JPWO2020110276A1 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
荷電粒子線装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2020110276A1 JPWO2020110276A1 JP2020557497A JP2020557497A JPWO2020110276A1 JP WO2020110276 A1 JPWO2020110276 A1 JP WO2020110276A1 JP 2020557497 A JP2020557497 A JP 2020557497A JP 2020557497 A JP2020557497 A JP 2020557497A JP WO2020110276 A1 JPWO2020110276 A1 JP WO2020110276A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- sample
- particle beam
- charged particle
- observation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/226—Optical arrangements for illuminating the object; optical arrangements for collecting light from the object
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
- H01J2237/221—Image processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24571—Measurements of non-electric or non-magnetic variables
- H01J2237/24585—Other variables, e.g. energy, mass, velocity, time, temperature
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
制御部111が、異物観察部115によって異物観察用試料122を観察できる位置に試料ステージ109を移動させる。
異物観察部115によって異物観察用試料122が観察される。異物観察部115が光学顕微鏡である場合には、暗視野観察や明視野観察、微分干渉観察、偏光観察、位相差観察等のいずれかの観察がなされる。なお異物観察用試料122は、測定用試料121を除く筐体110内の他の部材と異なる表面粗さを有したり、異なる材質であったりすることが好ましい。筐体110内の他の部材と表面粗さや材質が異なる異物観察用試料122が用いられることにより、本ステップでの観察による異物の検出が容易になる。
制御部111は、S302での観察に基づいて異物の指標値を算出する。算出される異物の指標値としては、例えば、異物の総数、特定の形状に分類される異物の個数、ある粒径の範囲に分類される異物の個数、単位面積あたりの異物の専有面積等があげられる。また特定の操作、例えば測定用試料121の試料室内への搬送や一連の測定手順の実行によって、増加した異物の個数等を異物の指標値にしても良い。
制御部111は、S303で算出された異物の指標値が基準値以上であるか否かを判定する。基準値以上であればS305へ処理を進め、基準値未満であれば終了となる。なお、基準値は、記憶部113に格納された予め定められた値でも良いし、ユーザによって設定された値でも良い。また基準値は、異物の検出感度やスループットに基づいて設定されても良い。すなわち極小さな異物でも検出できるように検出感度を高めたり、検出感度を低下させてもスループットを優先させたりするように基準値が設定されても良い。
制御部111は、入出力部112の表示部にアラートを表示させる。アラートの表示により、異物観察用試料122の異物の指標値が基準値以上であることをユーザに知らせることができる。
異物観察用試料122に設けられた位置合わせ用のパターン501を用いて、異物観察用試料122の位置合わせがなされる。位置合わせには例えば光が用いられ、異物観察用試料122のXY座標やZ方向の位置が合わせられる。なお、異物観察用試料122の表面の高さが測定用試料121の高さのばらつきの範囲内に合わせられていれば、異物観察用試料122の観察後に測定用試料121を観察する際、電子線の焦点合わせに要する時間を短縮できる。
制御部111が、異物観察部によって観察できる位置、具体的には対物レンズ107の開口の直下に異物観察用試料122が配置されるように試料ステージ109を移動させる。
荷電粒子線を用いて異物観察用試料122が観察される。すなわち荷電粒子線である電子線が照射されることによって異物観察用試料122から放出される二次電子や反射電子が検出器105で検出され、検出器105から出力される検出信号に基づいて異物観察用試料122の二次電子像や反射電子像が形成される。
制御部111は、S802での観察に基づいて異物の指標値を算出する。本ステップで算出される異物の指標値は、例えば、異物の位置、粒径、形状、組成等である。また異物の位置や粒径等を複数のレベルに分けて、レベル毎の異物を計数し、ヒストグラムを作成しても良い。算出された異物の指標値等は、必要に応じて入出力部112の表示部に表示される。
制御部111は、S803で算出された異物の指標値を図9に例示されるテーブル901と照合する。テーブル901は、異物の位置、粒径、形状、組成のような指標値と異物の発生要因とを対応付けたものであり、事前に作成され記憶部113に格納される。本ステップでは、記憶部113から読み出される異物の指標値と発生要因とが対応付けられたテーブルと、S803で算出された異物の指標値が照合されることにより、異物の発生要因が推定される。
制御部111は、S804で推定された異物の発生要因を入出力部112の表示部に表示させる。異物の発生要因の推定結果が表示されることにより、異物の発生要因に応じた適切な異物対策をユーザに促すことができる。なお記憶部113に格納されるテーブルは図9に例示されるものに限定されず、テーブルに含まれる異物の指標値は複数であっても単数であっても良い。また異物の発生要因に応じた異物対策をテーブルに含めるようにしても良い。テーブルに異物対策を含めることにより、ユーザが迅速に異物対策を図ることができる。
Claims (11)
- 測定用試料が保持される試料ステージと、
前記測定用試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線の照射によって放出される荷電粒子を検出する検出器と、を備える荷電粒子線装置であって、
前記測定用試料とともに前記試料ステージに保持される異物観察用試料と、
前記異物観察用試料の上の異物を観察する異物観察部と、を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料には、前記測定用試料に印加される電圧と同じ電圧が印加されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料は、位置合わせ用のパターンを有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料は、前記測定用試料を除く他の部材と異なる表面粗さを有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料は、前記測定用試料を除く他の部材と異なる材質であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察部は光学顕微鏡であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察部は前記異物観察用試料に荷電粒子線を照射することにより前記異物を観察することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
異物の指標値と発生要因とが対応付けられたテーブルを記憶する記憶部と、
前記異物観察部による観察の結果に基づいて前記異物の指標値を算出し、算出された指標値を前記テーブルと照合することにより、異物の発生要因の推定結果を出力する制御部をさらに備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料は、前記試料ステージに複数保持されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料はそれぞれ異なる表面粗さを有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項9に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料はそれぞれ異なる材質であることを特徴とする荷電粒子線装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/044109 WO2020110276A1 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 荷電粒子線装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020110276A1 true JPWO2020110276A1 (ja) | 2021-10-14 |
JP7116191B2 JP7116191B2 (ja) | 2022-08-09 |
Family
ID=70854183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020557497A Active JP7116191B2 (ja) | 2018-11-30 | 2018-11-30 | 荷電粒子線装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11735394B2 (ja) |
JP (1) | JP7116191B2 (ja) |
KR (1) | KR102632283B1 (ja) |
TW (2) | TWI784683B (ja) |
WO (1) | WO2020110276A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7116191B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-08-09 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120311A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | ダミーウェハおよびそれを用いた異物解析装置 |
JPH07120404A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 異物検出感度校正標準ウエハ |
JPH10223168A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | 試料分析装置 |
JP2000222033A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 異常原因特定システムおよびその方法 |
JP2000329662A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法 |
JP2002118158A (ja) * | 1996-03-05 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
JP2003151483A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法 |
CN104157593A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 尘埃检测***及尘埃检测方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250059A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
US20040040662A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Manabu Edamura | Plasma processing method and apparatus for etching nonvolatile material |
US6825617B2 (en) * | 2003-02-27 | 2004-11-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor processing apparatus |
JP5033310B2 (ja) | 2005-02-18 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 検査装置 |
JP4307470B2 (ja) | 2006-08-08 | 2009-08-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置 |
JP5033374B2 (ja) | 2006-08-08 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
KR20080056498A (ko) * | 2006-12-18 | 2008-06-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 기판의 표면 측정장치 |
JP5103253B2 (ja) | 2008-04-14 | 2012-12-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
JP2010129246A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線観察装置及びその汚染評価方法 |
JP2012122765A (ja) | 2010-12-06 | 2012-06-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
JP6093540B2 (ja) | 2012-10-18 | 2017-03-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置内の異物除去方法、及び荷電粒子線装置 |
JP2014139980A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料処理装置およびその方法並びに荷電粒子線装置 |
JP6411799B2 (ja) * | 2014-07-14 | 2018-10-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
WO2016143450A1 (ja) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社荏原製作所 | 検査装置 |
