JPWO2020031031A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 7
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- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
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- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052718 tin Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
Claims (6)
- 金属酸化物と、絶縁層と、第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、を有し、
前記金属酸化物は、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域と、を有し、
前記第1の領域は、前記第1の導電層と重畳し、
前記第2の領域は、前記第2の導電層と重畳し、
前記第3の領域は、前記絶縁層を介して、前記第3の導電層と重畳し、
前記第1の領域および前記第2の領域のキャリア濃度はそれぞれ、5×1017cm-3以上1×1019cm-3未満であり、
前記第3の領域のキャリア濃度は、1×1012cm-3以上5×1017cm-3未満であり、
前記第1の領域と、前記第1の導電層との間に、第1の層を有し、
前記第2の領域と、前記第2の導電層との間に、第2の層を有し、
前記第1の導電層および前記第2の導電層はそれぞれ、窒化タンタルを有し、
前記第1の層および前記第2の層はそれぞれ、タンタル、窒素、および酸素を有する、または、タンタルおよび酸素を有する、半導体装置。 - 金属酸化物と、絶縁層と、第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、を有し、
前記金属酸化物は、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域と、を有し、
前記第1の領域は、前記第1の導電層と重畳し、
前記第2の領域は、前記第2の導電層と重畳し、
前記第3の領域は、前記絶縁層を介して、前記第3の導電層と重畳し、
前記第3の領域のキャリア濃度に対する、前記第1の領域のキャリア濃度の比の値は、1×102以上であり、
前記第3の領域のキャリア濃度に対する、前記第2の領域のキャリア濃度の比の値は、1×102以上であり、
前記第1の領域と、前記第1の導電層との間に、第1の層を有し、
前記第2の領域と、前記第2の導電層との間に、第2の層を有し、
前記第1の導電層および前記第2の導電層はそれぞれ、窒化タンタルを有し、
前記第1の層および前記第2の層はそれぞれ、タンタル、窒素、および酸素を有する、または、タンタルおよび酸素を有する、半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第3の領域の水素濃度は、1×1018atoms/cm3未満である、半導体装置。 - トランジスタを有し、
前記トランジスタは、金属酸化物と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、第4の導電層と、を有し、
前記第2の絶縁層は、前記第4の導電層上に設けられ、
前記金属酸化物は、前記第2の絶縁層上に設けられ、
前記第1の絶縁層は、前記金属酸化物上に設けられ、
前記第3の導電層は、前記第1の絶縁層上に設けられ、
前記第1の導電層は、前記金属酸化物上に設けられ、
前記第2の導電層は、前記金属酸化物上に設けられ、
前記第3の導電層は、前記金属酸化物を介して、前記第4の導電層と重畳し、
前記トランジスタのオフ電流は、180℃以上220℃以下の温度範囲において、1aA以下である、半導体装置。 - トランジスタを有し、
前記トランジスタは、金属酸化物と、第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、第1の導電層と、第2の導電層と、第3の導電層と、第4の導電層と、を有し、
前記第2の絶縁層は、前記第4の導電層上に設けられ、
前記金属酸化物は、前記第2の絶縁層上に設けられ、
前記第1の絶縁層は、前記金属酸化物上に設けられ、
前記第3の導電層は、前記第1の絶縁層上に設けられ、
前記第1の導電層は、前記金属酸化物上に設けられ、
前記第2の導電層は、前記金属酸化物上に設けられ、
前記第3の導電層は、前記金属酸化物を介して、前記第4の導電層と重畳し、
前記トランジスタの、チャネル幅1μmあたりのオフ電流は、180℃以上220℃以下の温度範囲において、10aA/μm以下である、半導体装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記金属酸化物は、インジウムと、元素M(Mはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、または錫)と、亜鉛と、を有する、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023055699A JP2023073443A (ja) | 2018-08-09 | 2023-03-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018150490 | 2018-08-09 | ||
JP2018150490 | 2018-08-09 | ||
PCT/IB2019/056553 WO2020031031A1 (ja) | 2018-08-09 | 2019-08-01 | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023055699A Division JP2023073443A (ja) | 2018-08-09 | 2023-03-30 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020031031A1 JPWO2020031031A1 (ja) | 2020-02-13 |
JPWO2020031031A5 true JPWO2020031031A5 (ja) | 2022-09-14 |
JP7256189B2 JP7256189B2 (ja) | 2023-04-11 |
Family
ID=69414559
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020535331A Active JP7256189B2 (ja) | 2018-08-09 | 2019-08-01 | 半導体装置 |
JP2023055699A Pending JP2023073443A (ja) | 2018-08-09 | 2023-03-30 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023055699A Pending JP2023073443A (ja) | 2018-08-09 | 2023-03-30 | 半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210226063A1 (ja) |
JP (2) | JP7256189B2 (ja) |
KR (1) | KR20210040383A (ja) |
CN (1) | CN112534588A (ja) |
WO (1) | WO2020031031A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021024083A1 (ja) * | 2019-08-08 | 2021-02-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2502272B1 (en) * | 2009-11-20 | 2015-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same |
KR101826831B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2018-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
CN107947763B (zh) | 2010-08-06 | 2021-12-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体集成电路 |
US8836626B2 (en) * | 2011-07-15 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
JP5832399B2 (ja) * | 2011-09-16 | 2015-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US9006733B2 (en) * | 2012-01-26 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
KR102101167B1 (ko) * | 2012-02-03 | 2020-04-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20130136063A (ko) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP6844845B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-03-17 | 三国電子有限会社 | 表示装置 |
-
2019
- 2019-08-01 KR KR1020217003770A patent/KR20210040383A/ko unknown
- 2019-08-01 WO PCT/IB2019/056553 patent/WO2020031031A1/ja active Application Filing
- 2019-08-01 CN CN201980051407.8A patent/CN112534588A/zh active Pending
- 2019-08-01 JP JP2020535331A patent/JP7256189B2/ja active Active
- 2019-08-01 US US17/264,503 patent/US20210226063A1/en active Pending
-
2023
- 2023-03-30 JP JP2023055699A patent/JP2023073443A/ja active Pending
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