JPWO2019073713A1 - 周期分極反転構造の製造方法 - Google Patents
周期分極反転構造の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019073713A1 JPWO2019073713A1 JP2019504154A JP2019504154A JPWO2019073713A1 JP WO2019073713 A1 JPWO2019073713 A1 JP WO2019073713A1 JP 2019504154 A JP2019504154 A JP 2019504154A JP 2019504154 A JP2019504154 A JP 2019504154A JP WO2019073713 A1 JPWO2019073713 A1 JP WO2019073713A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode piece
- electrode
- piece array
- periodically poled
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 69
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3551—Crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Description
例えば、図1(a)に示すように、強誘電性結晶基板1の第一の主面1aに、所定間隔Lを置いて複数列の電極片部配列体2を設ける。第二の主面1bには、対向する電極22を設けることができる。図1(b)(図1(a)の領域Aに対応する)に示すように、各電極片部配列体2は、それぞれ多数の電極片部3と間隙部4とからなる。そして、隣り合う電極片部配列体2間にも間隙部8が設けられている。なお、Lは電極片配列体の周期であり、30は浮き電極であり、31は給電電極である。
前記強誘電性結晶基板の前記第一の主面上に、複数個の電極片部からなる第一の電極片部配列体を設ける工程;
前記第一の電極片部配列体に対して電圧を印加することで第一の周期分極反転構造を形成する工程;
隣り合う複数の前記第一の周期分極反転構造の間に、複数個の電極片部からなる第二の電極片部配列体を設ける工程;および
前記第二の電極片部配列体に対して電圧を印加することで第二の周期分極反転構造を形成する工程
を有することを特徴とする。
まず、図4(a)に示すように、第一の主面1aと第二の主面1bとを有する強誘電性結晶基板1を準備する。ただし、図面では、紙幅の限界のために強誘電性結晶基板1の一部分Aのみを拡大して示しており、実際の強誘電性結晶基板1には多数の電極片部配列体が形成される。
すなわち、図6(a)に示すように、第一の周期分極反転構造5Aを形成した後に第二の電極片部配列体2Bを設け、第二の電極片部配列体2Bに電圧を印加したものとする。この場合、矢印Dのように短絡が生じ、図6(b)に示すように、第二の周期分極反転構造5Bに局所的にダメージ12が発生する場合があった。
なお、これら第二の電極片部配列体2Cに、図8に描かれていない左側端部から給電電極が接続されている場合、当該左側端部では局所的な電界集中が発生しないため、ダメージは発生しない。したがって、左側端部においては第一の電極片部配列体2Aの左側端部と第二の電極片部配列体2Cの左側端部は長手方向にずらす必要はない。
電極片部、対向電極の形成方法は特に限定されず、蒸着法でもよく、スパッタリング法でもよい。電極の膜厚は、例えば500〜3000オングストロームとすることができる。
電圧印加時における強誘電性結晶基板の温度は、分極反転構造の形成促進という観点からは、15°C以上が好ましく、25°C以上がさらに好ましい。また、電圧印加時における強誘電性結晶基板の温度は、強誘電性結晶基板の割れや焦電防止という観点からは、60°C以下が好ましく、40°C以下がさらに好ましい。
パルス電圧:2.0kV〜8.0kV(/mm)
パルス幅:0.1ms〜10ms
直流バイアス電圧:1.0kV〜5.0kV(/mm)
図3および図10に示すようにして、強誘電性結晶基板1に周期分極反転構造5を形成した。
具体的には、基板1としては、MgO添加のLiNbO3のオフカットYカット基板を使用した。オフカット角は5°である。基板1の第一の主面1aに、導電膜としてモリブデン膜を成膜した。また、これと同様にして、基板1の第二の主面1b上に導電膜40としてモリブデン膜を成膜した。各導電膜の膜厚は約1000オングストロームとした。
比較例1と同様にして強誘電性結晶基板に周期分極反転構造を形成することを試みた。ただし、隣接する電極片部配列体2の周期Sを0.6mmまで大きくすることで、電極片部配列体の密度を若干低下させた。
比較例1と同様にして周期分極反転構造を形成した。ただし、本例においては、図4、図5に示すように、第一の電極片部配列体2Aと第二の電極片部配列体2Bとを別個に設けることで、第一の周期分極反転構造5Aと第二の周期分極反転構造5Bとを別々に形成した。第一の電極片部配列体2Aの周期Lは0.8mmとし、第一の周期分極反転構造と第二の電極片部配列体との周期Sは0.4mmとした。その他は比較例1と同様にした。
実施例1と同様にして周期分極反転構造を形成した。ただし、本例では、第一の電極片部配列体の周期Lは1.2mmとし、第一の周期分極反転構造と第二の電極片部配列体との周期Sは0.6mmとした。これによって、周期分極反転構造の密度を若干低下させた。
実施例1と同様にして電極片部配列体を形成し、周期分極反転構造の形成を試みた。ただし、本例では、図8に示すように、第一の電極片部配列体2Cの長手方向Pに見て、第一の周期分極反転構造5Aの端部5eと第二の電極片部配列体2Cの端部2aとが2mm(t)離れるようにした。
前記強誘電性結晶基板の前記第一の主面上に、複数個の電極片部からなる第一の電極片部配列体を設ける工程;
前記第一の電極片部配列体に対して電圧を印加することで第一の周期分極反転構造を形成する工程;
隣り合う複数の前記第一の周期分極反転構造の間に、複数個の電極片部からなる第二の電極片部配列体を設ける工程;および
前記第二の電極片部配列体に対して電圧を印加することで第二の周期分極反転構造を形成する工程
