JP7116191B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
制御部111が、異物観察部115によって異物観察用試料122を観察できる位置に試料ステージ109を移動させる。
異物観察部115によって異物観察用試料122が観察される。異物観察部115が光学顕微鏡である場合には、暗視野観察や明視野観察、微分干渉観察、偏光観察、位相差観察等のいずれかの観察がなされる。なお異物観察用試料122は、測定用試料121を除く筐体110内の他の部材と異なる表面粗さを有したり、異なる材質であったりすることが好ましい。筐体110内の他の部材と表面粗さや材質が異なる異物観察用試料122が用いられることにより、本ステップでの観察による異物の検出が容易になる。
制御部111は、S302での観察に基づいて異物の指標値を算出する。算出される異物の指標値としては、例えば、異物の総数、特定の形状に分類される異物の個数、ある粒径の範囲に分類される異物の個数、単位面積あたりの異物の専有面積等があげられる。また特定の操作、例えば測定用試料121の試料室内への搬送や一連の測定手順の実行によって、増加した異物の個数等を異物の指標値にしても良い。
制御部111は、S303で算出された異物の指標値が基準値以上であるか否かを判定する。基準値以上であればS305へ処理を進め、基準値未満であれば終了となる。なお、基準値は、記憶部113に格納された予め定められた値でも良いし、ユーザによって設定された値でも良い。また基準値は、異物の検出感度やスループットに基づいて設定されても良い。すなわち極小さな異物でも検出できるように検出感度を高めたり、検出感度を低下させてもスループットを優先させたりするように基準値が設定されても良い。
制御部111は、入出力部112の表示部にアラートを表示させる。アラートの表示により、異物観察用試料122の異物の指標値が基準値以上であることをユーザに知らせることができる。
異物観察用試料122に設けられた位置合わせ用のパターン501を用いて、異物観察用試料122の位置合わせがなされる。位置合わせには例えば光が用いられ、異物観察用試料122のXY座標やZ方向の位置が合わせられる。なお、異物観察用試料122の表面の高さが測定用試料121の高さのばらつきの範囲内に合わせられていれば、異物観察用試料122の観察後に測定用試料121を観察する際、電子線の焦点合わせに要する時間を短縮できる。
制御部111が、異物観察部によって観察できる位置、具体的には対物レンズ107の開口の直下に異物観察用試料122が配置されるように試料ステージ109を移動させる。
荷電粒子線を用いて異物観察用試料122が観察される。すなわち荷電粒子線である電子線が照射されることによって異物観察用試料122から放出される二次電子や反射電子が検出器105で検出され、検出器105から出力される検出信号に基づいて異物観察用試料122の二次電子像や反射電子像が形成される。
制御部111は、S802での観察に基づいて異物の指標値を算出する。本ステップで算出される異物の指標値は、例えば、異物の位置、粒径、形状、組成等である。また異物の位置や粒径等を複数のレベルに分けて、レベル毎の異物を計数し、ヒストグラムを作成しても良い。算出された異物の指標値等は、必要に応じて入出力部112の表示部に表示される。
制御部111は、S803で算出された異物の指標値を図9に例示されるテーブル901と照合する。テーブル901は、異物の位置、粒径、形状、組成のような指標値と異物の発生要因とを対応付けたものであり、事前に作成され記憶部113に格納される。本ステップでは、記憶部113から読み出される異物の指標値と発生要因とが対応付けられたテーブルと、S803で算出された異物の指標値が照合されることにより、異物の発生要因が推定される。
制御部111は、S804で推定された異物の発生要因を入出力部112の表示部に表示させる。異物の発生要因の推定結果が表示されることにより、異物の発生要因に応じた適切な異物対策をユーザに促すことができる。なお記憶部113に格納されるテーブルは図9に例示されるものに限定されず、テーブルに含まれる異物の指標値は複数であっても単数であっても良い。また異物の発生要因に応じた異物対策をテーブルに含めるようにしても良い。テーブルに異物対策を含めることにより、ユーザが迅速に異物対策を図ることができる。
Claims (5)
- 測定用試料が保持される試料ステージと、
前記測定用試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線の照射によって放出される荷電粒子を検出する検出器と、を備える荷電粒子線装置であって、
前記測定用試料とともに前記試料ステージに保持される異物観察用試料と、
前記異物観察用試料の上の異物を観察する異物観察部と、を備え、
前記異物観察部は光学顕微鏡であることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 測定用試料が保持される試料ステージと、
前記測定用試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線の照射によって放出される荷電粒子を検出する検出器と、を備える荷電粒子線装置であって、
前記測定用試料とともに前記試料ステージに保持される異物観察用試料と、
前記異物観察用試料の上の異物を観察する異物観察部と、
異物の指標値と発生要因とが対応付けられたテーブルを記憶する記憶部と、
前記異物観察部による観察の結果に基づいて前記異物の指標値を算出し、算出された指標値を前記テーブルと照合することにより、異物の発生要因の推定結果を出力する制御部を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 測定用試料が保持される試料ステージと、
前記測定用試料に荷電粒子線を照射する荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線の照射によって放出される荷電粒子を検出する検出器と、を備える荷電粒子線装置であって、
前記測定用試料とともに前記試料ステージに保持される異物観察用試料と、
前記異物観察用試料の上の異物を観察する異物観察部と、を備え、
前記異物観察用試料は、前記試料ステージに複数保持されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項3に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料はそれぞれ異なる表面粗さを有することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項3に記載の荷電粒子線装置であって、
前記異物観察用試料はそれぞれ異なる材質であることを特徴とする荷電粒子線装置。
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Citations (1)
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---|---|---|---|---|
JP2000329662A (ja) | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法 |
Family Cites Families (25)
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---|---|---|---|---|
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JPH07120404A (ja) | 1993-10-26 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 異物検出感度校正標準ウエハ |
JPH08250059A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | イオンビーム加工装置 |
US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
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JPH10223168A (ja) * | 1997-02-12 | 1998-08-21 | Hitachi Ltd | 試料分析装置 |
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JP2003151483A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法 |
US20040040662A1 (en) * | 2002-08-28 | 2004-03-04 | Manabu Edamura | Plasma processing method and apparatus for etching nonvolatile material |
US6825617B2 (en) * | 2003-02-27 | 2004-11-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor processing apparatus |
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JP2010129246A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線観察装置及びその汚染評価方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000329662A (ja) | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 非導電性試料の導電処理用治具およびこれを用いた導電処理装置の汚染評価方法 |
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