JPWO2020100744A1 - 弾性波装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N thorium dioxide Chemical compound O=[Th]=O ZCUFMDLYAMJYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003452 thorium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
- H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
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- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
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- H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
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- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
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- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
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- H03H9/14538—Formation
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Abstract
Description
低音速膜:材料酸化ケイ素(SiO2)、膜厚673nm
高音速膜:材料窒化ケイ素(SiN)、膜厚900nm
支持基板:材料シリコン(Si)、結晶方位Si(100)、オイラー角(0°,0°,45°)
IDT電極の各金属層の膜厚:圧電体層側のTi層の膜厚12nm、Al層の膜厚100nm、Ti層の膜厚4nm
波長:2μm
交差幅:30μm
IDT電極の電極指の対数:100対
傾斜角度:7.5°
第1のギャップ幅及び第2ギャップ幅:0.27μm
低音速膜:材料酸化ケイ素(SiO2)、膜厚673nm
高音速膜:材料窒化ケイ素(SiN)、膜厚900nm
支持基板:材料シリコン(Si)、結晶方位Si(100)、オイラー角(0°,0°,45°)
IDT電極の各金属層の膜厚:圧電体層側のTi層の膜厚12nm、Al層の膜厚100nm、Ti層の膜厚4nm
波長:2μm
交差幅:30μm
IDT電極の電極指の対数:100対
傾斜角度:7.5°
第1のギャップ幅及び第2ギャップ幅:0.27μm
第2の誘電体膜:材料SiO2、膜厚35nm
2…圧電性基板
3…支持基板
4…高音速膜
5…低音速膜
6…圧電体層
7…IDT電極
8a,8b…反射器
9a,9b…第1の誘電体膜
14,15…第1,第2のバスバー
16,17…第1,第2の電極指
18,19…第1,第2のダミー電極指
22…圧電性基板
23…高音速支持基板
24…圧電性基板
39…第2の誘電体膜
101…弾性波装置
Claims (10)
- 圧電性基板と、
前記圧電性基板上に設けられているIDT電極と、
を備え、
前記圧電性基板が高音速層と、前記高音速層上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、を有し、
前記高音速層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高く、
前記IDT電極が、対向し合う第1のバスバー及び第2のバスバーと、前記第1のバスバーに一端が接続された複数の第1の電極指と、前記第2のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第1の電極指と間挿し合っている複数の第2の電極指と、を有し、
前記複数の第1の電極指の先端を結ぶことにより形成される仮想線である第1の包絡線が、弾性波伝搬方向に対して傾斜して延びており、前記複数の第2の電極指の先端を結ぶことにより形成される仮想線である第2の包絡線が、弾性波伝搬方向に対して傾斜して延びており、
前記圧電性基板上における、前記複数の第1の電極指と前記第2のバスバーとの間に位置する複数の第1のギャップ及び前記複数の第2の電極指と前記第1のバスバーとの間に位置する複数の第2のギャップのうち少なくとも1つに、第1の誘電体膜が設けられており、
前記第1の誘電体膜の密度が酸化ケイ素の密度より高い、弾性波装置。 - 前記第1の誘電体膜の密度が、前記IDT電極の密度以上である、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記IDT電極が、前記第1のバスバーに一端が接続された複数の第1のダミー電極指と、前記第2のバスバーに一端が接続された複数の第2のダミー電極指と、を有し、
前記複数の第1のギャップが前記複数の第1の電極指と前記複数の第2のダミー電極指との間にそれぞれ位置し、前記複数の第2のギャップが前記複数の第2の電極指と前記複数の第1のダミー電極指との間にそれぞれ位置する、請求項1または2に記載の弾性波装置。 - 前記第1の誘電体膜が、前記第1の誘電体膜が設けられている前記第1のギャップまたは前記第2のギャップの全体に至っている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第1のギャップに設けられている前記第1の誘電体膜が、前記第1のギャップの全体に至っており、かつ前記第1の電極指上及び前記第2のダミー電極指上に至っており、
前記第2のギャップに設けられている前記第1の誘電体膜が、前記第2のギャップの全体に至っており、かつ前記第2の電極指上及び前記第1のダミー電極指上に至っている、請求項3に記載の弾性波装置。 - 前記第1のギャップに設けられている前記第1の誘電体膜が、前記第1のギャップの全体に至っており、かつ前記第1の電極指及び前記第2のダミー電極指と、前記圧電性基板との間に至っており、
前記第2のギャップに設けられている前記第1の誘電体膜が、前記第2のギャップの全体に至っており、かつ前記第2の電極指及び前記第1のダミー電極指と、前記圧電性基板との間に至っている、請求項3に記載の弾性波装置。 - 前記圧電性基板上に、前記IDT電極及び前記第1の誘電体膜を覆うように第2の誘電体膜が設けられている、請求項1〜6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電性基板が、前記高音速層と前記圧電体層との間に設けられている低音速膜を有し、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項1〜7のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記高音速層が高音速支持基板である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電性基板が、支持基板をさらに有し、
前記高音速層が、前記支持基板上に設けられている高音速膜である、
請求項1〜8のいずれか1項に記載の弾性波装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018215573 | 2018-11-16 | ||
JP2018215573 | 2018-11-16 | ||
PCT/JP2019/043906 WO2020100744A1 (ja) | 2018-11-16 | 2019-11-08 | 弾性波装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020100744A1 true JPWO2020100744A1 (ja) | 2021-09-27 |
Family
ID=70731067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020555635A Pending JPWO2020100744A1 (ja) | 2018-11-16 | 2019-11-08 | 弾性波装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US12021500B2 (ja) |
JP (1) | JPWO2020100744A1 (ja) |
CN (1) | CN112997403A (ja) |
WO (1) | WO2020100744A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10911023B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-02-02 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer |
US11936358B2 (en) | 2020-11-11 | 2024-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance |
US11323089B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer |
US11206009B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-12-21 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch |
US10637438B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-04-28 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications |
US12040779B2 (en) | 2020-04-20 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Small transversely-excited film bulk acoustic resonators with enhanced Q-factor |
US11996827B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes |
US11323090B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications |
US11146232B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes |
US11929731B2 (en) | 2018-02-18 | 2024-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode mark, and pitch |
US11509279B2 (en) | 2020-07-18 | 2022-11-22 | Resonant Inc. | Acoustic resonators and filters with reduced temperature coefficient of frequency |
US10790802B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-09-29 | Resonant Inc. | Transversely excited film bulk acoustic resonator using rotated Y-X cut lithium niobate |
US20220116015A1 (en) | 2018-06-15 | 2022-04-14 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch |
US11374549B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-06-28 | Resonant Inc. | Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers |
US11870423B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth temperature-compensated transversely-excited film bulk acoustic resonator |
US11876498B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method |
US11146238B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-10-12 | Resonant Inc. | Film bulk acoustic resonator fabrication method |
US11967945B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters |
US10826462B2 (en) | 2018-06-15 | 2020-11-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors |
US11901878B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-02-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer |
US11996822B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-05-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Wide bandwidth time division duplex transceiver |
US10998882B2 (en) | 2018-06-15 | 2021-05-04 | Resonant Inc. | XBAR resonators with non-rectangular diaphragms |
US11888463B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators |
US12009798B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-06-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes |
US11323091B2 (en) | 2018-06-15 | 2022-05-03 | Resonant Inc. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals |
US12040781B2 (en) | 2018-06-15 | 2024-07-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transversely-excited film bulk acoustic resonator package |
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- 2019-11-08 WO PCT/JP2019/043906 patent/WO2020100744A1/ja active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210265972A1 (en) | 2021-08-26 |
WO2020100744A1 (ja) | 2020-05-22 |
CN112997403A (zh) | 2021-06-18 |
US12021500B2 (en) | 2024-06-25 |
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