JP4243995B2 - 分極反転部の製造方法および光デバイス - Google Patents
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Description
ニオブ酸リチウム単結晶などの非線型光学材料から第二高調波を発生させるためには、単結晶に周期状の分極反転を形成する必要がある。ノンドープのニオブ酸リチウムに関しては基板の上面に櫛型の電極を周期状に配列し、下面側に一様な電極を形成し、抗電界以上となるように電圧を供給すれば、分極反転構造を得ることができる。しかしながらMgOが添加されたニオブ酸リチウムの場合には、上記と同じような方法で電圧を印加しても、櫛型電極の一部で周期状分極反転構造が得られたものの、他の領域では形成されないことがあり、櫛形電極の全体にわたって良好な周期状分極反転部を形成することが難しかった。
強誘電体単結晶中には、三次元光導波路の耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、スカンジウム(Sc)及びインジウム(In)からなる群より選ばれる1種以上の金属元素を含有させることができ、マグネシウムが特に好ましい。分極反転特性(条件)が明確であるとの観点からは、ニオブ酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウムータンタル酸リチウム固溶体単結晶、タンタル酸リチウム単結晶にそれぞれマグネシウムを添加したものが特に好ましい。また、強誘電体単結晶中には、ドープ成分として、希土類元素を含有させることができる。この希土類元素は、レーザー発振用の添加元素として作用する。この希土類元素としては、特にNd、Er、Tm、Ho、Dy、Prが好ましい。
また第一の導電膜、第二の導電膜の材質は、限定されないが、Al、Au、Ag、Cr、Cu、Ni、Ni-Cr、Pd、Taが好ましい。
具体的には、MgOをドープしたニオブ酸リチウム単結晶からなる、厚さ0.5mmのzカット基板2と、5度オフyカットの0.5mm厚さの基板5とを用意し、それぞれzカット基板2の+z面2aに櫛型電極3をパターニングし、-z面2bには一様電極4を成膜した。5度オフyカット基板5については上下面5a、5bともに一様電極6、7を形成した。分極反転部の周期は1.8mmとした。各電極の材質はTaを使用した。電極厚さは全て1000オングストロームとした。また、zカット基板2の櫛型電極3の表面に、SiO2を2000オングストローム成膜した。図1に示すように、上側にzカット基板2を、下側に5度オフカット基板5を積層し、積層体1を得た。積層体1を、図2に示すように絶縁オイル8内に浸漬し、6kV、パルス幅10Hzのパルス状電圧を、パルス間隔約1秒で700回繰返し印加した。
Claims (5)
- 単分域化している強誘電体単結晶基板の一方の主面上に櫛形電極を設け、前記強誘電体単結晶基板の他方の主面側に一様電極を設け、前記櫛形電極と前記一様電極との間に電圧を印加することによって分極反転部を製造する方法であって、
本体、この本体の一方の主面上に設けられている第一の導電膜、および前記本体の他方の主面上に設けられている第二の導電膜を有する下地基板を、前記強誘電体単結晶基板と積層し、この際前記一様電極と前記第一の導電膜とを電気的に導通させ、前記櫛形電極と前記第二の導電膜との間に電圧を印加することによって、前記強誘電性単結晶基板に前記分極反転部を形成することを特徴とする、分極反転部の製造方法。 - 前記強誘電体単結晶基板が、ニオブ酸リチウム単結晶、タンタル酸リチウム単結晶、およびニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体単結晶からなる群より選ばれた単結晶からなることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記単結晶に、酸化マグネシウムと酸化亜鉛との少なくとも一方が含有されていることを特徴とする、請求項1または2記載の方法。
- 前記強誘電体単結晶基板がZカット基板であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の方法によって製造された分極反転部を備えていることを特徴とする、光デバイス。
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