を有しており、前記第一の周期分極反転構造の端部と前記第二の電極片部配列体の端部とが、前記第二の電極片部配列体の長手方向に見て1mm以上、5mm以下離れているすることを特徴とする。
Claims (3)
- 第一の主面と第二の主面とを有する強誘電性結晶基板に周期分極反転構造を製造する方法であって、
前記強誘電性結晶基板の前記第一の主面上に、複数個の電極片部からなる第一の電極片部配列体を設ける工程;
前記第一の電極片部配列体に対して電圧を印加することで第一の周期分極反転構造を形成する工程;
隣り合う複数の前記第一の周期分極反転構造の間に、複数個の電極片部からなる第二の電極片部配列体を設ける工程;および
前記第二の電極片部配列体に対して電圧を印加することで第二の周期分極反転構造を形成する工程
を有することを特徴とする、周期分極反転構造の製造方法。 - 前記第一の周期分極反転構造の端部と前記第二の電極片部配列体の端部とが、前記第二の電極片部配列体の長手方向に見て離れていることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記強誘電性結晶基板の前記第一の主面において、前記電極片部間にそれぞれ絶縁膜を形成し、前記強誘電性結晶基板の前記第二の主面に一様電極を設け、前記電極片部と前記一様電極との間に前記電圧を印加することを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017196739 | 2017-10-10 | ||
JP2017196739 | 2017-10-10 | ||
PCT/JP2018/032190 WO2019073713A1 (ja) | 2017-10-10 | 2018-08-30 | 周期分極反転構造の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6591117B2 JP6591117B2 (ja) | 2019-10-16 |
JPWO2019073713A1 true JPWO2019073713A1 (ja) | 2019-11-14 |
Family
ID=66101638
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019504154A Active JP6591117B2 (ja) | 2017-10-10 | 2018-08-30 | 周期分極反転構造の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11332849B2 (ja) |
JP (1) | JP6591117B2 (ja) |
CN (1) | CN111226167B (ja) |
DE (1) | DE112018000112B4 (ja) |
WO (1) | WO2019073713A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002277915A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分極反転形成方法および光波長変換素子 |
US20040096160A1 (en) * | 2001-01-22 | 2004-05-20 | Iliyana Hinkov | Device for multiplying light frequencies |
WO2005091066A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学素子ならびに分極反転領域の形成方法 |
JP2008304600A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 光波長変換素子の製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5544268A (en) * | 1994-09-09 | 1996-08-06 | Deacon Research | Display panel with electrically-controlled waveguide-routing |
JP2000284335A (ja) * | 1999-03-31 | 2000-10-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 強誘電体の周期分極反転構造形成方法および光波長変換素子 |
JP2001066652A (ja) | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分極反転構造の形成方法並びにそれを利用した波長変換素子の製造方法 |
JP4067039B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2008-03-26 | 日本碍子株式会社 | 周期分極反転構造の形成方法 |
CN100390651C (zh) * | 2002-11-25 | 2008-05-28 | 松下电器产业株式会社 | 光学元件的制造方法和具有极化反转结构的光学元件 |
JP4243995B2 (ja) | 2003-08-21 | 2009-03-25 | 日本碍子株式会社 | 分極反転部の製造方法および光デバイス |
JP2008268547A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Oxide Corp | レーザー装置、波長変換素子、およびその製造方法 |
JP4642065B2 (ja) | 2007-12-13 | 2011-03-02 | 日本碍子株式会社 | 周期分極反転部の製造方法 |
JP4646150B2 (ja) * | 2008-02-05 | 2011-03-09 | 日本碍子株式会社 | 周期分極反転構造の製造方法 |
JP4980454B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2012-07-18 | パナソニック株式会社 | レーザ光源装置 |
JP2013088479A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Panasonic Corp | 波長変換素子、レーザ光源装置、画像表示装置及び波長変換素子の製造方法 |
CN103257508A (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-21 | 北京中视中科光电技术有限公司 | 铁电晶体材料的周期极化结构及其极化方法 |
JP5992346B2 (ja) | 2013-02-08 | 2016-09-14 | 日本碍子株式会社 | 波長変換素子の製造方法 |
-
2018
- 2018-08-30 WO PCT/JP2018/032190 patent/WO2019073713A1/ja active Application Filing
- 2018-08-30 CN CN201880003453.6A patent/CN111226167B/zh active Active
- 2018-08-30 JP JP2019504154A patent/JP6591117B2/ja active Active
- 2018-08-30 DE DE112018000112.1T patent/DE112018000112B4/de active Active
-
2019
- 2019-03-27 US US16/366,292 patent/US11332849B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040096160A1 (en) * | 2001-01-22 | 2004-05-20 | Iliyana Hinkov | Device for multiplying light frequencies |
JP2002277915A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 分極反転形成方法および光波長変換素子 |
WO2005091066A1 (ja) * | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学素子ならびに分極反転領域の形成方法 |
JP2008304600A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 光波長変換素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6591117B2 (ja) | 2019-10-16 |
WO2019073713A1 (ja) | 2019-04-18 |
DE112018000112T5 (de) | 2019-06-06 |
US11332849B2 (en) | 2022-05-17 |
DE112018000112B4 (de) | 2022-10-27 |
US20190284720A1 (en) | 2019-09-19 |
CN111226167A (zh) | 2020-06-02 |
CN111226167B (zh) | 2022-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2001066652A (ja) | 分極反転構造の形成方法並びにそれを利用した波長変換素子の製造方法 | |
JP5300664B2 (ja) | 分極反転部分の製造方法 | |
JP6591117B2 (ja) | 周期分極反転構造の製造方法 | |
JP2010156787A (ja) | 光機能素子の製造方法 | |
JP4756706B2 (ja) | 分極反転構造の製造方法 | |
JP4974872B2 (ja) | 周期分極反転構造の製造方法 | |
JP4646150B2 (ja) | 周期分極反転構造の製造方法 | |
JP3838910B2 (ja) | 強誘電体の分極反転方法および光波長変換素子の作製方法 | |
JP2009271496A (ja) | 光機能素子の製造方法 | |
JP4400816B2 (ja) | 周期分極反転構造の製造方法および光デバイス | |
JPH06186603A (ja) | 分極反転層形成方法 | |
JP4642065B2 (ja) | 周期分極反転部の製造方法 | |
JP2009092843A (ja) | 周期分極反転構造の製造方法 | |
JP6031852B2 (ja) | 周期分極反転用電極及び周期分極反転構造の形成方法 | |
JP2013160970A (ja) | 周期分極反転用電極、周期分極反転構造の形成方法及び周期分極反転素子 | |
US9599876B2 (en) | Periodic polarization reversal electrode, periodic polarization reversal structure forming method and periodic polarization reversal element | |
JP4854187B2 (ja) | 分極反転部の製造方法 | |
JP2002277915A (ja) | 分極反転形成方法および光波長変換素子 | |
JP2002214655A (ja) | 強誘電体の分極反転方法および光波長変換素子の作製方法 | |
JP5872779B2 (ja) | 周期分極反転用電極を備えた強誘電体結晶基板、及び周期分極反転素子の製造方法 | |
US6762874B2 (en) | Polarization inversion method of ferroelectrics and fabrication method of optical wavelength conversion device | |
JP2016024423A (ja) | 波長変換素子の製造方法および波長変換素子 | |
JPH11282036A (ja) | 光波長変換素子の作製方法 | |
JP6308010B2 (ja) | 周期分極反転用電極、周期分極反転構造の形成方法及び周期分極反転素子 | |
JP6019618B2 (ja) | 周期的分極反転構造の形成方法及び波長変換素子の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190204 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190909 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6591117 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |