱工程等を含んでいてもよい。 Regarding the mode of each step of the bonding step, the exposure step (first exposure step), the development step (first development step), the etching step (first etching step), and the removal step in the touch panel manufacturing method according to the present disclosure. Can be applied to the aspects of each step described in the above-mentioned "Method for manufacturing circuit wiring", and the preferred embodiments are also the same. Further, the touch panel manufacturing method according to the present disclosure includes a second exposure step, a second development step, a second etching step, a full exposure step, a heating step and the like described in the above-mentioned "Circuit wiring manufacturing method" section. You may be.

本開示に係るタッチパネルの製造方法において用いられるマスクのパターンの一例を、図３に示す。図３に示されるパターンＡにおいて、実線部ＳＬ及びグレー部Ｇは、遮光部であり、点線部ＤＬは、アライメント合わせの枠を仮想的に示したものである。本開示に係るタッチパネルの製造方法において、例えば図３に示されるパターンＡを有するマスクを介して化学増幅ポジ型感光性樹脂層を露光することで、実線部ＳＬ及びグレー部Ｇに対応するパターンを有する回路配線が形成されたタッチパネルを製造することできる。 FIG. 3 shows an example of a mask pattern used in the touch panel manufacturing method according to the present disclosure. In the pattern A shown in FIG. 3, the solid line portion SL and the gray portion G are light-shielding portions, and the dotted line portion DL is a virtual representation of the alignment alignment frame. In the method for manufacturing a touch panel according to the present disclosure, for example, by exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer through a mask having the pattern A shown in FIG. 3, a pattern corresponding to the solid line portion SL and the gray portion G can be obtained. It is possible to manufacture a touch panel on which the circuit wiring to have is formed.

本開示に係るタッチパネルは、上記工程を経て形成される回路配線を少なくとも有するタッチパネルである。また、本開示に係るタッチパネルは、透明基板と、電極と、絶縁層又は保護層とを少なくとも有することが好ましい。
本開示に係るタッチパネルにおける検出方法としては、抵抗膜方式、静電容量方式、超音波方式、電磁誘導方式、及び、光学方式など公知の方式いずれでもよい。上記の中でも、検出方法としては、静電容量方式が好ましい。
タッチパネル型としては、いわゆる、インセル型（例えば、特表２０１２−５１７０５１号公報の図５、図６、図７、図８に記載のもの）、いわゆる、オンセル型（例えば、特開２０１３−１６８１２５号公報の図１９に記載のもの、特開２０１２−８９１０２号公報の図１や図５に記載のもの）、ＯＧＳ（Ｏｎｅ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）型、ＴＯＬ（Ｔｏｕｃｈ−ｏｎ−Ｌｅｎｓ）型（例えば、特開２０１３−５４７２７号公報の図２に記載のもの）、その他の構成（例えば、特開２０１３−１６４８７１号公報の図６に記載のもの）、各種アウトセル型（いわゆる、ＧＧ、Ｇ１・Ｇ２、ＧＦＦ、ＧＦ２、ＧＦ１、Ｇ１Ｆなど）を挙げることができる。
本開示に係るタッチパネルとしては、『最新タッチパネル技術』（２００９年７月６日、（株）テクノタイムズ社発行）、三谷雄二監修、“タッチパネルの技術と開発”、シーエムシー出版（２００４，１２）、ＦＰＤ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ２００９ Ｆｏｒｕｍ Ｔ−１１講演テキストブック、Ｃｙｐｒｅｓｓ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ アプリケーションノートＡＮ２２９２等に開示されている構成を適用することができる。The touch panel according to the present disclosure is a touch panel having at least circuit wiring formed through the above steps. Further, the touch panel according to the present disclosure preferably has at least a transparent substrate, electrodes, and an insulating layer or a protective layer.
As the detection method in the touch panel according to the present disclosure, any known method such as a resistive film method, a capacitance method, an ultrasonic method, an electromagnetic induction method, and an optical method may be used. Among the above, the capacitance method is preferable as the detection method.
The touch panel type includes a so-called in-cell type (for example, those shown in FIGS. 5, 6, 7, and 8 of JP-A-2012-517501), a so-called on-cell type (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-168125). The one described in FIG. 19 of the publication, the one described in FIGS. 1 and 5 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-89102), OGS (One Glass Solution) type, TOR (Touch-on-Lens) type (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. (The one described in FIG. 2 of 2013-54727), other configurations (for example, the one shown in FIG. 6 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-164871), various out-selling types (so-called GG, G1, G2, GFF, GF2, GF1, G1F, etc.) can be mentioned.
The touch panels related to this disclosure include "Latest Touch Panel Technology" (July 6, 2009, published by Techno Times Co., Ltd.), supervised by Yuji Mitani, "Touch Panel Technology and Development", CMC Publishing (2004, 12). , FPD International 2009 Forum T-11 Lecture Textbook, Cypress Semiconductor Corporation Application Note AN2292, etc. can be applied.

以下、実施例により本開示を詳細に説明するが、本開示はこれらに制限されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。 Hereinafter, the present disclosure will be described in detail by way of examples, but the present disclosure is not limited thereto. Unless otherwise specified, "parts" and "%" are based on mass.

＜実施例１＞
［化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物１の調製］
下記処方にしたがい、化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物１を調製した。
・重合体Ａ（下記重合体１）：９．６４部
・光酸発生剤（下記化合物Ａ−１）：０．２５部
・界面活性剤（下記界面活性剤Ｃ）：０．０１部
・添加剤（下記化合物Ｄ）：０．１部
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：９０．００部<Example 1>
[Preparation of Chemically Amplified Positive Photosensitive Resin Composition 1]
A chemically amplified positive photosensitive resin composition 1 was prepared according to the following formulation.
-Polymer A (the following polymer 1): 9.64 parts-Photoacid generator (the following compound A-1): 0.25 parts-Surfactant (the following surfactant C): 0.01 parts-Addition Agent (Compound D below): 0.1 parts ・ Propylene glycol monomethyl ether acetate: 90.00 parts

重合体１：下記に示す構造の重合体（ガラス転移温度は２５℃である。重量平均分子量は２５，０００である。下記構成単位にそれぞれ記載された数値は、質量％を意味する。） Polymer 1: A polymer having the structure shown below (the glass transition temperature is 25 ° C., the weight average molecular weight is 25,000. The numerical values described in the following structural units mean mass%).

Figure 2020116068
Figure 2020116068

化合物Ａ−１：下記に示す構造の化合物 Compound A-1: Compound having the structure shown below

Figure 2020116068
Figure 2020116068

界面活性剤Ｃ：下記に示す構造の重合体 Surfactant C: Polymer with the structure shown below

Figure 2020116068
Figure 2020116068

化合物Ｄ：下記に示す構造の化合物 Compound D: A compound having the structure shown below.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

［中間層用組成物１の調製］
下記処方にしたがい、中間層用組成物１を調製した。
・セルロース樹脂（メトローズ（登録商標）６０ＳＨ−０３、信越化学工業株式会社製）：３．５部
・界面活性剤（メガファック（登録商標）Ｆ４４４、ＤＩＣ株式会社製）：０．１部
・純水：３３．７部
・メタノール：６２．７部[Preparation of Composition 1 for Intermediate Layer]
The composition 1 for the intermediate layer was prepared according to the following formulation.
-Cellulose resin (Methanol (registered trademark) 60SH-03, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 3.5 parts-Surfactant (Megafuck (registered trademark) F444, manufactured by DIC Corporation): 0.1 parts-Pure Water: 33.7 parts, Methanol: 62.7 parts

［転写材料１の作製］
仮支持体１（厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー１２ＱＳ６２、東レ株式会社製、ヘイズ値０．４３％）の上に、スリット状ノズルを用いて中間層用組成物１を乾燥膜厚２．０μｍとなる量で塗布し、次いで乾燥することで、中間層を形成した。中間層上に化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物１を乾燥膜厚が３．０μｍとなる量で塗布し、次いで９０℃の温風で乾燥することで、化学増幅ポジ型感光性樹脂層を形成した。最後に、カバーフィルムとしてポリエチレンフィルム（トレデガー社製、ＯＳＭ−Ｎ）を化学増幅ポジ型感光性樹脂層上に圧着して転写材料１を作製した。[Preparation of transfer material 1]
2. The intermediate layer composition 1 is dried on a temporary support 1 (polyethylene terephthalate film having a thickness of 12 μm, Lumirror 12QS62, manufactured by Toray Industries, Inc., haze value 0.43%) using a slit-shaped nozzle. An intermediate layer was formed by applying in an amount of 0 μm and then drying. The chemically amplified positive photosensitive resin composition 1 is applied onto the intermediate layer in an amount such that the dry film thickness is 3.0 μm, and then dried with warm air at 90 ° C. to form a chemically amplified positive photosensitive resin layer. Formed. Finally, as a cover film, a polyethylene film (OSM-N manufactured by Toledeger) was pressure-bonded onto a chemically amplified positive photosensitive resin layer to prepare a transfer material 1.

［基板の作製］
厚さ２００μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上にスパッタリング法で厚さ２５０ｎｍの銅層を形成し、銅層を有する基板（すなわち、銅層付きＰＥＴ）を作製した。[Preparation of substrate]
A copper layer having a thickness of 250 nm was formed on a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 200 μm by a sputtering method to prepare a substrate having the copper layer (that is, PET with a copper layer).

［回路配線の製造］
（樹脂パターンを有する基板Ａの作製）
転写材料１からカバーフィルムを剥離し、ロール温度９０℃、線圧０．６ＭＰａ、線速度（ラミネート速度）３．６ｍ／ｍｉｎの条件で、上記基板（銅層付きＰＥＴ）の銅層上に転写材料１を貼り合わせた。[Manufacturing of circuit wiring]
(Manufacture of substrate A having a resin pattern)
The cover film is peeled off from the transfer material 1 and transferred onto the copper layer of the above substrate (PET with a copper layer) under the conditions of a roll temperature of 90 ° C., a linear pressure of 0.6 MPa, and a linear velocity (lamination rate) of 3.6 m / min. Material 1 was pasted together.

パターニング用フォトマスクとして、１０μｍのラインアンドスペースパターンが設けられたクロムマスクを準備した。基板上に貼り合わされた転写材料１の仮支持体の表面とクロムマスクとを接触させ、超高圧水銀灯を用いて、７５ｍＪ／ｃｍ２の露光量で化学増幅ポジ型感光性樹脂層を露光した。露光後、仮支持体を化学増幅ポジ型感光性樹脂層上に配置した状態で基板を２５℃、５５％ＲＨ環境下で３時間静置した。静置後、転写材料から仮支持体を剥離し、２５℃の１．０％炭酸ナトリウム水溶液を用いて３０秒間、シャワー現像を行うことで、銅層上にパターニングされた化学増幅ポジ型感光性樹脂層（樹脂パターン）を有する基板Ａを得た。As a photomask for patterning, a chrome mask provided with a line-and-space pattern of 10 μm was prepared. The surface of the temporary support of the transfer material 1 bonded on the substrate was brought into contact with the chromium mask, and the chemically amplified positive photosensitive resin layer was exposed at an exposure amount of 75 mJ / cm 2 using an ultrahigh pressure mercury lamp. After the exposure, the substrate was allowed to stand for 3 hours in a 25 ° C. and 55% RH environment with the temporary support placed on the chemically amplified positive photosensitive resin layer. After standing, the temporary support was peeled off from the transfer material, and shower development was performed for 30 seconds using a 1.0% sodium carbonate aqueous solution at 25 ° C., whereby the chemically amplified positive photosensitive patterned on the copper layer. A substrate A having a resin layer (resin pattern) was obtained.

［回路配線Ａの作製］
銅層上に樹脂パターンを有する基板Ａに対し、２５℃の銅エッチング液（関東化学株式会社製、Ｃｕ−０２）を用いて６０秒間、銅層をシャワーエッチングした。その後、６０℃の剥離液（関東化学（株）製ＫＰ−３０１）を用いて、２分間シャワー剥離を行うことで、化学増幅ポジ型感光性樹脂層を除去し、回路配線Ａを作製した。[Manufacturing of circuit wiring A]
The copper layer was shower-etched for 60 seconds with a copper etching solution (Cu-02, manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) at 25 ° C. on the substrate A having a resin pattern on the copper layer. Then, a chemical amplification positive type photosensitive resin layer was removed by shower peeling for 2 minutes using a stripping solution at 60 ° C. (KP-301 manufactured by Kanto Chemical Co., Ltd.) to prepare a circuit wiring A.

［樹脂パターンを有する基板Ｂ及び回路配線Ｂの作製］
露光後、現像前の静置時間を２４時間とした以外は、基板Ａ及び回路配線Ａの作製方法と同様の手順で、樹脂パターンを有する基板Ｂ及び回路配線Ｂをそれぞれ作製した。[Manufacturing of substrate B and circuit wiring B having a resin pattern]
Substrate B and circuit wiring B having a resin pattern were produced by the same procedure as the method for producing substrate A and circuit wiring A, except that the standing time after exposure and before development was set to 24 hours.

［ＰＥＤ性能の評価］
回路配線Ａ及びＢのそれぞれについて、ラインパターン部の２０箇所の線幅を、光学顕微鏡観察を用いて測定し、ラインパターン部の算術平均線幅（以下、「平均線幅」という。）を求めた。得られた平均線幅の値から、静置時間に伴う線幅変化率Δを以下の式で計算し、下記の基準にしたがってＰＥＤ性能を評価した。評価結果を表１に示す。転写材料の性能としては、下記基準のうちＡ、Ｂ及びＣが望ましい。
式：Δ＝［回路配線Ｂの平均線幅/回路配線Ａの平均線幅］[Evaluation of PED performance]
For each of the circuit wirings A and B, the line widths at 20 points of the line pattern portion are measured by observing with an optical microscope, and the arithmetic mean line width of the line pattern portion (hereinafter referred to as "average line width") is obtained. rice field. From the obtained average line width value, the line width change rate Δ with the standing time was calculated by the following formula, and the PED performance was evaluated according to the following criteria. The evaluation results are shown in Table 1. Of the following criteria, A, B and C are desirable for the performance of the transfer material.
Equation: Δ = [Average line width of circuit wiring B / Average line width of circuit wiring A]

（基準）
Ａ：０．９７＜Δ≦１．００
Ｂ：０．９４＜Δ≦０．９７
Ｃ：０．９０＜Δ≦０．９４
Ｄ：０．８５＜Δ≦０．９０
Ｅ：Δ≦０．８５(standard)
A: 0.97 <Δ≤1.00
B: 0.94 <Δ≤0.97
C: 0.90 <Δ≤0.94
D: 0.85 <Δ≤0.90
E: Δ≤0.85

［耐ニップ性能の評価］
上記条件で基板（銅層付きＰＥＴ）に貼り合わせた転写材料１を、ロール温度３０℃、線圧０．３ＭＰａ、線速度１．０ｍ／ｍｉｎの条件で、一対のニップロール間を通過させた。その後、試料の表面を観察して転写材料１における仮支持体の剥離の有無を確認し、下記基準にしたがって耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。
（基準）
Ａ：仮支持体の剥離なし
Ｂ：仮支持体の剥離あり[Evaluation of nip resistance performance]
The transfer material 1 bonded to the substrate (PET with a copper layer) under the above conditions was passed between the pair of nip rolls under the conditions of a roll temperature of 30 ° C., a linear pressure of 0.3 MPa, and a linear velocity of 1.0 m / min. Then, the surface of the sample was observed to confirm the presence or absence of peeling of the temporary support in the transfer material 1, and the nip resistance performance was evaluated according to the following criteria. The evaluation results are shown in Table 1.
(standard)
A: No peeling of the temporary support B: With peeling of the temporary support

＜実施例２＞
下記処方にしたがって調製した化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物２を用いた点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Example 2>
The PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the chemically amplified positive photosensitive resin composition 2 prepared according to the following formulation was used. The evaluation results are shown in Table 1.

［化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物２］
・重合体Ａ（下記重合体２）：９．６４部
・光酸発生剤（下記化合物Ａ−２）：０．２５部
・界面活性剤（界面活性剤Ｃ）：０．０１部
・添加剤（化合物Ｄ）：０．１部
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：９０．００部[Chemically amplified positive photosensitive resin composition 2]
・ Polymer A (polymer 2 below): 9.64 parts ・ Photoacid generator (compound A-2 below): 0.25 parts ・ Surface active agent (surfactant C): 0.01 parts ・ Additive (Compound D): 0.1 parts, propylene glycol monomethyl ether acetate: 90.00 parts

重合体２：下記に示す構造の化合物（ガラス転移温度は９０℃である。重量平均分子量は２０，０００である。下記構成単位にそれぞれ記載された数値は、質量％を意味する。） Polymer 2: A compound having the structure shown below (the glass transition temperature is 90 ° C., the weight average molecular weight is 20,000. The numerical value described in each of the following structural units means mass%).

Figure 2020116068
Figure 2020116068

化合物Ａ−２:下記に示す構造の化合物 Compound A-2: Compound having the structure shown below

Figure 2020116068
Figure 2020116068

＜実施例３＞
下記処方にしたがって調製した化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物３を用いた点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Example 3>
The PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the chemically amplified positive photosensitive resin composition 3 prepared according to the following formulation was used. The evaluation results are shown in Table 1.

［ポジ型感光性樹脂組成物３］
・重合体Ａ（下記重合体３）：９．６４部
・光酸発生剤（化合物Ａ−１）：０．２５部
・界面活性剤（界面活性剤Ｃ）：０．０１部
・添加剤（化合物Ｄ）：０．１部
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：９０．００部[Positive Photosensitive Resin Composition 3]
-Polymer A (polymer 3 below): 9.64 parts-Photoacid generator (Compound A-1): 0.25 parts-Surfactant (surfactant C): 0.01 parts-Additives ( Compound D): 0.1 part ・ Propylene glycol monomethyl ether acetate: 90.00 part

重合体３：下記に示す構造の重合体（ガラス転移温度は２６℃である。重量平均分子量は３０，０００である。酸価は２７ｍｇＫＯＨ／ｇである。下記構成単位にそれぞれ記載された数値は、質量％を意味する。） Polymer 3: A polymer having the structure shown below (the glass transition temperature is 26 ° C., the weight average molecular weight is 30,000, and the acid value is 27 mgKOH / g. , Means% by weight.)

Figure 2020116068
Figure 2020116068

＜実施例４＞
下記処方にしたがって調製した化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物４を用いた点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Example 4>
The PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the chemically amplified positive photosensitive resin composition 4 prepared according to the following formulation was used. The evaluation results are shown in Table 1.

［化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物４］
・重合体Ａ（重合体１）：９．６４部
・光酸発生剤（化合物Ａ−１）：０．２５部
・界面活性剤（界面活性剤Ｃ）：０．０１部
・添加剤（化合物Ｄ）：０．０９部
・添加剤（下記化合物Ｅ）：０．０１部
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：９０．００部[Chemically amplified positive photosensitive resin composition 4]
-Polymer A (Polymer 1): 9.64 parts-Photoacid generator (Compound A-1): 0.25 parts-Surfactant (Surfactant C): 0.01 parts-Additive (Compound) D): 0.09 parts ・ Additive (Compound E below): 0.01 parts ・ Propylene glycol monomethyl ether acetate: 90.00 parts

化合物Ｅ：１，２，３−ベンゾトリアゾール（東京化成工業株式会社製） Compound E: 1,2,3-benzotriazole (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.)

＜実施例５＞
以下の方法にしたがって製造した仮支持体２を用いた点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。なお、実施例５で作製した転写材料における仮支持体２は、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に被覆層を有する。<Example 5>
The PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the temporary support 2 manufactured according to the following method was used. The evaluation results are shown in Table 1. The temporary support 2 in the transfer material produced in Example 5 has a coating layer on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided.

［仮支持体２の製造］
以下の方法によって、基材として用いられるポリエチレンテレフタレートフィルムの片面に被覆層を有する仮支持体２を製造した。[Manufacturing of temporary support 2]
A temporary support 2 having a coating layer on one side of a polyethylene terephthalate film used as a base material was produced by the following method.

〔押出成形〕
特許第５５７５６７１号公報に記載のチタン化合物を重合触媒としたポリエチレンテレフタレートのペレットを、含水率５０ｐｐｍ以下に乾燥させた後、直径３０ｍｍの１軸混練押出し機のホッパーに投入し、２８０℃で溶融して押出した。溶融体を、濾過器（孔径３μｍ）を通した後、ダイから２５℃の冷却ロールに押出することで、未延伸フィルムを得た。なお、押出された溶融体は、静電印加法を用い冷却ロールに密着させた。[Extrusion molding]
Pellets of polyethylene terephthalate using the titanium compound described in Japanese Patent No. 5575671 as a polymerization catalyst were dried to a water content of 50 ppm or less, and then charged into a hopper of a uniaxial kneading extruder having a diameter of 30 mm and melted at 280 ° C. Extruded. The melt was passed through a filter (pore diameter 3 μm) and then extruded from a die onto a cooling roll at 25 ° C. to obtain an unstretched film. The extruded melt was brought into close contact with the cooling roll by using an electrostatic application method.

〔延伸及び塗布〕
得られた未延伸フィルムに対する被覆層用塗布液の塗布及び逐次２軸延伸によって、厚さ１０μｍの基材（ポリエチレンテレフタレートフィルム）と厚さ５０ｎｍの被覆層とを有する仮支持体２を得た。上記被覆層用塗布液の塗布は、未延伸フィルムの逐次２軸延伸の過程において、未延伸フィルムの１軸延伸後に行った。仮支持体２のヘイズ値は０．３１％であった。なお、被覆層用塗布液は、下記処方にしたがって調製した。[Stretching and coating]
A temporary support 2 having a base material (polyethylene terephthalate film) having a thickness of 10 μm and a coating layer having a thickness of 50 nm was obtained by applying a coating liquid for a coating layer to the obtained unstretched film and sequentially biaxially stretching the film. The coating liquid for the coating layer was applied after the unstretched film was uniaxially stretched in the process of sequentially biaxially stretching the unstretched film. The haze value of the temporary support 2 was 0.31%. The coating liquid for the coating layer was prepared according to the following formulation.

（被覆層用塗布液）
・アクリルポリマー（ＡＳ−５６３Ａ、ダイセルファインケム株式会社製、固形分２７．５質量％）：１６７部
・ノニオン系界面活性剤（ナロアクティー（登録商標）ＣＬ９５、三洋化成工業株式会社製、固形分１００質量%）：０．７部
・アニオン系界面活性剤（ラピゾール（登録商標）Ａ−９０、日油株式会社製、固形分１質量％水希釈）：５５．７部
・カルナバワックス分散物（セロゾール（登録商標）５２４、中京油脂株式会社製、固形分３０質量％）：７部
・カルボジイミド化合物（カルボジライト（登録商標）Ｖ−０２−Ｌ２、日清紡ケミカル株式会社製、固形分１０質量％水希釈）：２０．９部
・マット剤（スノーテックス（登録商標）ＸＬ、日産化学株式会社製、固形分４０質量％）：２．８部
・水：７４３部(Coating liquid for coating layer)
-Acrylic polymer (AS-563A, manufactured by Daicel FineChem Co., Ltd., solid content 27.5% by mass): 167 parts-Nonion-based surfactant (Naroacty (registered trademark) CL95, manufactured by Sanyo Kasei Kogyo Co., Ltd., solid content 100 Mass%): 0.7 parts, anionic surfactant (Lapisol® A-90, manufactured by Chukyo Yushi Co., Ltd., solid content 1% by mass, diluted with water): 55.7 parts, carnauba wax dispersion (cellozole) (Registered trademark) 524, manufactured by Chukyo Yushi Co., Ltd., solid content 30% by mass): 7 parts, carbodiimide compound (Carbodilite (registered trademark) V-02-L2, manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd., solid content 10% by mass, diluted with water) : 20.9 parts, matting agent (Snowtex (registered trademark) XL, manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd., solid content 40% by mass): 2.8 parts, water: 743 parts

＜実施例６＞
中間層の厚さを５．０μｍとした点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Example 6>
The PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the intermediate layer was 5.0 μm. The evaluation results are shown in Table 1.

＜実施例７＞
中間層を設けずに、仮支持体１の上に化学増幅ポジ型感光性樹脂組成物１を直接塗布した以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Example 7>
The PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the chemically amplified positive photosensitive resin composition 1 was directly applied onto the temporary support 1 without providing the intermediate layer. The evaluation results are shown in Table 1.

＜実施例８＞
仮支持体２と同様の手順で製造された仮支持体３（厚さ１２μｍ、ヘイズ値０．６８％）を用いた点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Example 8>
The PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the temporary support 3 (thickness 12 μm, haze value 0.68%) manufactured by the same procedure as the temporary support 2 was used. bottom. The evaluation results are shown in Table 1.

＜実施例９＞
仮支持体４（厚さ１６μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー１６ＱＳ６２、東レ株式会社製、ヘイズ値０．４６％）を用いた点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Example 9>
PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that a temporary support 4 (polyethylene terephthalate film with a thickness of 16 μm, Lumirror 16QS62, manufactured by Toray Industries, Inc., haze value 0.46%) was used. bottom. The evaluation results are shown in Table 1.

＜比較例１＞
仮支持体２と同様の手順で製造された仮支持体５（厚さ２５μｍ、ヘイズ値０．３５％）を用いた点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Comparative example 1>
The PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that the temporary support 5 (thickness 25 μm, haze value 0.35%) manufactured by the same procedure as the temporary support 2 was used. bottom. The evaluation results are shown in Table 1.

＜比較例２＞
仮支持体６（厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム、ルミラー３８ＱＳ６３、東レ株式会社製、ヘイズ値０．４５％）を用いた点以外は、実施例１と同様にしてＰＥＤ性能及び耐ニップ性能を評価した。評価結果を表１に示す。<Comparative example 2>
PED performance and nip resistance performance were evaluated in the same manner as in Example 1 except that a temporary support 6 (polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 μm, Lumirror 38QS63, manufactured by Toray Industries, Inc., haze value 0.45%) was used. bottom. The evaluation results are shown in Table 1.

Figure 2020116068
Figure 2020116068

実施例１〜９及び比較例１〜２において用いられた仮支持体は、少なくとも、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する。 The temporary supports used in Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2 have at least irregularities on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided.

表１より、厚さが７μｍ〜１８μｍであって、少なくとも、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する仮支持体と、化学増幅ポジ型感光性樹脂層と、を有する転写材料を用いて作製した実施例１〜９の回路配線においては、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量が小さいことがわかった。さらに、実施例１〜９で用いた転写材料は、耐ニップ性能も良好であることがわかった。 From Table 1, a temporary support having a thickness of 7 μm to 18 μm and having at least irregularities on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided, and chemically amplified positive photosensitive. It was found that in the circuit wirings of Examples 1 to 9 produced by using the transfer material having the resin layer, the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure was small. Furthermore, it was found that the transfer materials used in Examples 1 to 9 also had good nip resistance performance.

一方、厚さが１８μｍを超える仮支持体を有する転写材料を用いて作製した比較例１〜２の回路配線においては、露光後の静置時間の経過に伴うパターンの線幅の変化量が大きくなった。また、比較例１〜２で用いた転写材料の耐ニップ性能は、実施例１〜９で用いた転写材料の耐ニップ性能と比較して劣ることがわかった。 On the other hand, in the circuit wirings of Comparative Examples 1 and 2 produced by using a transfer material having a temporary support having a thickness of more than 18 μm, the amount of change in the line width of the pattern with the lapse of the standing time after exposure is large. became. Further, it was found that the nip resistance performance of the transfer materials used in Comparative Examples 1 and 2 was inferior to the nip resistance performance of the transfer materials used in Examples 1 to 9.

＜比較例３＞
仮支持体２の製造工程においてマット剤を使用しない点以外は、仮支持体２の製造方法と同様にして、仮支持体７を作製した。仮支持体７は、化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有しない。得られた仮支持体７を用いた点以外は、実施例５と同様にして、ＰＥＤ性能を評価した。その結果、ＰＥＤ評価はＡであったが、仮支持体とフォトマスクとの間で良好な滑り性が得られずアライメントがとれなかった（すなわち、位置合わせができなかった）ため、予定していた位置にパターンを形成することができなかった。<Comparative example 3>
The temporary support 7 was manufactured in the same manner as the method for manufacturing the temporary support 2, except that a matting agent was not used in the manufacturing process of the temporary support 2. The temporary support 7 has no unevenness on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided. The PED performance was evaluated in the same manner as in Example 5 except that the obtained temporary support 7 was used. As a result, the PED evaluation was A, but it was planned because good slipperiness could not be obtained between the temporary support and the photomask and alignment could not be achieved (that is, alignment could not be performed). It was not possible to form a pattern at the above position.

２０１８年１２月４日に出願された日本国特許出願２０１８−２２７７１１号の開示は、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。本明細書に記載された全ての文献、特許出願、及び技術規格は、個々の文献、特許出願、及び技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記載された場合と同程度に、本明細書に参照により取り込まれる。 The disclosure of Japanese Patent Application No. 2018-227711, filed December 4, 2018, is incorporated herein by reference in its entirety. All documents, patent applications, and technical standards described herein are to the same extent as if the individual documents, patent applications, and technical standards were specifically and individually stated to be incorporated by reference. Incorporated herein by reference.

Claims (10)

厚さが７μｍ〜１８μｍの仮支持体と、
化学増幅ポジ型感光性樹脂層と、
を有し、
前記仮支持体は、少なくとも、前記化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面に凹凸を有する転写材料。A temporary support with a thickness of 7 μm to 18 μm and
Chemically amplified positive photosensitive resin layer and
Have,
The temporary support is a transfer material having at least an uneven surface on the side opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided. 前記仮支持体が粒子を含み、かつ、前記仮支持体のヘイズ値が０．５０％以下である請求項１に記載の転写材料。 The transfer material according to claim 1, wherein the temporary support contains particles and the haze value of the temporary support is 0.50% or less. 前記仮支持体が、前記化学増幅ポジ型感光性樹脂層が設けられた側とは反対側の表面にのみ凹凸を有する請求項１又は請求項２に記載の転写材料。 The transfer material according to claim 1 or 2, wherein the temporary support has irregularities only on the surface opposite to the side on which the chemically amplified positive photosensitive resin layer is provided. 前記仮支持体と前記化学増幅ポジ型感光性樹脂層との間に、前記化学増幅ポジ型感光性樹脂層に接して設けられた、水溶性樹脂を含有する中間層を有する請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の転写材料。 Claims 1 to claim having an intermediate layer containing a water-soluble resin provided in contact with the chemically amplified positive photosensitive resin layer between the temporary support and the chemically amplified positive photosensitive resin layer. Item 3. The transfer material according to any one of Item 3. 前記中間層の厚さが、０．１μｍ〜３．０μｍである請求項４に記載の転写材料。 The transfer material according to claim 4, wherein the thickness of the intermediate layer is 0.1 μm to 3.0 μm. 前記化学増幅ポジ型感光性樹脂層は、酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体と、酸発生剤と、を含有する請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の転写材料。 Any of claims 1 to 5, wherein the chemically amplified positive photosensitive resin layer contains a polymer containing a structural unit having a group in which an acid group is protected by an acid-degradable group, and an acid generator. The transfer material according to item 1. 前記酸基が酸分解性基で保護された基を有する構成単位を含む重合体が、式Ａ１で表される構成単位、式Ａ２で表される構成単位及び式Ａ３で表される構成単位からなる群より選択される少なくとも１種の構成単位を含む重合体である請求項６に記載の転写材料。
Figure 2020116068
式Ａ１中、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ１１及びＲ１２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ１３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ１１又はＲ１２と、Ｒ１３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ１４は、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ１は、単結合又は二価の連結基を表し、Ｒ１５は、置換基を表し、ｎは、０〜４の整数を表す。
式Ａ２中、Ｒ２１及びＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ２１及びＲ２２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ２３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ２１又はＲ２２と、Ｒ２３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ２４は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、アリールカルボニル基、アリールオキシカルボニル基又はシクロアルキル基を表し、ｍは、０〜３の整数を表す。
式Ａ３中、Ｒ３１及びＲ３２は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、少なくともＲ３１及びＲ３２のいずれか一方がアルキル基又はアリール基であり、Ｒ３３は、アルキル基又はアリール基を表し、Ｒ３１又はＲ３２と、Ｒ３３とが連結して環状エーテルを形成してもよく、Ｒ３４は、水素原子又はメチル基を表し、Ｘ０は、単結合又は二価の連結基を表す。The polymer containing a structural unit having a group in which the acid group is protected by an acid-degradable group is derived from the structural unit represented by the formula A1, the structural unit represented by the formula A2, and the structural unit represented by the formula A3. The transfer material according to claim 6, which is a polymer containing at least one structural unit selected from the group.
Figure 2020116068
In formula A1, R 11 and R 12 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 11 and R 12 is an alkyl group or an aryl group, and R 13 is Representing an alkyl or aryl group, R 11 or R 12 and R 13 may be linked to form a cyclic ether, where R 14 represents a hydrogen atom or methyl group and X 1 is a single bond or It represents a divalent linking group, R 15 represents a substituent and n represents an integer from 0 to 4.
In formula A2, R 21 and R 22 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 21 and R 22 is an alkyl group or an aryl group, and R 23 is Representing an alkyl group or an aryl group, R 21 or R 22 and R 23 may be linked to form a cyclic ether, and R 24 may independently form a hydroxy group, a halogen atom, an alkyl group, or an alkoxy. It represents a group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyalkyl group, an arylcarbonyl group, an aryloxycarbonyl group or a cycloalkyl group, and m represents an integer of 0 to 3.
In formula A3, R 31 and R 32 independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and at least one of R 31 and R 32 is an alkyl group or an aryl group, and R 33 is Representing an alkyl or aryl group, R 31 or R 32 and R 33 may be linked to form a cyclic ether, where R 34 represents a hydrogen atom or methyl group and X 0 is a single bond or Represents a divalent linking group. 基板と請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の転写材料とを、前記基板及び前記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせる工程後の前記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、前記仮支持体を介してパターン露光する工程と、
前記パターン露光する工程後の前記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターンを形成する工程と、
を含む樹脂パターンの製造方法。A step of bringing the substrate and the transfer material according to any one of claims 1 to 7 into contact with each other and bonding the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the substrate and the transfer material.
A step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the bonding step via the temporary support.
A step of developing the chemically amplified positive photosensitive resin layer after the step of pattern exposure to form a resin pattern, and a step of forming a resin pattern.
A method for manufacturing a resin pattern including. 導電層を有する基板と請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の転写材料とを、前記基板及び前記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせる工程後の前記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、前記仮支持体を介してパターン露光する工程と、
前記パターン露光する工程後の前記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターンを形成する工程と、
前記樹脂パターンが形成されていない領域において露出する前記導電層をエッチングする工程と、
前記エッチングする工程後の前記樹脂パターンを除去する工程と、
を含む回路配線の製造方法。A step of bringing a substrate having a conductive layer and the transfer material according to any one of claims 1 to 7 into contact with each other and bonding the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material. ,
A step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the bonding step via the temporary support.
A step of developing the chemically amplified positive photosensitive resin layer after the step of pattern exposure to form a resin pattern, and a step of forming a resin pattern.
A step of etching the conductive layer exposed in a region where the resin pattern is not formed, and a step of etching the conductive layer.
A step of removing the resin pattern after the etching step and a step of removing the resin pattern.
Manufacturing method of circuit wiring including. 導電層を有する基板と請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の転写材料とを、前記基板及び前記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を接触させて、貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせる工程後の前記転写材料における化学増幅ポジ型感光性樹脂層を、前記仮支持体を介してパターン露光する工程と、
前記パターン露光する工程後の前記化学増幅ポジ型感光性樹脂層を現像して樹脂パターンを形成する工程と、
前記樹脂パターンが形成されていない領域において露出する前記導電層をエッチングする工程と、
前記エッチングする工程後の前記樹脂パターンを除去する工程と、
を含むタッチパネルの製造方法。A step of bringing a substrate having a conductive layer and the transfer material according to any one of claims 1 to 7 into contact with each other and bonding the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material. ,
A step of pattern-exposing the chemically amplified positive photosensitive resin layer in the transfer material after the bonding step via the temporary support.
A step of developing the chemically amplified positive photosensitive resin layer after the step of pattern exposure to form a resin pattern, and a step of forming a resin pattern.
A step of etching the conductive layer exposed in a region where the resin pattern is not formed, and a step of etching the conductive layer.
A step of removing the resin pattern after the etching step and a step of removing the resin pattern.
A method for manufacturing a touch panel including.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022138468A1 (en) * 2020-12-25 2022-06-30

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007133258A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Fujifilm Corp Laminate for printed wiring board and method for producing printed wiring board using the same
JP2016099374A (en) * 2014-11-18 2016-05-30 日立化成株式会社 Photosensitive element, method for manufacturing substrate with resist pattern, method for manufacturing printed wiring board, and method for manufacturing touch panel
JP2017052234A (en) * 2015-09-11 2017-03-16 富士フイルム株式会社 Transfer material, roll, method for producing touch panel and touch panel
JP2017078852A (en) * 2015-10-21 2017-04-27 富士フイルム株式会社 Dry film resist, method for producing circuit wiring, circuit wiring, input device and display device
US20170255100A1 (en) * 2016-03-01 2017-09-07 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Dry film structure
WO2018179640A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 富士フイルム株式会社 Photosensitive transferring material and method for producing circuit wiring

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110325917A (en) * 2017-02-22 2019-10-11 富士胶片株式会社 The manufacturing method of photosensitive transfer printing material, the manufacturing method of circuit layout and touch panel

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007133258A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Fujifilm Corp Laminate for printed wiring board and method for producing printed wiring board using the same
JP2016099374A (en) * 2014-11-18 2016-05-30 日立化成株式会社 Photosensitive element, method for manufacturing substrate with resist pattern, method for manufacturing printed wiring board, and method for manufacturing touch panel
JP2017052234A (en) * 2015-09-11 2017-03-16 富士フイルム株式会社 Transfer material, roll, method for producing touch panel and touch panel
JP2017078852A (en) * 2015-10-21 2017-04-27 富士フイルム株式会社 Dry film resist, method for producing circuit wiring, circuit wiring, input device and display device
US20170255100A1 (en) * 2016-03-01 2017-09-07 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Dry film structure
WO2018179640A1 (en) * 2017-03-30 2018-10-04 富士フイルム株式会社 Photosensitive transferring material and method for producing circuit wiring

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