US10538317B2 (en) * | 2016-07-27 | 2020-01-21 | Textron Innovations Inc. | Rotor blade erosion protection systems |
JP6684920B2 (ja) * | 2016-11-24 | 2020-04-22 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
JP7116191B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-08-09 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
-
2018
- 2018-11-30 JP JP2020557497A patent/JP7116191B2/ja active Active
- 2018-11-30 WO PCT/JP2018/044109 patent/WO2020110276A1/ja active Application Filing
- 2018-11-30 US US17/295,978 patent/US11735394B2/en active Active
- 2018-11-30 KR KR1020217013981A patent/KR102632283B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-10-23 TW TW110131205A patent/TWI784683B/zh active
- 2019-10-23 TW TW108138147A patent/TWI740242B/zh active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120311A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Hitachi Ltd | ダミーウェハおよびそれを用いた異物解析装置 |
JPH07120404A (ja) * | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 異物検出感度校正標準ウエハ |
JP2002118158A (ja) * | 1996-03-05 | 2002-04-19 | Hitachi Ltd | 回路パターンの検査方法及び検査装置 |
JPH10223168A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | 試料分析装置 |
JP2000222033A (ja) * | 1999-01-28 | 2000-08-11 | Hitachi Ltd | 異常原因特定システムおよびその方法 |
JP2000329662A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法 |
JP2003151483A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法 |
CN104157593A (zh) * | 2013-05-14 | 2014-11-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 尘埃检测***及尘埃检测方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI784683B (zh) | 2022-11-21 |
US11735394B2 (en) | 2023-08-22 |
TW202022365A (zh) | 2020-06-16 |
KR102632283B1 (ko) | 2024-02-02 |
TW202144772A (zh) | 2021-12-01 |
US20220028650A1 (en) | 2022-01-27 |
TWI740242B (zh) | 2021-09-21 |
WO2020110276A1 (ja) | 2020-06-04 |
JP7116191B2 (ja) | 2022-08-09 |
KR20210066920A (ko) | 2021-06-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5227643B2 (ja) | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 | |
EP3428950B1 (en) | Method for alignment of a light beam to a charged particle beam and charged particle beam system | |
JP5271491B2 (ja) | 電子線応用装置および試料検査方法 | |
KR102373865B1 (ko) | 하전 입자 빔 시료 검사 시스템 및 그 동작 방법 | |
JP4828162B2 (ja) | 電子顕微鏡応用装置および試料検査方法 | |
JP2007207688A (ja) | ミラー電子顕微鏡およびミラー電子顕微鏡を用いた検査装置 | |
US20080283778A1 (en) | Apparatus for ion beam fabrication | |
US20070114404A1 (en) | Method and system for detecting hidden defects | |
US8963084B2 (en) | Contamination reduction electrode for particle detector | |
EP2124244A1 (en) | Ultra high precision measurement tool with control loop | |
US20120241605A1 (en) | Method and system for enhancing resolution of a scanning electron microscope | |
JP2024515821A (ja) | キャップバイアス電圧を使用した傾斜モードのsemによる後方散乱電子(bse)撮像 | |
JP2004513477A (ja) | 静電対物に調整可能な最終電極を設けたsem | |
JP7116191B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
EP2124245A1 (en) | Ultra high precision measurement tool | |
JP2012186177A (ja) | 電子線応用装置 | |
US9269533B2 (en) | Analysis apparatus and analysis method | |
JP5544439B2 (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2014160678A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
KR20080090118A (ko) | 반도체 검사 장치의 제어 방법 | |
US20230005700A1 (en) | Charged Particle Beam Device | |
TW202338889A (zh) | 使用帽偏壓以傾斜模式的掃描式電子顯微鏡(sem)作反散射電子(bse)成像 | |
JP5253533B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7116191 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |